当前位置：文档之家 › 场效应管大全

场效应管大全

  • 格式：pdf
  • 大小：45.46 KB
  • 文档页数：17

场效应管⼤全

【TO-263/262封装】02N60C3 场效应管TO-263/262 INFINEON

03N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON

03N60C3 场效应管TO-263/262 INFINEON

04N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON

04N60CS 场效应管TO-263/262 INFINEON

05N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON

06N03LA 场效应管TO-263/262 INFINEON

07N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON

07N60C3 场效应管TO-263/262 INFINEON

07N65C3 场效应管TO-263/262 INFINEON

08N80C3 场效应管TO-263/262 INFINEON

09N03LA 场效应管TO-263/262 INFINEON

09N70R 场效应管TO-263/262 APEC

100N03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS

101N03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS

108N03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS

10J312 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

10N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON

10N120BN 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD

110N04 场效应管TO-263/262 NEC

11N60 场效应管TO-263/262 INFINEON

125N2 场效应管TO-263/262 ON

12CN10N 场效应管TO-263/262 INFINEON

12N60A4D 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD

140N03L 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD

14CL36 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD

14CL40 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD

14N03LA 场效应管TO-263/262 INFINEON

14N36GVL 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD

14N40FVL 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 152NQ03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS

15J103 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

15J311 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

15N03L 场效应管TO-263/262 INFINEON15N40 场效应管TO-263/262 MOTOROLA

15N60CS 场效应管TO-263/262 INFINEON

160N03LT 场效应管TO-263/262 PHILIPS

16N50C3 场效应管TO-263/262 INFINEON

17N80C3 场效应管TO-263/262 INFINEON

18N40 场效应管TO-263/262 MOTOROLA

20CL36 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD

20N03S 场效应管TO-263/262 APEC

20N36GVL 场效应管TO-263/262 FAIRCHILD

20N60 场效应管TO-263/262 HARRIS/INFINEON 20N65C3 场效应管TO-263/262 INFINEON

21N10 场效应管TO-263/262 INFINEON

21N50C3 场效应管TO-263/262 INFINEON

24N06HL 场效应管TO-263/262 MOTOROLA

25N06 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N03L08 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N0404 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N04H4 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N04L3 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N0605 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N0607 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N0608 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N0609 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N0612 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N06L5 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N0807 场效应管TO-263/262 INFINEON

2N120CN 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 2SJ0441 场效应管TO-263/262 PANASONIC

2SJ138 场效应管TO-263/262 NEC

2SJ214 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ219 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ220 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ224 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SJ241 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SJ257 场效应管TO-263/262 SANYO

2SJ259 场效应管TO-263/262 SANYO

2SJ266 场效应管TO-263/262 SANYO2SJ267 场效应管TO-263/262 SANYO

2SJ268 场效应管TO-263/262 SANYO

2SJ275 场效应管TO-263/262 SANYO

2SJ277 场效应管TO-263/262 SANYO

2SJ280 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ296 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ297 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ302 场效应管TO-263/262 NEC

2SJ312 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SJ328 场效应管TO-263/262 NEC

2SJ369 场效应管TO-263/262 SHINDENGEN 2SJ371 场效应管TO-263/262 SHINDENGEN 2SJ373 场效应管TO-263/262SHINDENGEN 2SJ375 场效应管TO-263/262 SHINDENGEN 2SJ400 场效应管TO-263/262 SANYO

2SJ401 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SJ402 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SJ412 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SJ459 场效应管TO-263/262 SANYO

2SJ476 场效应管TO-263/262 FUJITSU

2SJ479 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ505 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ522 场效应管TO-263/262 SANYO

2SJ549 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ550 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ551 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ552 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ553 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SJ577 场效应管TO-263/262 SANYO

2SJ603 场效应管TO-263/262 NEC

2SJ604 场效应管TO-263/262 NEC

2SJ605 场效应管TO-263/262 NEC

2SJ607 场效应管TO-263/262 NEC

2SK1293 场效应管TO-263/262 NEC

2SK1313 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1314 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1315 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1316 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1493 场效应管TO-263/262 NEC2SK1496 场效应管TO-263/262 NEC

2SK1505 场效应管TO-263/262 NEC

2SK1528 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1540 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1541 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1620 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1622 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1623 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1624 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1625 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1636 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1647 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1648 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1663 场效应管TO-263/262 FUJITSU

2SK1690 场效应管TO-263/262 SANYO

2SK1691 场效应管TO-263/262 SANYO

2SK1722 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SK1746 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SK1750 场效应管TO-263/262 NEC

