ETT、UTT、TCCC等DRAM颗粒解析

单片机半导体存储器的分类讲解
单片机当中的存储器，根据只读和随机可以分为两种不同的种类，本文就将为大家介绍单片机系统当中的半导体存储器分类，感兴趣的朋友快来看一看吧。

按功能分为只读和随机存取存储器两大类。

所谓只读，从字面上理解就是只能从里面读，不能写进去，它类似于我们的书本，发到我们手回之后，我们只能读里面的内容，不能随意更改书本上的内容。

只读存储器的英文缩写为
ROM(READ ONLY MEMORY)
所谓随机存取存储器，即随时能改写，也能读出里面的数据，它类似于我们的黑板，能随时写东西上去，也能用黑板擦擦掉重写。

随机存储器的英文缩写为RAM(READ RANDOM MEMORY)这两种存储器的英文缩写一定要记牢。

注意：所谓的只读和随机存取都是指在正常工作情况下而言，也就是在使用这块存储器的时候，而不是指制造这块芯片的时候。

不然，只读存储器中的数据是怎么来的呢?其实这个道理也很好理解，书本拿到我们手里是不能改了，
能当它还是原材料白纸的时候，当然能由印刷厂印上去了。

顺便解释一下其它几个常见的概念。

PROM，称之为可编程存储器。

这就像我们的练习本，买来的时候是空白的，能写东西上去，可一旦写上去，就擦不掉了，所以它只能用写一次，要是写错了，就报销了。

(现在已经被淘汰)
EPROM，称之为紫外线擦除的可编程只读存储器。

它里面的内容写上去之后，如果觉得不满意，能用一种特殊的办法去掉后重写，这就是用紫外线照射，紫外线就像消字灵，能把字去掉，然后再重写。

当然消的次数多了，也就不灵光了，所以这种芯片能擦除的次数也是有限的几百次吧。

(现在已经被淘汰)。

DRAM基本结构与原理（⼀）DRAM基本结构与原理（⼀）东南⼤学ASIC⼯程中⼼ matlinsas@DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存储器，也就是我们常说的计算机内存，在现代计算机系统和SOC系统中有很重要的作⽤。

本⽂主要对DRAM中的⼀些基本原理进⾏总结，⽬的是为了更好理解DDRC（Double Data Rata DRAM controller）中的时序关系与时序参数。

⼀．DRAM基本电路结构2.1基本存储单元cell2.1.1 3T1C与1T1CDRAM基本电路结构如图所⽰：图中的基本结构单元是1T1C（1 Transistor -1 Capacitor）。

其⼯作的⼤致原理是：当Word Line选通时，晶体管导通，从⽽可以从Bit Line上读取存储在电容器上的位信息。

⽽在早期的DRAM中的基本结构却不是这样的，⽽是3T1C（3 Transistor -1 Capacitor）如下图所⽰：使⽤三个晶体管作为开关，这样设计的优点是：当读取存储在电容上的位信息时，不会影响电容上的电荷，从⽽读后不需要对单元进⾏precharge。

关于precharge的原理在下⽂会有详细介绍，这⾥我们只要了解3T1C的结构读存储器不会破坏其存储在DRAM中的信息。

但是由于1T1C的结构⽐3T1C的结构⾯积节省很多，因此现代DRAM中常⽤的还是1T1C结构。

此外由DRAM基本电路结构图，我们可以知道DRAM的信息是存储在在电容当中，⽽电容中的电荷会因为漏电流存在原因⽽逐渐漏掉，因此需要不断refresh（刷新），这也是DRAM称为动态的原因。

例如，90nm⼯艺下，DRAM的cell单元的电容量是30pf，它的漏电流是1fA，漏光的时间是随着温度的变化⽽变化的。

现在的DRAM的刷新时间⼀般是32ms或者64ms。

2.1.2 堆电容（Stacked Capacitor）与沟电容（Trench Capacitor）下⾯我们从更底层来了解DRAM存储电容，关于存储电容在现代业界也没有统⼀，仍然存在两⼤阵营，分别是堆电容（Stacked Capacitor）与沟电容（Trench Capacitor），像三星这样的⼤公司使⽤是前者。

