磁控溅射操作流程及注意事项

操作规程项目名称：JGP-450型双室磁控溅射沉积系统项目号：K08-0841、开机前准备工作⏹开动水阀，接通冷却水，检查水压是否足够大，水压控制器是否起作用，保护各水路畅通。

⏹检查总供电电源配线是否完好，地线是否接好，所有仪表电源开关全部处于关闭状态，将各电源的旋钮打到停止位置或关闭位置。

⏹检查分子泵、机械泵油是否标注到刻线处，如没有达到刻线标记应及时加油。

⏹检查系统所有阀门是否全部处于关闭状态，确定溅射室完全处在抽真空前为封闭状态。

提示：注意保持洁净的预真空环境，严禁杂物和灰尘落入真空室内或粘在胶圈上；对真空室内零部件的操作要带无尘手套。

样品和靶材需严格清洗后放入真空室内。

2、开机（大气状态下泵抽真空）确认所有电源开关都在关闭状态后，按下总电源开关，此时电源三相指示灯全亮，供电正常。

提示:如果电源三相指示灯没有全亮，应检查供电电源是否缺相。

在确认电源正常之后方可进行下一步工作。

将“断水报警”拨扭拨到“报警”，给分子泵提供冷却水。

（此时冷却水已经循环流动，无论分子泵是否运转。

当启动分子泵运转时，如果“断水报警”无翁鸣，说明供水正常；若翁鸣，则需要检查水路是否连接正常，直至翁鸣消失方可启动分子泵。

）大气状态下溅射室泵抽真空：✓启动溅射室复合真空计，将其电源开关拨到“开”位置，电阻规开始工作并显示相应真空度。

✓按下机械泵R1开关，机械泵指示灯亮，此时机械泵工作，打开旁抽阀V1,粗抽真空。

观察真空度是否有变化，当真空有继续上升的趋势时，进行下一步操作。

✓打开电磁阀DF1，机械泵R1预抽分子泵T1，并在闸板阀G2两端形成相同气压。

✓当真空计显示的真空度高于20Pa时，关闭旁抽阀V1，打开闸板阀G2。

✓打开分子泵T1电源开关，打开启动按钮，其加速指示灯亮，电源控制面板上显示频率，约8分钟，加速指示灯灭，正常灯亮，分子泵进入正常工作状态。

此时机械泵R1只充当分子泵T1的前级泵。

✓当真空度达到1.0×10-1Pa时真空计自动转换为电离规测量，读数自动跳转电离显示屏显示。

磁控溅射操作规程1、开电闸开关D（磁控溅射总电源和空调），E（电风扇和射频电源），F（循环水）。

打开程序控制器，按下“放气”阀，充入N2气。

当指示灯从真空跳到大气时，关闭N2气，把充气罐移走。

2、按按钮“升”，升起腔盖，放时样品和靶材。

一个直流靶位，二个射频靶位。

直流靶只能溅射导体。

（Ar+溅射在绝缘体不中和形成高压）3、按按钮“降”，降腔盖（注意：如果控制失灵，应立即关闭控制器开关）。

盖好的判断是：盖上盖后，能摇动升降柱（送皮带送到头，然后再拉回一个皮带，再试升降柱，如果不行，再试一次）。

4、按按钮“低抽”，机械泵进行抽真空，程序控制器面板上显示从“大气”到“真空”。

当压强小于1.0×10Pa时（一般为8.7Pa左右），打开循环水进出阀（共四个阀门），再打开循环水总开关F，启动隔壁房间内的循环水。

循环水进出阀横是开、纵是关。

5、在程序控制器中打开“高抽”阀。

再启动分子泵电源：先按下启动总开关，到显示屏幕显示450HZ时，再按“启动”键，可以看到转速在上升，直至450HZ。

6、当离子规小于1.0×10－2Pa时，打开程序真空计电源。

7、当程控真空计显示达到1.5×10－3Pa时，打开照明（旋钮打到最大），相当于除气（使腔体内壁上分子脱离），可以看到气压求数变大（真空计）。

同时打开流量显示仪预热和打开射频电源预热，然后关闭照明（旋钮打到最小）。

8、如果要加热样品，则把开关由“照明”切换到“加热”，打开温度显示屏底下的加热开关，并通过旋动温度显示屏下方的小旋钮调节设置温度。

9、到达预计压强8.4×10－4Pa左右时，关闭程控真空计。

打开“充气”阀，关闭“高抽”阀，打开Ar气罐总阀，再打开减压阀（不要超过一小格），控制Ar流量。

真空计打到“contr”档，打开流量计“阀控”，先将真空计拨到0.5，流量计也拨到0.5，当流量计求数开始变动时，再将真空计拨到3.0，同时拨动流量计示数（约在87左右），目的是让求数打到3Pa。

