模拟电子技术基础期末试题
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模拟电子技术基础期末试题单项选择题1.当半导体二极管施加正向电压时,有()a、大电流和小电阻B、大电流和大电阻C、小电流和小电阻D、小电流和大电阻2。
当PN结正向偏置时,其内部电场为()a、削弱b、增强c、不变d、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()a、反向偏置击穿状态B、反向偏置非击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置非导通状态4。
P型半导体是通过在本征半导体中掺杂()而形成的。
a、3价元素b、4价元素c、5价元素d、6价元素5、pn结v―i特性的表达示为()vd/vtvdi?i(e?1)i?i(e?1)dsdsa、b、vd/vti?艾莉?1d、身份证?EVD/vtsc、D6、多级放大电路与每个单级放大电路相比,其通带()a、宽B、窄C、不变D,独立于每个单级放大电路7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4v,接入12kω的负载电阻后,输出电压降为3v,这说明放大电路的输出电阻为()a、10kωb、2kωc、4kωd、3kω8。
三极管在放大状态下工作的条件是()a、发射结正偏,集电结反偏b、发射结正偏,集电结正偏c、发射结反偏,集电结正偏d、发射结反偏,集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是()a、恒输出电流、大直流等效电阻、小交流等效电阻B、恒输出电流、小直流等效电阻、大交流等效电阻C、恒输出电流、小直流等效电阻、小交流等效电阻D、恒输出电流、大直流等效电阻、大交流等效电阻10、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源vcc应当()a、短路b、开路c、保留不变d、电流源11.对于发射极电阻为re的共发射极放大器电路,在并联交流旁路电容器CE后,电压放大系数将()a,减小B,增大C,保持不变D并变为零12、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路a和b,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下,测得a放大器的输出电压小,这说明a的()a、输入电阻大b、输入电阻小c、输出电阻大d、输出电阻小13.为了使高内阻信号源和低阻负载良好配合,在信号源和低阻负载之间连接()a、公共发射极电路B、公共基极电路C、公共集电极电路D、公共集电极公共基极串联电路14和NPN三极管的输出特性曲线。
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三(本科)及其参考答案试卷三一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分)1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。
a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差模电压增益100vd =A ,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
模拟电⼦技术基础试卷及答案(期末)第1章直流电路习题解答1.1 在图1.1所⽰电路中,(1)选d 为参考点,求a V 、b V 和c V ;(2)选c 为参考点,求a V 、b V 和d V 。
图1.1 习题1.1电路图解(1)当选d 为参考点时, V 3ada ==u V V 112cd bc bdb =-=+==u u u V ;V 1cdc -==u V (2)当选c 为参考点时, 4V 13dc ad a =+=+=u u V V 2bc b ==u V ;V 1dcd ==u V 1.2 求图1.2中各元件的功率,并指出每个元件起电源作⽤还是负载作⽤。
图1.2 习题1.2电路图解 W 5.45.131=?=P (吸收); W 5.15.032=?=P (吸收) W 15353-=?-=P (产⽣); W 5154=?=P (吸收); W 4225=?=P (吸收)元件1、2、4和5起负载作⽤,元件3起电源作⽤。
1.3 求图1.3中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.3 习题1.3电路图解 A2=I ; V13335=+-=I I U 电流源功率:W 2621-=?-=U P (产⽣),即电流源产⽣功率6W 2。
电压源功率:W 632-=?-=I P (产⽣),即电压源产⽣功率W 6。
1.4 求图1.4电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.4 习题1.4电路图解 A 1231=-=I A 1322-=-=I 由1R 、2R 和3R 构成的闭合⾯求得:A 1223=+=I I 1.5 试求图1.5所⽰电路的ab U。
图1.5 习题1.5电路图解 V 8.13966518ab-=?+++?-=U1.6求图1.6所⽰电路的a 点电位和b 点电位。
图1.6 习题1.6电路图解 V 4126b=?-=V V 13b a =+-=V V 1.7 求图1.7中的I 及SU。
图1.7 习题1.7电路图解 A7152)32(232=?+-?+-=IV 221021425)32(22S =+-=?+-?+=I U 1.8 试求图1.8中的I 、XI、U 及XU。
模拟电子电路基础试题及答案大学期末考试题IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=( 1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。
A.输入电阻增大B.输出量增大C.净输入量增大D.净输入量减小11、交流负反馈是指。
A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B.只有放大交流信号时才有的负反馈C.在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。
A. 调整管工作在开关状态B. 输出端有LC 滤波电路C. 可以不用电源变压器二、判断下列说法是否正确,正确的用“√”错误的“×”表示判断结果填入下表内。
填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ 增大,ICQ增大,UCEQ减小。
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空(18分)1.二极管最主要的特性是2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为V,桥式整流后(不滤波)的输出电压为,经过电容滤波后为,二极管所承受的最大反向电压为 14 V。
