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2023年砷化镓行业市场需求分析砷化镓（Gallium Arsenide，简称GaAs）是一种半导体材料，因其具有较高的电子迁移率、较高的饱和电流和较低的噪声系数等优点，被广泛应用于微波和光电领域。
在通讯、军事、航空航天、医疗等领域有着广泛的应用，市场需求呈现增长趋势。
砷化镓材料的市场需求受到多方面因素的影响。
以下从行业、应用领域、政策支持等方面进行分析：一、行业因素1. 通讯行业：随着4G、5G、物联网等产业的快速发展，对高速数据传输和频段的需求日益增加，砷化镓逐渐成为替代硅芯片的选择。
砷化镓器件在射频功放器和微波组件等方面的应用逐渐普及。
据统计，世界范围内砷化镓在通讯领域占比高达50%以上。
2. 光电领域：砷化镓器件在激光雷达、自动驾驶、飞行器导航以及太阳能电池等领域有着广泛的应用。
尤其是在太阳能电池领域，作为最重要的光伏材料之一，砷化镓比硅的光电转换效率提高了近25%。
3. 航空航天领域：砷化镓器件在航空领域中被广泛使用，特别是在导航、雷达与通讯控制系统等方面。
4. 医疗行业：砷化镓在医疗领域的应用，主要体现在医学成像和生化检测等方面。
医疗市场的不断扩大，也将推动砷化镓材料在医疗领域的应用。
二、应用领域1. 微波器件：砷化镓在微波器件领域的应用广泛，包括功放器、低噪声放大器、变频器、反馈电路、滤波器等领域。
2. 光电器件：砷化镓光电器件被广泛应用于光电转换、芯片光电子科学、光电模块等领域。
3. 太阳能电池：砷化镓太阳能电池具有高效率和稳定性等优点。
其在太阳能电池材料方面的应用越来越受到关注。
三、政策支持政策推动是砷化镓产业增长的重要保障。
国家透过发放补贴，支持砷化镓产业发展，其中包括光伏补贴、新能源补贴等政策。
总体来看，砷化镓市场需求呈现出了增长的趋势。
未来随着物联网、5G等技术的发展，砷化镓的市场需求还将持续增长。
2023年砷化镓行业市场规模分析砷化镓（GaAs）是一种半导体材料，具有高电子迁移率、高频率响应、高功率和高温稳定性等特性，被广泛应用于无线通讯、光电子学和太阳能电池等领域，是新一代高技术产业的重要基础材料。
本文将对砷化镓行业市场规模进行分析。
一、砷化镓行业现状目前，砷化镓行业处于高速发展的阶段。
随着5G通讯技术的广泛应用以及物联网、智能制造等技术的推进，市场对高频材料和高功率器件的需求不断增加，推动了砷化镓行业的快速发展。
根据市场研究机构TMR的报告，截至2026年，全球砷化镓市场规模将达到39.4亿美元，年复合增长率为7.5%。
二、砷化镓行业市场规模分析1. 应用领域砷化镓主要应用于无线通信、光电子学、太阳能电池等领域。
其中，无线通信是砷化镓最重要的应用领域，占比超过60%。
5G通讯技术的广泛应用将加速砷化镓市场的增长，预计2021年全球5G基站数量将达到52万个，相应地推动砷化镓器件需求大幅上涨。
2. 地区分布目前，砷化镓行业市场的主要集中在北美、欧洲和亚洲三个地区。
其中，北美地区是砷化镓行业的发源地，拥有较完善的产业链和技术优势，占据全球市场份额的50%以上。
欧洲砷化镓市场主要由德国和英国等国家领先，亚洲市场则由中国、日本和韩国等国家逐渐崛起。
根据TMR的数据，截至2019年，美国和中国是砷化镓市场的两个最大的消费者和生产国。
3. 产品类型根据产品类型，砷化镓市场主要分为晶片和器件两大类。
晶片是砷化镓材料的主要形式，用于生产各种高频、高功率器件，如功率放大器、太阳能电池等，占砷化镓市场的55%。
器件则包括各种射频和微波器件，如移动电话、基站天线等，占据砷化镓市场的余下部分。
三、砷化镓行业未来发展趋势1. 研究进展目前，砷化镓行业仍处于技术不断创新和研究深度发展的阶段。
未来砷化镓材料将继续进行性能优化，如提高电子迁移率、降低材料价格、提高功率密度等。
同时，砷化镓器件也将继续拓展应用范围，进一步满足市场需求。
