电子器件实验报告
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电⼦科技⼤学微电⼦器件实验报告MICRO-1电⼦科技⼤学实验报告(实验)课程名称微电⼦器件实验⼀:双极晶体管直流特征的测量学⽣姓名:学号:201203******指导教师:刘继芝实验地点:211楼605实验时间:2015、6、⼀、实验室名称:微电⼦器件实验室⼆、实验项⽬名称:双极晶体管直流特征的测量三、实验学时:3四、实验原理:1.XJ4810半导体管特性图⽰仪的基本原理⽅框图XJ4810图⽰仪的基本原理⽅框图如图1-3所⽰。
其各部分的作⽤如下。
(1)基极阶梯信号发⽣器提供必须的基极注⼊电流。
(2)集电极扫描电压发⽣器提供从零开始、可变的集电极电源电压。
(3)同步脉冲发⽣器⽤来使基极阶梯信号和集电极扫描电压保持同步,以便正确⽽稳定地显⽰特性曲线(当集电极扫描电压直接由市电全波整流取得时,同步脉冲发⽣器可由50Hz 市电代替)。
(4)测试转换开关是⽤于测试不同接法和不同类型晶体管的特性曲线和参数的转换开关。
(5)放⼤和显⽰电路⽤于显⽰被测管的特性曲线。
(6)电源(图中未画出)为各部分电路提供电源电压。
2.读测⽅法(以3DG6 npn 管为例)(1)输⼊特性曲线和输⼊电阻R i在共射晶体管电路中,输出交流短路时,输⼊电压和输⼊电流之⽐为R i ,即常数=??=CE V B BEi I V R 它是共射晶体管输⼊特性曲线斜率的倒数。
例如需测3DG6在V CE = 10V 时某⼀⼯作点Q 的R i 值,晶体管接法如图1-4所⽰。
各旋钮位置为:峰值电压范围 0~10V极性(集电极扫描)正(+)极性(阶梯)正(+)功耗限制电阻 0.1~1k Ω(适当选择)x 轴作⽤电压0 .1V/度 y 轴作⽤阶梯作⽤重复阶梯选择 0.1mA/级测试时,在未插⼊样管时先将x 轴集电极电压置于1V/度,调峰值电压为10V ,然后插⼊样管,将x 轴作⽤扳到电压0.1V/度,即得V CE =10V 时的输⼊特性曲线。
这样可测得图1-5;.200101.002.0310Ω=?=??=-=V VB BE i CE I V R图1-4 晶体管接法图1-5 晶体管的输⼊特性曲线(2)输出特性曲线、转移特性曲线和β、h FE 、α在共射电路中,输出交流短路时,输出电流和输⼊电流增量之⽐为共射晶体管交流电流放⼤系数β。
电子器件实验报告摘要本实验旨在检验和比较两种不同类型的电子器件的结构和性能。
实验中我们使用的是一堆多节点电阻、电容、电感和MOSFET。
通过特定的电路连接,我们可以比较两种类型的器件的工作特性以及计算电路中一些指标,如频率、响应时间、负载特性等。
经过对电子器件的实验测试,发现第一种类型电子器件的频率比第二种类型要高,响应时间更短,而且在负载特性和功率效率方面也优于第二种类型,因此第一种类型电子器件在工业应用中有较大的优势。
关键词:多节点电子器件;实验;特性;负载特性;功率效率1 引言现代的电子技术已成为影响现代社会的重要网络部分。
随着先进技术的发展,控制电子电路的可靠性和复杂性也越来越高。
因此,改进和测试电子电路的可靠性和特性越来越受到重视。
在电子电路设计和实现过程中,根据具体结构选择合适的电子器件,这将影响电路的性能和效果。
本实验将检验和测试多节点电子器件Theodovets函数应用的性能和特性。
2 实验材料- 测试用器件,包括多节点电阻、电容、电感和MOSFET;- 对标手段:多联表计、示波器和函数发生器;- 实验电路板和电源。
3 实验流程1)使用仪器,仔细测量和测试电子器件的各项性能指标;2)用多联表计测量测试电路中电阻、电容和电感的电压频率特性;3)使用示波器和函数发生器测量和比较MOSFET的响应时间和负载特性;4)用示波器连接源极和汇极,再使用多联表计测量MOSFET的电流,以判断其功率效率;5)将实验数据进行汇总整理,进行有效的数据分析和比较,得出结论。
4 实验结果实验结果表明,第一种类型的电子器件的频率明显比第二种类型的要高,响应时间更快,而且在负载特性和功率效率方面也优于第二种类型。
这表明,第一种多节点电子器件在实际应用中将更加可靠,可以更加有效、准确地控制电子电路的表现。
电子元器件实验报告电子元器件实验报告引言:电子元器件是现代科技的基石,无论是家用电器、通信设备还是计算机等,都离不开各种各样的电子元器件。
本次实验旨在通过实际操作,深入了解一些常见的电子元器件的工作原理和特性。
一、二极管实验:二极管是最基本的电子元器件之一,它具有单向导电性。
我们通过实验,验证了二极管的特性。
实验步骤:1. 将二极管连接到电路中,注意极性的正确连接。
2. 通过电压表测量二极管的正向电压和反向电压。
3. 改变电压源的极性,观察二极管的导通和截止状态。
