mosfet 参数

MOSFET-主要参数

主要参数

直流参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。

交流参数

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

极限参数

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。

栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。

包含寄生参数的功率 MOSFET等效电路

（1）：等效电路

D

SG

ggV

gsVD

G

SgsCdsCgdC

chRdR

gR

iRdsi

dsV

（2）：说明：

实际的功率MOSFET可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个

理想MOSFET来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一

般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET饱和时的通态电阻。

第２９卷第４期　２００６年１２月　电子器件　Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　Ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｖｌ０１．２９　Ｎｏ．４　Ｄｅｃ．２００６　

Ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆ　Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ　Ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ　Ｐａｒａｍｅｔｅｒ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ　

Ｘ　Ｘｉｎｇ－ｌｏｎｇ，ＺＨＡＮＧ　Ｘｉｏｎｇ，ＷＵＺｈｏｎｇ　（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｏｕｔｈｅａｓｔ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ　２１００９６，Ｃｈｉｎａ）　

Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ　ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ　ｐａｒａｍｅｔｅｒ　ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ　ｉｓ　ｄｅｓｉｇｎｅｄ　ｔＯ　ｍｅａｓｕｒｅ　ｔｈｅ　ｍｏｓｔ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｏｆ　

Ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ（ｓｕｃｈ　ａｓ　ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｖｏｌｔａｇｅ，ｆｏｒｗａｒｄ　ｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ　ａｎｄ　ＳＯ　ｏｎ）．Ｔｈｉｓ　ｐａｐｅｒ　ｆｏｃｕｓｅｓ　ｏｎ　ｓｏｍｅ　ｍｅａｓｕｒｉｎｇ　ｍｅｔｈｏｄｓ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｒｅａｌｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｈａｒｄｗａｒｅ　ｄｅｓｉｇｍ　Ｔｈｅ　Ｐａｒａｍｅｔｅｒ　Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ　ｓｙｓｔｅｍ　ｏｆ　Ｐｏｗ—　

ｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ　ｉｓ　ｄｅｓｉｇｎｅｄ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ａ　ｓｉｎｇｌｅ　ｃｈｉｐ．Ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｈｅｌｐ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ　ｐｒｏｇｒａｍｓ　ａｄｄｅｄ　ｔＯ　ｔｈｅ　ｓｙｓ－　ｔｅｍ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｗｏｒｋ　ｏｆ　ｓｏｍｅ　ｈａｒｄｗａｒｅ　ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ　ａｎｄ　ｓｏｆｔｗａｒｅ　ｄｅｂｕｇｇｉｎｇ，ｔｈｅ　ｄｅｓｉｇｎｅｄ　ｓｙｓｔｅｍ　ｃａｎ　ｍｅａｓｕｒｅ　

ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｖｏｌｔａｇｅ，ｆｏｒｗａｒｄ　ｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ，ｇａｔｅ－ｓｏｕｒｃｅ　１ｅａｋａｇｅ　ｃｕｒｒｅｔ，ｄｒａｉｎ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｗｉｔｈ　－０，ｔｈｅ　

MOSFET：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金属氧化物半导体场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极、发射极间电压（符号：VCES）：栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压。