2SK1792 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SK1793 场效应管TO-263/262 NEC

2SK1820 场效应管TO-263/262 FUJITSU

2SK1858 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SK1865 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SK1881 场效应管TO-263/262 FUJITSU

2SK1918 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1919 场效应管TO-263/262 HITACHI

2SK1927 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SK1928 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SK1930 场效应管TO-263/262 TOSHIBA

2SK1945 场效应管TO-263/262 FUJITSU

2SK2006 场效应管TO-263/262

2SK2017 场效应管TO-263/262 PANASONIC 2SK2048 场效应管TO-263/262 FUJITSU

2SK2051 场效应管TO-263/262 FUJITSU

2SK2133 场效应管TO-263/262 NEC

合集下载

常用功率场效应管参数大全

常用功率场效应管参数大全

型 号参 数

IRFP25423A

250V

200W

IRFP26046A

200V

280W

IRFP26438A

250V

280W

IRFP34010A

400V

180W

IRFP25033A

200V

190W

IRFP35016A

400V

180W

IRFP36023A

400V

280W

IRFP45014A

500V

180W

20A　型 号参 数

K62220A

150V

20W

K62320A

250V

120W

K7195A

900V

120W

K72415A

500V

100W

K72515A

500V

125W

K7275A

900V

125W

K7863A

900V

50W

K7913A

850V

100W

3A

IRFP460500V

280W

IRFP3710

IRFu120

IRFu9120

IRFD110

IRFD9120

50N0650A

60V

60N0660A

60V

70N0670A

60V

75N0675A

60V

75N7575A

75V

80N0680A60V

SSP3N903A

900V

25W

SSP4N604A

600V

SSP4N904A

900V

140W

5AK792900V

100W

K7935A

850V

150W

K7945A

900V

125W

K79015A

500V

150W

K82222A

250V

90W

K8335A

900V

150W

K85040A

100V

125W

K85130A

200V

150W

K89918A

500V

125W

K90220A

250V

SSP5N90900V

150W

6N606A

600V

125W

7N907A

900V

150W

IXFH12N9012A

900V

300W

IXFH12N10012A

1000V

300W

IXFH13N8013A

800V

280W

W20N5020A

500V

180W

IXFH20N6020A

600V

300W

MTW24N4024A

400V

250W

IXFH24N5024A

500V150W

K9400.8A

60V

0.9W

K9569A

800V

150W

K9628A

900V

150W

K10106A

场效应管及三级管型号大全

场效应管及三级管型号大全

场效应管及三级管型号大全

晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型

IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应

IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应

IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应

IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应

IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应

IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应

IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应

IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应

IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应

IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应

IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应

IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应

IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应

IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应

晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型

IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应

IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应

IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应

IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应

IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应

IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应

IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应

场效应管的原理及分类

场效应管的原理及分类

场效应管

场效应管的原理及分类

场效应晶体管：英文名称为Field Effect Transistor，缩写为FET，简称场效应管。

各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道，就是电流通道。

半导体的场效应，是在半导体表面的垂直方向上加一电场时，电子和空穴在表面电场作用下发生运动，半导体表面载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受到电场的作用而改变，即改变为加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多数载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：

(1)输入阻抗高;

(2)输入功耗小;

(3)温度稳定性好;

(4)信号放大稳定性好，信号失真小;

(5)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

根据构造和工艺的不同，场效应管分为结型和绝缘型两大类。

结型场效应管

图十一(a)是结型场效应管的结构示意图。

图十一(b)是N型导电沟道结型场效应管的电路符号。 场效应管

在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄)，形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两个P区连起来，就构成了一个场效应管。从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D，从两个P区引出的电极叫栅极G，很薄的N区称为导电沟道。

绝缘栅型场效应管

绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种，我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管，在正常情况下断开的称增强型效应管。增强型场效应管特点：当Vgs = 0时Id(漏极电流) = 0，只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通，有漏极电流产生。并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压。

场效应管介绍

场效应管介绍

. . 场效应管原理

场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field

Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）。 1.1

1.1.1

MOS场效应管

MOS场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：

D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；

G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；

S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。

增强型MOS(EMOS)场效应管

一、工作原理

1．沟道形成原理

当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。

当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。

进一步增加VGS，当VGS＞VGS(th)时（ VGS(th) 称为开启电压），由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟

1

线性电子电路教案

道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层（inversion layer）。随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。