模拟电子线路期末试题及其答案(两套)[1]

自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ T ）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。

（ F ）二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。

A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。

A ．正、反向电阻相等B ．正向电阻大，反向电阻小C ．反向电阻比正向电阻大很多倍D ．正、反向电阻都等于无穷大3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。

(X 轴为电压)A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。

A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。

（三极管可改为电流控制电流源）A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。

A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。

A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。

A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。

A ．多数载流子B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。

（发正偏集反偏）A ．PNP 型硅管B ．PNP 型锗管C ．NPN 型锗管D ．NPN 型硅管11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。

XXXX 学院（XX 中专）2020-2021学年度第一学期期末考试XX 级《电子线路》试卷使用班级：XX 计算机一、选择题（15小题，每题2分，共计30分）1.如图所示，V 为理想二极管，则A 、B 两端的电压为（ ） A.6V B.-6VC.12VD.-12V2.单相全波整流电路中，负载电阻R L 上平均电压等于 （ ） A.0.9V 2 B.0.45V 2 C.V 2 D.1.1V 23.某三极管有A 、B 、C 三个电极，工作在放大状态，且测得各电极的电位分别为：V A =-4V ，V B =-3.3V ，V C =-8V ，则该三极管为（ ）。

A.PNP 型锗管B.NPN 型硅管C.PNP 型硅管D.NPN 型锗管4.晶体二极管从反向截止到正向导通所需时间为t 1从正向导通到反向截止所需时间为t 2，则t 1与t 2的关系是( )。

A.t 1=t 2B.t 1>>t 2C.t 1<<t 2D.不能确定 5.如图所示电路，从电灯亮的角度出发实现的功能是 。

（ ） A. Y=A ·B B.Y=A+B C. B A Y •= D.B A Y +=6.与非门的输入和输出的逻辑关系是 。

（ ） A.有1出0，全0出1 B.有0出1，全1出0 C.相同出1，不同出0 D.不同出1，相同出07.逻辑函数式C B A ABC F +++=的化简后的表达式或逻辑值为 。

（ ） A. ABC B. ABC C. 0 D. 1系部 专业 班级 姓名 考试号 ―――――――――――――――――――――――――装―――――――订―――――――线――――――――――――――――答 题 不 得 超 过 此 装 订 线≥1 &8.与非逻辑对应的逻辑图是。

（）A. B.C. D.9.如图所示的波形图表示的逻辑关系是。

（）A.F=BA⋅B.F=A+BC.F=BA⋅D.F=BA+10. 二进制数字“10110”用十进制表示为。

(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。

A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。

A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。

A．输入电阻增大 B．输出量增大C．净输入量增大 D．净输入量减小11、交流负反馈是指。

A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大交流信号时才有的负反馈C．在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。

A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。

A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分）1 •由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 ___________________ 性。

2、 双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 ________________________________ 。

3. _______________________________________________ 从信号的传输途径看，集成运放由 ___________________________________________________ 、 _____________________ 、_________________ 、 ____________________ 这几个部分组成。

4•某放大器的下限角频率 L ，上限角频率H ,贝U 带宽为Hz。

5. 共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。

6. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 ________ 才能起振。

7. 电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生 _____ 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 _________ 次跃变。

8. _______________________________________________ 直流稳压电源的主要组成部分是 ______________________________________________________ 、 ___________ 、、单项选择题（15分）1. ________________________________________________________ 当温度升咼时，二极管反向饱和电流将 _______________________________________________ 。

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。

《模拟电子线路》题库一、判断题（每题2分，共20分）1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（）3、稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。

（）4、N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（）5、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。

（）6、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

（）7、运算放大电路中一般引入正反馈。

（）8、凡是运算放大电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

（）9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。

（）11、晶体管的参数不随温度变化。

（）12、放大电路没有直流偏置不能正常工作。

（）13、多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。

（）14、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（）15、放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。

（）16、射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。

（）17、多级放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。

（）18、理想运放的共模抑制比为无穷大。

（）19、通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。

（）20、在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。

（）21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（）22、负反馈放大电路可能产生自激振荡。

（）23、电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。

（）24、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（）25、要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。

