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第一篇习题半导体中的电子状态1-1、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。
1-2、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。
1-3、试指出空穴的主要特征。
1-4、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。
1-5、某一维晶体的电子能带为E（k） = E Q[1—O.lcos（如）—0.3sin（*a）]其中E0=3eV,晶格常数a=5xl0-11mo求：Cl）能带宽度；C2）能带底和能带顶的有效质量。
第一篇题解半导体中的电子状态1-1、解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（3Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。
其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。
如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。
1-2、解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。
温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。
反之，温度降低，将导致禁带变宽。
因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。
1-3、解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态，是准粒子。
主要特征如下：A、荷正电：+q；B、空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n）；C、Ep=-E nD、mp*=-m n*o1-4、解：（1） Ge、Si:a）Eg （Si： 0K）= 1.21eV； Eg （Ge： OK） = 1.170eV；b）间接能隙结构C）禁带宽度Eg随温度增加而减小；(2) GaAs ：a) E g (300K) = 1.428eV, Eg (OK) = 1.522eV ；b) 直接能隙结构；c) Eg 负温度系数特性：dE g /dT = -3.95XlO-4eV/K ； 1-5、解：(1) 由题意得:dE ——=O.lofijsiii (如)-3cos (知)] dk= 0.1a 2E 0[cos(^a) + 3sin(A;a)]dF i令—=0,得tg (ka)=— dk 3k x a = 18.4349°,灼。
第七篇 题解-半导体表面与MIS 结构刘诺 编7-1、解：又因为 0V V V s G +=7-3、解：（1） 表面积累：当金属表面所加的电压使得半导体表面出现多子积累时，这就是表面积累，其能带图和电荷分布如图所示：（2） 表面耗尽：当金属表面所加的电压使得半导体表面载流子浓度几乎为零时，这就是表面耗尽，其能带图和电荷分布如图所示：（3）当金属表面所加的电压使得半导体表面的少子浓度比多子浓度多时，这就是表面反型，其能带图和电荷分布如图所示：7-3、解：理想MIS 结构的高频、低频电容-电压特性曲线如图所示； 其中AB 段对应表面积累，C 到D 段为表面耗尽，GH 和EF 对应表面反型。
7-4、解：使半导体表面达到强反型时加在金属电极上的栅电压就是开启电压。
这时半导体的表面势7-5、答：当MIS 结构的半导体能带平直时，在金属表面上所加的电压就叫平带电容。
平带电压是度量实际MIS 结构与理想MIS 结构之间的偏离程度的物理量，据此可以获得材料功函数、界面电荷及分布等材料特性参数。
7-6、解：影响MIS 结构平带电压的因素分为两种：（1）金属与半导体功函数差。
例如，当W m <W s 时，将导致C-V 特性向负栅压方向移动。
如图恢复平带在金属上所加的电压就是（2）界面电荷。
假设在SiO 2中距离金属- SiO 2界面x 处有一层正电荷，将导致C-V 特性向负栅压方向移动。
如图恢复平带在金属上所加的电压就是在实际半导体中，这两种因素都同时存在时，所以实际MIS 结构的平带电压为第六篇习题-金属和半导体接触刘诺 编6-1、什么是功函数？哪些因数影响了半导体的功函数？什么是接触势差？ 6-2、什么是Schottky 势垒？影响其势垒高度的因数有哪些？6-3、什么是欧姆接触？形成欧姆接触的方法有几种？试根据能带图分别加以分析。