3.差分放大电路,若两个输入信号uI1 uI2,则输出电压,uOu I1=100μV,u I2=80μV则差模输入电压uId μV;共模输入电压uIcV。
4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用高通滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用带阻滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用带通滤波器。
5.若三级放大电路中Au1 Au2 30 dB,Au3 20 dB,则其总电压增益为dB,折合为4倍。
6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQPDC=效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有交越失真。
7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为V。
二、选择正确答案填空(20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( A )。
A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。
A.P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻,RS 为常数,为使下限频率fL 降低,应( D )。
A.减小C,减小Ri B. 减小C,增大RiC. 增大C,减小 RiD. 增大C,增大 Ri 5.如图所示复合管,已知V1的β1 = 30,V2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。
河北科技大学 学年第 学期《 模拟电子技术基础 》期末考试试卷标准答案学院 班级 姓名 学号 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分得分一、选择填空题(每空1分,共10分)( A )1.在晶体管放大电路的三种基本接法中, 的输出电压与输入电压不同相。
A. 共射电路B.共集电路.C.共基电路( C )2.选用差分放大电路的原因是。
A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂( A )3.若要实现电流—电压转换电路,应引入。
A.电压并联负反馈B.电流串联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈( A )4.二极管外加正向电压时处于_______状态。
A.导通B.放大C.截止( A )5.正弦波振荡电路必须由以下四个部分组成:放大电路、、正反馈网络和稳幅环节。
A.选频网络B.消除失真电路C.负反馈网络D.滤波环节( C )6.直流稳压电源中滤波电路的目的。
A.将高频变为低频B.将交流变为直流C.减小脉动,使输出电压平滑( B )7.在某电路中测得晶体管的e、b、c三个极的直流电位分别为0V 、0.7V、4.0V,则该晶体管工作在状态。
A.饱和B.放大C.截止( C )8.直流负反馈是指:。
A.只有放大直流信号时才有的负反馈B.直接耦合放大电路中引入的负反馈C.在直流通路中的负反馈( D )9.对于放大电路,所谓开环是指。
A.无负载B.无信号源C.无电源D.无反馈通路( D )10.集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数电路。
A. 阻容耦合多级放大B. 共发射极放大C. 变压器耦合多级放大D. 直接耦合多级放大模拟电子技术A卷,共( 6 )页,第( 1 )页模拟电子技术A 卷,共( 6 )页,第( 2 )页ZU R R R R Uo 3321++=ZU R R R R R Uo 32321+++=二、判断题(共10分)1.(请在括号中标明“√”或“×”;每空1分,共5分)( √ )1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立,它只能放大交流信号。
模拟电子技术基础期末试卷及参考答案一、选择题(本大题共10道小题,每小题2分,共10分。
在每小题给出的四个备选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内)1.利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的( )。
(a) 直流参数 (b) 交流参数(c) 静态工作点 (d) 交流和直流参数2.整流电路的主要目的是将( )。
(a) 交流信号变成直流信号 (b) 直流信号变成交流信号(c) 正弦波变成方波 (d) 高频信号变成低频信号3.若要设计一个振荡频率在kHz 1~Hz 100范围内可调的正弦波振荡电路,则应采用最为合适的振荡电路为( )正弦波振荡电路。
(a) RC 型 (b) LC 型(c) 石英晶体 (d) 555G 5 4.在放大电路中,场效应管应工作在( )。
(a) 可变电阻区 (b) 饱和区(c) 截止区 (d)击穿区5 .阻容耦合放大电路的直流负载线与交流负载线的关系为( )。
(a ) 不会重合 (b )一定会重合 (c ) 平行 (d )有时会重合 6.功率输出级电路如题1.6图所示,已知V sin 102i t u ω=,V 18=CC V ,Ω=8L R 则电路的输出功率约为( )。
(a) 12.5W (b) 25W(c) 50W (d) 100W 题1.6图7.电路如题1.7图所示,122R R =,Ω=k 3R ,μF 047.0=C ,该电路能输出( )。
(a) 1.13kHz 方波 (b) 1.13kHz 三角波(c) 520Hz 正弦波 (d) 1.13kHz 正弦波 8. 共模抑制比CMR K 越大,表明电路( )。
放大倍数越稳定(b) 交流放大倍数越大(c) 抑制温漂的能力越强(d) 输入信号中的差模成份越大9.为了抑制零点漂移,集成运放的输入级一般采用( )。
(a) 共射极放大电路 (b) 共集电极放大电路(c )共基极放大电路 (d) 差动放大电路 题1.7图 10 .题1.10图所示电路的负载L R 中所获得的电流=L I ( )。
模拟电⼦技术基础期末试题(西安交⼤)模电试题三、计算题(每题10分,共60分)1.某放⼤电路输⼊电阻Ri=10kΩ,如果⽤1µA电流源驱动,放⼤电路短路输出电流为10mA,开路输出电压为10V。
求放⼤电路接4k Ω负载电阻时的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ap。
2.⼆极管电路如图题所⽰,试判断图中的⼆极管是导通还是截⽌,并求出AO两端电压V AO。
设⼆极管是理想的。
3.电路如图题所⽰,设BJT的β=80,V BE=0.6 V,I CEO、V CES可忽略不计,试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时,BJT各⼯作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流Ic。
