IC生产制造(测试部分)思维导图
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IC芯片设计制造到封装全流程IC(Integrated Circuit)芯片是一种集成电路,将多个电子元件(晶体管、电容器、电阻器等)以及互连线路集成到一个硅片上,从而实现多个电子元件之间的功能互联。
芯片制造过程包括设计、加工制造、封装测试三个主要阶段。
首先是IC芯片设计阶段。
这个阶段主要包括功能设计、电路设计、物理设计和验证等步骤。
功能设计是根据芯片应用场景和需求,确定芯片的功能、性能和特性要求。
电路设计是根据功能设计的要求,使用逻辑门和基本电子元件组成电路,并进行仿真验证。
物理设计是将电路设计转化为硅片上的布图,包括电路布局、布线、填充等步骤。
验证阶段是对设计的功能和性能进行仿真和验证,确保芯片可以满足要求。
接下来是IC芯片加工制造阶段。
这个阶段主要包括晶圆加工和工序加工两个部分。
晶圆加工是将硅片进行切割和清洗,然后在表面涂覆一层绝缘层。
工序加工是在绝缘层上逐层添加金属、半导体等材料,通过光刻、薄膜沉积、离子注入、扩散等工艺步骤,形成多层电路的结构。
每个层次的电路都会进行检测和测试,确保加工质量和性能。
最后是IC芯片封装测试阶段。
这个阶段主要包括封装、测试和分选三个环节。
封装是将加工好的晶圆切割成单个芯片,并通过焊接等方式固定在封装底座上,形成完成的芯片。
测试是对封装完成的芯片进行功能和性能测试,以确保芯片的质量和性能符合设计要求。
最后,对测试合格的芯片进行分选,按照不同的要求和规格进行分级和分批。
整个IC芯片的设计制造到封装全流程,需要多个部门和环节的紧密协作。
设计部门负责芯片功能设计和物理设计,加工制造部门负责硅片加工和工序加工,封装测试部门负责芯片的封装和测试。
在整个流程中,还需要严格的质量控制和管理,确保产品的稳定性和可靠性。
随着科技的不断发展,IC芯片的设计与制造流程也在不断演进和改进。
更高集成度、更小尺寸、更高性能的芯片正在不断涌现,为各行各业的发展提供了强大的技术支持。
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芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。
其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。
1、晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。
在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。
3、构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。
其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。
到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。
4、测试工序:芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。
经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。
而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数,从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对性的专门测试,看是否能满足客户的特殊需求,以决定是否须为客户设计专用芯片。
芯片制造过程图解芯片制造过程图解芯片制造是一项复杂而精密的过程,它是将电子元器件集成到一个小而精密的硅片上,并完成电路板的制造过程。
下面将对芯片制造过程进行图解,以便更好地理解。
第一步:硅片生长芯片制造的第一步是生长硅片。
硅片是芯片的基底,通过在高温高压的环境下将单晶硅溶解在液态硅中,再通过控制温度和时间等参数,使其重新结晶,最终形成一个纯净的硅片。
第二步:晶圆制备在硅片生长完成后,需要将硅片进行切割,制备成厚度约为0.7毫米的圆片,即晶圆。
晶圆上固定了薄膜、导线等构成芯片电路的各种元件。
第三步:光刻光刻技术是芯片制造中的关键步骤之一。
在这一步骤中,晶圆上涂覆上一层光刻胶,然后通过模具上的光刻掩膜,将光投射到晶圆上。
光刻胶会受到光的照射而固化,形成确定的图案。
第四步:刻蚀在完成光刻步骤后,需要使用刻蚀机对晶圆进行刻蚀。
刻蚀是通过化学反应或物理气相反应,将未固化的光刻胶去掉,以便在后续步骤中进行电路的导线和通孔的制作。