6-4、什么是镜像力？什么是隧道效应？它们对接触势垒的影响怎样的？ 6-5、施主浓度为7.0×1016cm -3的n 型Si 与Al 形成金属与半导体接触，Al 的功函数为4.20eV ，Si 的电子亲和能为4.05eV ，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。
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2000-2006，2010-2015年苏州大学856物理化学（F）考研真题。
半导体物理学第四版答案【篇一：半导体物理学第四章答案】. 300k时，ge的本征电阻率为47?cm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( v.s)和1900cm/( v.s)。
试求ge 的载流子浓度。
解：在本征情况下，n?p?ni,由??1/??211知 ?nqun?pqupniq(un?up)ni?1113?3??2.29?10cm?19?q(un?up)47?1.602?10?(3900?1900)2. 试计算本征si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/( v.s)和500cm2/( v.s)。
当掺入百万分之一的as后，设杂质全部电离，试计算其电导率。
比本征si的电导率增大了多少倍？解：300k时，un?1350cm2/(v?s),up?500cm2/(v?s)，查表3-2或图3-7可知，室温下si的本征载流子浓度约为ni?1.0?1010cm?3。
本征情况下，??nqun?pqup?niq(un?up)?1?1010?1.602?10-19?(1350+500)?3.0?10?6s/cm11金钢石结构一个原胞内的等效原子个数为8??6??4?8个，查看附录b知si的晶格常数为820.543102nm，则其原子密度为822?3。
?5?10cm?73(0.543102?10)1?5?1016cm?3，杂质全部电离后，nd??ni，1000000掺入百万分之一的as,杂质的浓度为nd?5?1022?这种情况下，查图4-14（a）可知其多子的迁移率为800 cm2/( v.s) ??ndqun?5?1016?1.602?10-19?800?6.4s/cm?6.4??2.1?106倍比本征情况下增大了?6?3?103. 电阻率为10?.m的p型si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度。
解：查表4-15(b)可知，室温下，10?.m的p型si样品的掺杂浓度na约为1.5?1015cm?3,查表3-2或图3-7可知，室温下si的本征载流子浓度约为ni?1.0?1010cm?3,na??nip?na?1.5?1015cm?3ni(1.0?1010)24?3n???6.7?10cm15p1.5?104. 0.1kg的ge单晶，掺有3.2?10-9kg的sb，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率??n=0.38m2/( v.s),ge的单晶密度为5.32g/cm3,sb原子量为121.8?。
2007年硕士学位研究生入学统一考试试题半导体物理学(乙) B卷一、解释下列名词及概念1．半导体中深能级杂质 2．禁带宽度 3．热载流子4．空穴 5．半导体的迁移率 6．准费米能级 7．欧姆接触8．表面复合速度 9．本征吸收 10．p-n结势垒电容二、简答题1．简述多能谷散射；2．简述霍耳效应；3．简述禁带变窄效应；4．简述半导体的几何磁阻效应。
三、平面正六方晶格如图所示，其矢量为：式中a为六角形两个平行对边间的距离。
1．求倒格子基矢；2．证明倒格子原胞的面积等于正格子原胞面积的倒数；(不考虑(2π) 2因子) 3．画出此晶格的第一布里渊区。
四、晶格常数为a的一维晶格，其导带极小值附近能量为价带极大值附近能量为为电子的惯性质量，h=6.63×10-34，s为普朗克常数，，a=0.314nm，求1．禁带宽度；2．导带底电子有效质量；3．价带顶电子有效质量；4．价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
五、设在一个金属--二氧化硅--p型硅构成的MOS结构上加一电压，如图所示，p型硅接低电位，金属接高电位，使半导体表面层出现耗尽状态。
1．根据耗尽层近似，求耗尽层内电势v(x) 。
2．若p-si的表面势Vs =0.4V，外加电压为5V，受主杂质浓度NA=1016/cm3，求耗尽层厚度。
(硅的介电常数εr =11.9，真空介电常数ε=8.85×10-14F/cm，电子电量q=1.60×10-19C) 。
六、已知硅突变结两边杂质浓度为NA =1016cm-3，ND=1020cm-3，1．求势垒高度和势垒宽度(300K时) ；2．画出电场E(x) 及电势V(x) 图。
