薄膜电容器的失效分析和试验方法_袁捷

薄膜电容怎么测好坏
薄膜电容怎幺测好坏
1、首先看外观，外观有问题则薄膜电容很可能有问题。

2、用万用表电阻档测试薄膜电的两脚应为非常高阻值，如果有电容表，量度电容值是否跟外壳上标记相符。

3、常温测试性能，包括容量、损耗、绝缘电阻、耐压情况、ESR等等。

特别需要电容器哪方面的性能就重点测试哪方面的。

4、做模拟寿命试验。

常温常态测试性能没有问题了，还要看寿命是否能持久。

5、选择有信誉的电容器生产厂家。

6、薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜从两端重叠后卷绕成圆筒状的构造之电容器。

而依。

薄膜电容测‎试方法详解‎1. 准备设备、工具：所需工具及‎其规格型号‎如表一所示‎：表一（工具规格型‎号）品名规格/型号数量品名规格/型号数量调压器0V～450V/三相1台电流表UNI-T 1台万用表FLUKE‎-117C 1台测温仪TM-902C 1台电桥测试仪‎Zen tech 1台双综示波器‎LM620‎C型1台游标卡尺mm/inch 1把变压器MTT-120K 1台耐压测试仪‎CC267‎2A型1台分流器TM-902C 2把2.外观物理检‎测2.1首先需检‎查待测电容‎是否有正规‎的《产品规格说‎明书》，其中需包括‎产品名称、规格型号、安装尺寸、工艺要求、技术参数以‎及供应商名‎称、地址及其联‎系方式，以确保此批‎次产品是由‎正规厂商提‎供。

2.2参考《产品规格说‎明书》的工艺参数‎，观察电容的‎外观、颜色、及其材质等‎参数是否与‎其所标注的‎工艺指标一‎致。

2.3用游标卡‎尺对电容的‎安装尺寸进‎行确认，确保电容的‎直径、高度、最大高度、以及引出端‎的直径与间‎距等参数在‎产品工艺的‎误差范围之‎内。

2.4 检查电容的‎外观，确保其外观‎整洁、无明显的变‎形、破损、裂纹、花斑、污浊、锈蚀等不良‎状况；且其标识清‎晰牢固、正确完整。

2.5检查其引‎出端子，保证其端子‎端正、无氧化、无锈蚀、无影响其导‎电性能等状‎况，且引出端子‎无扭曲、变形和影响‎插拔的机械‎损伤。

3.数字电桥测‎试3.1用电桥测‎试其实际容‎量与标称容‎量是否一致‎（金属化薄膜‎电容一般会‎有±5%的误差范围‎），其损耗角正‎切值tan‎θ(即D值)大小是否符‎合国家标准‎（薄膜电容器‎t a nθ≤0.0015，电解电容器‎t a nθ≤0.25）。

3.2对Zen‎tech电‎桥测试仪的‎使用，正确连接电‎源以后，按“POWER‎”键开启测试‎仪的工作电‎压；按“LCR”键选择测试‎类型（L：电感，C：电容，R：电阻）。

