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罗姆半导体简介
罗姆半导体（Rohm Semiconductor）是一家日本的半导体制造公司，成立于1958年，总部位于京都市。
该公司是全球领先的半导体供应商之一，提供广泛的产品和解决方案，包括集成电路、功率半导体、传感器、光电子器件等。
以下是罗姆半导体的简介：
1.产品范围：罗姆半导体生产的产品涵盖多个领域，包括但不限于：
2.集成电路（IC）：包括微控制器、存储器、模拟IC等。
3.功率半导体：如MOSFET、IGBT、二极管等，用于电源管理、电机驱动等应用。
4.传感器：包括温度传感器、压力传感器、加速度传感器等，用于汽车、工业、消费电子等领域。
5.光电子器件：如激光二极管、LED、光电传感器等，应用于光通信、显示、照明等领域。
6.技术创新：罗姆半导体在技术创新方面有着深厚的积累，不断推出具有竞争优势的产品和解决方案。
例如，该公司在功率半导体领域具有领先地位，并不断推出高效、高性能的功率器件。
7.市场应用：罗姆半导体的产品广泛应用于汽车、工业、通信、消费电子等多个领域。
特别是在汽车电子领域，该公司的产品被广泛应用于电动车、混合动力车、自动驾驶技术等关键领域。
8.可持续发展：罗姆半导体致力于可持续发展，在产品设计、生产过程中注重环保和资源利用效率，努力减少对环境的影响。
总的来说，罗姆半导体作为一家全球知名的半导体公司，以其丰富的产品线、技术实力和市场影响力，在半导体行业中扮演着重要角色。
责任编辑：王莹8 2020.9ROHM为新基建带来的功率器件和电源产品罗姆 （ROHM）1 无线基站罗姆（ROHM ）针对无线基站推出了多款解决方案，包括一系列高耐压MOSFET 和高效率DC /DC 转换器等，有助于降低功耗。
SiC MOSFET 具有高耐压、高速开关、低导通电阻的特性，即使在高温环境下也能显示出色的电器特性，有助于大幅降低开关损耗和周边零部件的小型化。
罗姆备有650 V 、1 200 V 、1 700 V SiC MOSFET 产品。
其中，第3代沟槽栅型SiC MOSFET SCT3系列有650 V 和1 200 V 的六款产品，特点是导通电阻比第2代平面型产品小50%，这使其非常适合需要高效率的大型服务器电源、UPS 系统、太阳能转换器以及电动汽车充电桩。
SCT3系列以能更大限度提高开关性能的4引脚封装（TO -247-4L ）（图1右）形式提供。
与传统3引脚封装类型相比，开关损耗最大可以减少35%，有助于在各种应用中降低功耗。
此外，与传统3引脚封装SiC MOSFET 中的栅极电压因电源终端的电感元件而下降、导致开关速度延迟不同的是，这种新型4引脚封装包含的栅极驱动器电源终端与传统电源终端分离，可更大限度减少栅极电压的下降，从而能够大幅度提高开关性能。
2 80 V工业应用罗姆的耐高压DC /DC 转换器输入电压达80 V ，输出电流达3 A ,支持广泛的工业应用。
其中，BD9G341AEFJ -LB （图2）内置80 V 耐压3.5 A 额定电流、导通电阻150 mΩ的功率MOSFET ，还通过电流模式控制方式，实现了高速瞬态响应和简便的相位补偿设定。
频率在(50～750) kHz 的范围内可变，内置低电压误动作防止电路、过电流保护电路等保护功能。
此外，可通过高精度的EN 引脚阈值进行低电压锁定，及使用外接电阻设定滞后。
图２ 罗姆耐高压ＤＣ／ＤＣ转换器ＢＤ９Ｇ３４１ＡＥＦＪ－ＬＢ3 48 V汽车、工业与基站设备此外，在罗姆高耐压、同步整流降压DC /DC 转换器产品中，BD9V101MUF -LB （图3）采用了罗姆专有的超高速控制技术——Nano Pulse Control ，开关导通时间短，使用单芯片即可从48 V 转换为3.3 V （2.1 MHz 开关频率下）。
TO-247-4LHalf-Bridge Evaluation Board Operation ManualNotice ＜High Voltage Safety Precautions＞◇ Read all safety precautions before usePlease note that this document covers only the SiC MOSFET for TO-247-4L evaluation board (P02SCT3040KR-EVK-001) and its functions. For additional information, please refer to the product specification.To ensure safe operation, please carefully read all precautions before handling the evaluation boardDepending on the configuration of the board and voltages used,Potentially lethal voltages may be generated.Therefore, please make sure to read and observe all safety precautions