实验结果:我们发现,当正向电压大于二极管的正向压降时,二极管处于导通状态;而当反向电压大于二极管的反向击穿电压时,二极管会发生击穿现象。
这验证了二极管的单向导电性。
二、电容器实验:电容器是一种储存电荷的元器件,它具有存储和释放电能的能力。
我们通过实验,研究了电容器的充放电特性。
实验步骤:1. 将电容器连接到电路中,注意极性的正确连接。
2. 通过示波器观察电容器的充放电过程。
3. 改变电压源的频率和幅值,观察电容器的响应。
实验结果:我们发现,当电压源施加在电容器上时,电容器会逐渐充电,直到达到与电压源相等的电压。
而当电压源停止供电时,电容器会逐渐放电,释放储存的电能。
此外,我们还发现,电容器对频率和幅值有一定的响应特性,这对于电路设计和信号传输具有重要意义。
三、电感器实验:电感器是一种储存磁能的元器件,它具有阻碍电流变化的特性。
我们通过实验,研究了电感器的感应特性。
实验步骤:1. 将电感器连接到电路中,注意极性的正确连接。
2. 通过示波器观察电感器的感应过程。
3. 改变电压源的频率和幅值,观察电感器的响应。
实验结果:我们发现,当电压源施加在电感器上时,电感器会产生感应电流,阻碍电流的变化。
而当电压源停止供电时,电感器会产生自感电压,继续维持一段时间。
此外,我们还发现,电感器对频率和幅值也有一定的响应特性,这对于电路设计和信号传输具有重要意义。
一、实验目的1. 掌握常用电子器件的分类、特性及用途。
2. 学会使用万用表等工具对电子器件进行检测和识别。
3. 提高实际操作能力,为后续电子技术学习打下基础。
二、实验原理电子器件是电子电路的基本组成单元,主要包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、集成电路等。
本实验通过观察器件的外形、颜色、标记等特征,结合万用表等工具,对常用电子器件进行识别和检测。
三、实验仪器与材料1. 仪器:万用表、示波器、电子实验箱2. 材料:电阻、电容、电感、二极管、三极管、集成电路等电子器件四、实验步骤1. 电阻识别(1)观察电阻外观,注意颜色环的排列顺序和颜色。
(2)使用万用表测量电阻阻值,确认其是否符合预期。
2. 电容识别(1)观察电容外观,注意电容的极性、容量和耐压值。
(2)使用万用表测量电容容量,确认其是否符合预期。
3. 电感识别(1)观察电感外观,注意其尺寸、形状和线圈的缠绕方式。
(2)使用万用表测量电感值,确认其是否符合预期。
4. 二极管识别(1)观察二极管外观,注意其颜色、极性。
(2)使用万用表测量二极管正向和反向导通压降,确认其是否符合预期。
5. 三极管识别(1)观察三极管外观,注意其引脚排列顺序。
(2)使用万用表测量三极管放大倍数,确认其是否符合预期。
6. 集成电路识别(1)观察集成电路外观,注意其型号、引脚排列。
(2)查阅相关资料,了解集成电路的功能和参数。
五、实验结果与分析1. 电阻识别实验过程中,通过观察电阻颜色环,使用万用表测量电阻阻值,成功识别出不同阻值的电阻。
2. 电容识别实验过程中,通过观察电容外观,使用万用表测量电容容量,成功识别出不同容量和耐压值的电容。
3. 电感识别实验过程中,通过观察电感外观,使用万用表测量电感值,成功识别出不同电感值的电感。
4. 二极管识别实验过程中,通过观察二极管外观,使用万用表测量正向和反向导通压降,成功识别出不同类型和极性的二极管。
5. 三极管识别实验过程中,通过观察三极管外观,使用万用表测量放大倍数,成功识别出不同类型的三极管。
电子元器件测量实验报告一、实验目的学习用万用表对电阻、电位器、电容、二极管、三极管等常用电子元件的测试方法。
二、实验过程1、测电阻固定电阻器的检测。
将两表笔<不分正负>分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。
为了提高测量精度,应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。
2、测电容因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。
测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。
若测出阻值为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。
检测10PF~001μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。
万用表选用R×1k挡。
两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。