（）26、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。

（）27、通常采用图解法分析功率放大电路。

（）28、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。

(1)在半导体内部，只有电子是载流子。

(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

(3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。

(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。

(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。

(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。

(8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。

(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。

(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。

(1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。

A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。

A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。

A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。

A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。

A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。

模拟电子线路基础考试题库含答案1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

()正确错误(正确答案)2.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。

()正确荀吴(正确选项)3.N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

() 正确(V)琢吴4•放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

()正确(正确选项)琢吴5.晶体管的参数不随温度变化。

()正确荀吴(正确答案)6•集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。

（）正确葡吴（正确选项）7•理想运放的共模抑制比为无穷大。

（）正确（正确答案）荀吴8•产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（）正确（正确选项）琢吴9.运算放大电路中一般引入正反馈（）正确荀吴3）10电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。

（）正确荀吴（正确答案）口.本征半导体遍度升高后,两种载流子浓度还是相等。

（）正确（V）琢吴12•参数理想对称的差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。

（）正确（正确选项）荀吴13•放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）正确（正确选项）撕吴14•运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。

（）正确葡吴3）15•放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

（）正确（正确答案）荀吴16.负反馈越深，电路的性能越稳定。

（）正确葡吴（正确答案）17•使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。

（）正确荀吴（正确选项）18•利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

（）正确（正确选项）琢吴19•集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（）正确（正确选项）琢吴20•零点漂移就是静态工作点的漂移。

（）正确（正确答案）荀吴21.本征半导体遍度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（）正确（正确答案）23.场效应管的工作原理是输入电压控制输出电流。

（）正确（V）間天24.三极管放大电路共有两种组态，分别为共基组态和共射组态。

模拟电子线路智慧树知到期末考试答案章节题库2024年山东师范大学1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

答案:错2.在半导体内部，只有电子是载流子( )答案:错3.答案:饱和失真，静态工作点选择太高4.差动放大电路是为了而设置的。

答案:克服零点漂移5.答案:对6.答案:错7.晶体三极管具有能量放大作用( )答案:对8.由于控制输入电流就能控制输出电流，因此常将BJT称为电流控制器件。

（）答案:对9.集成运算放大电路既可以双端输入，又可以单端输入。

（）答案:对10.多级放大电路比单级放大电路的通频带（）。

答案:窄11.晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则三极管所处的状态是（）答案:放大状态12.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）答案:饱和区13.二极管的阳极电位是20V，阴极电位是10V，则该二极管处于（）。

答案:正偏14.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则答案:阻当层变厚，反向电流基本不变15.答案:16.晶体三极管放大电路可实现电压或者电流的放。

答案:对17.双极型三极管同场效应管相比，输入电阻大，热稳定性好。

（）答案:错18.判断N沟道MOS管的夹断电压U＞0, P沟道MOS管的夹断电压U＜0. （）答案:错19.答案:对20.当三极管的两个PN结都正偏时，三极管处于饱和状态。

（）答案:对21.场效应管属于电压控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制型器件。

（）答案:对22.高通滤波器的通频带是指电压的放大倍数不变的频率范围。

（）答案:错23.答案:对24.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态答案:反偏25.二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好答案:错26.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

答案:错27.在二极管特性的正向导通区，二极管相当于（）。

答案:接通的开关28.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为10V、5.3V和5V，则该三极管的类型为硅NPN型。

模拟电子线路试题一、题目要求设计一个模拟电子线路，满足以下条件：1. 电路包括电源、电容、电感和电阻四个基本元件；2. 电路运行稳定，能够实现一个简单功能；3. 电路设计合理，电压和电流能够在一定范围内变化；4. 根据题目要求，在电路中添加适当的元件，以满足功能需求。

二、电路设计方案本次设计的模拟电子线路，旨在实现一个简单的振荡器，产生稳定的正弦波信号。

1. 元件选取根据振荡器的要求，选择以下元件：- 电源：使用稳定的直流电源，保证电路电压的稳定性；- 电容：选择符合频率范围要求的电容，用于调节振荡频率；- 电感：选择具有合适电感值的元件，用于调节振荡频率和振幅；- 电阻：选择适当阻值的电阻，用于限制电流和调节振幅。

2. 电路连接将电容、电感和电阻按照以下连接方式连接：- 将电源正极与电感一端相连；- 将电阻与电容串联后，再将其与电感另一端相连；- 将电源负极与电容与电阻串联点相连。