described inthe red box below.This evaluation board is intended for use only in research and development facilities and should by handled only by qualified personnel familiar with all safety and operating procedures.We recommend carrying out operation in a safe environment that includes the use of high voltage signage at all entrances, safety interlocks, and protective glasses.User’s GuideSiC MOSFET 评估板TO-247-4L 半桥评估板 使用说明书在SiC MOSFET 等功率元器件的评估中，一般会涉及到高电压和大电流，因此要求恰当地构建其评估环境。
ROHM Solution Simulator Power Device用户指南(PFC篇)User’s Guide ROHM Solution SimulatorPower Device 用户指南(PFC篇)前言本用户指南是为了便于充分灵活运用「Power Device Solution circuit」的PFC电路，对各参数的基本调整方法和知识的总结。
对于PFC电路设计时遇到的各个难题，这里分别介绍具体的解決方法，请在面对「不能正常运行」「进一步优化条件」等课题时作为参考。
此外，「PFC篇」的后续还有「逆变器篇」「DC-DC转换器篇」等篇章会在今后依次公开，请一同在电路设计中灵活运用。
目次■ 1. PFC电路一览・・・・・・・・・・・・・・・・・p.1■ 2. 电感值L的调整・・・・・・・・・・・・・・・・p.2■ 3. Switching频率fsw的调整・・・・・・・・・・・・・・・p.4■ 4. 栅极驱动电圧Vgs值的检讨・・・・・・・・・・・p.6■ 5. 栅极电阻Rg的变更・・・・・・・・・・・・・・・p.8■ 6. Dead time最佳值的检讨・・・・・・・・・・・・・p.101. PFC电路一览Table 1.是「Power Device Solution circuit」的PFC电路的总结。
表中包含通常使用的临界(BCM)、连续(CCM)、不连续(DCM)各动作模式，以及大功率３相PFC电路。
从基本的单机驱动，到交错式驱动、同步整流、无桥、Totem-pole等，我们针对不同情况均准备了介绍内容，请根据实际用途参考并应用。
Table 1. Power Device Solution Circuit PFC电路一览2. 电感值L的调整这里介绍的是通过调整线圈电感值来调整电感电流的波动率的方法。
调整的前提是动作模式为CCM（连续模式）。
2-1. 电路举例这里以Figure 1.的电路「A-4 PFC CCM Vin=200V Iin=2.5A」为例，变更黄色方框内的条件，并针对变更后的条件来调整L值。
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罗姆首家量产采用沟槽结构SiC—MOSFET 作者：万林
来源：《中国电子报》2015年第44期
本报讯罗姆公司（ROHM）近日开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。
与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降
低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了
完备的功率模块产品的量产体制。
今后计划还将逐步扩充产品阵容。
近年来，在全球范围寻求解决供电问题的大背景下，涉及到如何有效地输送并利用所发电力的“功率转换”备受关注。
SiC.功率器件作为可显著减少这种功率转换时的损耗的关键器件而备受瞩目。
ROHM -直在进行相关产品研发，于2010年成功实现SiC-MOSFET的量产，并在
持续推进可进一步降低功率损耗的元器件开发。
THE WORLD OF INVERTERS《变频器世界》June,2020宇通客车与斯达半导体合作开发基于Sic技术的商用车电机控制器系统解决方案客车行业规模领先的宇通客车宣布，其新能源技术团队正在采用斯达半导体和CREE合作开发的1200V SiC功率模块，开发业界领先的高效率电机控制系统，各方共同推进SiC逆变器在新能源大巴领域的商业化应用。
宇通零部件电子部件事业部总经理魏伟表示：“斯达和CREE在SiC方面的努力和创新，与宇通电机控制器高端化的产品发展路线不谋而合，同时也践行了宇通“为美好出行”的发展理念，相信三方在SiC方面的合作一定会硕果累累！”斯达半导体CEO沈华先生指出：“斯达从2008年进入新能源汽车领域，至今已经12年，12年来得到了国内外新能源汽车客户的认可，很荣幸成为宇通客车电控系统的功率模块供应商，我们将持续为客户带来更有优势的产品，不断提升自己的竞争力。