可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。
万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。
由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表读数增大,从而便于观察。
应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。
C对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据读数大小估计出电容器的容量。
3、二极管的测量用数字万用表的二极管测量功能来测,测两次就可以判断二极管的好坏。
记下第一次测量的结果,然后交换红黑表笔,再次测量。
如果一次为OF,一次有0.5V左右的电压值,则二极管是好的,测出电压值的红表笔所在端为二极管的正极。
如果两次测量,都显示OF,则二极管开路。
如果两次测量,都显示测量电压,则二极管短路。
4、三极管的测量三级管的在路测量,<1>.NPN管的电压正常是:VC>VB>VE.其中PN结电压是0.5V左右,也就是:VB>VE的电压是0.5V,明显大于2V或者VB∠VE,三极管是损坏,<注: VC的电压大小是不固定的,看这个管的承受多大的内压><2>.PNP管的电压正常是:VE>VB>VC. 其中PN结电压是0.5V左右, 也就是: VE>VB的电压是0.5V,明显大于2V或者VE∠VB, 三极管是损坏,< VC的电压大小是不固定的,看偏置电路是要多大的电压,但一定适上面的VE>VB>VC电压的大小>2.拆下来时的三极管测量<R*1K档来测量>根据PN结的原理:和二极管一样,正向电阻一边用万用表测是相通,对调红.黑笔反向来测是不通.拆下来时的三极管,<1> NPN管:任意测三极管的两个脚,当发现固定黑笔接的一脚不动,用红笔分别接另外两脚时,万用表的指针摆动,电阻是相同.反过来对调表笔,红笔固定的一脚不动,用黑笔分别接另外两脚时,万用表的指针不摆动,电阻是无穷大.哪确定;固定的一脚确定是b极<坏的三极管是对调表笔也是相通的>. <2> PNP管:任意测三极管的两个脚,当发现固定红笔接的一脚不动, 用黑笔分别接另外两脚时,万用表的指针摆动,电阻是相同.反过来对调表笔,黑笔固定的一脚不动, 用红笔分别接另外两脚时,万用表的指针不摆动,电阻是无穷大.哪确定;固定的一脚确定是b极3<确定C极和E极> 三极管好坏的判断<R*10K档来测量>〔1<确定C极和E极> NPN好坏的判断:上面已确定了B极,R*10K档来测量.用黑笔和红笔分别接触另外两极,保持红笔和黑笔现在状态不变用手指捏b极+红笔接的一极,发现指针摆动的幅度大,放大倍数大,黑笔接的是c极,红笔接的是e 极<坏的三极管,用万用表的R*10K档来测量.红,黑笔测量c.e极,接法和二极管测量相同,一边相通,对调表笔另一边是不通,例如;R*10K档的黑笔接C极红笔接E极指针摆动一点,说明是漏电损坏.经验总结:如果是好的三级管,用万用表的R*10K档来测量c.e电阻一边不通,极笔对调后,另一边是相通的有电阻,电阻大的和原来没有用过的同型号的三极管对比.B极E极输出电压偏低的.<2> <确定C极和E极> PNP好坏的判断R*10K档来测量.用黑笔和红笔分别接触另外两极保持红笔和黑笔现在状态不变用手指捏b极+黑笔接的一极,同时捏两极,发现指针摆动的幅度大,放大倍数大,黑笔接的是e极,红笔接的是c极<坏的三极管,用万用表的R*10K档来测量.红,黑笔测量c.e极,接法和二极管测量相同,一边相通,对调表笔另一边是不通,例如:R*10K档的黑笔接E极红笔接极C指针摆动一点如果指针摆动一点,说明了是漏电是坏>三、实验结果及分析四、实验总结。
mosfet的实验报告MOSFET的实验报告引言:MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 是一种重要的电子器件,具有广泛的应用领域。
本篇实验报告将介绍MOSFET的基本原理、实验装置、实验步骤、实验结果以及对实验结果的分析和讨论。
一、MOSFET的基本原理MOSFET是一种三端器件,由金属氧化物半导体结构组成。
它的主要特点是在输入电压较低的情况下,能够控制较大的输出电流。
MOSFET有两种类型:N沟道型和P沟道型,根据实验要求,我们选择了N沟道型MOSFET。
二、实验装置本次实验所需的装置包括:MOSFET芯片、直流电源、电阻、示波器、万用表、电容、电感等。
三、实验步骤1. 将MOSFET芯片正确连接到实验电路中,并确保连接正确无误。
2. 将直流电源连接到电路中,设置合适的电压和电流值。
3. 使用示波器测量输入和输出信号的波形,并记录下来。
4. 使用万用表测量电路中的电流和电压值,并记录下来。