3. 频率调节根据振荡器频率的要求，可以通过改变电容和电感的数值来实现频率的调节。

增大电容或电感的数值，可以降低频率；减小数值，可以提高频率。

4. 振幅调节振荡器的振幅可以通过改变电源的电压或调节电阻的数值来实现。

增加电源电压或电阻阻值，可以增大振幅；减小电源电压或电阻阻值，可以减小振幅。

5. 功能实现通过以上连接和调节，电路可以实现一个稳定的振荡器功能，产生正弦波信号。

三、总结本次设计的模拟电子线路是一个振荡器电路，通过选择合适的元件并连接起来，实现了频率和振幅的调节。

振荡器电路广泛应用于通信、音频等领域，具有重要的实际意义。

在电子线路的设计过程中，要考虑到元件的选取、连接方式以及功能要求，以保证电路的正常运行和稳定性。

通过本次设计，不仅加深了对模拟电子线路的理解和实践能力，也提升了对振荡器电路的认识。

希望今后能够继续学习和探索模拟电子线路的设计与应用。

《电子线路》考试模拟试题及其参考答案（试卷总分值为100分，考试时间为120分钟，闭卷考试）姓名﹍﹍﹍﹍﹍﹍一、填空题：（每空1分，共30分）1.高频功率放大电路根据静态工作点的位置可分为 , , 等三种。

2．为实现电信号的有效传输，无线电通信通常要进行调制。

常用的模拟调制方式可以分为、和三种。

3．小信号调谐放大器按调谐回路的个数分和。

4．高频功率放大器主要用来放大高频信号，为了提高效率，一般工作在类状态。

5．产生正弦波振荡的条件，。

6.无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率_ ，波长越长。

7．放大电路直流通路和交流通路画法的要点是：画直流通路时，把视为开路；画交流通路时，把视为短路。

8．调幅的就是用信号去控制，使载波的随大小变化而变化。

9．小信号谐振放大器的主要特点是以作为放大器的交流负载，具有和功能。

10．通常将携带有信息的电信号称为，未调制的高频振荡信号称为，通过调制后的高频振荡信号称为。

11.石英晶体振荡器是利用石英晶体的工作的，其频率稳定度很高，通常可分为和两种。

12．为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在状态，为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在状态。

二、单项选择题：（每小题2分、共30分）1．石英晶体谐振于fp时，相当于LC回路的（）A．串联谐振现象 B．并联谐振现象 C．自激现象 D．失谐现象2．丙类高频功率放大器的导通角（）A．360 ° B．180°-360° C．＜180°3．在高频放大器中，多用调谐回路作为负载，其作用不包括（）A．选出有用频率 B．滤除谐波成分 C．阻抗匹配 D．产生新的频率成分4．石英晶体振荡器的主要优点是（）A．容易起振 B．振幅稳定 C．频率稳定度高 D．减小谐波分量5．无线通信系统接收设备中的中放部分采用的是以下哪种电路（）A．调谐放大器 B．谐振功率放大器 C．检波器 D．鉴频器6．振荡器与放大器的区别是（）A．振荡器比放大器电源电压高B．振荡器比放大器失真小C．振荡器无需外加激励信号，放大器需要外加激励信号D．振荡器需要外加激励信号，放大器无需外加激励信号7．在一块正常放大的电路板上，测得某三极管的三个极对地电位如图所示，则管子的导电类型以及管脚自左至右的顺序分别为（）A．NPN型、bec B．NPN型、ebcC．NPN型、ecb D．NPN型、bce8．判断下图是哪一类振荡器（）A．电感三点式B．电容三点式C．改进的电容三点式D．变压器耦合式9.晶体三极管作为放大应用时，其极间电压的设置，首先应该保证( )。

第一章1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =⨯21410cm3-。

（1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。

（2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =⨯31410cm 3-，重复（1）。

（3）若D N =A N =1510cm 3-,，重复（1）。

（4）若D N =1610cm3-，A N =1410cm3-，重复（1）。

解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =⨯5.11010 cm3-，施主杂质D N =⨯21410cm 3->> i n =⨯5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为0n ≈D N =⨯21410cm 3-少子空穴浓度0p =02n n i =⨯125.1610cm 3-该半导体为N 型。