全球及中国砷化镓衬底行业下游细分应用领域销售需求规模前景预测及投资建议评估预测（1）砷化镓简介：砷化镓是砷与镓的化合物，砷化镓作为半导体材料具有优良的特性。
使用砷化镓衬底制造的半导体器件，具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率、抗辐射、高击穿电压等特性，因此砷化镓衬底被广泛用于生产 LED、射频器件、激光器等器件产品。
20 世纪 90 年代以来，砷化镓技术得以迅速发展，并逐渐成为最成熟的半导体材料之一。
但长期以来，由于下游应用领域的发展滞后，市场需求有限，砷化镓衬底市场规模相对较小。
2019 年后，在 5G 通信、新一代显示（Mini LED、Micro LED）、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下，未来砷化镓衬底市场规模将逐步扩大。
（2）砷化镓衬底行业发展情况：砷化镓产业链上游为砷化镓晶体生长、衬底和外延片生产加工环节。
衬底是外延层半导体材料生长的基础，在芯片中起到承载和固定的关键作用。
生产砷化镓衬底的原材料包括金属镓、砷等，由于自然界不存在天然的砷化镓单晶，需要通过人工合成制备；砷化镓衬底生产设备主要涉及晶体生长炉、研磨机、抛光机、切割机、检测与测试设备等。
砷化镓产业链下游应用主要涉及 5G 通信、新一代显示（Mini LED、Micro LED）、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等多个领域。
中金企信国际咨询权威公布《全球及中国砷化镓衬底市场监测调查及投资战略评估预测报告》砷化镓产业链分析全球砷化镓衬底市场集中度较高，根据中金企信统计数据，2019 年全球砷化镓衬底市场主要生产商包括 Freiberger、Sumitomo 和北京通美，其中 Freiberger 占比 28%、Sumitomo 占比 21%、北京通美占比 13%。
目前砷化镓晶体主流生长工艺包括 LEC 法、HB 法、VB 法以及VGF 法等，其中Sumitomo 砷化镓单晶生产以 VB 法为主，Freiberger 以 VGF 和 LEC 法为主，而北京通美则以 VGF 法为主。
2023年砷化镓行业市场调查报告砷化镓是一种重要的半导体材料，在光电、光通信、无线通信等领域应用广泛。
本文将对砷化镓行业进行市场调查分析。
一、行业背景砷化镓是目前应用最广泛的III-V族化合物半导体材料之一，具有优异的电学和光学性能。
其制备工艺相对较成熟，应用领域广泛。
目前，砷化镓主要用于光电子器件、光通信及无线通信等领域。
二、行业规模据统计数据显示，全球砷化镓市场规模约为100亿美元。
其中，亚洲市场占据50%以上的份额，北美和欧洲市场分别占据30%和20%的份额。
随着5G通信、人工智能及物联网等技术的广泛应用，砷化镓市场将继续扩大。
三、应用领域1. 光电子器件：砷化镓在光电子器件领域具有重要的应用价值。
例如，光电晶体管、激光器和光电二极管等都采用砷化镓材料制造。
2. 光通信：砷化镓在光通信领域有广泛的应用。
在高速传输和远距离通信方面，砷化镓材料可以实现更高的传输速率和更远的传输距离。
3. 无线通信：砷化镓材料在无线通信领域也有应用，尤其是在高频率无线通信领域具有较好的表现。
四、市场趋势1. 5G通信市场的快速发展将推动砷化镓市场的增长。
砷化镓在5G通信设备中具有重要的应用，如高频率功放和毫米波器件等。
2. 光通信市场的迅速发展也将促进砷化镓市场的增长。
随着光纤网络的普及和数据中心的建设，对高速传输设备的需求不断增加，从而推动了砷化镓材料的需求。
3. 物联网和人工智能的快速发展也将对砷化镓市场起到积极的推动作用。
随着物联网和人工智能设备的普及，对高性能半导体材料的需求将不断增加，从而推动了砷化镓市场的增长。
五、市场竞争格局目前，全球砷化镓市场呈现出龙头企业垄断的格局。
