塑封器件失效机理及其快速评估技术
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塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进摘要:一、引言二、塑封功率器件的分层失效机理1.器件可靠性的重要性2.塑封功率器件的失效模式3.分层失效机理的研究意义三、塑封功率器件的工艺改进1.材料选择与优化2.封装设计与优化3.工艺参数的优化四、结论正文:一、引言随着科技的快速发展,电子器件的应用越来越广泛。
其中,塑封功率器件在工业、军事、航空航天等领域中具有举足轻重的地位。
然而,在实际应用过程中,塑封功率器件的失效问题日益凸显,严重影响了系统的稳定性和可靠性。
因此,研究塑封功率器件的分层失效机理并进行工艺改进具有重要的现实意义。
二、塑封功率器件的分层失效机理1.器件可靠性的重要性电子器件的可靠性是指在一定的使用条件下和规定的时间内,器件能够正常完成规定的功能。
对于塑封功率器件而言,其可靠性主要体现在抗热、抗湿、抗腐蚀、抗氧化等方面。
显然,提高塑封功率器件的可靠性是确保整个应用系统稳定运行的关键。
2.塑封功率器件的失效模式塑封功率器件的失效模式主要包括电气失效、物理失效和化学失效。
其中,电气失效主要包括漏电、短路等;物理失效主要包括断裂、变形等;化学失效主要包括腐蚀、老化等。
这些失效模式可能导致塑封功率器件性能下降,甚至失效。
3.分层失效机理的研究意义研究塑封功率器件的分层失效机理,有助于从源头上寻找解决失效问题的方法,为进一步提高器件的可靠性和稳定性提供理论支持。
同时,对于优化封装材料、改进封装工艺等方面也具有重要的指导意义。
三、塑封功率器件的工艺改进1.材料选择与优化材料的选择和优化是提高塑封功率器件可靠性的重要途径。
应选择具有优良的热稳定性、化学稳定性和力学性能的材料。
此外,材料的成本和环保性能也应考虑。
2.封装设计与优化封装设计应充分考虑器件的热效应、应力分布、防水性能等方面。
合理的封装设计能够有效降低器件失效的风险。
3.工艺参数的优化工艺参数的优化包括选择合适的焊接温度、焊接时间、封装压力等。
塑封料、封装材料、环氧塑封料简介和塑封IC常见失效及对策塑封料、封装材料、环氧塑封料简介和塑封IC常见失效及对策上海常祥实业以"做您身边最卓越的电子防护融合方案服务伙伴"为公司的终极目标,公司本着"和谐互动全为您"的服务宗旨,为世界级的客户提供优质服务。
上海常祥实业有限公司结合自己的经验,再结合世界顶级客户的实践,对塑封料做了简单的介绍和在塑封IC的过程中常见的失效现象以及对策做了总结,提出以下看法,供爱好者参考.塑封料,又称环氧塑封料(塑封料,EpoxyMoldingCompound)以其高可靠性、低成本、生产工艺简单、适合大规模生产等特点,占据了整个微电子封装材料97%以上的市场。
现在,它已经广泛地应用于半导体器件、集成电路、消费电子、汽车、军事、航空等各个封装领域。
环氧塑封料作为主要的电子封装材料之一,在电子封装中起着非常重要的作用,封装材料除了保护芯片不受外界灰尘、潮气、离子、辐射、机械冲击外,还起到了机械支撑和散热的功能。
随着芯片的设计业、制造业和封装业的发展,环氧塑封料也得到了快速的发展。
先进封装技术的快速发展为环氧塑封料的发展提供巨大的发展空间的同时也给环氧塑封料的发展提出了很大的挑战。