5. 对实验进行多次重复,确保实验结果的准确性。
四、实验结果在实验过程中,我们观察到了以下结果:1. 输入电压的变化对输出电流和电压有明显的影响。
2. MOSFET的工作在某一特定电压范围内更为稳定。
3. 输出电流和电压随着输入电压的增加而增加,但增长速度逐渐减缓。
五、实验结果分析和讨论根据实验结果,我们可以得出以下结论:1. MOSFET在特定电压范围内具有较好的线性特性,适合用作放大器。
2. MOSFET的输出电流和电压与输入电压之间存在一定的关系,可以通过合适的电路设计实现不同的功能。
3. MOSFET的工作在某一特定电压范围内更为稳定,超出该范围可能导致器件损坏。
六、实验的应用前景MOSFET作为一种重要的电子器件,在现代电子技术中具有广泛的应用前景。
它可以用于放大电路、开关电路、模拟电路等领域。
随着科技的不断进步,MOSFET的性能也在不断提高,未来它将在更多领域发挥重要作用。
结论:通过本次实验,我们对MOSFET的基本原理和特性有了更深入的了解。
器件仿真实验报告电力电子仿真仿真实验报告目录实验一:常用电力电子器件特性测试................................................................................... 3 (一)实验目的:................................................................................................ .. (3)掌握几种常用电力电子器件(SCR、GTO、MOSFET、IGBT)的工作特性; (3)掌握各器件的参数设置方法,以及对触发信号的要求。
(3)(二)实验原理.................................................................................................... (3)(三)实验内容.................................................................................................... (3)(四)实验过程与结果分析 (3)1.仿真系统.................................................................................................... (3)2.仿真参数.................................................................................................... .. (4)3.仿真波形与分析.................................................................................................... .. (4)4.结论.................................................................................................... .. (10)实验二:可控整流电路.................................................................................................... .. (11)(一)实验目的.................................................................................................... . (11)(二)实验原理.................................................................................................... . (11)(三)实验内容.................................................................................................... . (11)(四)实验过程与结果分析 (12)1.单相桥式全控整流电路仿真系统,下面先以触发角为0度,负载为纯电阻负载为例.................................................................................................... .. (12)2.