4.电路参数如图所⽰,FET⼯作点上的互导g m=1 ms,设r d>>R d。
(1)画出电路的⼩信号模型;(2)求电压增益Av;(3)求放⼤器的输⼊电阻Ri。
5.电路如图所⽰,假设运放是理想的,试写出电路输出电压V o的值。
6.由运放组成的BJT电流放⼤系数β的测试电路如图所⽰,设BJT 的V BE=0.7 V。
(1)求出BJT的c、b、e各极的电位值;(2)若电压表读数为200mV,试求BJT的β值。
⼀、选择题(每题2分,共20分)(1)PN结加正向电压时,PN结将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿(3)当晶体管⼯作在放⼤区时,发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(4)在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价(5)当温度升⾼时,⼆极管的反向饱和电流将。
A.增⼤B. 不变C. 减⼩(6)⼯作在放⼤区的某三极管,如果当I B从12µA增⼤到22µA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100(7)已知变压器副边电压有效值U2为10V,采⽤桥式整流R L C≥3(T/2)(T为电⽹电压的周期)。
模拟电子技术基础期末考试试题参考答案(B )1。
(5分)2. (12分) U 01 = 6 V U 02 = 6 V U 03 = 4 VU 04 = 10 V U 05 = 2 V U 06 = 2 V 3. (10分) 为电流串联负反馈4. (8分)(a )不能振荡。
图(b )可能振荡,为电容三点式正弦波振荡电路。
振荡频率为 MHz 591212121o .≈+π≈C C C C L f5. (10分)A 1组成反相比例电路,A 2组成单值比较器,A 3组成电压跟随器;1.A 1和A 3工作在线性区,A 2工作在非线性区;u O1 = -10V ,u O2 = 12V ,u O3 = 6V 。
6.(15分)解:(1)静态分析:V7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ ef BEQ BQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β L E1E f 1uf R R R R R R A ++-=动态分析: Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV 26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥(2)R i 增大,R i ≈4.1k Ω;u A 减小,ef 'L R R R A u +-≈ ≈-1.92。
7.(15分)解:R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下:mA 517.02222e W BEQ EE EQ EE e EQ W EQ BEQ ≈-==+⋅+R R U V I V R I R I U + A d 和R i 分析如下: Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972)1( k 18.5mV 26)1(W be i W be cd EQbb'be R r R R r R A I r r ββββ8.(15分)解:(1)静态及动态的分析估算:∥178)(mA/V 2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV 26)1(V3mA8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s i sm T EQm b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ b BEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ(2)估算'πC :pF1602)1(pF 214π2)(π2μc m 'μT e b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ(3)求解上限、下限截止频率:Hz 14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=C R R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥ (4)在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A9.(10分) 解:设A 2的输出为u O 2。
填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压V th约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ增大,I CQ增大,U CEQ减小。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度/反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(电流)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/((1+AF) ),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF )BW,其中BW=(fH–fL ),(1+AF )称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。
13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(小于近似等于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载波信号)。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ),电路符号是()。
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 姓名___ ___ 分数___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 ,掺杂越多,则其数量一定越 ,相反,少数载流子应是 ,掺杂越多,则其数量一定越 。
(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 特性。
(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 形成较大的正向电流。
(4)硅二极管的导通电压值约为 ,锗二极管的导通电压约为 。
(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 区和 区。
