DS18B20温度测量与控制实验报告

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课程实训报告

《单片机技术开发》

专 业: 机电一体化技术

班 级: 104201

学 号: 10420134

姓 名: 杨泽润

浙江交通职业技术学院机电学院

2012年5月29日

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目 录

一、DS18B20温度测量与控制实验目的„„„„„„„„

二、DS18B20温度测量与控制实验说明„„„„„„„„

三、DS18B20温度测量与控制实验框图与步骤„„„„„„„„

四、DS18B20温度测量与控制实验清单„„„„„„„„

五、DS18B20温度测量与控制实验原理图„„„„„„„

六、DS18B20温度测量与控制实验实训小结„„„„„„

3 一、实验目的

1.了解单总线器件的编程方法。

2.了解温度测量的原理,掌握 DS18B20 的使用。

4 二、 实验说明

本实验系统采用的温度传感器DS18B20是美国DALLAS公司推出的增强型单总线数字温度传感器。

Dallas 半导体公司的数字化温度传感器DS1820是世界上第一片支持 “一线总线”接口的温度传感器。现场温度直接以“一线总线”的数字方式传输,大大提高了系统的抗干扰性。适合于恶劣环境的现场温度测量,如:环境控制、设备或过程控制、测温类消费电子产品等。与前一代产品不同,新的产品支持3V~5.5V的电压范围,使系统设计更灵活、方便。 DS18B20测量温度范围为 -55°C~+125°C,在-10~+85°C范围内,精度为±0.5°C。DS18B20可以程序设定9~12位的分辨率,及用户设定的报警温度存储在EEPROM中,掉电后依然

保存。

DS18B20 内部结构

DS18B20 内部结构主要由四部分组成:64 位光刻 ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器 TH 和 TL、配置寄存器。DS18B20 的管脚排列如下:

DQ 为数字信号输入/输出端;GND 为电源地;VDD 为外接供电电源输入端(在寄生电源接线方式时接地)。

光刻 ROM 中的 64 位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20 的地址序列码。64 位光刻 ROM 的排列是:开始 8 位(28H)是产品类型标号,接着的 48 位是该 DS18B20自身的序列号,最后 8 位是前面 56 位的循环冗余校验码

(CRC=X8+X5+X4+1)。光刻 OMR 的作用是使每一个 DS18B20都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个 DS18B20 的目的。

DS18B20 中的温度传感器可完成对温度的测量,以 12 位转化为例:用16 位符号扩展的二进制补码读数形式提供,以0.0625℃/LSB形式表达,其中S为符号位。

这是 12 位转化后得到的 12 位数据,存储在 18B20的两个 8 比特的

RAM 中,二进制中的前面 5 位是符号位,如果测得的温度大于 0,这 5 位为

0,只要将测到的数值乘于 0.0625 即可得到实际温度;如果温度小于 0,这 5 位为 1,测到的数值需要取反加 1 再乘于 0.0625 即可得到实际温度。

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例如+125℃的数字输出为 07D0H,+25.0625℃的数字输出为 0191H,-25.0625℃的数字输出为 FF6FH,-55℃的数字输出为 FC90H。

DS18B20 温度传感器的存储器

DS18B20 温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存 RAM 和一个非易失性的可电擦除的E2RAM,后者存放高温度和低温度触发器 TH、TL 和结构寄存器。

暂存存储器包含了 8 个连续字节,前两个字节是测得的温度信息,第一个字节的内容是温度的低八位,第二个字节是温度的高八位。第三个和第四个字节是 TH、TL 的易失性拷贝,第五个字节是结构寄存器的易失性拷贝,这三个字节的内容在每一次上电复位时被刷新。第六、七、八个字节用于内部计算。第九个字节是冗余检验字节。

该字节各位的意义如下:

低五位一直都是 1 ,TM是测试模式位,用于设置 DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20 出厂时该位被设置为 0,用户不要去改动。R1 和 R0

用来设置分辨率,如下表所示:(DS18B20 出厂时被设置为 12 位)

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分辨率设置表:

根据 DS18B20 的通讯协议,主机控制 DS18B20 完成温度转换必须经过三个步骤:每一次读写之前都要对 DS18B20 进行复位,复位成功后发送一条 ROM