仿真参数.................................................................................................... (12)3.仿真波形与分析.................................................................................................... (14)实验三:交流-交流变换电路................................................................................................19(一)实验目的.................................................................................................... . (19)(三)实验过程与结果分析 (19)1)晶闸管单相交流调压电路 (19)实验四:逆变电路.................................................................................................... . (26)(一)实验目的.................................................................................................... . (26)(二)实验内容.................................................................................................... . (26)实验五:单相有源功率校正电路 (38)(一)实验目的.................................................................................................... . (38)(二)实验内容.................................................................................................... . (38)个性化作业:................................................................................................ . (40)(一)实验目的:................................................................................................ . (40)(二)实验原理:................................................................................................ . (40)(三)实验内容.................................................................................................... . (40)(四)结果分析:................................................................................................ . (44)(五)实验总结:................................................................................................ . (45)实验一:常用电力电子器件特性测试(一)实验目的:掌握几种常用电力电子器件(SCR、GTO、MOSFET、IGBT)的工作特性;掌握各器件的参数设置方法,以及对触发信号的要求。
一、实验目的通过本次元器件认识实习,使学生了解和掌握常用电子元器件的基本特性、功能、应用以及识别方法,为后续电子电路设计和制作打下基础。
二、实验原理电子元器件是电子电路的基本组成单元,它们在电路中起着传递、控制、转换和储存电能的作用。
本实验主要涉及以下几种电子元器件:1. 电阻器:用于限制电路中的电流,起到降压、分压、限流、滤波等作用。
2. 电容器:用于储存电能,在电路中起到耦合、旁路、滤波、定时等作用。
