LED芯片外观检验标准
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QM-WI-0011/Rev.6
接受质量
限AQL
检验项目
检验工
具
OK图片
异常图片
A
B
1、正金电极中间不得缺损
显微镜
B
2、正金电极边缘少金不得超过电极面积
的1/10
显微镜
B
3、背金缺损面积不得超过原面积的1/5显微镜B
4、背面不得有掉背金现象显微镜B
1、多金/多铝不得多于电极面积的1/10,且多金/多铝部分由电极边缘到发光区边缘长度不得超过1/2的区域之内。显微镜B
2、挂角部分的宽度不得超过电极直径的1/10,且挂角部分必须处在的电极边缘到发发光区边缘长度1/2的区域之内。显微镜B判定标准单电极芯片成品检验标准
1.0 112/109/809/108/208/309/709/708/207/689外观标准:(A类品)
A类不合格:0.065 B类不合格:0.4不合格分类
电极表面不良缺损
多金/多铝(挂角)
QM-WI-0011/Rev.6
氧化
1、正金电极氧化及粗糙面积不得超过电
极面积的1/5
显微镜
B
1、正金电极中间不允许水点现象
显微镜
B
2、正金电极中间不允许起皮现象
显微镜
暂无图片
B
3、电极边缘水点面积不得多于电极面积的1/10显微镜B
4、电极边缘起皮面积不得多于电极的1/10显微镜B
异色1、电极表面呈原金属色,无变色、发黄现象显微镜B电极表面不良气泡
QM-WI-0011/Rev.6
1、正金电极脏污不得超出电极面积的
1/10
显微镜
B
2、背金电极脏污不得超出电极面积的
1/10
显微镜
B
1、电极刮伤不得露出底材
显微镜
B
2、正金电极刮伤面积不得超过电极面积
的1/5
显微镜
B
3、背金电极刮伤面积不得超过电极面积的1/3显微镜B
1、全测产品(112、109、809、309)正金电极必须有针痕显微镜B
2、电极表面测试点不得超过两个(允许两个)显微镜B电极表面不良脏污
刮伤
测试点
QM-WI-0011/Rev.6
测试点
3、针痕大小不得超过电极面积的1/5,深
度不得超过电极的厚度
显微镜
B
合金异常
合金异常导致的电极表面突出的小点数
量不得超过10个
显微镜
B
脏污
1、发光区脏污面积不得多于发光区面积
1/10
显微镜
B
残金
1、发光区残金面积不得多于发光区面积
的1/10;且残金不得在发光区边缘显微镜B
刮伤1、发光区不得有刮伤或针痕显微镜B
水点1、晶粒表面水点个数不得多于2个,且整张芯片膜上零散分布水点芯片比例不超过2%,不能有集中分布的水点现象显微镜B
红线发光区表面不得有在体视显微镜下可观察到的红线显微镜B电极表面不良
发光区表面不良
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脱落
1.HB/TB工艺晶粒发光区不得有脱落的
现象
显微镜
B
氧化
1.HB/TB工艺晶粒发光区上的氧化颜色
的形状不得出现“11”单边氧化的现象
显微镜B
正崩1、晶粒正面崩边缺损部分最大宽度不得超过晶粒边长的1/10,且崩边缺损面积不得超过晶粒正面面积的1/10;晶粒正面崩角缺损面积不得超过晶粒正面面积的1/10, 且崩角处不得超过1处显微镜B
背崩1、晶粒背面崩边缺损部分最大宽度不得超过晶粒边长的1/5,且崩边缺损面积不得超过晶粒背面面积的1/5;晶粒背面崩角缺损面积不得超过晶粒背面面积的1/5,且崩角处不得超过1处显微镜B
切偏1、晶粒电极距两边距离比值不得超过1.5(大/小)显微镜
A(宽的一边)/B(窄的一边)>1.5
双胞1、不得有晶粒双胞显微镜A发光区表面不良
晶粒切割不良崩边崩
崩边崩角
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1、晶粒正面或背面不得有裂纹
显微镜
B
2、晶粒表面不得有刀痕
显微镜
B
1、晶粒排列应整齐,行或列偏移不超过
1/5晶粒宽度
显微镜
B
2、整行整列头尾晶粒最大偏移不可超过
1个晶粒宽
显微镜
B
歪斜1、晶粒歪斜角度不超过10°显微镜B
倾倒1、晶粒不能有倾倒显微镜刀痕晶粒切割不良
晶粒排列不良排列偏移
2.0 B类品外观标准:
QM-WI-0011/Rev.6接受质量限AQL
检验工具AB
背崩背崩面积不得多于原面积1/2显微镜B
切割不良芯粒切割不良不可切到电极显微镜B
脏污晶粒表面脏污不大于原面积的1/2显微镜B
起皮电极边缘金属脱落不得超过电极的1/5显微镜B
5.1 正装蓝膜109/809/108/208/309/709/708/207产品,单张膜上芯片数量少于3000颗(包含3000颗)降档B类入库;A类不合格:0.065 B类不合格:0.4不合格分类
检验项目判定标准
3.0 C类品外观标准:
3.1不符合A、B类标准则为C类品
4.0 D类品外观标准:
4.1掉角颗数在20ea及以内的芯片按掉角A类入库,即质检人员贴“掉角A类”的标签,掉角大于20ea的芯片仍按掉角D类入库,即质检人员贴“掉角D类”的标签。2,品检针对贴有“掉角A类”的芯片盖A类章入库,贴有“掉角D类”的芯片盖D类章入库。
5.0 数量要求
5.2 白膜109/809/108/208/309/709/708/207产品,单张膜上芯片数量少于1000颗,降档B类入库,白膜单张膜上芯片数量不得多于 5.3 12Mil产品,单张膜上芯片数量少于1000颗(包含1000颗)降档B类入库;
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