高质量磁控溅射步骤
磁控溅射是一种常见的薄膜制备技术，适用于多种材料。

为了获得高质量的薄膜，磁控溅射步骤应当注意以下几点：
1. 目标制备。

目标的质量和纯度直接影响薄膜的质量，因此目标的制备应当严格控制。

同时，目标的形状和尺寸也应当符合实验要求。

2. 清洗和处理基底。

基底应当先进行严格的清洗和处理，去除表面的杂质和氧化物。

同时，基底的制备应当符合实验要求，如平整度和粗糙度等。

3. 磁控溅射条件。

磁控溅射过程中，应当控制好气压、气体组成、溅射功率等参数，并且应当对目标和基底的距离进行调整，以保证薄膜的均匀性和致密性。

4. 后处理。

溅射完成后，应当对薄膜进行后处理，如退火、氧化等，以进一步改善薄膜的性质和质量。

综上所述，高质量磁控溅射需要在目标制备、基底处理、溅射条件和后处理等方面严格控制，以获得优质的薄膜。

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磁控溅射设备操作步骤1. 开电源箱三个空气开关，从左到右依次为循环水机，磁控溅射，各分接插座的空开。

2. 压缩空气泵开始工作，已设定气压上限0.8MPa （8个大气压），待抽至0.4MPa （各气动阀门工作的最低压强）即可开循环水机，接着开磁控溅射设备电源控制柜的总开关。

3. 若上次实验结束时对腔室气压抽得较低（<0.2Pa ），此时复合真空计（左边一个）会显示电离规测得的高真空，按下“自动/手动”将电离关掉。

开放气阀，向腔室通大气至复合真空计显示1E5（0.1MPa ，1个大气压）即可打开腔室顶盖。

4. 靶及基片安装好后，用万用表检查靶与屏蔽罩，基片台与腔室是否短接，开始抽真空。

磁控溅射设备操作前级阀主阀旁路阀节流阀充气阀1 预抽：开机械泵，前级阀，先抽分子泵管道内至<5.0Pa 。

√××√×2 抽腔室：关前级阀，开旁路阀，充气阀，抽反应腔室至<5.0Pa 。

××√√√3 抽腔室：关旁路阀，开前级阀，主阀，开分子泵，将腔体抽至E-4Pa 数量级，开加热器升温，升温时真空度会上升，抽至E-4Pa 。

√√×√√4 实验：关电离规，关节流阀，通氩气，将气体流量计（右边的）开到阀控（中间位置），先进行靶清洗5min 。

再用双极脉冲电源或射频电源进行基片清洗，清洗15min 。

打开靶挡板和基片挡板开始实验。

√√××√5 镀膜结束：停氩气，开节流阀，继续抽腔室，等待降温。

√√×√×6 取基片：降温至80以下，关主阀，关分子泵，分子泵由450降到0，等待2min ，关前级阀，开放气阀慢慢放气使腔室达到外界大气压。

×××√×5. 将腔室抽到10Pa 以下，以保护腔室内部器件。

关机械泵及控制柜总开关。

关冷却水，将三个空开全部关掉。

磁控溅射设备工作流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程1. 引言磁控溅射和分子束外延是一种常用的薄膜生长技术，广泛应用于材料科学、表面工程、光电子学和纳米器件制备等领域。