（2）因为D A N N -=14101⨯cm 3->>i n ，所以多子空穴浓度0p ≈14101⨯cm 3-少子电子浓度0n =02p n i =⨯25.2610cm 3-该半导体为P 型。

（3）因为A N =D N ,所以0p = 0n = i n =⨯5.11010cm 3-该半导体为本征半导体。

（4）因为A D N N -=10-161014=99⨯1014（cm3-）>>i n ，所以，多子自由电子浓度0n =⨯991410 cm 3-空穴浓度0p =02n n i =142101099)105.1(⨯⨯=2.27⨯104（cm 3-）该导体为N 型。

1.3 二极管电路如图1.3所示。

已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。

（1） 试求流过二极管的直流电流。

（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I =A 1007.06-=53mA (2) D R =AV310537.0-⨯=13.2Ω D r =D T I U =AV3310531026--⨯⨯=0.49Ω1.4二极管电路如题图1.4所示。

(1)在半导体内部；只有电子是载流子。

(2)在N型半导体中；多数载流子是空穴；少数载流子是自由电子。

(3）一般来说；硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。

(4)在外电场作用下；半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。

(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时；插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极；另一电极是负极。

(7)三极管放大电路工作时；电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点；交流分量表示信号的变化情况。

(8)在单管放大电路中；若V G不变；只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。

(9)两个放大器单独使用时；电压放大倍数分别为A v1、A v2；这两个放大器连成两级放大器后；总的放大倍数为A v；A v= A v1+A v2。

(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时；反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后；反向电流会迅速增大。

(1)当晶体二极管的PN结导通后；则参加导电的是( )。

A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中；输出电压应视为( )。

A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时；应把欧姆挡拔到( )。

A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区；而且所受正向电压大于其门槛电压时；则晶体二极管相当于()。

A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时；它的I C将( )。

A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关；只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。

机密★启用前大连理工大学网络教育学院2019年秋《模拟电子线路》期末考试复习题☆注意事项：本复习题满分共：400分。

一、单项选择题1、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）硼元素构成的。

A．三价B．四价C．五价D．六价2、N型半导体中定域的杂质离子呈正电，说明N型半导体呈（）。

A．负电B．正电C．中性D．不确定3、单极型半导体器件是（）。

A．二极管B．双极型三极管C．场效应管D．稳压管4、关于BJT的结构特点说法错误的是（）。

A．基区很薄且掺杂浓度很低B．发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C．基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D．集电区面积大于发射区面积5、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（）。

A．直流成分B．交流成分C．交直流成分均有D．不确定6、静态工作点不稳定是由于温度影响了放大电路中的（）。

A．电阻B．电容C．三极管D．电源7、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（）。

A．截止失真B．饱和失真C．晶体管被烧毁D．无影响8、若使三极管具有电流放大功能，必须满足的外部条件是（）。

A．发射结正偏、集电结正偏B．发射结反偏、集电结反偏C．发射结正偏、集电结反偏D．发射结反偏、集电结正偏9、发光二极管的电路图符号为（）。

A ．B．C ．D．10、测得NPN型三极管各电极对地电位分别为V E=2.1V，V B=2.8V，V C=4.4V，说明此三极管处在（）。

A．放大区B．饱和区C．截止区D．反向击穿区11、小信号模型分析法不适合用来求解（）。

A．静态工作点B．电压增益C．输入电阻D．输出电阻12、利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的（）。

A．直流参数C．静态工作点B．交流参数D．交流和直流参数13、某单管放大器的输入信号波形为，而输出信号的波形为，则该放大器出现了（）失真。

A．交越B．截止C．饱和D．阻塞性14、交流信号从b、e极之间输入，从c、e极之间输出，e极为公共端的放大电路是（）。

模拟电子线路（B ）参考答案与评分标准一、填空（10分，每格1分）1. 正偏；反偏；2. 共集电极；3. 直流, 电压4. 积分 ,5. 放大， 抑制6. 1; 2 。