”斯达作为国内IGBT行业的领导者，中国车用功率器件的主要供应商，提供基于Si芯片和SiC芯片的功率模块,丰富的产品线给客户带来更多的选择，并于2017年启用了上海车用模块生产基地，给客户更好的产能和质量保障。
CREE汽车业务亚太区域销售总监邹聪先生指出：“CREE专注于通过碳化硅技术创新提供最一流的新能源解决方案，我们非常欣喜地看到CREE第三代MOSFET被宇通应用于新能源客车的核心电控系统中，并带来技术突破。
”CREE致力于引领功率半导体从Si 向SiC的全球转型，并于2019年宣布SiC产能扩大计划，计划在美国北卡罗莱纳州达勒姆建设超级材料工厂，以及在美国纽约州建设全球最大SiC器件制造工厂。
科锐Wolfspeed事业部提供基于SiC和GaN的功率与射频的丰富解决方案。
臻驱科技与罗姆成立碳化硅技术联合实验室中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称"臻驱科技”）与全球知名半导体厂商ROHM Co.,Ltd.（以下简称"罗姆”）宣布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室"，并于2020年6月9日举行了揭牌仪式。
一、SIC MOSFET器件简介1. 介绍SIC MOSFET器件的基本结构和工作原理2. 分析SIC MOSFET器件的优势和应用领域二、SIC MOSFET器件的性能参数解读1. 主要包括导通特性、开关特性、静态特性和动态特性等方面的参数2. 对每个性能参数进行详细解读和分析三、SIC MOSFET器件的设计与制造工艺1. 介绍SIC MOSFET器件的设计流程和关键技术2. 分析SIC MOSFET器件的制造工艺及其对器件性能的影响四、SIC MOSFET器件在电力电子领域的应用1. 分析SIC MOSFET器件在变流器、逆变器、充电桩等领域的应用2. 探讨SIC MOSFET器件在电力电子领域的发展趋势五、SIC MOSFET器件的可靠性与封装技术1. 分析SIC MOSFET器件的可靠性测试技术和参数2. 探讨SIC MOSFET器件的封装技术及其对器件可靠性的影响六、SIC MOSFET器件的市场前景与发展趋势1. 分析SIC MOSFET器件在全球范围内的市场占有率和竞争态势2. 探讨SIC MOSFET器件的未来发展趋势和发展方向七、结语总结SIC MOSFET器件的特点和优势，展望其在未来的应用前景。
一、SIC MOSFET器件简介SIC MOSFET器件是一种新型的金属氧化物半导体场效应晶体管，基于碳化硅（SiC）材料制造。
相比传统的硅基MOSFET器件，SIC MOSFET器件具有更低的导通损耗、更快的开关速度、更高的工作温度和更好的耐压性能，适用于高压高温环境下的电力电子系统和射频功率放大器。
SIC MOSFET器件的工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极电流，因而在电力电子领域有着广泛的应用前景。
SIC MOSFET器件的优势主要表现在以下几个方面：SIC MOSFET器件的导通损耗较低，能够显著降低功率器件在工作状态下的热量损失，提高整体功率系统的效率。
SIC MOSFET器件的开关速度非常快，开启和关闭时间短，这对于电路的稳定性和响应速度都有着显著的提升。
采用SiC 器件的三电平功率模块介绍Vincotech FAE China 吴鼎 摘要：对于光伏逆变器而言，更高效率和更小体积一直是厂家追求的目标。
这就对功率器件提出了更高的要求，既要能够实现更高的开关频率，又要获得更高的转换效率。
普通的Si功率器件在高频时效率较低，而SiC 器件则可以很好的实现高频化的同时获得很高的转换效率。
关键词：SiC 器件高效率 光伏逆变器 一 引言 近年来，SiC 肖特基二极管已经在一些快速切换的应用场合取得了成功，比如PFC 应用。
SiC 二极管卓越的反向恢复特性可以确保在增加开关频率的同时，不会降低效率。
而开关频率的提升，可以减小磁性元件的体积，这样就可以降低整个系统的成本。
而本文所说的SiC器件和SiC 二极管完全是两回事，主要指的是SiC JFET 和 SiC MOSFET。
现代光伏逆变器和 UPS 大量的采用基于Si 技术的IGBT。
尽管IGBT 的导通压降是比较低的，但是它的拖尾电流会带来很高的开关损耗。
工程师们一直在试图找到一种器件，既具有较低的导通损耗，又具有较低的开关损耗。
SiC JFET 和 SiC MOSFET 则是这种应用的理想开关器件。
二 SiC 器件性能介绍 SiC MOSFET 特性类似于普通Si MOSFET，具有兼容的门极驱动，并且具有低的正温度系数，但是门极氧化层的可靠性是SiC MOSFET 应用的瓶颈。
SiC JFET 主要有两种，常通和常关的。
JFET 没有门极氧化层，从当今的技术来看，具有更好的可靠性。
图 1 是采用常关SiC JFET 的混合中性点钳位（MNPC）功率模块拓扑。
由于JFET 具有类似二极管的门极驱动特性，它的驱动电路要求在门极两端施加正向电压来开启JFET 沟道，为了保证JFET 最好的性能，要求驱动电压刚好在二极管正向压降附近。
该正向压降在不同的JFET 芯片有差异，且随着温度变化，所以它的驱动不同于MOSFET 和IGBT，需要采用电流源驱动。