(硅中本征载流子浓度ni =1.5×1010cm-3，硅的介电常数εr=11.9，真空介电常数E 0=8.85×10-14F/cm，玻耳兹曼常数k=1.38×10-23/K，300K时kT=0.026eV) 2007年半导体物理学(乙) B卷参考答案1．深能级杂质：在半导体的禁带产生的施主能级距离导带底较远，产生的受主能级距离价带顶也较远。
A苏大考研真题（04-08）二零零四年攻读硕士学位研究生入学考试试题生物化学一填空1. 蛋白质的二几级结构主要包括————和——-的形式2.DNA双螺旋结构稳定的维系，横向由——-维系，纵向由——维系3.Km值等于酶促反应速度为最大反应速度------时的——浓度4.糖酵解途径进行的亚细胞定位在——，其终产物为————其关键酶是——，——，和——5.1mol 葡萄糖氧化生成CO2 和H2O 时生成------ mol ATP6. 脂肪酸 B氧化中脱氢反应，氢的受体是----和--------7.转氨酶的辅酶是----- ，氨基酸脱羧酶的辅酶是----8.连接两个核苷酸的化学键是--------，连接两个氨基酸的化学键是--------9.磷脂酰胆碱俗称---------，磷脂酰乙醇氨俗称------10.嘧啶核苷酸的合成是先合成------再与--------相连而成。
11. DNA复制时，一条链的复制-----进行，称为-------，相应的另一条链是-------复制，称为--------。
12.真核生物的RNA聚合酶I对a-鹅膏覃碱----，其转录产物----，而聚合酶II对其---- ，转录产物为-----。
二名词解释1.结构域2.肉碱3. ribozyme4. cori 循环5.信号肽6.嘌呤核苷酸循环7.okazaki fragment8.enhancer 9. 一碳单位 10.P/O比值三必答题1.简述DNA双螺旋结构模式要点及其与DNA生物学功能的关系2.举例说明竞争性抑制原理及应用3. 试比较转录和复制的异同点4.试述大肠杆菌乳糖操纵子的调节机制四选答题1.试述人血浆脂蛋白的分类，结构特点及主要功能2.简述叶酸，vit B12 缺乏产生巨幼红细胞贫血的生化机理3. 简述正常胆色素代谢过程4.简述血红素生成的原料，限速酶及调控因素5.简述基因重组原理及操作步骤6.以溶菌酶或糜蛋白酶为例说明酶作用机理7. 简述嘌呤霉素对蛋白质合成抑制的作用机理8.举例说明两次诺贝尔奖获得者Sanger F对生化方法学的贡献二零零四年攻读硕士学位研究生入学考试试题细胞生物学一填空1.-----------是第一位用--------观察生命有机体的生物学家，他首先使用了------这一名词。
苏州大学二零零四年攻读硕士学位研究生入学考试试题生物化学一填空1. 蛋白质的二级结构主要包括—α螺旋———和—β折叠、β转角—-的形式2.DNA双螺旋结构稳定的维系，横向由—氢键—-维系，纵向由—碱基堆积力—维系3.Km值等于酶促反应速度为最大反应速度-一半-----时的—底物—浓度4.糖酵解途径进行的亚细胞定位在—胞浆—，其终产物为——丙酮酸——其关键酶是己糖激酶——，—磷酸果糖激酶—，和—丙酮酸激酶—5.1mol 葡萄糖氧化生成CO2 和H2O 时生成--32---- mol ATP6. 脂肪酸 B氧化中脱氢反应，氢的受体是-FAD---和----NAD+----7.转氨酶的辅酶是---磷酸吡哆醛-- ，氨基酸脱羧酶的辅酶是-磷酸吡哆醛---8.连接两个核苷酸的化学键是—3,5-磷酸二脂键------，连接两个氨基酸的化学键是---肽键-----9.磷脂酰胆碱俗称---卵磷脂------，磷脂酰乙醇氨俗称-脑磷脂-----10.嘧啶核苷酸的合成是先合成—嘧啶环----再与---磷酸核糖-----相连而成。
11. DNA复制时，一条链的复制—连续进行---进行，称为—前导链-----，相应的另一条链是---不连续----复制，称为—后随链------。
12.真核生物的 RNA聚合酶I对a-鹅膏覃碱-不敏感---，其转录产物-rRNA---，而聚合酶II 对其—敏感-- ，转录产物为-mRNA----。
二名词解释1.结构域2.肉碱3. ribozyme4. cori 循环（乳酸循环）5.信号肽6.嘌呤核苷酸循环7.okazaki fragment8.enhancer 9. 一碳单位 10.P/O比值三必答题1.简述DNA双螺旋结构模式要点及其与DNA生物学功能的关系（见本科生期末试卷8）2.举例说明竞争性抑制原理及应用（见本科生期末试卷9）3. 试比较转录和复制的异同点（见本科生期末试卷5）4.试述大肠杆菌乳糖操纵子的调节机制（见本科生期末试卷1）四选答题1.试述人血浆脂蛋白的分类，结构特点及主要功能（见本科生期末试卷5）2.简述叶酸，vit B12 缺乏产生巨幼红细胞贫血的生化机理3. 简述正常胆色素代谢过程4.简述血红素生成的原料，限速酶及调控因素5.简述基因重组原理及操作步骤（参考本科生期末考试4）6.以溶菌酶或糜蛋白酶为例说明酶作用机理7. 简述嘌呤霉素对蛋白质合成抑制的作用机理8.举例说明两次诺贝尔奖获得者Sanger F对生化方法学的贡献d苏州大学二零零五攻读硕士学位研究生入学考试试题生物化学一名词解释1.