然而，这些技术涉及高温、高真空和高能量密度等危险因素，因此在操作过程中必须严格遵循安全操作规程，以确保实验人员的人身安全和设备的正常运行。

本文将介绍磁控溅射和分子束外延的安全操作规程和日常保养注意事项。

2. 磁控溅射安全操作规程2.1 准备工作•安全防护：佩戴防护眼镜、手套和防护服，确保人身安全。

•仪器检查：检查溅射装置的各个部件是否完好无损，确保仪器正常工作。

•工作环境：确保操作场所干燥、通风良好，避免引发火灾和爆炸。

2.2 操作步骤1.打开溅射装置的真空泵，并监控真空度的变化，确保达到所需的工作真空度。

2.将待沉积的靶材安装到溅射装置中，并确保靶材表面干净平整。

3.连接电源，确保正负极的接线正确，避免电源短路。

4.打开气体进气阀，将工作气体注入溅射装置，注意控制气体流量和压力。

5.打开溅射源开关，产生磁场并加热靶材，开始溅射过程。

6.溅射结束后，关闭气体进气阀，关闭溅射源开关，待装置冷却后方可停止真空泵运行。

7.清理工作区域，清除沉积物和废气，保持工作区环境整洁。

2.3 安全注意事项•高真空环境下操作时，避免突然打开大气门，以免引起爆炸或损坏真空装置。

•注意靶材的选择和安装，避免使用破损或有毒的靶材。

•在溅射过程中，要随时检查溅射源和真空泵的运行情况，确保仪器正常工作。

•操作过程中禁止随意触碰溅射源和加热装置，以免烫伤。

•操作完成后，尽量将溅射装置恢复至初始状态，避免对下次实验产生影响。

3. 分子束外延安全操作规程3.1 准备工作•安全防护：佩戴防护眼镜、手套和防护服，确保人身安全。

•仪器检查：检查分子束外延装置的各个部件是否完好无损，确保仪器正常工作。

•工作环境：确保操作场所干燥、通风良好，避免引发火灾和爆炸。

3.2 操作步骤1.打开分子束外延装置的真空泵，并监控真空度的变化，确保达到所需的工作真空度。

磁控溅射仪操作手册一．设备开机：1.确认室内工作环境适合磁控溅射仪工作。

2.开电源。

在总闸打开的情况下，打开控制磁控溅射仪用电的设备开关②；开磁控溅射仪的电源开关。

3.等显示屏上能看见炉腔真空度开冷却循环水。

4.将空气阀开关调至半开状态,开氩气瓶，氧气瓶和氮气瓶至0.1MPa。

5.开分子泵。

显示屏进入正常模式之后，调制AUTO档点“AUTO PUMP”自动开启机械泵和分子泵。

然后仪器自动抽取分子泵待。

前级阀（Backing Valve）和高阀（Hi-Va）依次变绿开始抽取主真空室真空。

二．放样Ⅰ.进样1）在Arm@Home是绿色的情况下，点击“LL AUTO VENT”，送样室开始放气。

2）放完气之后，开送样室的大门，将放有待镀膜的样品的工件盘放入送样线的机械手上，关上送样室的大门，合上大门的开关。

3）点击“LL AUTO PUMP”（根据需要可能需要两次），开始给送样室抽取真空。

待LL AUTO PUMP由绿变红时，抽取真空完毕。

Ⅱ.送样1）点击“LL ISOLATION VALVE”,将进样室和主真空室的阀门打开即可开始送样。

2）传送样品时，将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“UP”档,逆时针转动转盘，当带有工件盘的机械手到达主真空室的对应位置。

3）将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“DOWN”档，即将工件盘送入主真空室对应工的件台上。

4）顺时针转动转盘，直至机械手移至送样室对应的部位，这时能听到进样室和主真空室的阀门关闭的响动信号，此时机械手已经归位。

三．样品清洗（AUTO模式）1.选择自动模式，依次点击“Navigate”,“AUTO CONFIGURATION”进入自动挡的电源选择界面。

2.在自动挡的电源选择界面选取偏压溅射，设置偏压溅射的参数，可以参考如下图。

设置好偏压功率，溅射时间，工件盘旋转速率，本地真空，气体流量。

3.点击“Overview”进入主界面，观察腔室的真空度，如果真空度未达到5×10-6Torr需要灌液氮辅助抽真空。

磁控溅射的使用流程1. 简介磁控溅射是一种常用于薄膜制备的物理气相沉积技术，通过在真空环境中使用外加磁场来控制离子在固体表面的击穿行为，从而实现材料沉积。

本文档将介绍磁控溅射的使用流程。

2. 实验准备在进行磁控溅射实验前，需要进行以下准备工作：•准备目标材料：选择适合溅射的材料目标，并确保其表面质量良好。

•真空室准备：检查真空室的密封性，确保真空度符合要求。

•溅射设备：检查溅射设备的机械结构和电气系统是否正常工作。

3. 开始实验以下是磁控溅射的基本使用流程：3.1 设置工艺参数在开始实验之前，需要设置以下工艺参数：1.气体流量：根据实验需求设置工艺气体的流量，通常使用氩气作为惰性气体。