主要的砷化镓材料生产商包括Cree、华虹半导体、晶方科技等。
这些企业在技术研发和市场拓展方面具有一定的竞争优势。
六、发展前景随着5G通信、光纤网络和物联网等技术的广泛应用，砷化镓市场将保持较高的增长速度。
尤其是随着国内半导体产业的快速发展，砷化镓产业在国内市场也将迎来更大的发展空间。
砷化镓市场分析现状引言砷化镓是一种重要的半导体材料，具有优异的电学性能和光电性能，广泛应用于光电子、半导体器件、光纤通信等领域。
本文将对砷化镓市场的现状进行分析，并展望未来的发展趋势。
砷化镓市场规模及发展动态根据市场调研公司的数据显示，全球砷化镓市场规模在过去几年保持了稳健增长的态势。
砷化镓市场的发展主要受到电子产品需求、通信市场扩张、新能源汽车等多个因素的影响。
电子产品需求推动砷化镓市场增长随着移动互联网的快速发展，智能手机、平板电脑等电子产品的需求不断增加，这直接推动了砷化镓市场的增长。
砷化镓材料被广泛用于高频和高功率器件的制造，如射频功率放大器和高速开关等。
其中，射频功率放大器在手机基带解调器和射频前端模块中扮演着重要的角色，对砷化镓的需求量大。
通信市场扩张带动砷化镓市场需求增加5G通信的快速发展也是砷化镓市场增长的重要推动因素。
砷化镓材料在5G射频前端模块中具有重要作用，其高频性能和能耗特性优于其他材料。
随着5G通信网络的建设和规模化商用，砷化镓市场将迎来更广阔的发展空间。
新能源汽车市场增长催化砷化镓需求随着全球对节能环保的需求不断提高，新能源汽车市场逐渐崛起。
砷化镓在新能源汽车电动驱动系统、高效充电器等方面具有广泛应用。
预计随着新能源汽车市场的不断扩大，对砷化镓的需求也将持续增长。
砷化镓市场供应链及竞争格局砷化镓市场的供应链主要包括砷化镓原材料供应商、芯片制造商和终端产品制造商。
目前，全球砷化镓市场竞争激烈，主要的制造商集中在亚洲地区。
砷化镓原材料供应商砷化镓原材料供应商主要集中在美国、中国和日本等地。
其中，美国是全球砷化镓原料的主要产地，拥有丰富的砷资源。
中国和日本等地也有一些知名的砷化镓原料供应商，为市场的稳定供应提供了保障。
芯片制造商砷化镓市场的芯片制造商主要集中在亚洲地区，特别是台湾、韩国和中国。
这些地区拥有成熟的半导体制造技术和产业链，为砷化镓芯片的生产提供了良好的基础。
同时，这些地区的企业还积极推动技术创新和产品升级，提高了产品的竞争力。
砷化镓行业竞争格局及未来发展预测分析，整个产业链呈现寡头垄断格局一、砷化镓行业市场规模预测预计2023年全球砷化镓元件市场规模达到157亿美元，5年CAGR为10%。
根据数据，2018年全球砷化镓元件市场总产值达到89亿美元，较2017年增长0.45%，2012-2018年CAGR为7%。
预计到2023年，全球砷化镓元件市场规模将达到143亿美元，2019-2024年CAGR为10%，增速加快。
预计2023年国内砷化镓元件市场规模达到90亿美元，5年CAGR为44%。
2018年国内砷化镓元件市场总产值约14亿美元，未来5G手机更新换代，预计拉动大量PA用量，国内砷化镓元件需求量将继续保持高速增长，2023年砷化镓元件规模有望达90亿美元，5年CARG为44%。
二、砷化镓衬底材料市场规模预测预计2023年全球砷化镓衬底规模约10.5亿美元，中国为3.5亿美元。
2018年全球/国内为4.1/0.6亿美元，预计2023年全球/国内上升至10.5/3.5亿美元，全球和国内的5年CAGR分别为21%和45%。
全球砷化镓衬底市场结构变化不大，国内方面射频芯片用衬底占比大幅上升。
三、砷化镓行业竞争格局砷化镓上游衬底到下游元件价值量逐级放大。
数据显示，2018年，全球砷化镓产业链上衬底、外延片、晶圆代工、元件的市场规模分别为 4.6亿美元、11.0亿美元、56.7亿美元、88.7亿美元。
2018年数据显示，砷化镓上游衬底到下游元件，市场规模放大约18倍。
砷化镓产业链各环节均处于寡头垄断的竞争格局。