内存芯片颗粒内存芯片颗粒是一种用于存储数据的电子元件，它通常由半导体材料制成，具有较高的稳定性和可靠性。

内存芯片颗粒在现代计算机和电子设备中起着重要的作用，它们存储着计算机运行所需的程序和数据。

内存芯片颗粒的结构通常由晶体管和电容器等组成。

晶体管用于控制数据进出内存芯片，而电容器则用于存储数据，每个电容器存储一个二进制位（bit）的数据。

根据内存芯片颗粒的不同类型，其基本结构和工作原理也有所不同，其中最常见的类型是动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。

DRAM是一种常见的内存芯片颗粒类型，它采用电容器来存储数据。

DRAM的优点是容量较大且相对低成本，但它的缺点是需要刷新电容器中存储的数据，否则数据会丢失。

为了刷新数据，DRAM芯片需要周期性地进行读写操作，这增加了访问延迟。

SRAM是另一种常见的内存芯片颗粒类型，它采用晶体管来存储数据。

与DRAM不同，SRAM不需要刷新操作，因此具有更快的访问速度和更低的延迟。

然而，SRAM的缺点是相对较高的成本和较小的容量。

除了DRAM和SRAM之外，还有其他类型的内存芯片颗粒，如闪存芯片（Flash memory）。

闪存芯片采用非易失性存储器（NVM）技术，能够在断电情况下保留存储的数据。

这使得闪存芯片非常适用于移动设备和存储设备，如USB闪存驱动器和固态硬盘。

内存芯片颗粒的发展经历了多个阶段。

早期的计算机内存芯片颗粒容量较小，速度较慢，而现代的内存芯片颗粒容量可达数GB甚至更高。

此外，随着技术的发展，内存芯片颗粒也变得更加节能和可靠。

总之，内存芯片颗粒是现代计算机和电子设备中不可或缺的组成部分。

它们存储着计算机的程序和数据，决定了计算机的性能和功能。

随着技术的发展，内存芯片颗粒的容量和速度将不断提高，为计算机和电子设备的发展提供更加强大的支持。

!!!!!!颗粒比拼深度详解教你如何直击本质看内存如何识别ettutt颗粒和原厂major颗粒内存芯片比闪存芯片更加混乱，今天笔者就像大家介绍一些，市场上主流内存颗粒种类和他们的差别。

原厂颗粒与白片的区别总的来看，内存颗粒分为原厂(major brand或者简称major,打印芯片原厂商标)/白片(大多数只打最下面一行小序号，少数不打字)/次品(downgraded，一般不会打字)。

其中所谓“白片”又可以细分为ett、utt以及其他更差的等级。

在正规市场上交易的一般就是major、ett、utt这几种。

那么major、ett、utt究竟是什么样的概念呢？大家都知道，内存芯片是晶圆经过切割封装后的产物。

内存芯片厂商一般把这个任务放在封测厂做，在封装后立即进行测试。

封测厂可能是厂商自己的，也可能是外包的。

在一整个晶圆进行切割封装之前，要先进行基本的电性测试，看看晶圆的质量是否较差，或者晶圆的某些区域有潜在缺陷。

那些较差的晶圆，或者晶圆上较差的区域，在切割封装后就会成为utt/ett颗粒。

但由于后续测试费用其实很贵，不做或者少做后续测试可以省很多钱，成本就低了，另外还有个好处就是其中可能有“神颗粒”就是所谓“超频极品”，这样所谓“价廉物美”可以吸引内存条厂商来买。

晶圆utt名字是untested就是未经测试，但实际上最基本的物理测试还是做的，而ett名为effectively tested，就是通过有效性测试的颗粒，测试工序比utt多了不少，质量也要强不少。

但是它们都没有经过原厂major颗粒那样的严酷测试。

原厂颗粒一般要在测试时通过物理条件来模拟颗粒在恶劣环境下长时间工作几年老化以后的情况(但不会使颗粒真的老化)，能通过这种测试的颗粒当然能够保证长时间使用的稳定性。