薄膜电容失效模式及原因
薄膜电容器失效的主要模式有以下几种：
1. 强电场击穿：当电场强度超过薄膜电容器所能承受的极限时，会导致电场击穿，使薄膜电容器失效。

这种失效模式可能是由于电压过高、电压波动或过电压等因素引起的。

2. 介质老化：薄膜电容器的介质材料可能会随着时间的推移而老化，失去其原本的性能。

例如，高温、高湿度、紫外线辐射等环境因素可能导致电容器介质老化，进而失效。

3. 温度应力：薄膜电容器在高温或低温环境下可能会受到温度应力的影响，使电容器的内部结构发生变形或应力集中，导致失效。

4. 湿度应力：薄膜电容器在高湿度环境下可能会受到湿度应力的作用，导致电容器的介质吸水膨胀或内部结构变化，从而失效。

5. 机械应力：薄膜电容器可能会受到外界的机械应力，如振动、冲击等，导致电容器内部结构损坏，进而失效。

以上只是薄膜电容器失效的几种常见模式及原因，实际情况可能还会受到其他因素的影响。

对于使用薄膜电容器的电路设计和应用，需要考虑这些失效模式和原因，以提高电容器的可靠性。

薄膜电容失效模式及原因薄膜电容是一种常用的电子元件，广泛应用于电子设备和电路中。

然而，薄膜电容也会出现失效的情况，即无法正常工作或性能下降。

本文将探讨薄膜电容的失效模式及其原因。

薄膜电容失效的模式主要包括电容值下降、电压漏电、短路和开路等。

首先是电容值下降。

薄膜电容的核心部分是由两层金属薄膜之间的绝缘层组成，而绝缘层的质量直接影响电容值。

当绝缘层出现质量问题时，例如存在缺陷、氧化或污染，就会导致电容值下降。

此外，长时间的高温、高湿度、高电压等环境条件也会加速绝缘层的老化，使电容值降低。

其次是电压漏电。

薄膜电容在正常工作时会承受一定的电压，然而，当绝缘层出现问题时，就会导致电压漏电。

电压漏电主要源于绝缘层的破损或缺陷，使得电流可以通过绝缘层流动，从而导致电容器无法正常工作。

另一种失效模式是短路。

薄膜电容内部的金属薄膜可能会发生短路现象，导致电流绕过电容器直接流入负载或其他部件。

短路的原因主要有金属薄膜之间的直接接触或金属薄膜上的污染物导致的导电。

最后是开路。

开路是指薄膜电容内部断开，导致电流无法通过电容器。

开路的原因可能是金属薄膜之间的断裂或绝缘层的完全破损。

开路可能会导致电容器无法充电或放电，影响电路的正常工作。

以上就是薄膜电容失效的几种常见模式及其原因。

要解决薄膜电容失效问题，首先需要对失效模式进行准确的判断和识别。

然后，可以采取相应的修复措施或更换电容器。

此外，为了延长薄膜电容的使用寿命，还应注意避免长时间高温、高湿度和高电压的环境，定期检查和维护电子设备，以确保薄膜电容的正常工作。

薄膜电容失效的模式包括电容值下降、电压漏电、短路和开路等。

这些失效模式的原因主要涉及绝缘层的质量问题、环境条件和金属薄膜的问题。

了解薄膜电容失效的模式和原因，可以帮助我们更好地预防和解决失效问题，确保电子设备和电路的正常运行。

薄膜电容1KDF不良分析引言薄膜电容1KDF是一种常见的电子元件，广泛应用于电子产品中。

然而，由于制造过程中的各种因素，会导致1KDF电容的不良问题，进而影响产品的性能和可靠性。

本文将对薄膜电容1KDF的不良分析进行探讨。

不良现象描述薄膜电容1KDF的常见不良现象包括：失效、泄漏电流过大、容量漂移等。

这些不良现象会导致电子产品的性能下降，甚至无法正常工作。

1.失效：薄膜电容1KDF失效通常表现为电容值降低至很低或为无穷大。

失效的电容无法正常工作，无法存储电荷或在电路中发挥作用。

2.泄漏电流过大：薄膜电容1KDF的泄漏电流应该保持较低的水平。

如果泄漏电流过大，会导致能量损耗增加，使电子产品的整体效率降低。

3.容量漂移：薄膜电容1KDF的容量应该稳定，随着时间的推移，容量值应保持相对不变。

容量漂移的不良现象会使电子产品的性能变得不可靠，无法满足设计要求。

不良原因分析制造过程中的因素1.材料质量：薄膜电容1KDF的质量直接受到制造过程中使用的材料的影响。

如果选用了质量不合格的材料，如杂质过多或质量不稳定的薄膜材料，就容易导致1KDF电容的不良现象。

2.制造工艺：制造薄膜电容1KDF的工艺过程中，如薄膜沉积、电极制备、封装等环节存在问题，也会导致1KDF电容的不良现象发生。

例如，在薄膜沉积过程中存在沉积不均匀、缺陷等情况，就容易导致电容性能不稳定。

使用环境中的因素1.温度影响：薄膜电容1KDF的性能通常随着温度的变化而变化。

如果在使用环境中温度较高或温度变化较大，1KDF电容的性能可能会发生不可逆的变化，进而导致不良现象的发生。

2.湿度影响：湿度对于薄膜电容1KDF的性能同样非常重要。

如果薄膜电容1KDF在高湿度环境下使用，容易发生泄漏电流过大等问题。

不良分析方法为了对薄膜电容1KDF的不良进行准确分析，可以采用以下方法：1.电容测试：通过测量薄膜电容1KDF的电容值、损耗因子(Q值)、等效串联电阻等参数，可以初步判断电容是否失效或存在其他问题。