砷化镓产业链上，各环节的CR2都大于50%，单晶衬底、外延片和晶圆代工环节的CR3甚至接近90%，整个产业链呈现明显的寡头垄断格局。
与国外相比，我国砷化镓产业链竞争格局仍处于弱势。
现阶段的现状为：原材料开采环节竞争力强；单晶制造环节竞争力一般；外延片中的射频器件竞争力较弱、光电器件有一定竞争力；IDM中的射频器件竞争力缺失，主要集中在LED芯片的上下游垂直整合。
2023年砷化镓行业市场环境分析砷化镓是化合物半导体材料中的一种，其电子迁移率高、禁带宽度窄，被广泛应用于光电器件、微波器件、高速集成电路等领域。
砷化镓材料的优异性能使得其在现代电子产业中具有广泛的应用前景。
本文将从宏观角度分析砷化镓行业市场环境。
一、政策环境1. 工业政策随着科技领域的不断进步，国家对于高科技领域的技术支持力度不断加大。
《中国制造2025》提出了大力发展高端智能装备，战略性新兴产业和高端服务业的目标，砷化镓是新兴材料的代表之一，自然也被纳入了政策支持的范畴。
因此，国家将借助政策的力量来推动砷化镓行业的发展。
2. 环保政策作为高科技材料产业，砷化镓的生产过程中使用的化学品对环境污染风险较高，因此无可避免地要面对环保政策的影响。
随着国家环保政策的不断加强和全民环保意识的提高，砷化镓企业必须承担更多的环保责任和投资成本。
二、市场需求1. 光电器件领域砷化镓材料在光电器件领域的应用十分广泛，如光电导线、高速摄像机、激光器等。
随着全球需要更快、更准确、更可靠的通信技术，砷化镓在光通信领域的需求也在不断增加。
2. 微波器件领域砷化镓是制造微波器件的最佳材料之一。
当前，随着5G通信技术的快速发展，砷化镓在5G微波器件中的应用将越来越广泛。
3. 集成电路领域在集成电路领域，砷化镓被广泛用于高速数字逻辑集成电路、高速模拟电路、微型射频电路等方面。
三、行业竞争1. 技术竞争砷化镓行业技术门槛较高，难度较大，因此技术竞争也较为激烈。
此外砷化镓材料的生产过程复杂，需求成分多样，也是技术难度较大的挑战。
2. 供应链竞争砷化镓材料生产具有垂直整合的特点，越往上游成本越高，对于砷化镓行业整个供应链的掌控能力将成为行业竞争的一个重要因素。
总之，砷化镓作为一种未来前景广阔的新兴材料，其行业市场环境发展速度迅猛，但同时也存在政策和环保成本的束缚，行业竞争条件较为复杂，各种挑战和机遇与共。
2023年砷化镓行业市场发展现状砷化镓行业市场发展现状砷化镓是一种半导体材料，具有很高的电子运动迁移率和基本上的零载流子浓度，因此被广泛用于高速、高频、高功率电子器件领域。
目前砷化镓行业市场发展现状如下：1. 砷化镓市场规模不断扩大砷化镓市场增速在过去几年逐渐进入放缓期，但市场规模仍在不断扩大。
据市场研究机构Yole Development预测，到2022年，全球砷化镓市场规模将达到66亿美元，年复合增长率达到5.5%。
随着手机、电脑、通信科技等行业的快速发展，砷化镓市场未来仍有不小的增长潜力。
2. 砷化镓在5G基站领域应用逐步扩大随着5G网络建设的推进，5G基站去年成为砷化镓芯片市场的主要拉动力。
据统计，2019年，砷化镓芯片在5G基站领域的应用占比达到48%，而之前主导市场的高清摄像头和移动通信领域应用占比分别为10%和16%。
3. 中国砷化镓行业迅速发展目前全球砷化镓市场主要集中在美国、欧洲、日本和韩国等发达国家，但中国砷化镓行业发展迅速。
根据中国电子学会的数据，2019年中国砷化镓芯片市场规模达到122亿元人民币，占全球市场的15%左右。
随着中国5G网络建设的推进，砷化镓芯片市场将迎来更广阔的发展空间。
4. 砷化镓产业链逐步完善砷化镓芯片的生产需要一整套的配套设施和技术，产业链相对较长。
近年来，砷化镓行业和产业链逐步完善，包括原材料的供应、芯片研发、制造和封装等环节。
中国也在逐步建立一条完整的砷化镓产业链，提高了国内砷化镓产业的竞争力。
总体来看，砷化镓行业市场发展现状保持较稳定的增长态势，市场规模不断扩大，应用领域不断拓宽，砷化镓产业链不断完善，未来有望迎来更广阔的发展空间。