塑封料专家刘志认为:满足超薄、微型化、高性能化、多功能化,低成本化、以及环保封装的要求,是当前环氧塑封料工艺所面临的首要解决问题。
一塑封料发展状况1环氧塑封料的发展历程早在20世纪中期,塑料封装半导体器件生产的初期,人们曾使用环氧、酸酐固化体系塑封料用于塑封晶体管生产。
但是由于玻璃化温度(Tg)偏低、氯离子含量偏高等原因,而未被广泛采用。
1972年美国Morton化学公司成功研制出邻甲酚醛环氧-酚醛树脂体系塑封料,此后人们一直沿着这个方面不断地研究、改进、提高和创新,也不断出现很多新产品。
1975年出现了阻燃型环氧塑封料,1977年出现了低水解氯的环氧塑封料,1982年出现了低应力环氧塑封料,1985年出现了有机硅改性低应力环氧塑封料,1995年前后分别出现了低膨胀、超低膨环氧塑封料,低翘曲环氧塑封料等,随后不断出现绿色环保等新型环氧塑封料。
塑料封装可靠性问题浅析1、引言塑料封装器件很容易由于多种原因而导致早期失效。
这些缺陷产生的根源很多, 他们能够导致在塑封体各个部位产生一系列的失效模式和失效机理。
缺陷的产生主要是由于原材料的不匹配、设计存在缺陷或者不完善的制造工艺。
塑料封装器件同样也存在着非缺陷机理性失效, 比如PEM在空气中吸潮, 所吸收的潮气将会导致很多的问题出现, 包含在这一类失效中的就是所谓的磨损型失效机理。
这些类型的失效在后面将会进行详细的论述。
同时也将讨论避免产生缺陷的各种方法以及生产过程的优化和完善的设计。
这些都是为了保证最后成品的质量和可靠性。
2、塑料封装器件的缺陷及其预防有些缺陷很自然地归类于热机性能造成的, 而其他的缺陷通常和一些特殊的制成有关系, 比如芯片的制造、芯片的粘接、塑封、芯片的钝化、引线框架芯片基板的制造、焊丝或者后道成品包装。
这些都将在下面的讨论中看到, 同时其中的某些缺陷在分类上还是相互交叉的。
2.1、热机缺陷某些缺陷能够导致失效, 而这些缺陷都与热以及微观物质的移动有密切关系, 产生的主要原因就是环氧塑封料和不同接触界面材料的线膨胀系数不一致比如说, 当EMC固化时, 热收缩应力也随之产生这些应力将会导致巨大的拉伸和剪切应力, 作用于直接接触的芯片表面特别是在邑片的角部, 应力将会成几何级数增长, 很容易导致芯片薄膜钝化层或者芯片焊接材料以及, 芯片本身的破裂。
这些应力同样也容易导致EMC和芯片/芯片基板/引线框架之间出现分层断裂以及分层将会导致电路断开、短路以及间歇性断路问题出现。
同样它们也为潮气和污染源更容易进人塑封体内部提供了通路。
这些类型的缺陷可以通过以下措施来避免:在选择塑封料、引线框架、芯片焊接剂以及芯片钝化层的原材料时, 所有材料的线膨胀系数必须尽可能地相互匹配;芯片上部和下部塑封料的厚度应该尽可能地接近;尽量避免在设计和排版过程中出现边缘尖端以及尖角, 这样可以防止出现应力集中, 从而避免断裂的出现;最后, 提倡使用低应力塑封料以及低应力芯片焊接剂, 可以最大限度防止在封装的过程中出现多余应力。
第06章封装系统的失效机理第六章封装系统的失效机理1*封装⽅法简介在半导体器件和集成电路的⽣产⼯艺中,引线和封装⼯艺的质量对可靠性具有很重要的作⽤。
任何半导体器件,如果只有良好的管芯,⽽没有良好的/牢固的封装管壳来保护管芯,管芯的性能就要受到外部环境的影响。
例如,⾼温/低温/温度冲击/潮⽓/盐雾和低⽓压环境以及震动/冲击/离⼼⼒作⽤等都会强烈地影响管芯的性能,甚⾄引起失效。