(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 、 、 三种组态。
(7)放大电路的频率特性是指 随信号频率而变,称为 特性,而输出信号与输入信号的 随信号频率而变,称为 特性。
(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为un u u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数u A =(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 和 两个条件。
(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 、 、 和 。
二.选择题(每题2分,共 分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ;为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。
(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
(A )感性 (B )阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 共集接法 (C )共射接法 (D )差分接法(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
(A )β (B ) β2 (C )2β (D )1+β(5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 ;既能放大电流,又能放大电压的电路是 。
(A )共基放大电路 (B ) 共集放大电路 (C ) 共射放大电路 (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE 。
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。
(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。
(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。
(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
(A )感性 (B ) 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D ) 差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三(本科)及其参考答案试卷三一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分)1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。
a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差模电压增益100vd=A ,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。
a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV图1-6 图1-77.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。
填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压V th 约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ增大,I CQ增大,U CEQ减小。
19、三极管的三个工作区域是截止,饱和,放大。
集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V, V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是硅管管(材料),NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB,总的电压放大倍数为10000。
22、三极管实现放大作用的外部条件是:发射结正偏、集电结反偏。
某放大电路中的三极管,测得管脚电压V a = -1V,V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是硅管(硅、锗),NPN型,集电极管脚是a。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:阻容(RC)耦合、直接耦合和_变压器耦合_,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载,而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。
多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ。
26、为了保证三极管工作在放大区,要求:①发射结正向偏置,集电结反向偏置。
②对于NPN型三极管,应使V BC<0。
27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,共射组态有电流放大作用,共射和共集组态有倒相作用;共集组态带负载能力强,共集组态向信号源索取的电流小,共基组态的频率响应好。
29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合,阻容耦合,变压器耦合。
31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察V O和V I的波形,则V O和V I的相位差为1800;当为共集电极电路时,则V O和V I的相位差为0。
32、放大器有两种不同性质的失真,分别是饱和失真和截止失真。
33、晶体管工作在饱和区时,发射结a,集电结a;工作在放大区时,集电结b,发射结a。
(填写a正偏,b反偏,c零偏)34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。
35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻 大 ,热稳定性 好 36、影响放大电路通频带下限频率f L 的是 隔直 电容和 极间 电容。
37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持 正向 偏置,集电结保持 反向 偏置。
38、场效应管有 共源 、 共栅 、 共漏 三种组态。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带 窄 。
40、场效应管从结构上分成 结型FET 和 MOSFET 两大类型,它属于 电压 控制型器件。