指令,最后发送 RAM 指令,这样才能对 DS18B20 进行预定的操作。复位要求主 CPU 将数据线下拉 500 微秒,然后释放,DS18B20收到信号后等待 16~60微秒左右,后发出 60~240 微秒的存在低脉冲,主 CPU 收到此信号表示复位成功。

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三、实验框图与步骤

实验步骤:

1)系统各跳线器处在初始设置状态 (参见附录三),用导线连接 MCU 模块的 P1.0 和 A/D D/A 模块的 DQ 输出端。将 MCU 模块的 JT11 跳线器的

CONTROL 短路帽置位左边。

2)打开‘18B20 测温’文件夹下 DS18B20.wsp 项目文件,打开项目中的文件,阅读、分析、理解程序。用适配器连接 PC 机和系统 MCU,编译、生成项目、下载程序,全速运行程序。观察数码管显示温度值。

3)将 MCU 模块的 JT11 跳线器的 CONTRL 短路帽置位左边,手动按下

A/D D/A模块的控制按键,接通加热电路,观察温度上升的过程;当温度达到设定的范围,观察温度控制的过程。

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四、实验清单

TEMPER_L EQU 20H ;用于保存读出温度的低8位

TEMPER_H EQU 21H ;用于保存读出温度的高8位

FLAG1 EQU 22H ;是否检测到DS18B20标志位

DATA_IN DATA 025H

DATA_OUT DATA 026H

TIMER DATA 030H

BIT_COUNT DATA 031H

DBUF DATA 032H

CLK BIT P1.6

DAT BIT P1.7

ORG 0000H

LJMP START

ORG 0100H

START:SETB P1.4

MAIN: LCALL GET_TEMPER;调用读温度子程序

MOV A,29H

MOV C,40H ;将28H中的最低位移入C

RRC A

MOV C,41H

RRC A

MOV C,42H

RRC A

MOV C,43H

RRC A

MOV 29H,A

LCALL TOBCD

LCALL DISPLAY ;调用数码管显示子程序

LCALL DELAY

AJMP MAIN

INIT_1820: ; 这是DS18B20复位初始化子程序

SETB P1.0

NOP

CLR P1.0

MOV R1,#3 ;主机发出延时537微秒的复位低脉冲

TSR1:MOV R0,#107

DJNZ R0,$

9 DJNZ R1,TSR1

SETB P1.0 ;然后拉高数据线

NOP

NOP

NOP

MOV R0,#25H

TSR2:JNB P1.0,TSR3 ;等待DS18B20回应

DJNZ R0,TSR2

LJMP TSR4 ; 延时

TSR3:SETB FLAG1 ; 置标志位,表示DS1820存在

LJMP TSR5

TSR4:CLR FLAG1 ; 清标志位,表示DS1820不存在

LJMP TSR7

TSR5:MOV R0,#117

TSR6:DJNZ R0,TSR6 ; 时序要求延时一段时间

TSR7:SETB P1.0

RET

GET_TEMPER: ; 读出转换后的温度值

SETB P1.0

LCALL INIT_1820 ;先复位DS18B20

JB FLAG1,TSS2

RET ; 判断DS1820是否存在?若DS18B20不存在则返回

TSS2:MOV A,#0CCH ; 跳过ROM匹配

LCALL WRITE_1820

MOV A,#44H ; 发出温度转换命令

LCALL WRITE_1820

LCALL DELAY1 ;这里通过调用显示子程序实现延时一段时间,等待AD转换结束,12位的话750微秒

LCALL INIT_1820 ;准备读温度前先复位

MOV A,#0CCH ; 跳过ROM匹配

LCALL WRITE_1820

MOV A,#0BEH ; 发出读温度命令

LCALL WRITE_1820

LCALL READ_18200 ; 将读出的温度数据保存到35H/36H

RET

WRITE_1820: ;写DS18B20的子程序(有具体的时序要求)

MOV R2,#8 ;一共8位数据

CLR C

WR1: CLR P1.0

MOV R3,#6

DJNZ R3,$

RRC A

MOV P1.0,C

MOV R3,#23