第五步:薄膜沉积薄膜沉积是为了在晶圆表面上形成各种功能膜层,例如金属导线和绝缘层。
通过物理气相沉积或化学气相沉积的方法,在晶圆表面上沉积薄膜材料。
第六步:电路形成电路形成是芯片制造的核心步骤之一。
通过使用光刻技术和刻蚀技术,将导线和通孔等电路形成在晶圆上。
第七步:封装封装是芯片制造的最后一步,也是将芯片转化为电子器件的关键步骤。
在这一步骤中,将晶圆中的芯片通过焊接、粘贴等方法与支持电路板连接起来,并用封装材料进行固定和保护。
通过以上步骤,一个芯片的制造过程就完成了。
当然,芯片制造还包括测试和分选等环节,以确保质量和性能符合要求。
芯片制造过程的复杂性和精密性使得芯片制造成为高技术含量和高附加值的产业。
芯片设计流程详解芯片,指的是内含集成电路的硅片,所以芯片又被称集成电路,可能只有2.5厘米见方大小,但是却包含几千万个晶体管,而较简单的处理器可能在几毫米见方的芯片上刻有几千个晶体管。
芯片是电子设备中最重要的部分,承担着运算和存储的功能。
高大上的芯片设计流程一颗芯片的诞生,可以分为设计与制造两个环节。
芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯片制造流程后,就可产出想要的IC 芯片,然而,没有设计图,拥有再强大的制造能力也无济于事。
在IC 生产流程中,IC 多由专业IC 设计公司进行规划、设计,像是联发科、高通、Intel 等知名大厂,都自行设计各自的IC 芯片,提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。
所以,IC设计是整个芯片成型最重要的一环。
先看看复杂繁琐的芯片设计流程:芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯片制造流程后,就可产出必要的IC 芯片(这些会在后面介绍)。
然而,没有设计图,拥有再强制造能力都没有用,因此,建筑师的角色相当重要。
但是IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?接下来要针对IC 设计做介绍:在IC 生产流程中,IC 多由专业IC 设计公司进行规划、设计,像是联发科、高通、Intel 等知名大厂,都自行设计各自的IC 芯片,提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。
因为IC 是由各厂自行设计,所以IC 设计十分仰赖工程师的技术,工程师的素质影响着一间企业的价值。
然而,工程师们在设计一颗IC 芯片时,究竟有那些步骤?设计流程可以简单分成如下。
设计第一步,定目标在IC 设计中,最重要的步骤就是规格制定。
这个步骤就像是在设计建筑前,先决定要几间房间、浴室,有什么建筑法规需要遵守,在确定好所有的功能之后在进行设计,这样才。
集成电路版图设计集成电路基本知识集成电路按种类分类模拟IC数字IC混合IC集成电路按规模分类S SIM SIL SIV LSIU LSIG SI集成电路设计流程电路设计指标芯片定义电路图输入线路拟真版图验证寄生参数提取芯片集成芯片级验证寄生参数提取后拟真最终芯片导出G DSII流片P DKC MOS集成电路工艺流程剖面图俯视效果,掩膜工艺流程氧化层生长曝光氧化层刻蚀N阱注入氮化硅刻蚀场氧的生长去除氮化硅重新生长SIO2生长多晶硅刻蚀单晶硅P离子注入N离子注入生长磷硅玻璃光刻接触孔刻铝淀积钝化保护层PDK设计规则w idths pacee nclosureo verlape xtensionD RC、LVS、ERC环境设置数字标准单元库:APRI P库:成型的工艺库:器件模型、拟真数据模型、pcell到工艺库的根目录下解释各个子文件夹的作用s mic18mmrf:基础库c alibe:验证文件d rc,lvs1p4m,一层poly,4层金属m odel,spice_model,电路用的n18指工作电压1.8v的管子用一个管子来看层次操作系统与Cadence软件l inuxv irtuoso spectrev irtuoso schematicv irtuoso layout无源器件电阻种类阱电阻P oly电阻原理电容种类M IM电容M OM电容M OS电容原理电感种类电感原理有源器件M OS结构原理B JT结构原理数字版图基本数字单元标准化面积最小化布线最简化实例逻辑门触发器布局布线分频器布局布线匹配方法电阻方案画法差分对方案画法晶体三极管方案画法电流镜方案画法模拟版图运算放大器布局差分对电流镜有源负载电阻、电容偏置电路布线带隙基准源布局差分对电流镜有源负载电阻箱晶体三极管电路电容启动电路偏置电路布线版图可靠性寄生效应现象成因防护闩锁效应现象成因防护天线效应现象成因防护失配失配的原因随机失配来自尺寸、掺杂、氧化层厚度及其他影响器件值参数的微观波动。