构型2.穿梭质粒3.蛋白质的变性作用4.ACP5.冈琦片断6.泛肽7.解链温度（Tm值）8.氧化磷酸化作用9.超二级结构 10限制性内切酶二判断题（题库基本有答案）1. 所有的单糖都是还原糖2. 原核细胞每一条染色体只有一个复制起点，而真核细胞有多个复制起点3.血红蛋白与肌红蛋白均为氧的载体，前者是一个典型的变构酶，而后者不是4.维生素的重要性在于他除了能作为组织的构成原料外也是机体的能源物质5.2 ，4-硝基苯酚只抑制氧化磷酸化的ATP形成对底物水平的磷酸化没有影响6.假尿苷属于一种碳苷，其C1与尿嘧啶的C5相连接7.构成鞘磷脂的醇是鞘氨醇8.戊糖磷酸途径是人体NADPH主要途径9.在动物体内脂肪酸分解产生的乙酰辅酶A不能转变为各种氨基酸的骨架10引物是指DNA复制时所需要的一小段RNA，催化引物合成的引物酶是一种特殊的DNA聚合酶 11.酶的敏感性就是指酶对能使蛋白质变性的因素极为敏感12生物体内嘧啶碱分解代谢的最终产物是水和CO213重氮丝氨酸能以竞争性抑制作用干扰或阻断核苷酸合成是因为他在结构上于gln类似14在生物体内，所有的高能化合物都含有磷酸基团15.LDL脂蛋白是密度最低的脂蛋白16.凝胶过滤法测定蛋白质分子量是根据不同蛋白质带电荷多少进行的17嘌呤核苷酸和嘧啶核苷酸的生物合成过程相同，即先合成碱基再与磷酸核糖连接生成核苷酸18同一种辅酶与酶蛋白之间可有共价和非共价两种不同类型的结合方式19Km数值仅由酶和底物相互关系决定，不受其他因素影响20由于DNA是双链而RNA是单链，因此两者相比DNA的磷酸脂键不容易被水解三综合题1.就你所知，写出生物体内与乙酰辅酶A的产生和利用有关的代谢途径（题库）2.简述ATP合酶的结构特点及功能（细胞书上详细解释P139）3.简述 RNA功能的多样性（王镜岩下册P488）4.下列氨基酸的混合物在pH4.3时进行电泳，哪些氨基酸向正极移动那些向负极移动？Ala(pI=6.0) Gla(pI=3.22) Gly(pI=5.97) Arg(pI=10.76) asp(pi=2.77) his(pi=7.59)（题库）5. 一个A肽，经酸解分析得知由lys,his,asp,2个glu,以及val,tyr和两个NH3分子组成。
西安邮电大学微电子学系商世广半导体器件试题库常用单位：在室温（ T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为n i = 1.510×10/cm3电荷的电量 q= 1.6 ×10-19Cn2/V sp2/V s μ=1350 cmμ=500 cmε0×10-12F/m=8.854一、半导体物理基础部分（一）名词解释题杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。
非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。
迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。
晶向：晶面：（二）填空题1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为、多晶和三种。
2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为杂质和杂质两种。
3．点缺陷主要分为、和反肖特基缺陷。
4．线缺陷，也称位错，包括、两种。
5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向弯曲，获得空穴时，能带向弯曲。
6．能向半导体基体提供电子的杂质称为杂质；能向半导体基体提供空穴的杂质称为杂质。
7．对于 N 型半导体，根据导带低E C和 E F的相对位置，半导体可分为、弱简并和三种。
8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是、。
9．在 Si-SiO 2系统中，存在、固定电荷、和辐射电离缺陷 4 种基本形式的电荷或能态。
10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向移动；对于P 型半导体，当温度升高时，费米能级向移动。
（三）简答题1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？2．说明元素半导体Si 、 Ge中主要掺杂杂质及其作用？3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？（四）问答题1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？（五）计算题1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a，计算晶面（ 100）、（ 110）的面间距和原子面密度。
