微电子学与固体电子学

课程名称：微电子学与固体电子学综合

本复试考试由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分

进行答题。

第一部分： 半导体集成电路复试大纲（参加微电子学复试的考生参

考）

一、考试的总体要求 "半导体集成电路"是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括"半导

体特种效应"、"半导体集成电路"。目的是考察考生对基本理论、基

本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。 二、考试内容

及比例

（一）半导体特种效应（40%） 1、半导体异质结：异质结概念及能带图，异质结锗硅双极晶体管的

结构、性能特点与原因，高电子迁移率晶体管的结构、性能特点与

原因； 2、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器, 半导体太

阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光基本原理； 3、半导体霍尔效应、半导体热电效应及其应用、半导体压阻效应。

（二）半导体集成电路（60%） 1、MOS 反相器及其基本逻辑单元 E/D 反相器、CMOS 反相器、自

举反相器、动态反相器、NMOS 逻辑结构、传输门逻辑。

微电子学与固体电子学专业攻读硕士学位

研究生培养方案

一、培养目标

本专业培养德、智、体全面发展的微电子学与固体电子学高层次专门人才。要求所培养的硕士研究生达到：

1、热爱祖国、热爱人民，认真学习并较好掌握马克思列宁主义理论。具有良好的道德修养和科学态度。愿意为祖国的现代化建设事业热忱服务。

2、具有严谨踏实的学风，较全面系统地掌握微电子学与固体电子学的基础理论和专业知识。注意跟踪了解微电子学与固体电子学发展的前沿动态。熟练掌握一门外国语。具有创新精神，能独立从事本专业的科研与技术开发工作。

3、身心健康。

二、研究方向

1、纳微电子学

纳米加工与纳米器件、宽带隙纳米材料与场效应晶体管、石墨烯材料与场效应晶体管、基于纳米结构的发光与显示器件等；

2、半导体传感电子学

压电、铁电、磁电材料与传感器件、电阻开关器件；氧化物光敏与气敏传感器件；GaN、ZnO、GaAs、硅等半导体光电材料与探测器等；

3、能源电子材料与器件

有机光伏电子学与器件、染料敏华太阳能电池、GaN/GaAs多结高效太阳能电池、新型高效硅太阳能电池等；

4、宽禁带半导体材料与器件

GaN、AlN、ZnO、MgO半导体材料与光电器件等；

5、微电子系统与集成电路设计

微纳电子器件模型设计、微电子系统与集成电路设计等；

6、磁电子学

磁电材料与传感器件、有机磁材料设计与计算、稀磁材料与器件等；

7、信息处理与微系统

基于大规模集成电路芯片的处理器系统；基于现代信号处理技术的图像增强、压缩、重建、识别算法与实现；高性能DSP与嵌入式CPU智能系统等；

8、生物医学电子学

生物医学微流纳流芯片、医学影像的特征信息提取算法研究、医学断层光电子技术等。

三、学习年限

本专业硕士研究生实行以三年制为基础的弹性学制，最长学习年限不超过四年，其中课程学习1.5年。本专业不允许申请提前毕业。

四、课程设置（见附表）及学分要求

微电子学与固体电子学学科

2010年硕士研究生招生复试指导

根据教育部关于加强硕士研究生招生复试工作的指导意见及学校有关要求，微电子学与固体电子学学科2008年硕士研究生招生复试指导确定如下。

一、复试比例及主要内容

1、复试由笔试和面试两部分组成，外国语听力考试在面试中进行。复试的总成绩为280分，其中笔试200分，面试80分。

2、复试笔试科目

（1）电子线路（数字电子和模拟电子），占70分。

主要内容：半导体二极管及其基本电路；半导体三极管及其放大电路基础；场效应放大电路；集成电路运算放大器；反馈放大电路；信号的运算与处理电路；信号的产生电路；直流稳压电源；逻辑门电路；组合逻辑电路的分析与设计；常用组合逻辑功能器件；触发器；时序逻辑电路的分析和设计；常用时序逻辑功能器件。

参考书目：1.《基础电子技术》，蔡惟铮主编，高等教育出版社，2004年8月第1版。

2.《集成电子技术》，蔡惟铮主编，高等教育出版社，2004年7月第1版。

（2）晶体管原理，占70分。

主要内容：pn结直流特性、空间电荷区和电容、pn结击穿；双极型晶体管的基本结构和工作原理、直流特性、频率特性、开关特性和功率特性的物理基础；场效应晶体管（包括结型和MOS场效应晶体管）的基本结构、工作原理、直流特性、频率特性、开关特性和功率特性；MOS场效应晶体管的阈值电压、短沟道与窄沟道效应以及击穿特性。

参考书目：1.《双极型与场效应晶体管》武世香 编,电子工业出版社,1995年版.

2.《微电子技术基础――双极、场效应晶体管原理》曹培栋 编著，电子工业出版社，2001年第一版。

（3）半导体集成电路，占60分。

主要内容：典型的集成电路制造工艺流程及原理（双极工艺和MOS工艺）；集成电路中常用的器件结构及其寄生效应；双极型逻辑集成电路（TTL及单管逻辑门）工作原理、静态特性、瞬态特性及版图设计；MOS逻辑集成电路（NMOS、CMOS以及MOS动态电路）工作原理、静态特性、瞬态特性及版图设计；各类MOS存储器的结构及特性；模拟集成电路中常用单元电路的结构、工作原理、性能及模拟集成电路版图设计特点等。

姓名学号科研生产教学实验其他

1李婷2503001001功率DMOS器件的空间辐射效应√

2唐彬2503001002纳米氧化铝薄膜湿度传感器的研究√

3付彬彬2503001003高速电导调制器件耐压特性研究√

4刘旭2503001004特高磁导率低温烧结NiCuZn铁氧体材料研究√

5胡曦2503001005一种槽栅LIGBT研究√

6刘猛2503001007金属封装的热应力模拟√

7郝诗磊2503001008射频集成电路关键模块电路研究与设计√

8李钊2503001009一种高精度电流采样电路的设计√

9李君2503001010应用于Buck变换器的过零检测电路的设计√

10杨镇2503001011GaN基异质结构材料的应变研究√

11王永维2503001012用super-junction构造电路及/或新器件√

12王林2503001013一种用于开关电源的可修条振荡器的设计√

13刘顺泽2503001014高压纳米复合高介电常数氧化膜技术的研究√

14项传银2503001015基于SOC协同验证平台的FPGA故障自动化测试及定位√

15刘毅2503001016待定√

16徐振涛2503001017低压低功耗CMOS基准电压源设计√

17翟灵滔2503001018超高压薄膜电容器的研制√

18叶威涛250300101965nm工艺通用寄存器文件的设计√

19王亮2503001020用于LED驱动的电荷泵环路设计√

20林智2503001021最佳表面变掺杂横向器件的高侧器件√

21王澎玮2503001022多层过渡SrTiO3/TiO2上BTH铁电薄膜取向可控生长和性能研究√

22朱恒2503001023一种分段线性补偿的电压基准源√

23张三强2503001024TaN微波薄膜电阻器制备研究√ 微电子与固体电子 学院

2005级毕业设计（论文）课题信息统计表

序号学生课 题 名 称课题来源24杨晓春2503001025一种用于开关电源的软启动电路的设计√