只有这样的颗粒，才有资格打上原厂标。

所以，如果要论质量，不用说都知道major>ett>utt。

当然，这里的质量和超频无关。

当下，产品性价比是网友选购内存最重要的衡量标准。

用户在购买内存最关注的往往是品牌，频率，容量大小和价格。

不过如果想要更深入的选购质量上乘又价格合理的内存，那就必须了解内存的颗粒，内存颗粒决定了内存的兼容性和稳定性，更直接影响到内存的超频潜力。

然而很多人并不了解，同一品牌因为使用不同颗粒，在产品性能上会有很大的差异。

目前市场上各大品牌内存使用的内存颗粒主要是由原厂三星、镁光、现代、尔必达、南亚等提供。

在众多颗粒中，三星、镁光、现代颗粒最被认同。

其中镁光颗粒以其出色的超频能力被众多高端内存品牌所使用；而品质出色，兼容性好的三星则被各厂商首推为普通内存使用的最佳颗粒。

三星 (samsung) 内存工艺整体上要领先其他内存颗粒制造厂。

三星的半导体晶片在存储行业内名声显赫，他们不仅有最先进的半导体技术，在存储晶片方面也走在世界的前端。

从全球的市场份额来看，三星也绝对称的上是大哥级别的！金士顿、威刚、海盗船等一线内存品牌都普遍使用三星的原厂颗粒以保证产品的性能。

三星金条依靠自家生产的内存颗粒一直保持着高品质内存的形象，价格比同规格其他品牌的产品也要略高。

镁光(micron) 曾经被叫做美凯龙，是世界第二大内存颗粒制造商，但其产品在国内却不多见。

因为镁光很少将自己的优质颗粒卖给其他内存品牌，其极品颗粒多供自家DIY品牌Crucial使用及品牌机OEM市场，目前金邦、威刚、胜创等品牌的内存产品中可都以看到镁光内存的身影。

现代(hynix) 也被称为海力士，其内存颗粒以品质稳定价格低廉著称。

目前使用现代颗粒的内存品牌有金士顿、威刚、创见等，当然还包括自产自销原厂现代。

原厂现代在DIYer中有着不错的口碑，深受普通消费者的欢迎。

尔必达（elpida）由日本的日立和NEC两家知名IT企业共同出资建立的芯片厂商，由于生产规模的逐年扩大，使用其颗粒的内存也越来越多。

总的来说尔必达颗粒还是比较适合普通消费者，主要原因还是其价格十分低廉，兼容性与稳定性都比较优秀！在金士顿、黑金刚、金邦等品牌中可以看见必尔达的颗粒，不过他却自己的内存却没占有多少市场。

内存好不好关键看颗粒！镁光颗粒乃超频颗粒！2008-06-11 12:22通常人们购买内存最注重的就是其容量频率大小和价格，其次便是品牌和做工等。

性价比成为了人们选购内存的最重要的衡量标准，确实如此，不过如果你想更深入的选购极品内存，那就必须了解内存的颗粒，内存颗粒不但可以决定内存的兼容性稳定性而且更能影响到内存的超频潜力！有时候明明是同一款品牌的产品，它们因为不同颗粒却有着相当大的差异！如大家所熟知的金士顿品牌，其内存采用的颗粒芯片都是由其他厂商所提供，同样的价格却能买到不同体质的内存，所以了解颗粒对内存选购相当重要。

目前市场上各品牌内存使用的内存颗粒主要是由晶圆厂三星Samsung、现代Hynix、镁光Micron、德奇梦达Qimonda、尔必达ELPIDA以及南亚Nanya提供！这些颗粒芯片怎么样识别呢？它们各自的特点是什么呢？不用着急，下面小编就带大家一一了解，在了解完之后小编还要对大家熟知的金士顿及海盗船内存使用的颗粒进行解析，相信对大家今后内存选购有一定的帮助！主流常见颗粒介绍--最大众的现代Hynix相信大家对HY颗粒并不陌生，许多知名品牌内存都有使用现代颗粒，如金士顿、超胜、威刚等等！现代在全球内存颗粒市场的市场份额达到了16.6%，是业内第二大晶圆厂商。