3. 电感器:用于储存磁能,在电路中起到耦合、隔离、滤波、振荡等作用。
4. 晶体二极管:具有单向导电特性,在电路中起到整流、开关、稳压、限幅等作用。
5. 晶体三极管:具有放大、开关、稳压等作用。
6. 集成电路:由多个电子元器件组成的复杂电路,具有体积小、功能多、可靠性高等特点。
三、实验内容1. 电阻器、电容器、电感器的识别与测量(1)观察电阻器、电容器、电感器的实物外形,了解其颜色编码、引脚排列等。
(2)使用万用表测量电阻器、电容器的阻值、容量。
(3)分析电阻器、电容器的误差范围、温度系数等参数。
2. 晶体二极管、晶体三极管的识别与测量(1)观察晶体二极管、晶体三极管的实物外形,了解其引脚排列、封装形式等。
(2)使用万用表测量晶体二极管的正向导通电压、反向截止电压。
(3)测量晶体三极管的放大倍数、截止电压等参数。
3. 集成电路的识别与检测(1)观察集成电路的实物外形,了解其引脚排列、封装形式等。
(2)使用万用表检测集成电路的供电电压、工作电流。
(3)分析集成电路的典型应用电路,了解其在电路中的作用。
四、实验步骤1. 准备实验器材,包括万用表、电阻器、电容器、电感器、晶体二极管、晶体三极管、集成电路等。
2. 按照实验要求,依次识别和测量各种电子元器件。
3. 记录实验数据,分析实验结果。
4. 撰写实验报告,总结实验心得。
五、实验结果与分析1. 电阻器、电容器、电感器的测量结果符合理论值,误差在允许范围内。
电力电子器件及其驱动电路实验报告一、引言电力电子器件的使用已经成为现代电力系统中不可或缺的一部分。
电力电子器件主要应用于交流调制、直流传输、发电机控制、照明系统、电机控制等领域。
因此,针对电力电子器件及其驱动电路的实验研究显得尤为重要。
本报告将介绍我们所设计和构建的电力电子器件及其驱动电路的实验,并阐述实验过程中所用到的材料和方法,同时给出相关实验结果和结论。
二、材料和方法本实验所用到的器材和材料如下:1.三相桥式整流电路;2.IGBT(绝缘栅双极型晶体管);3.隔离型驱动电路;4.直流电源;5.电容;6.电感;7.示波器;8.信号发生器。
实验过程如下:1.首先将电容和电感串联。
2.将IGBT与串联的电容和电感并联,形成一个单臂桥式逆变电路。
3.将上述电路与隔离型驱动电路相连。
4.将三相桥式整流电路连接到隔离型驱动电路的输出端。
5.将信号发生器连接到隔离型驱动电路的输入端,并设定不同的频率,并在示波器上观察输出波形。
6.调整逆变电路的PWM信号,使输出波形变为纯正弦波。
三、实验结果与分析在实验过程中,我们通过改变信号发生器的频率来观察在不同频率下的输出波形。
实验结果表明,当信号发生器的频率在低频率时,输出是一个方波,当频率逐渐升高时,输出波形逐渐接近纯正弦波。
同时,我们在实验过程中发现,当逆变电路的PWM信号调整为一定的占空比时,输出波形能够变为纯正弦波。
由此可以得出,逆变电路的PWM信号占空比是影响输出波形的一个重要因素。
通过测量和分析我们得出,隔离型驱动电路能够有效的控制电力电子器件的开关状态,并降低逆变电路的损耗。
同时,逆变电路的PWM信号占空比是影响输出波形的一个关键因素。
四、结论本次实验我们成功地设计与构建了一个单臂桥式逆变电路,并通过实验验证了隔离型驱动电路的有效性以及PWM信号占空比对输出波形的影响。
实验结果表明,电力电子器件及其驱动电路的设计和优化对于优化电力系统的性能具有重要意义,并有望推动电力系统在未来的发展方向上得以进一步优化。
电子技术元器件实验报告实验目的:本实验旨在使学生熟悉电子技术中常用的元器件,掌握元器件的识别、测量和应用方法,增强学生的实践操作能力和理论联系实际的能力。
实验原理:电子技术元器件是构成电子电路的基本组成部分,包括但不限于电阻器、电容器、电感器、二极管、晶体管等。
每种元器件都有其特定的电气特性和应用场景。
通过实验,学生将学习如何使用万用表等工具测量元器件的参数,并了解其在电路中的作用。
实验材料:- 万用表- 电阻器(不同阻值)- 电容器(不同容值)- 电感器(不同电感值)- 二极管(整流二极管、稳压二极管等)- 晶体管(NPN、PNP)- 电路板- 导线- 烙铁及焊锡实验步骤:1. 电阻器的识别与测量:使用万用表的电阻档,测量不同阻值的电阻器,记录测量结果,并与标称值进行比较。
2. 电容器的识别与测量:使用万用表的电容档,测量不同容值的电容器,注意极性,并记录测量结果。
3. 电感器的识别与测量:使用万用表的电感档或LCR表测量不同电感值的电感器,并记录数据。
4. 二极管的测量:使用万用表的二极管档,测试二极管的正向导通电压和反向击穿电压。
5. 晶体管的测量:测试晶体管的放大倍数、基极电流、集电极电流等参数。
6. 元器件的焊接:在电路板上焊接选定的元器件,注意焊接质量。