41、场效应管属于 电压控制电流 型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流型器件。
42、场效应管是 电压控制电流器件 器件,只依靠 多数载流子 导电。
43、根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为 可变电阻区 、恒流区、 击穿区 和截止区四个区域。
44、当栅源电压等于零时,增强型FET 无 导电沟道,结型FET 的沟道电阻 最小 。
45、FET 是 电压控制 器件,BJT 是 电流控制 器件。
46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为 甲类 。
47、一个输出功率为10W 的扩音机电路,若用乙类推挽功放,则应选额定功耗至少应为 2W 的功率管 2 只。
48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为 甲类 ,为了消除交越失真常采用 甲乙类 电路。
49、乙类功放的主要优点是 效率高 ,但出现交越失真,克服交越失真的方法是 采用甲乙类 。
50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫 交越 失真。
51、双电源互补对称功率放大电路(OCL )中V CC =8v ,R L =8Ω,电路的最大输出功率为 4W ,此时应选用最大功耗大于 0.8W 功率管。
52、差动放大电路中的长尾电阻Re 或恒流管的作用是引人一个 共模负 反馈。
53、已知某差动放大电路A d =100、K CMR =60dB ,则其A C = 0.1 。
集成电路运算放大器一般由 差分输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。
54、差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对 差模信号 具有放大能力,它对 共模信号具有抑制能力。
55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号 。
56、电路如图1所示,T 1、T 2和T 3的特性完全相同,则I 2≈ 0.4 mA ,I 3≈0.2mA ,则R 3≈ 10 k Ω。
57、集成运放通常由 输入级 、中间级;输出级、 偏置级 四个部分组成。
58、正反馈是指 反馈信号增强净输入信号 ;负反馈是指 反馈信号减弱净输入信号 。
59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ,同时使输入电阻 减小 。
60、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。
61、为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈:①降低电路对信号源索取的电流: 串联负反馈 。
②当环境温度变化或换用不同β值的三极管时,要求放大电路的静态工作点保持稳定: 直流负反馈 。
③稳定输出电流: 电流负反馈 。
62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ,同时使输入电阻 大 。
63、某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,反馈系数F=0.01,则闭环放大倍数f A ≈ 100 。
64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 01=+F A。
65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。
66、为稳定电路的输出信号,电路应采用 负 反馈。
为了产生一个正弦波信号,电路应采用 正图1反馈。
67、理想集成运算放大器的理想化条件是A ud = ∞ 、R id = ∞ 、K CMR = ∞ 、R O = 068、理想运算放大器的理想化条件中有A vd = 无穷 ,K CMR = 无穷 。
69、电流源电路的特点是,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 。
70、电流源的特点是输出电流 恒定 ,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 。
71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 。
72、理想运算放大器,A d = 无穷大 、R i = 无穷大 、R o = 0 。
73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态。
74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器;如果希望500 Hz 以下的有用信号,可选用 低通 滤波器。
75、选取频率高于1000Hz 的信号时, 可选用 高通 滤波器;抑制50 Hz 的交流干扰时,可选用 带阻 滤波器;如果希望抑制500 Hz 以下的信号,可选用 高通 滤波器。
76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰,可选用 带阻滤波器;如果希望只通过500Hz 到1kHz 的有用信号,可选用 带通 滤波器。
77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为:低通滤波器、 高通滤波器 、带通滤波器及 带阻滤波器 。
78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下,得出两个重要结论,它们是: 虚断 和 虚短 。
79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路, 输出级大多采用 共集 电路。
80、正弦波振荡电路是由 放大电路 、、选频网络、 稳幅环节 四个部分组成。
81、正弦波振荡电路产生振荡时,幅度平衡条件为 1= ,相位平衡条件为πn F A 2±=Φ+Φ n=0、1、2… 。
82、信号发生器原理是在电路负反馈时••F A = -1 ,例如 自激 电路。
在正反馈时••F A = 1 ,例如 文氏 振荡电路。
83、石英晶体振荡器是 LC 振荡电路 的特殊形式,因而振荡频率具有很高的稳定性。
84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 1=F A 、其中相位平衡条件是=φ+φf a πn 2,n 为整数 、为使电路起振,幅值条件是 1>F A 。
85、正弦波振荡电路必须由 放大电路 、 反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。
86、RC 正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有:V A = 3 、V F = 31 、0ωω== RC 1 。