⼀.器件对封装的要求1.保护器件的芯⽚和键合系统。
要求密封性好,机械结构牢固,防⽌来⾃外界的潮⽓和冲击。
2.使管芯与外电路实现电连接,并且稳定可靠。
3.具有较好的散热作⽤,器件⼯作时芯⽚内产⽣的焦⽿热能顺利地通过管壳散发出去,⽽且要尽量减少体积和重量。
4.超⾼频器件,管壳结构的分布电容和电感要尽可能⼩。
5.易于安装在印制板上(仅对⼩功率器件⽽⾔)。
⼆.封装⽅法⽤来封装半导体器件的外壳称为管壳,管壳⼀般由管帽和管座(也称底座)两部分构成,集成电路所使⽤的外壳⼀般可分为TO-5型/直插型和扁平型三种。
这些外壳的封装⽅法有通电流的电阻熔焊法低熔点焊锡法/低熔点玻璃法以及树脂模型法等。
(⼀)电阻熔焊法1.环性熔焊法。
这个⽅法⽤于TO-5型环形外壳的封装。
先把管帽盖在管座的顶部,然后将外壳置于上下电极之间并通以⼤电流,此时在⾼阻的凸缘部分发热和熔化并相互粘结从⽽实现密封。
密封操作⼀般在⼲燥箱中进⾏,⽤⼲氮或其它惰性⽓体置换箱内空⽓,以防⽌潮⽓侵⼊。
2.缝焊法。
这种⽅法属于电阻熔焊法,但与环形熔焊⼜不同,它有两个旋转的电极,在两个电极之间通以电流,焊接就在管帽与底座的镀⾦层之间进⾏,电极在外壳周围旋⼀圈就可完成密封。
例如陶瓷⾦属化双列直插式的管该缝焊法----平⾏封焊,就属于这种缝焊法。
(⼆)低熔点焊锡及玻璃法。
1.低熔点焊锡法。
这是⽤低熔点焊锡或钎焊料粘结底座和盖的⽅法。
密封时必须加热,低熔点焊料⼀般采⽤Au---Si(370*C)/Au---Ge(365*C)/Au(280*C)等。
塑封器件常见失效模式及其机理分析总结塑封器件(Plastic Encapsulation Device,PED)是指使用塑料作为封装材料的电子器件。
由于其低成本、轻量化、易加工等优势,塑封器件被广泛应用于各种电子设备中。
然而,塑封器件也存在一些常见的失效模式,本文将对这些失效模式及其机理进行分析总结。
1.温度失效:在高温环境下,塑封器件的封装材料容易发生老化和变形,导致器件性能下降或失效。
该失效模式的机理主要是材料的热老化,其中塑料封装材料中的添加剂如稳定剂、防护剂等会因长时间高温作用而分解或迁移,导致封装材料的物理和化学性质的变化。
2.湿气失效:湿气失效是指器件在高湿环境中发生导电路径或绝缘破坏而失效。
该失效模式的机理主要是由于湿气中的氧化物、离子等与器件内部的金属导线、介质等发生化学反应,导致电阻降低、绝缘性能下降。
3.机械失效:机械失效是指塑封器件在受到机械应力、振动等外力作用下,发生封装裂纹、金属引脚断裂等损坏而失效。
该失效模式的机理主要是由于材料的强度不足、结构设计不合理等导致的。
4.电气失效:电气失效是指器件在使用过程中发生电性能下降或功能失效。
该失效模式的机理主要包括电极与封装材料之间的接触不良、氧化等导致电阻增加;电容器内部介质的老化和损坏导致容量减小或绝缘性能下降等。
5.化学失效:化学失效是指塑封器件在受到化学物质(酸、碱、溶剂等)侵蚀或与化学物质发生反应而失效。
该失效模式的机理主要是材料与化学物质发生化学反应,导致封装材料的物理性质变化或金属导线的腐蚀等。
针对上述失效模式,可以采取以下措施来减少或避免塑封器件的失效:1.选择合适的封装材料,考虑其在高温、高湿等环境下的稳定性和耐候性。
2.优化封装结构设计,增强塑封器件的抗机械振动和应力能力,避免封装裂纹和金属引脚断裂等机械失效。