薄膜电容测试方法详解1. 准备设备、工具：所需工具及其规格型号如表一所示：表一（工具规格型号）2.1首先需检查待测电容是否有正规的《产品规格说明书》，其中需包括产品名称、规格型号、安装尺寸、工艺要求、技术参数以及供应商名称、位置及其了解方式，以确保此批次产品是由正规厂商提供。

2.2参考《产品规格说明书》的工艺参数，观察电容的外观、颜色、及其材质等参数是否与其所标注的工艺指标一致。

2.3用游标卡尺对电容的安装尺寸进行确认，确保电容的直径、高度、最大高度、以及引出端的直径与间距等参数在产品工艺的误差范围之内。

2.4 检查电容的外观，确保其外观整洁、无明显的变形、破损、裂纹、花斑、污浊、锈蚀等不良状况；且其标识清晰牢固、正确完整。

2.5检查其引出端子，保证其端子端正、无氧化、无锈蚀、无影响其导电性能等状况，且引出端子无扭曲、变形和影响插拔的机械损伤。

3.数字电桥测试3.1用电桥测试其实际容量与标称容量是否一致（金属化薄膜电容一般会有±5%的误差范围），其损耗角正切值tanθ(即D值)大小是否符合国家标准（薄膜电容器tanθ≤0.0015，电解电容器tanθ≤0.25）。

3.2对Zen tech电桥测试仪的使用，正确连接电源以后，按“POWER”键开启测试仪的工作电压；按“LCR”键选择测试类型（L：电感，C：电容，R：电阻）。

3.3按“UP”与“DOWN”键选择测试量程（μF、nF、pF），按“FREQ”键选择测试频率（100HZ、120HZ、1KHZ），可根据厂商提供的技术参数来选择所需的测试频率。

3.4按“SERIES”（串联）与“PARALLEL”（并联）选择测试的连接方式，对电阻而言阻抗小于1K用串联，1K到几十K串并联都可以，阻抗大于几百K或M的量级就用并联模式。

如果被测元件是大电感或小电容要用并联模式，测试元件是小电感或大电容用串联模式。

且对小电感小电容适当提高测试频率可以提高测量精度。

电容失效分析概述a、某电源在市场因吸收陶瓷电容炸裂烧毁，造成市场批量整改，和对用到此陶瓷电容其它产品线模块进行长达近一年的风险评估实验。

b、在某充电机模块的生产进程中，老化时薄膜电容器持续失效，致使二极管烧毁。

缘故分析a、陶瓷电容失效分析陶瓷电容作为PFC二极管的阻容吸收电路和输出整流二极管的RCD吸收电路，经对失效批次电容测试容量和电压知足要求，损耗高于规格书要求。

由于该电源是密封利用，环境温度较高，损耗高电容的发烧就高，电容温度超过最高利用温度，随着时刻的延长，电容自身损耗不断上升，由于自身温升和环境无法达到热平稳，不断恶化，最终致使电容显现热击穿，发生电容炸裂。

后查实为供给商擅自换料造成，以为知足电压和容量要求就能够够了。

b、薄膜电容失效分析薄膜电容器用于二极管吸收电路，电容额定压630VDC，电路中正常尖峰小于200V，知足降额要求。

失效电容器外观良好，无损坏痕迹。

用LCR表测试，失效样品均无容量，引脚间呈开路状态。

解开电容器塑料封装，引线和引线与喷金层焊接良好，喷金层与芯子连接部位有发黑痕迹；展开电容器芯子金属化膜，部份失效电容器金属化膜光亮平整完好，另一部份金属化膜已经发烧变形。

初步判定为电路dv/dt过大致使电容器失效。

测试电路中电压波形，发觉dv/dt 为3000V/μs，但选用的薄膜电容器dv/dt最大值只有40V/μs。

为验证失效模式，取一批新电容器，初测正常，上机老化后，电容器80-90％失效，排除厂家来料质量问题，确信该电容器不适合在该电路中利用。

解决方案a、陶瓷电容选用低损耗同容量同电压物料，应用连年未发觉失效。

关于陶瓷电容，因介质不同、相同容量和电压的电容，其损耗不同专门大。

如选型仅从电压品级和容量上来考虑，会造成误选，因此类失效，生产中可不能当即表现，易造成市场上严峻损失。

b、所有单板（包括半成品、成品和发货产品）此位置利用的该电容器全数改换为同规格dv/dt较大的双面金属化聚丙烯电容器后问题解决。