7. 电路测试:将焊接好的元器件组成简单电路,测试电路功能是否正常。
实验结果:在实验过程中,学生应记录下每种元器件的测量数据,并与标称值进行比较,分析误差产生的原因。
同时,记录焊接过程中的注意事项和电路测试的结果。
实验结论:通过本次实验,学生应能够熟练识别和测量电子技术元器件的基本参数,了解元器件在电路中的作用,并能够进行简单的电路组装和测试。
实验过程中,学生应体会到理论与实践相结合的重要性,以及在实际操作中遇到问题时解决问题的能力。
注意事项:1. 在使用万用表时,确保选择正确的测量模式和量程。
2. 焊接时注意安全,避免烫伤和短路。
3. 在电路测试时,确保电路连接正确,避免损坏元器件。
电子科技大学
实验报告
学生姓名:学号:指导教师:
实验地点:实验时间:
一、实验室名称:电磁性能综合测试室
二、实验项目名称:电感磁性参数测试、计算及直流偏置影响实验
三、实验原理:
一个绕线电感,在电路上可等效成一个电感L和一个电阻R的串联,利用交流电桥测试设备,如TH2828、Agilent4284等,设定好测试频率和测试电压,可直接读出在频率点绕线电感的等效电感值和损耗电阻值来。
在不同的频率点下测试,则可得到该电感器磁性参数的频率特性来。
而电感L与磁芯磁导率的实部之间满足一定的计算关系,串连损耗电阻R与磁芯磁导率的虚部满足一定的计算关系,根据L和R的频率特性,通过计算可得到磁导率的磁谱特性。
在直流偏置条件下,绕线电感的等效电感值和损耗电阻值都会发生变化,通过测试在不同直流偏置下等效电感值和损耗电阻值的变化,可确定直流偏置和电感器性能的影响大小,并各通过计算得到了直流偏置对磁芯材料磁导率的影响大小来。
四、实验目的:
通过对绕线电感器各相关磁性参数的测试,掌握电感器的电感量、损耗电阻等参数的测试方法以及这些参数随测试频率的变化趋势。
通过进行电感器直流偏置的实验,了解直流偏置磁场对电感器电磁参数性能的影响及影响程度的大小。
通过相应的计算,知道如何将电感值、损耗电阻值与磁芯的磁导率之间建立关联。
五、实验内容:
1、利用TH2828LCR阻抗测试仪测试绕制的电感器在不同测试频率下的主要磁性参数。
2、利用TH2828LCR阻抗测试仪测试绕制的电感器在不同直流偏置条件下其主要磁性参数的变化。
3、根据测试的等效电感值和损耗电阻值,推算相应磁导率实部和虚部的大小,以及随频率和偏置场的变化。
六、实验器材(设备、元器件):
本实验主要采用TH2828LCR阻抗测试仪和熔锡炉。
七、实验步骤:
1、开启焊锡炉,设置工作温度为430℃;
2、开启TH2828LCR阻抗测试仪,预热20分钟;
3、选用φ5×2.5×2mm的铁氧体磁芯,用漆包线在磁芯上均匀绕线
10匝,然后将漆包线两端头的漆皮在焊锡炉中熔掉;
4、学习TH2828LCR阻抗测试仪的扫描测试技术,先选择测试参数为LS-Rs,从操作面板上按“扫描测试”按钮,进行扫描测试设置窗口,依次从低到高设置测试频率,最多可设置10个频率点,设置好以后退出设置状态,按“测试”按钮,显示频上就可以动态的扫描在10个不同频率点的测试值,从而显著的提高测试效率。
需注意的是,该方法不能用于测试电感器的偏置特性,因为磁芯有磁滞效应,如果偏置电流大小循环变化,实际测试的结果并非准确值。
测偏置特性只能按偏置电流从小到大逐渐增加的顺利测试,不能颠倒。
5、固定TH2828LCR阻抗测试仪的测试频率为10 kHz,按TH2828LCR 操作面板上的“偏置”设置按钮,从低到高逐渐增加偏置电流的大小,按“开启”后即可在显示屏上直接读出LS、RS的在偏置电流作用下的测试结果;
6、依据TH2828LCR阻抗测试仪测试得到的在不同频率和不同偏置电流下的LS和RS值,计算磁芯在不同频率和不同偏置电流下的磁导率实部和虚部;
7、设备关机,实验室断电。
八、实验数据及结果分析:
1、电感器在不同测试频率下的主要等效电感和损耗电阻:
2、电感器在不同直流偏置条件下其主要磁性参数的变化实验数据如
下:
九、实验结论:
1、电感器电感随频率的升高先基本保持不变,随后开始较大程度
的下降,估计与接近材料的截止频率有关,而损耗电阻则一直增大,主要是因为等效电阻与频率成正比的缘故。
2、在直流偏置的作用下,电感器的电感量在不断下降。
电感量的
下降是由于在偏置场的作用下,磁芯的磁导率下降所致。
3、根据L计算出的磁芯的磁导率实部随频率和偏置电流的增大
而减小
4、偏置场大小的变化趋势与电感变化趋势相同
十、总结及心得体会:
电容器的电感量收到所加频率和电流量的较大影响。
此外,在实验过程中也应当注意引入磁芯气隙会对电容器电感量造成的影响。
十一、对本实验过程及方法、手段的改进建议:
利用引入磁芯气隙可以改变电容器电感量这一特点,可以制造出在特定频率下电感量特定的电容器。
(制作范围内)。