3.采取防湿措施,如封装材料添加防湿剂、采用防潮包装等,以防止湿气失效的发生。
4.优化金属电极的表面处理和封装材料的加工工艺,提高接触质量和电阻、容量的稳定性,减少电气失效的可能。
塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进【引言】塑封功率器件在现代电子设备中有着广泛的应用,其性能和可靠性对整个系统的稳定运行至关重要。
然而,塑封功率器件在长时间使用过程中,容易出现分层失效现象,严重影响器件的性能和寿命。
本文针对这一问题,对塑封功率器件的分层失效机理进行了深入研究,并提出了相应的工艺改进措施。
【塑封功率器件分层失效机理分析】塑封功率器件的分层失效主要与材料性质、封装过程影响和器件工作环境因素密切相关。
1.材料性质:塑封材料的选择对器件的可靠性具有重要影响。
不同的塑封材料具有不同的热膨胀系数和力学性能,容易在温度变化和机械应力作用下产生分层。
此外,塑封材料中的杂质和气泡也会降低其粘结性能,加速分层失效的产生。
2.封装过程影响:封装过程对塑封器件的可靠性也有很大影响。
封装过程中,塑封材料与器件引脚、芯片之间的界面结合力不足,容易导致分层。
此外,封装过程中的温度控制和压力分布对分层失效也有重要影响。
3.器件工作环境因素:长时间处于高温、高湿、高压等恶劣环境下的塑封器件,容易出现分层失效。
这是因为这些环境条件会加速塑封材料内部应力的累积和材料性能的退化。
【塑封功率器件分层失效的预防措施】针对塑封功率器件分层失效的机理,本文提出以下预防措施:1.材料选择:选用热膨胀系数匹配、力学性能优良且杂质含量低的塑封材料。
同时,尽量减少材料中的气泡和缺陷,提高其粘结性能。
2.封装工艺改进:优化封装过程中的温度控制和压力分布,提高塑封材料与器件引脚、芯片之间的界面结合力。
此外,采用分层失效敏感性低的封装工艺,如湿法分层封装工艺。
3.工作环境优化:尽量降低器件工作环境中的温度、湿度和压力等参数,以减缓塑封材料性能的退化和应力的累积。
【分层失效对器件性能的影响及评估】塑封器件的分层失效会导致其性能下降,甚至失效。
为评估分层失效对器件性能的影响,可通过电学测试、力学测试和热学测试等方法,对器件的导通特性、击穿电压、热稳定性等性能指标进行评估。
塑封器件常见失效模式及其机理分析1、受潮腐蚀对塑封器件而言,湿气渗入是影响其气密性导致失效的1)由于树脂本身的透湿率与吸水性,水气会直接通过塑封料包封层本体扩散到芯片表面;2)通过塑封料包封层与金属框架间的间隙,然后再沿着内引线与塑封料的封接界面进入器件芯片表面。
当湿气通过这两条途径到达芯片表面时,在表面形成一层导电水膜,并将塑封料中的Na+、CL-离子也随之带入,在电位差的作为下,会加速对芯片表面铝布线的电化学腐蚀,最终导致电路内引线开路。
随着电路集成度的不断提高,铝布线越来越细,因此,铝布线腐蚀对器件寿命的影响就越发严重。
其腐蚀机理均可归结为铝与离子沾污物的化学反应:由于水汽的浸入,加速了水解物质 (Na+、CL-)从树脂中的离解,同时也加速芯片表面钝化膜磷硅玻璃离解出(PO4)3-。
腐蚀过程中离解出的物质由于其物理特性改变,例如脆性增加、接触电阻值增加、热膨胀系数发生变化等,在器件使用或贮存过程中随着温度及加载电压的变化,会表现出电参数漂移、漏电流过大,甚至短路或开路等失效模式,且有些失效模式不稳定,在一定条件下有可能恢复自1962年开始出现塑封半导体器件,因其在封装尺寸、代替原先的金属、陶瓷封装器件。