HY颗粒也是国内最主流的内存颗粒之一，其出产的Y5颗粒在兼容性及超频能力上相当不错，所以在口碑上也非常不错。

下面我们来仔细分析下现代颗粒编号，如上图所示HY代表现代颗粒5P代表DDR2 SDRAMS代表采用了1.8V电压12代表容量及刷新率8代表位宽2代表逻辑BANK数量1代表了接口类型C代表内核版本F代表封装类型P代表无铅（符合RoSH标准）Y5代表DDR2 667 5-5-5选购建议：现代的颗粒被广泛的使用，主要原因是其兼容性与稳定性比较突出，品质方面有一定保证，并且价格还不是很贵适合普通消费者使用！使用现代颗粒的内存品牌：金士顿、现代原厂条、超胜、威刚、创见等主流常见颗粒介绍--大哥级别三星Samsung韩国知名的三星相信说出去没有几个人会不知道吧，三星旗下的颗粒制造业务在全球晶圆厂中也是独占鳌头。

半导体存储器的分类和特点
1. 嘿，咱先来说说半导体存储器里的随机存储器（RAM）呀。

就好比
你的书桌，随时能放东西上去，也能随时拿走，可方便啦！比如你的手机运行程序时，这些数据就可以随时被读写，快速得很呢！
2. 然后呢，还有只读存储器（ROM）哦。

这就像是一本固定的百科全书，
里面的知识是预先存好的，不能随便改，但是却能一直被读取。

像电脑的BIOS 就是用它呢，稳定得很呐！
3. 再说说闪存（Flash）呀。

这个可厉害啦，就像一个超灵活的小仓库！比
如我们的 U 盘，能存好多东西，随时携带，随时用，多棒呀！
4. 静态随机存储器（SRAM）也不能忽略呀！它的速度那叫一个快，就像短跑运动员一样迅猛。

像一些高速缓存就常用它，是不是很了不起？
5. 动态随机存储器（DRAM）呢，虽然速度比SRAM 慢点，但它容量大呀，像个大容量的储存箱。

电脑的内存很多就是用的它呢！
6. 还有一种叫可编程只读存储器（PROM）呢，就好比一个可以自己设定规则的小天地。

一旦设定好，就按照你的想法来，多有意思！
7. 最后是电可擦可编程只读存储器（EEPROM）呀，它就像一个可以反复
修改的笔记，想怎么改就怎么改。

像一些需要经常更新数据的地方就常用它啦！
总之啊，半导体存储器的分类可多啦，每种都有自己独特的特点和用处，真的是超级厉害呢！。

DRAM内存原理DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种电容器构成的半导体内存，用于存储数据和代码，是计算机中最常见的内存类型之一、DRAM的内部结构和操作原理相对较为复杂，本文将详细介绍DRAM内存的原理。

一、DRAM内部结构1.存储单元：每个存储单元包含一个电容，用来存储一个比特的数据。

存储单元有两个状态，即存储0和存储1、当电容充电时，存储1；当电容放电时，存储0。

2.地址译码器：DRAM由多个存储单元组成，每个存储单元都有一个独特的地址。

地址译码器用于将逻辑地址转换为物理地址，以便识别和访问特定的存储单元。

3.行地址译码器：DRAM内存中的存储单元是按行组织的，每一行包含若干个存储单元。

行地址译码器用于选择要访问的行。

4.列地址译码器：在选择了要访问的行后，列地址译码器用于选择要访问的列。

5.输入/输出线路：DRAM内存需要与其他组件进行数据的读写操作，输入/输出线路用于与外部设备进行通信，包括读取和写入数据。

二、DRAM的读操作DRAM的读操作可以分为两个阶段：行选通（Row Access）和列选择（Column Access）。

1.行选通：首先，需要通过地址译码器将逻辑地址转换为物理地址，然后通过行地址译码器选择要访问的行。

行地址译码器产生的信号将被传递到存储单元阵列，将要读取的行上的存储单元与输入/输出线路连接起来。

2.列选择：在行选通完成后，需要通过列地址译码器选择要访问的列。

列地址译码器产生的信号将被传递到存储单元阵列，将要读取的列上的存储单元与输入/输出线路连接起来。

3.读取数据：在选择了要读取的存储单元后，将从电容中读取数据。

读取数据时，电容会逐渐放电，电荷的大小表示存储的是1还是0。

将读取到的数据经过放大和整形等处理后，输出到输入/输出线路，供CPU或其他设备使用。

三、DRAM的写操作DRAM的写操作与读操作类似，也分为行选通和列选择两个阶段。