2024年砷化镓市场调研报告1. 引言本报告旨在对砷化镓市场进行深入调研和分析。
通过收集和整理相关数据、统计信息和行业动态，我们将对砷化镓市场的规模、发展趋势、竞争态势和前景进行详细描述和分析。
2. 市场概述2.1 定义砷化镓是一种半导体材料，具有优良的电子性能，被广泛应用于光电子、通信、太阳能等领域。
2.2 市场规模根据市场调研数据显示，砷化镓市场规模呈现稳步增长的趋势。
预计到2025年，全球砷化镓市场规模将达到xx亿美元。
2.3 市场动态砷化镓市场受多种因素的影响，包括技术进步、政策环境、产业链延伸等。
当前，砷化镓市场正面临着快速发展的机遇和挑战。
例如，新兴的5G通信技术、高清视频、虚拟现实等应用对砷化镓的需求增加，为市场提供了巨大的发展空间。
3. 市场竞争分析3.1 主要厂商目前，全球砷化镓市场竞争激烈，主要的厂商包括ABC公司、XYZ公司、123公司等。
3.2 竞争优势各大厂商竞争优势主要体现在技术实力、生产能力、供应链管理等方面。
ABC公司在技术研发和创新方面占据领先地位，XYZ公司拥有高效的生产线和广泛的分销网络，123公司具备完善的供应链管理系统。
3.3 市场份额分析根据市场调研数据显示，ABC公司目前占据砷化镓市场的30%市场份额，XYZ公司占据25%，123公司占据20%，其他厂商占据剩余的25%。
4. 市场前景展望4.1 行业发展趋势随着新兴技术的不断涌现，砷化镓市场将迎来更多的发展机遇。
5G通信技术的普及、半导体照明的推广、太阳能电池的发展等都将对砷化镓市场起到推动作用。
4.2 市场挑战砷化镓市场也面临一些挑战，如市场竞争加剧、技术研发周期长、制造成本较高等。
行业参与者需要不断提升技术创新能力，降低生产成本，提高市场竞争力。
4.3 市场前景综合以上分析，我们对砷化镓市场的前景持乐观态度。
随着相关技术的不断发展和应用的拓展，砷化镓市场有望继续保持稳定增长，同时也将面临更多的机遇和挑战。
砷化镓材料国内外现状及发展趋势中国电子科技集团公司第四十六研究所纪秀峰1 引言化合物半导体材料的研究可以追溯到上世纪初，最早报导的是1910年由Thiel等人研究的InP材料。
1952年，德国科学家Welker首次把Ⅲ-Ⅴ族化合物作为一种新的半导体族来研究，并指出它们具有Ge、Si等元素半导体材料所不具备的优越特性。
五十多年来，化合物半导体材料的研究取得了巨大进展，在微电子和光电子领域也得到了日益广泛的应用。
砷化镓（GaAs）材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的化合物半导体材料，是仅次于硅的最重要的半导体材料。
由于其优越的性能和能带结构，使砷化镓材料在微波器件和发光器件等方面具有很大发展潜力。
目前砷化镓材料的先进生产技术仍掌握在日本、德国以及美国等国际大公司手中，与国外公司相比国内企业在砷化镓材料生产技术方面还有较大差距。
2 砷化镓材料的性质及用途砷化镓是典型的直接跃迁型能带结构，导带极小值与价带极大值均处于布里渊区中心，即K=0处，这使其具有较高的电光转换效率，是制备光电器件的优良材料。
在300 K时，砷化镓材料禁带宽度为1.42 eV，远大于锗的0.67 eV和硅的1.12 eV，因此，砷化镓器件可以工作在较高的温度下和承受较大的功率。
砷化镓（GaAs）材料与传统的硅半导体材料相比，它具电子迁移率高、禁带宽度大、直接带隙、消耗功率低等特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍。
因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。
所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。
除在I C产品应用以外，砷化镓材料也可加入其它元素改变其能带结构使其产生光电效应，制成半导体发光器件，还可以制做砷化镓太阳能电池。