但塑封器件在发展初、中期可靠性水平较低,在80年代之后,随着高纯度、低应力的塑封材料的使用,高质量的芯片钝化、芯片粘接、内涂覆材料、引线键合、加速筛选工艺及自动模制等新工艺技术的发展,使得塑封器件的可靠性逐步赶上金属封装与陶瓷封装的器件。
一般塑封器件的失效可分为早期失效和使用期失效,前者多是由设计或工艺失误造成的质量缺陷所致,可通过常规电性能检测和筛选来判别;后者则是由器件的潜在缺陷引起的,潜在缺陷的行为与时间和应力有关,经验表明,受潮、腐蚀、机械应力、电过应力和静电放电等产生的失效占主导地位。
塑封器件,就是用塑封料把支撑集成芯片的引线框架、塑封器件封装材料主要是环氧模塑料。
环氧模塑料是以环氧树脂为基体树脂,以酚醛树脂为固化剂,再加上一些填料,如填充剂、阻燃剂、着色剂、偶联剂等微量组分,在热和固化剂的作用下环氧树脂的环氧基开环与酚醛树脂发生化学反应,产生交联固化作用使之成为热固性塑料。
塑封器件失效机理及其快速评估技术研究1 引言塑封器件是指以树脂类聚合物为材料封装的半导体器件,其固有的特点限制了塑封器件在卫星、军事等一些高可靠性场合的使用 [1]。
虽然自70年代以来[2],大大改进了封装材料、芯片钝化和生产工艺,使塑封器件的可靠性得到很大的提高,但仍存在着许多问题。
这些潜在的问题无法通过普通的筛选来剔除,因此,要研究合适的方法对塑封器件的可靠性加以评定。
美国航空航天局(NASA)的Goddard空间飞行中心在2003年6月颁布的文件(NASA/TP- 2003- 212244: Instructions for Plastic Encapsulated Microcircuit(PEM)Selection,Screening,and Qualification)承认,由于PEM自身的缺陷不可能既满足高可靠性的军事需求,同时又满足低风险的失效率,因此就必须进行筛选和鉴定试验。
本文对塑封器件的失效机理分析,并就筛选这个环节的可靠性快速评价进行论述。
2 失效模式及其机理分析塑封器件在没有安装到电路板上使用前,潮气很容易入侵,这是由于水汽渗透进树脂而产生的,而且水汽渗透的速度与温度有关。
塑封器件的许多失效机理,如腐蚀、爆米花效应等都可归结为潮气入侵。
2.1 腐蚀潮气主要是通过塑封料与外引线框架界面进入加工好的塑封器件管壳,然后再沿着内引线与塑封料的封接界面进入器件芯片表面。
同时由于树脂本身的透湿率与吸水性,也会导致水汽直接通过塑封料扩散到芯片表面。
吸入的潮气中,如果带有较多的离子沾污物,就会使芯片的键合区发生腐蚀。
如果芯片表面的钝化层存在缺陷,则潮气会侵入到芯片的金属化层。
无论是键合区的腐蚀还是金属化层的腐蚀,其机理均可归结为铝与离子沾污物的化学反应:由于水汽的浸入,加速了水解物质(Cl -,Na+)从树脂中的离解,同时也加速了芯片表面钝化膜磷硅玻璃离解出(PO4)3-。
⑴在有氯离子的酸性环境中反应2Al±6HCl→2AlCl3±3H 2Al+3Cl→AlCl3+3e-AlCl3→Al(OH)2 +HCl⑵在有钠离子的碱性环境中反应2Al+2NaOH+2H2O→2NaAlO 2+3H2Al+3(OH)- →Al(OH)3+3e-2Al(OH)3→Al2 O3+3H2O腐蚀过程中离解出的物质由于其物理特性改变,例如脆性增加、接触电阻值增加、热膨胀系数发生变化等,在器件使用或贮存过程中随着温度及加载电压的变化,会表现出电参数漂移、漏电流过大,甚至短路或开路等失效模式,且有些失效模式不稳定,在一定条件下有可能恢复部分器件功能,但是只要发生了腐蚀,对器件的长期使用可靠性将埋下隐患[3]。