二 、 单选题 （10分. 每小题2分）1. B;2.A;3. D;4. B;5.D三. 简答题（１０分, 每小题5分）1. 答: 对电压增益有削弱作用、提高其增益稳定性、减少失真、展宽通频带、改变输入电阻和输出电阻等 （每小点各1分）2. 答：零点漂移是直接耦合放大电路最大的问题。

（3分）最根本的解决方法是用差分放大器（2分）四. (12分) 解: 1. V .3212b b b B =⨯+=CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U UmA 15.1ReE E C ==≈U I I (1分) uA I I 23E B ==β v I R R V U 1.5)(C E C CC CE =⨯+-=(1分)2. 图 (2分)3. Ω=⨯+=135315.12651200r be (1分) 74)//(beL C -≈-=r R R A u β (1分) Ω≈=1353////be B2B1i r R R R (1分) Ω==k 4C O R R (1分) 4. 分）2(53.1031020001530)1(1)1(//Ω=+=++=-=++=k R r R R r R Rc Av e be i e be L βββ (2分)五、（10分）.1. V oH =6v; (1分) V oL =－0.7v, (1分) 门限电平 V I =4 v (1分)（3分）2.(4分)六、 (12分). 1. 电压－串联负反馈、(3分)2. 增大(2分)、宽(2分)3. 733R R R k f +=A uu =1/k f =1+R 7/R 3 =21 （5分)七.(12分) 解：1． A 1反向放大器(1分) , A 2过零比较器(1分)，A 3跟随器(1分) 2．A 1 A 3 线性区(2分) ， A 2非线性区(1分)3. u 01=－10v (2分)U 02=±１２v (2分)U 03= ± 6v 或±6.7v (2分)八.(12分)分）（分），2 mA 52.02(2 mA 04.10EE C2C1EE EEBE(on)EE ====--=I I I R V V I 分）（分）（分）（分）（2472///22.10227.1022535026)1(3001-=-=Ω==Ω==Ω=++=beL c vd c od be id c be r R R A k R R k r R I r ββ (6)分九、（12分）（4分）选R F1=100k, R F2=140kR 1=20K Ω（2分），R 3=25K Ω（2分），R 2=20K Ω（2分），R 4=140K Ω，（2分）R ’1=10K Ω，R ’2=15.6K Ω，九解：（1）最大输出功率和效率分别为%8.694πW 5.242)(CCCES CC L 2CES CC om ≈-⋅==-=V U V R U V P η（2）晶体管的最大功耗W4.622.02.0L2CC oM Tmax =⨯=≈R V P P （3）输出功率为P o m 时的输入电压有效值 V 9.92CESCC om i ≈-≈≈U V U U。

模电(模拟电子线路)试卷及答案( 共4 页 )上海大学全文结束》》～xx 学年秋季学期试卷课程名：模拟电子线路课程号：学分：5 应试人声明：我保证遵守《上海大学学生手册》中的《上海大学考场规则》，如有考试违纪、作弊行为，愿意接受《上海大学学生考试违纪、作弊行为界定及处分规定》的纪律处分。

应试人应试人学号应试人所在院系题号一二三四五六七八九得分一、填充题（22分）1、（3分）、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的 0、7 倍。

即增益下降3 dB。

2、（3分）在放大电路中，温度上升，三极管参数b上升UBE_下降_ ICBO_上升（上升、下降、不变）3、（2分）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的差，共模信号是两个输入端信号的平均值。

4、（8分）已知交流负反馈有四种组态：A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内，只填入A、B、C或D。

①欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 B ；②欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 C ；③欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 A ；④欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 D 。

成绩5、（6分）在单管放大电路的三种基本接法中：A、共射电路B、共集电路C、共基电路①既能放大电压，又能放大电流的电路为_A_ 。

②输入电阻最大、输出电阻最小的电路为 _B_ 。

③频带最宽但只能放大电流的电路为 _C_ 。

二、计算题1、试判断以下电路能否正常放大，并写明理由。

（7分）解：不能正常放大，原因：（1）缺基极电阻Rb（2）缺集电极电阻Rc;（3）交流通路中，信号ui被短路第2 页 ( 共4 页 )2、单入单出差动放大电路如图所示。

已知 b1=b2=50，b3=80，rbb=100W，UBE1=UBE2=0、7V，UBE3=－0、2V，VCC=12V, 当输入信号Ui为零时，测得输出Uo =0V。