《模拟电子技术基础》期中测试题
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《模拟电子技术基础》期中测试题
一、填空题:(40分
1.在本征半导体中加入三价元素可形成 p 型半导体,加入五价
元素可形成 n 型半导体。 2.当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层变 zai ;当PN 结外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层变宽 。
3.二极管最主要的特性是 单向导电 。在常温下,硅二极管的开启电压约 0.5 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V ;锗二极管的开启电压约 0.1 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V 。
4.为保证三极管处于放大状态,其发射结必须加正向
偏置电压,集电结必须加 反向 偏置电压。
5.场效应管是一种 亚 控器件,它利用
善缘电压 控制漏极电流i D 。
6.NPN 型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真,它属于 饱和 失真,消除该失真要 增大 Rb 的阻值。
7.某三极管的极限参数P CM =150mW,I CM =100mA,U (BRCEO =30V,若它的工作电
压U CE =10V,则工作电流I C 不得超过 mA ;若工作电压U CE =1V ,则工作
电流不得超过 mA ;若工作电流I C =1mA,则工作电压不得超过 V 。
8.图1.8(a和(b是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为 型和 型,用半导体材料 和 制成,电流放大系数β分别为
和 。
图1.8
图1.9
9.根据图 1.9中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为饱和、放大、截止。
10.三极管处于放大状态时,是工作在其特性曲线的放大区;场效应管工作在放大状态时,是工作在其特性曲线的恒流区。
11.集成运放的内部电路是一种耦合的多级放大电路,它的放大倍数非常高,但是各级静态工作点Q是相互的。
12.互补对称输出电路容易产生交越失真,主要因为两个对称三极管特性有电压,在回路加偏置电压可消除该失真。
13.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,能够放大
高频信号。
14.为提高输入电阻,减小零点漂移,通用集成运放的输入级大多采用电路;为了减小输出电阻,输出级大多采用电路。
二、选择题:(20分
1.广义地说,结型管应该是属于(a
A.耗尽型
B.增强型
C. 两种都不是
2.测得放大电路中三极管的各极电位如图,则该三极管为c 。
A.NPN,硅管
B.PNP,硅管
C. NPN,锗管
D. PNP, 锗管
图2.3 图2.2
3.用示波器观察NPN管共射单管放大器的输出电压波形如图2.3,判断属于何种类型的失真(b
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.幅频失真
4.共集电极放大电路的放大倍数,而电流放大倍数。
( c
A.≤1,很小
B.≥1,很大
C. ≤1, 很大
5.稳压管稳压是利用它的特性,所以必须给稳压管外加
电压。( c
A.单向导电,反向
B.反向击穿,正向
C.反向击穿,反向
D.单向导电,正向
6.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( b
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
7.说晶体管具有放大电流的功能,是指它在电路中采用( c
A.共射接法
B.共基接法
C.共集接法
D.任何接法
8.三极管的I
CEO
大,说明其( d
A.工作电流大
B.击穿电压高
C.寿命长
D.热稳定性差
9.两个参数对称的三极管组成差动电路,在双端输入和双端输出时,与单管电路相比其放大倍数,输出电阻。(
A.大两倍,高两倍
B.相同,相同
C.相同,高两倍
10.K
CMR
越大,表明电路。( c
A.放大倍数越稳定
B.交流放大倍数越大
C.抑制零漂能力越强
D.输入信号中差模成分越大
三、简答题:(20分
1.简述射极输出器的特点。
2.什么是差模信号、共模信号?差动放大电路对差模信号和共模信号是如何对待的?
3.集成运放由哪些部分组成?并说明集成运放参数A
ud 和A
uc
的含义。
4.恒流源电路在集成运放中有哪些用途?
四、分析计算题:(20分
1.分压式工作点稳定电路如图4.1,已知:Ucc=12V,
R b1=15KΩ, R b2=30KΩ, Rc=2KΩ, Re=2KΩ,三极管β=50, U BEQ=0.7V,r
bb′=300Ω,C1、C2、C e的容量足够大,试求:
(1画出直流通路、交流通路和微变等效电路;
(2求静态工作点I CQ、I BQ、U CEQ;
(3计算电路的A u、R i和R o.
图4.2
图4.1
2.基本共射放大电路如图4.2所示,已知:Ucc=12V, R b=400KΩ, R c=2 KΩ,R L=6
KΩ, β=100 ,U BEQ=0.7V, r bb’=300Ω, C1和C2的容量足够大,试求:
(1画出电路的直流通路、交流通路和微变等效电路;
(2求电路的A u、R i、R o.