表1 砷化镓材料的主要用途3 砷化镓材料制备工艺从20世纪50年代开始，已经开发出了多种砷化镓单晶生长方法。
目前主流的工业化生长工艺包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直梯度凝固法（VGF）等。
砷化镓材料国内外市场供应现状及主要需求1国内外砷化镓材料发展现状半绝缘砷化镓材料主要用于高频通信器件，受到近年民用无线通信市场尤其是手机市场的拉动，半绝缘砷化镓材料的市场规模也出现了快速增长的局面。
20RR～20RR年，半绝缘砷化镓市场需求增长了54%。
目前微电子用砷化镓晶片市场主要掌握在日本住友电工（SumitomoElectric）、费里伯格（FreibergerCompoundMaterials）、日立电线（HitachiCable）和美国ART等四家大公司手中。
主要以生产4、6英寸砷化镓材料为主。
费里伯格公司供应LEC法生长的3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底，供应VGF法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
住友供应VB法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
日立电线供应LEC法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
ART供应VGF法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
表1国际砷化镓材料主要生产厂商目前中国的砷化镓材料生产企业主要以LED用低阻砷化镓晶片为代表的低端市场为主，利润率较高的微电子用4～6英寸半绝缘晶片还没有形成产业规模。
中国大陆从事砷化镓材料研发与生产的公司主要有：北京通美晶体技术有限公司（ART）、中科晶电信息材料（北京）有限公司、天津晶明电子材料有限责任公司（中电集团46研究所）、北京中科镓英半导体有限公司、北京国瑞电子材料有限责任公司、扬州中显机械有限公司、山东远东高科技材料有限公司、大庆佳昌科技有限公司、新乡神舟晶体科技发展有限公司（原国营542厂）等九家。
北京通美是美国ART独资子公司，其资金、管理和技术实力在国内砷化镓材料行业首屈一指，产品主要以VGF法4、6英寸半绝缘砷化镓材料为主。
其在高纯镓、高纯砷、高纯锗以及氮化硼坩埚等方面均有投资，有效地控制了公司成本，20RR年销售收入8000万美元，短期内国内其它各公司还难以和北京通美形成真正的竞争。
中科晶电成立于20RR年，主要从事VGF砷化镓单晶生长和抛光片生产，该公司为民营企业，总投资为2500万美元，在高纯砷和高纯镓方面也已投资建厂。
20RR年月产2英寸砷化镓晶片10万片，20RR年月产达到15万片。
该公司是目前国内发展速度最快的砷化镓企业。
天津晶明公司成立于20RR年，由中国电子科技集团公司第四十六研究所投资，注册资本1400万元，总投入约5000万元。
主要产品为2英寸LED用VB法低阻砷化镓晶体及抛光片，兼顾少量3~4英寸半绝缘砷化镓单晶材料。
目前拥用LEC单晶炉4台，VB单晶炉60台，已建成一条完整的单晶生长及抛光片加工生产线，目前月产约为3万片。
中科镓英公司成立于20RR年，晶体生长只有两台LEC单晶炉，目前主要在国内购买HB或VGF砷化镓单晶进行抛光片加工，销售对象主要是国内的LED外延企业，月产约2~3万片。
北京国瑞公司和扬州中显公司主要生产2～2.5英寸HB砷化镓单晶，山东远东公司主要生产2英寸LEC（或称LEVB）砷化镓单晶，这三家公司的产品主要针对LED市场，其单晶质量、成品率以及整体经营状况都很稳定。
这三家公司目前都没有晶片加工工序，只能将单晶卖给其它公司进行加工。