2.2 爆米花效应塑封器件在焊接期间传导到器件上的热有三种来源:红外回流焊加热、气相回流焊加热和波峰焊加热。
红外加热的峰值温度是235~240 ℃,时间10 s;气相加热温度215±5 ℃,40 s;波峰焊加热温度260±5 ℃,5 s。
在器件受热过程中,由于管壳中所吸附的水分快速汽化,内部水汽压力过大,使模制材料(环氧树脂化合物)膨胀,出现分层剥离和开裂现象,俗称“爆米花”效应。
管壳开裂既可在膨胀过程中出现,也可在冷却和收缩到其正常尺寸过程中发生。
这些裂缝会给水分和污染物的侵入提供通道,从而影响长期可靠性,而且在模制材料膨胀过程中,内部产生的剪切应力会影响焊线的完好性,特别是在芯片角应力最大时,会导致键合线翘起、键合接头开裂和键合引线断开,引起电失效。
这一现象与焊接过程的温度变化范围、封装水分含量、封装尺寸和模压材料粘合力有关。
这种效应在大管脚数的塑封器件上更为强烈。
2.3 低温/温冲失效通常由元器件生产厂商提供的塑封器件对温度要求不高,能满足如下三种温度范围的要求即可:0~70 ℃(商业温度)、-40~85 ℃(工业温度)、-40~125 ℃(汽车温度),这些范围比传统的军用温度范围(-55~125 ℃)要窄。
但大量的失效案例表明,即使在这三种温度范围内,失效的塑封器件比例依然很高,对失效的器件失效分析表明,外界温度冲击或低温环境造成的塑封材料对芯片的应力是主要机理。
①封装分层。
在从室温到极端寒冷环境的热循环过程中,模压复合物与基片或引线框之间的热膨胀系数差异可造成分层和开裂。
在极端低温下,由于贮存操作温度和密封温度之间的差异很大,因此导致分层和开裂的应力也非常大。
并且,随着塑料在极端低温下耐开裂强度的下降,开裂的可能性也随之增加(封装经过-55~125 ℃的热循环时,引线框尖锐边缘处就会出现开裂和分层)。
另外,潮湿对低温下关键基片,即封装材料界面上的分层还会产生加速效应。
这种加速效应可由封装内凝结水汽的冻结和解冻所引起[4]。
②对芯片的机械应力。
由于塑封料和硅的线性热膨胀系数相差一个数量级,可使器件在温度变化的环境里,塑封料在芯片上移动。
这种应力对芯片表面结构构成一种剪切力,它首先使芯片上附着力弱的金属化层向芯片中心滑移,造成金属化铝条间开路或短路;也可能造成钝化层或多晶硅层破裂,多层金属化上下层间短路。
另外,塑封料在工作温度下会对芯片有一个压应力。
温度越低,压应力越大。
同时塑封料中加了石英砂填料,以其尖锐的角尖接触芯片,塑封料的压力传递到芯片上,刺破钝化层和金属层造成开路或短路,也会造成IC中的元器件参数变化。
2.4 闩锁或EOS/ESD因电路闩锁或EOS/ESD损伤,会造成芯片上局部高温区塑料碳化的现象,这是因通过导电塑料的电流旁路过热而引起的。
由于这种失效机理使封装剂退化,使其绝缘电阻受到损耗而导电。
大电流沿着这条导电通道并通过塑料从电源输送到地线,不断使塑料发热,最终使塑封器件烧毁。
2.5 生产工艺缺陷①芯片粘接缺陷。
这些缺陷包括芯片与其基片粘接不良、粘接材料中有空洞,造成热分布不均(局部热点)、芯片剥离或裂纹,此外,空洞还可截留潮气和沾污物。