2.溅射功率：控制溅射功率调节器，根据目标材料和膜层要求设置溅射功率值。

3.前驱体材料：如有需要，设置前驱体材料的流量和温度。

3.2 准备目标材料1.首先，将目标材料固定在溅射装置的靶架上，并确保目标材料与靶架之间的接触良好。

3.3 抽真空1.打开真空泵，将气体抽出真空室，直到达到所需真空度。

2.检查真空度指示器的读数，确保真空度稳定在所需范围内。

3.4 开始溅射1.打开溅射控制器的电源开关。

2.选择合适的溅射参数，并在控制界面上设置相应的数值。

3.打开氩气罩上的气体流量调节阀，调节气体流量。

4.打开氩气阀门，使气体进入溅射室。

5.打开溅射源的开关，开始溅射过程。

3.5 结束实验1.当达到所需的膜层厚度后，关闭溅射源和气体流量。

2.关闭溅射控制器的电源开关。

3.关闭氩气阀门，停止气体流入溅射室。

4.关闭真空泵，打开气阀，将气体重新充入真空室。

5.等待真空室恢复常压后，打开真空室，取下目标材料。

4. 实验注意事项在进行磁控溅射实验时，需要注意以下事项：•操作人员需要戴好防护眼镜和手套，确保安全。

•在操作溅射源和气体阀门时，需轻拧。

•在实验过程中，注意监控溅射功率和气体流量的稳定性，及时调整工艺参数。

5. 结论磁控溅射是一种重要的材料制备技术，在薄膜制备、材料研究等领域有广泛应用。

磁控溅射设备操作规程开机过程1.开电柜A水阀（注意有两水路，阀门上标签为电柜左(A)，电柜右(B)）.2.开电柜A总控制电源.3.开机械泵，打开旁抽角阀V1,开低真空计电源，用机械泵抽至机械泵抽压极限(或5Pa以下).4.开闸板阀G，开电磁阀（DF1），关闭旁抽角阀V1.5.观察低压真空计示数是否稳定(稳定时即为系统不漏气)，待稳定后开分子泵(KYKY)总电源.6.观察分子泵显示窗口为闪动的600Hz时，按下分子泵启动按钮，分子泵加速.7.当分子泵转速稳定，窗口显示为600Hz后，按下高真空计DL-7电源按钮，观察真空室真空度，等待达到溅射所需的本底真空度(一般为10-4Pa).溅射过程1.关闭高真空计DL-7 (!进气之前一定要关闭，否则高真空计会被损坏)，然后打开V2，再打开V5.2.开氩气瓶总阀，开减压阀，观察其指示小于1.5格(三个大气压)即可.3.开质量流量计电源，将MFC1打到阀控位4.关小闸板阀G，此调节过程配合旋动旋钮调节气体流量，使低压真空计示数（直流溅射一般为2~5Pa之间，射频一般在5-8Pa之间）.5.开电柜B水阀，开电柜B总控制电源.(1). 直流溅射：开电柜B中相对应靶位直流溅射电源，调节功率使使靶上方氩气电离启辉.旋转功率调节旋钮，使溅射功率达到所需要的数值. 待板压和板流稳定后，转动挡板和转盘，转动挡板和转盘到相应的靶上，开始溅射并计时.溅射完毕后，将功率调节旋钮逆时针调到最小，按下停止按钮. 然后关闭电柜B的总控制电源.(2). 射频溅射：按下电柜B中射频功率源的Uf按钮，电子管预热5-10分钟.按下Ua的开始按钮，通过Ua粗调和细调增大板压，使靶上方氩气电离启辉. 调节SP-II 型射频匹配器的C1,C2(调节一个时，另一个不动)，使反射功率最小，驻波比小于1.5. 增大Ua,调节匹配器的电容使反射功率始终最小，如此反复调节使溅射功率达到所需要的数值. 预溅射几分钟后，转动挡板和转盘到相应的靶上，即可开始溅射.(3). 溅射完毕后，将Ua调到最小，按下Ua的停止按钮.等待几分钟后按下Uf按钮.然后关闭电柜B的总控制电源.（如果需要给衬底加热，方法同退火过程的5，6步骤）.靶挡板和转盘的转动：可通过电脑上的控制软件或手动转动.注意转盘和样品挡板同时转动前一定要检查定位插销，不能使转盘被卡住；只对样品进行转动操作前，需要将样品挡板卡住；为了不使加热电缆缠绕，不能大角度转动转盘.6.溅射完毕后，关闭氩气的过程：先关气瓶总阀，后关减压阀，再将MFC1打到关闭，待流量计显示为0后关闭流量计电源. 先关V5后关V2，开大闸板阀G，让分子泵将真空室抽至高真空.退火过程1.开加热控温电源，调节设定退火温度，加热电流初始调至2A，过2分钟左右依次调至4A,6A,8A，注意不要使电流太大.2.温度显示为设定温度时开始计时(退火时间).关机过程1.待真空室抽到高真空（10-4帕），关闭闸板阀G.2.按下分子泵停止按钮，分子泵减速，当频率显示低于50Hz时，关闭电磁阀.3.按机械泵按钮，停止机械泵. 当分子泵停止频率显示为闪动的600Hz时,关闭分子泵总电源. 分子泵显示窗口显示P.OFF后关闭总控制电源.4.关闭水阀，放回排气管，关严窗户.更换样品过程1.打开放气阀(V4)，使真空室和外界压强相等后，关闭V4.2.打开电柜A水阀及电柜A总控制电源，确保拔出定位插销后，按下升按钮，升起真空室盖到适当高度..3.取下样品托，更换样品.4.将真空室顶盖小心推至真空室正上方，按下“降”按钮. 小心缓慢的将真空室顶盖降下，真空室顶盖降到不能自动再降电动机会自动停止.更换靶材过程（起始过程同上述1.2.）1．用螺丝刀拧开固定靶挡板的四个螺丝，将靶挡板小心取出. 旋起靶罩并将其取出，后用内六角螺丝刀将靶盖的固定螺丝拧松，取出靶罩和靶材. 将新的靶材放在铜靶托上，盖上靶盖，拧上螺丝. 重新旋上靶罩，使靶罩和靶盖间留有一定的间隙(1-3mm或稍大)，两者不能接触，因为在溅射电源开时，靶罩为阳极，靶和靶盖为阴极(对直流溅射而言)；对射频溅射电源来说，两极一直在交替. 靶罩和靶盖相接触的话，即为短路(这一步骤必须戴布手套操作，避免手汗及油脂对真空室引入污染).5.放入靶挡板，用螺丝刀拧紧固定螺丝.6.将真空室顶盖小心推至真空室正上方，按下“降”按钮. 小心缓慢的将真空室顶盖降下，真空室顶盖降到不能自动再降时电动机会自动停止.！！请各位实验操作人员严格按照此规程操作，如有失误造成损失自行负担责任.磁控溅射设备实验室2006.4.7。