2018苏州大学837信号系统与数字逻辑物理专业课资料汇总（5篇范例）第一篇：2018苏州大学837信号系统与数字逻辑物理专业课资料汇总2018苏州大学837信号系统与数字逻辑物理专业课资料汇总能够掌握一门专业的课的各种资料对考研党们来说无异于如虎添翼，尤其是一些像参考书目、复习指导书这一类的资料更是必须要了解清楚，这关乎于后期的复习方向，还有也是自己复习进度制定的依据。
因此，为了帮助备考2018苏州大学837信号系统与数字逻辑物理专业课的同学们，聚英考研网帮大家整理了该专业的参考书目和复习全书等资料，在考研的路上为你们提供一些帮助。
一、参考书目1、初试：《信号与线性系统》（上、下）（第四版），管致中，高等教育出版社；《数字电子技术基础》（第五版），阎石，高等教育出版社。
2、复试：电子与通信工程:电路分析或数字信号处理基础。
《电路（第五版）》，邱关源，高等教育出版社《数字信号处理—理论与应用》（第二版），俞一彪、孙兵，东南大学出版社信息与通信工程：（同上）集成电路工程：模拟电子技术笔试和上机编程或微电子学概论笔试《电子技术基础（模拟部分）》（第五版），康华光，高等教育出版社《微电子学概论》（第三版），张兴、黄如、刘晓彦，北京大学出版社3、同等学力加试科目电子与通信工程和信息与通信工程：①微机原理②模拟电子技术微机原理：《单片机原理与接口技术》，陈蕾、邓晶、仲兴荣，机械工业出版社集成电路工程：①微机原理②电路分析③模拟电路④半导体器件任选两门微机原理：《单片机原理与接口技术》，陈蕾、邓晶、仲兴荣，机械工业出版社模拟电路：《电子技术基础（模拟部分）》（第五版），康华光，高等教育出版社半导体器件：《半导体器件物理与工艺》（第三版），施敏，苏州大学出版社二、复习资料书1、《2018苏州大学837信号系统与数字逻辑考研专业课复习全书》适用科目代码：837信号系统与数字逻辑适用专业：电子信息学院：电子与通信工程（专业学位）、信息与通信工程、集成电路工程（专业学位）本书内容：第一部分历年真题（2009-2014）第二部分参考教材每个章节重点笔记、参考教材每个章节典型题或章节真题解析第三部分教材课件及相关扩充复习资料2、《2018苏州大学837信号系统与数字逻辑物理考研专业课全真模拟题与答案解析》适用科目代码：837信号系统与数字逻辑适用专业：电子信息学院：电子与通信工程（专业学位）、信息与通信工程、集成电路工程（专业学位）本书内容：对应目标专业科目模拟试卷或对应指定教材的模拟试卷（2009-2014）除了参考书目、复习资料书，更有历年分数线、报录比、专业考试科目等各种详细的考研信息在聚英考研网上等你去查询哦！希望2018大家考研成功！第二篇：2018苏州大学考研823艺术史专业课资料汇总2018苏州大学考研823艺术史专业课资料汇总大家规划好五月份的复习计划了吗？五月是一个气候比较舒适的季节，好好利用这段时间来专心复习能帮助大家提高复习的效率。
江苏⾼校的半导体物理复习资料（整理后）⼀、填充题1. 两种不同半导体接触后, 费⽶能级较⾼的半导体界⾯⼀侧带电达到热平衡后两者的费⽶能级。
2. 半导体硅的价带极⼤值位于k空间第⼀布⾥渊区的中央，其导带极⼩值位于⽅向上距布⾥渊区边界约0.85倍处，因此属于半导体。
3. 晶体中缺陷⼀般可分为三类：点缺陷，如；线缺陷，如；⾯缺陷，如层错和晶粒间界。
4. 间隙原⼦和空位成对出现的点缺陷称为；形成原⼦空位⽽⽆间隙原⼦的点缺陷称为。
5．杂质可显著改变载流⼦浓度；杂质可显著改变⾮平衡载流⼦的寿命，是有效的复合中⼼。
6. 硅在砷化镓中既能取代镓⽽表现为，⼜能取代砷⽽表现为，这种性质称为杂质的双性⾏为。
7．对于ZnO半导体，在真空中进⾏脱氧处理，可产⽣，从⽽可获得 ZnO半导体材料。
8．在⼀定温度下，与费⽶能级持平的量⼦态上的电⼦占据概率为，⾼于费⽶能级2kT能级处的占据概率为。
9．本征半导体的电阻率随温度增加⽽，杂质半导体的电阻率随温度增加，先下降然后，再单调下降。
10．n型半导体的费⽶能级在极低温（0K）时位于导带底和施主能级之间处，随温度升⾼，费⽶能级先上升⾄⼀极值，然后下降⾄。
11. 硅的导带极⼩值位于k空间布⾥渊区的⽅向。
12. 受主杂质的能级⼀般位于。
13. 有效质量的意义在于它概括了半导体的作⽤。
14. 除了掺杂，也可改变半导体的导电类型。
15. 是测量半导体内载流⼦有效质量的重要技术⼿段。
16. PN结电容可分为和扩散电容两种。
17. PN结击穿的主要机制有、隧道击穿和热击穿。
18. PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是电压。
19.能带中载流⼦的有效质量反⽐于能量函数对于波⽮k的，引⼊有效质量的意义在于其反映了晶体材料的的作⽤。
20. 从能带⾓度来看，锗、硅属于半导体，⽽砷化稼属于半导体，后者有利于光⼦的吸收和发射。
21．除了这⼀⼿段，通过引⼊也可在半导体禁带中引⼊能级，从⽽改变半导体的导电类型。
