电子基础 [ 模拟电路试卷及答案] [填空及选择题]
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压 为 V；若u i1=1500μV, u i2 =500μV，则差模输入电压u id 为μV，共模 输入信号u ic 为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE 的变化情 况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加，u BE 减小
C．β和u BE 减小，I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5．差分放大电路的共模抑制比K CMR 越大，表明电路（） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 7．为了使运放工作于线性状态，应（） A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈 8．在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（）。 A. àF=1 B. àF>1 C. àF<1 D. àF=1 9．振荡电路的振荡频率，通常是由（）决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数 10．在串联型线性稳定电路中，比较放大环节放大的电压是（） A. 取样电压与基准电压之差 B. 基准电压 C. 输入电压 D. 取样电压
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、
模拟电路填空题集 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V ；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V 。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。二极管的伏安关系可近似表述为公式)1(/S D D -=T V v e I i ；ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。 6、PN 结反向偏置时，PN 结的内电场 增强 。PN 具有 具有单向导电 特性。 7、硅二极管导通后，管压降是恒定的，不随电流而变，典型值为0.7；其门坎电压V th 为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、P 型半导体的多子为 空穴、N 型半导体的多子为 自由电子、本征半导体的载流子为 电子—空穴对 ，在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ，少子的浓度受__温度___的影响很大。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P ） 半导体和 电子（N ） 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V 。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响应 。 15、N 型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频的是 结 电容。 18、在NPN 三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ 增大 ，I CQ 增大 ，U CEQ 减小 。 19、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V ， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a 、b 、c 中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB 和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB ，总的电压放大倍数为 10000 。 22、 三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V ，V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是 硅 管，NPN 型，集电极管脚是 a 。
模拟电子技术基础中的常用公式 第7章半导体器件 主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点：双极型晶体管。 教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章基本放大电路 主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。难点：放大电路的工作原理。 教学目标：掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章集成运算放大器
主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。 教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。 教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。
第12章 时序逻辑电路 主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点：双稳态触发器。 难点：寄存器、计数器。 教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = ×10 -23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat) 是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即
《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）
2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）
自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电 压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电 阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用 （）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= （）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大 小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点， 所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息 的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）， 它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5 填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为1800；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为0。 、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。 41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。 模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F 时会损坏。( × ) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) =，试写出各电路的输出电压Uo 值。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U ＝(6—V＝ V。 (b)令二极管断开，可得U P ＝6 V、U N ＝10 V，U P Up—U N2 ，故V 1 优先导通 后，V 2截止，所以输出电压U ＝ V。 2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出 u i 、u 、i D 的波形。 解：输入电压u i 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u ＝0， 模拟电子技术基础期末考试试题及答案 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（） 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是 运载信息的工具，称为（）。 2 1在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_ V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性°PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽 层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极 管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号 下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7 伏；其门坎电压V th约为0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子一空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N ）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映 反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输岀随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加，则I BQ增 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 模拟电子技术 第 1 章半导体二极管及其基本应用 1． 1填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载 流子是空穴。 3． PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直 流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为 0.65 V ，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1． 2单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ( C ) 。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度 D ．晶格缺陷2． PN结形成后，空间电荷区由 ( D ) 构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 ( C ) 。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作 ( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1． 3是非题 1．在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) 2．因为 N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。 ( × ) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(× ) 1． 4分析计算题 1．电路如图 T1．1 所示，设二极管的导通电压U D(on) =0.7V，试写出各电路的输出电压 Uo 值。 1．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是。 6、晶体管工作在放大状态的外部条件是。 7、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位为 5V,则该管是型的晶体管,工作在状态. 9、多级放大电路的耦合方式有、、。 10、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的_______失真，而采用_______类互 补功率放大器。 13、OCL电路是_______电源互补功率放大电路； OTL电路是_______电源互补功率放大电路。 15、差分放大电路能够抑制_______漂移，也称_______漂移，所以它广泛应用于 _______电路中。 16、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有_______导电性。 19、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外 加电压_______。 20、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与_______有关，而与 外加电压无关。 21、漂移电流是温度电流，它由_______载流子形成，其大小与温度有关，而与 外加电压无关。 26、空穴为_______载流子。自由电子为少数载流子的杂质半导体称为P型半导 体。 27、空穴为多数载流子。自由电子为_______载流子的杂质半导体称为P型半导 体。 28、稳压二极管工作在稳压状态, 其稳定电流IZ要_______IZmin并且要小于 IZmax。 29、稳压二极管工作在稳压状态, 其稳定电流IZ要大于IZmin并且要 _______IZmax。 30、基本晶体管放大电路输出特性曲线可以分为截止区、饱和区和_______。 33、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。为稳定交流输出 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。模拟电子技术考试试题大全及答案
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