这些缺陷可导致致命失效[2] 。
②封装缺陷。
常见的封装缺陷包括气泡、粘接不良(剥离)、芯片的基片位移和引线弯曲不当。
此外,模制化合物含有杂质或沾污物。
这些缺陷可造成塑封开裂、金属化层变形、焊头翘起、互连线腐蚀断开、电气开路、短路或中断等等,因而使器件失效;粘接不良(剥离)是由于引线框架表面受到沾污或在键合温度下受到氧化而造成的。
其他原因还包括应力消除不足和脱模剂过量等。
③钝化层缺陷。
钝化层缺陷包括开裂、孔隙和粘接不良。
这些缺陷会造成电气开路、中断或漏电流大。
3 塑封器件可靠性快速评价对于塑封器件的可靠性评价主要方面是缺陷暴露技术,而缺陷在器件使用前很难通过常规的筛选来发现,一旦器件经过焊接或实际工作时就会显露出来,造成组件的故障。
3.1 常规评价方法①高温潮热。
潮气的入侵是与时间相关的,时间越长,湿度越大,则塑封器件内潮气达到饱和的时间越短。
同时这种失效还会受到温度、湿度共同作用的影响,因此采取温度、湿度综合应力,开展加速试验。
针对不同的塑封器件,可以制定相应的试验方案,也可以采用经验值,即85℃,85%RH,500 h 进行高温潮热试验。
但同时依据标准EIA/JESD22-A110-A,96 h的130 ℃、85%RH HAST相当于1000h 85 ℃/85%RH潮热试验,500h的高温潮热试验可以用50 h的HAST等效替代。
经过高温潮热或HAST试验后的塑封器件经过焊接工艺后取下,进行声学扫描检查,分析其引线框架与封装材料、芯片与封装材料的分层情况,做出此批器件是否通过高温潮热试验的判断。
②温度冲击。
Hughes公司指出,温度冲击和随机振动是考核元器件非工作状态可靠性的最有效的高加速应力方法 [5]。
统计分析表明,温度冲击能够暴露元器件2/3的贮存潜在缺陷。
而对于封装对芯片存在温变应力敏感以及封装工艺存在缺陷的塑封器件,可以通过选择合适的温变参数(参照产品的使用等级)进行评价。
参考MIL883E以及结合经验参数,可以采用负温30min,正温30min,大于100个循环的试验方案。
温度冲击试验后,除了进行声学扫描检查界面分层情况外,还要进行X射线检查外引脚与芯片键合区的铝线完整情况;最后要将器件开封,观察芯片表面是否有裂纹、钝化层表面是否有较多的划伤,做出此批器件是否通过温度冲击试验的判断。
在做出此批器件是否通过评价试验的判断时,若选取已知良好的器件对比进行评价,将会为被评价的塑封器件可靠性判断提供非常有价值的参考信息。
3.2 可用于军工高可靠用途的筛选美国航空航天局的Goddard空间飞行中心的报告指出,筛选能有效避免PEM 由于缺陷而引起的早期失效,并给出了评价流程及参数,本文只列出流程图(图1)[6],其余请参照文献。
4 结语影响塑封器件可靠性的各种失效机理所对应的失效表征可以采用加速试验,使其在短期内的退化等效于长期累积的结果。
元器件贮存可靠性的筛选和评价,要求以最充分暴露和检测其各种缺陷和潜在缺陷为目的。
高加速应力试验正是缺陷评价、安全工作裕度评价和健壮设计评价的重要方法 [7],在参考EIA和MIL标准的基础上,根据不同塑封器件的产品手册适当加速应力系数范围,采用对比试验可以很好地对缺陷品进行筛选。
塑封器件的可靠性评价方法研究是一项长期的工作,本文所论述的可靠性评价方法适用于PEM缺陷的前期筛选,但对于 PEM的长期工作状态可靠性,要通过大量的鉴定试验才能做出判断。