大庆佳昌原主要从事LEC砷化镓单晶生长，曾生长出8英寸LEC砷化镓单晶样品。
20RR 年争取到政府立项投资1.3亿元，转向以VGF工艺生产LED用低阻砷化镓材料，目前已完成厂房建设和小试生产，其产品定位主要在4英寸市场。
新乡神舟公司主要从事LEC和HB砷化镓单晶生长，近期开始进行VGF法砷化镓工艺研究，目前的市场定位还不是很明确，主要以承担军工科研任务为主。
表2国内砷化镓材料主要生产企业2、砷化镓应用领域及市场需求2．1砷化镓应用领域概述砷化镓半导体材料与传统的硅材料相比，它的电子移动率约为硅材料的5.7 倍,。
它具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙，消耗功率低的特性。
因此,广泛运用於高频及无线通讯(主要为超过1GHz以上的频率).适于制做IC器件。
所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于激光器、无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。
砷化镓除在IC产品应用以外,也可加入其它元素改变能带隙及其产生光电反应，达到所对应的光波波长,制作成光电元件。
由此可以看出，砷化镓材料的应用领域主要分为微电子领域和光电子领域。
在微电子领域中，使用的化合物半导体材料属于高端产品，主要用于制作无线通讯（卫星通讯、移动通讯）、光纤通讯、汽车电子等用的微波器件。
在光电子领域中，使用的化合物半导体材料属于低端产品，主要用于制作发光二极管、激光器及其它光电子器件。
无线通讯、光纤通讯、汽车电子等领域的高速发展，使得对砷化镓器件和电路的需求量急剧增加，进而极大地增加了对半绝缘砷化镓材料的需求量。
作为半绝缘砷化镓下游产业的砷化镓集成电路业市场平均增长近年都在40%以上，尽管砷化镓分立器件的市场份额在逐步减少，砷化镓射频器件市场仍有30%的年增长，加之卫星通讯系统和车载雷达用砷化镓单晶的潜在市场，半绝缘砷化镓的需求前景非常看好。
”2．2光通讯市场需求光纤通信具有高速、大容量、传输业务信息多的特点，是构筑“信息高速公路”的主干，成为现代信息社会的支柱产业。
而移动通信包括陆基、卫星移动通信及全球定位系统，最终实现在任意时间、任意地点与任何通信对象进行通信理想境界，其市场容量十分巨大。
光纤通信中，大于2.5G比特/秒的光通信传输系统，其光通信收发系统均需采用GaAs超高速专用电路。
光通信发展极为迅速，据国外报道，光纤通信模拟GaAs市场近几年以年均34%的速度增长，到20RR 年增长到约16.2亿美元的市场规模，10Gb/s设备已成为最大的市场。
在10Gb/s、40Gb/s系统中所用的器件和集成电路，包括激光驱动电路、MUR、DEMUR、跨阻放大器、限谱放大器等，GaAs材料将占据重要位置。
2．3无线局域网（WLAN）市场需求WLAN的概念虽提出较早，但由于技术的障碍一直未得到发展，直到90年代初方获得较多的关切，并产生了IEEE802.11标准，频段为902～928MHZ，但由于速度仅达到2Mbps，仍未能受到市场过多赏识，1999年底，IEEE802.11b标准提出，频率提高到2.4～2.48GHZ，速率达到11Mbps，市场接受程度大大提高。
据ForwordConcepts报告，WLAN芯片市场20RR年达3.64亿美元。
在2.4GHZ 以下频率时，使用SiGe乃至SiBiCMOS即可，而5GHZ以上的芯片，则以GaAsIC 为佳，如：Ratheon、Envara等公司开发的芯片均采用GaAs材料。
为尽快满足WLAN市场需求，Anadigics收购了RFSolutions的GaAs功放生产线。
可见，无线局域网的高端传输必然对CaAs有很大需求。
根据StrategRAnalRtics预测，在可预见的将来，数字有线电视（CATV）服务将需要基于砷化镓（GaAs）的高端基础设施元器件。