开机1 分子泵、各磁控靶接通冷却水，检查水路是否漏水。

2 各单元电源与总电源接通，总电源供电。

（启动总电源前，报警选择档指向报警；开总电源后，A、B、C灯亮）3 启动机械泵，缓慢打开旁抽阀V2，预抽溅射室。

4打开ZDF2AK复合真空计，当示数显示4 Pa时，关闭旁抽阀V2，打开电磁阀(有清脆的响声)，然后启动分子泵开关，待示数显示为零时，启动START，并马上打开闸板阀G1（逆时针旋转到底后稍微回转），开始抽高真空（7*10-5）。

5 打开计算机，进行运行参数设置。

（见后面介绍）6 达到所需真空度后（4*10-4，大概半小时），准备镀膜。

（见后面介绍）7 镀膜完毕后，关闭直流或射频电源，关气路。

（见后面介绍）靶位自动调节程序1 挡板控制及状态各靶挡板显示与溅射室内靶挡板位置一致。

若不一致，则改变计算机上显示状态，点击“开（关）”按钮即可，在挡板没有达到相应的“开（关）”状态时，该按钮是闪烁的，达到所需状态时，按钮是亮的。

2 转盘控制与状态样品与样品挡板状态确定显示与当前溅射室内一致，若不一致，则重新标定。

例如：当前溅射室内状态为样品2对应样品位置A 位，样品挡板显示A位，然而计算机显示样品1对应样品位置A位，样品挡板显示A位。

拖动样品1到样品2，将弹出“样品编号”对话框，点击“否”，则可以重新标定样品编号。

重新标定样品挡板，样品位置时也是如此操作。

注意：样品位置和样品编号不能同时改变。

例如：样品1在A位置溅射完毕后，需要在B位溅射样品2，则应该先把样品1拖到样品2，将弹出“样品编号”对话框，点击“是”，可将样品2移动到A靶位；然后，将样品位置A拖到B，将弹出“样品位置”对话框，点击“是”，可将样品2移动到B靶位。

样品速度和挡板速度公转速度和挡板公转速度均调为1.0 r/min即可，运行稳定。

3 运行设置点击“修改”按钮，输入控制语句，点击“关闭”按钮，然后点击“运行”按钮，设备将按照设置的语句运行。