《电子技术基础》课程习题集
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习题
【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题
1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处
在（）状态。
A. 击穿
B. 截止
C. 放大
D. 饱和
2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性
B.恒温特性
C.单向导电特性
D.恒流特性
3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子
B.只有空穴
C.有空穴也有电子
D.没有空穴也没有自由电子
4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大
B.饱和
C.截止
D.倒置
5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，
I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50
B.80
C.100
D.
6.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿区
D.正向死区
7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为
（）。
A.NPN硅管
B.NPN锗管
C.PNP硅管
D.PNP锗管
8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管
处于（）状态。
A.饱和
B.截止
C.放大
D.击穿
10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于
B.小于
C.等于
D.大于或等于
11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子
B.空穴
C.硼元素
D.磷元素
12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结正偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结反偏
13.下列关于半导体的说确的是（）。
A.P型半导体带正电，N型半导体带负电
B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态
C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用
D.以上说法都是错误的
14. PN结加正向电压时，空间电荷区将( )。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
D.不确定
15.当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )
A 增大
B 减小
C 不变
D 等于零
16.以下电路中，可用作电压跟随器的是（）。
A．差分放大电路B．共基放大电路C．共射放大电路D．共集放大电路17.共模抑制比K
是（）。
CMRR
A. 差模输入信号与共模输入信号之比
B. 输入量中差模成份与共模成份之比
C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
D. 交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比
18.下列哪种失真不属于非线性失真（）。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
19.共射极放大器的输出电压和输入电压在相位上相差（）。
A.90°
B.°
C.60°
D.30°
20.收音机寻找要听的电台，利用的是（）原理。
A. 自激
B. 调谐
C. 整流
D. 稳压
21.如果三极管的发射结反偏，则三极管处于的状态是（）
A.放大
B.饱和
C.截止
D.倒置
22.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
A.饱和
B.截止
C.交越
D.频率
23.射极输出器的主要特点是（）
A.电压放大倍数无穷大，输出电阻高，输入电阻低
B.电压放大倍数接近1，输出电阻低，输入电阻高
C.电压放大倍数为0，输出电阻低，输入电阻高
D.以上说法都不对
24.固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q如下图所示，当温度升高时Q将( )。
A.不改变
B.向Q'移动
C.向Q''移动
D.向右平移
μA
/V
CE
25.电路如图所示，设晶体管工作在放大状态，欲使静态电流I C减小，则应（〕。
A.保持U CC，R B一定，减小R C
B.保持U CC，R C一定，增大R B
V.保持R B，R C一定，增大U CC D.保持R C一定，增大U CC，R B