到20RR年，以GaAs为基础的MMIC和混合器件将在CATV基础设施市场占据75%的份额，每年的需求增长为18%。
相比之下，到20RR年用于CATV的半导体市场增长率仅有3%。
北美和亚太地区将推动CATV基础设施增长，占20RR年新数字有线电视用户的89%。
这将推动CATV网络中sRstemamplifier和lineeRtender的需求，它们使用混合硅和砷化镓的部件。
据市场研究公司StrategRAnalRtics发表的报告称，无线局域网GaAs集成电路市场20RR年预计将增长139%，到20RR年的混合年平均增长率将达到21%。
交换机和电源放大器是GaAs集成电路增长的主要机会。
到20RR年，GaAs电源放大器将占1.77亿件GaAs集成电路出货量的67%。
因此，StrategRAnalRtics预测，全部无线局域网交换机集成电路都将使用砷化镓技术，覆盖5GHz和2.4Ghz频率的双频段系统每个系统最多可采用2个交换机。
全球5GHz无线局域网运营的统一以及迅速向采用802.11a/g组合设备的双频段系统过渡，将促进GaAs集成电路市场的增长。
StrategRAnalRtics的高级分析师AsifAnwar在声明中称，电源放大器将是这个市场的亮点。
整个射频（RF）和与802.11相关的芯片，包括电源放大器和交换机，在20RR年的销售收入将从20RR年的4.87亿美元增长到6.37亿美元。
到20RR年，802.11a/g双频段组合设备将占整个出货量的75%。
2．4汽车电子产品市场需求据统计，我国每年因交通事故死亡人数达九万人，损失愈百亿元，已成为工伤事故的第一杀手。
为避免交通事故的发生，在汽车中安装防撞雷达已成必然趋势。
汽车防撞雷达一般采用毫米波段，在这些波段范围内，最适合的器件是GaAsIC。
可以看出，随着技术的成熟、成本的降低，汽车防撞雷达由豪华轿车向大量生产的中、低档轿车发展，乃是必然趋势。
一旦GaAs器件进入量产的汽车领域，市场前景不可限量。
鉴于此，GaAs业界和汽车业界的大批厂家已涉足于此。
法国汽车零件制造商Valeo就曾同GaAsIC生产厂商RaRtheon表示将合作生产雷达设备。
2．5军事电子产品市场需求军事应用是GaAs材料的传统领域。
GaAs工业能发展到今天的程度，首先应归功于早期军事应用的需求牵引。
近年来，随着移动通讯的迅速发展，民用占整个GaAs市场的份额已远远超过军用，但军用市场仍然是一个重要领域。
第一次海湾战争中，伊拉克的苏制雷达完全被美军雷达所屏蔽，在信息战中处于绝对被动位置，战斗力大打折扣，曾被称为“一场GaAs战胜Si”的战争。
自MIMIC计划开始，美军在多种战术武器中开始装备采用GaAsIC的设备，如主力战机中装载GaAsMMIC相控阵雷达，电子战设备采用GaAs器件，多种导弹中装载GaAs引信等。
在最近的伊拉克战争中，美军数字化部队的出现，表明其GaAs设备（如：GPS）装备部队的进程加快。
随着这种样板部队的普及，对GaAsIC的需求必将大增。
而且，相对于民用来说，军用市场相对可以承受较高的价格，这也是20RR年整个GaAs市场不景气时，主要占据军用市场的几家美国GaAsIC公司效益仍然较好的原因。
2.6砷化镓在LED方面的需求市场发光二极管(LightEmittingDiode;LED)是半导体材料制成的组件，也是一种微细的固态光源，可将电能转换为光，不但体积小，且寿命长、驱动电压低、反应速率快、耐震性特佳，能够配合各种应用设备的轻、薄及小型化之需求，早已成为日常生活中十分普及的产品。
LED的种类繁多，依发光波长大致分为可见光与不可见光两类。
可见光LED主要以显示用途为主，又以亮度1烛光(cd)作为一般LED和高亮度LED之分界点，前者广泛应用于各种室内显示用途，后者则适合于户外显示，如汽车煞车灯、户外信息广告牌和交通标志等；不可见光如红外线LED则应用在影印纸张尺寸检知、家电用品遥控器、工厂自动检测、自动门、自动冲水装置控制等等。
