晶体管测试仪简介

MT-105晶体管耐压测试仪使用说明书深圳鹏达电子科技有限公司一、简介MT-105晶体管耐压测试仪可测试各种晶体二极管、瞬态二极管、三极管、可控硅、场效应管的正向、反向击穿电压耐压值；能测试稳压二极管的稳压值。

仪表为便携式设计，体积小、重量轻、自动量程、功能强、操作均采用无锁按键和遥控操作、上位机软件操作并可以保存测试数据（MT-105通信版），使用方便可靠，实用性强，适用于从事电子技术的实验人员、调试人员、维修人员、采购人员、销售人员及无线电爱好者。

还适用于电子电器产品生产厂家作为各类电子元器件批量检测之用。

二、面板功能介绍①：仪器电源开关，使用时请把开关打开，不使用请把开关关闭，避免电池耗电。

②：HV高压测试键，把被测试的器件引脚放进对应的测试槽后，按下测试键。

③：测试高压工作指示灯，按下测试键测试时，此指示灯会亮，表示高压工作中。

④：测试槽的1脚（黄色标记）HV-（GND地）⑤：测试槽的2脚（黄色标记）N型管的控制信号LG⑥: 测试槽的2脚（红色标记）P型管的控制信号HG⑦：测试槽的3脚（红色标记）HV+（高压输出HV）⑧: 充电指示灯，充电中此LED等亮，等充满电此指示灯灭，充电自动控制⑨：USB接口，充电与通信接口，可以接在电脑USB接口上，可以边通信边充电 ⑩: 仪器的显示屏，采用1602，LCD屏，显示清楚美观省电耐用三、使用操作说明打开开关，仪器屏幕显示官方网站和型号名称：“ MT-105 HV Tester”显示3秒后进入测试画面（没有任何测试操作）显示：“Bat:4424mv MT-105 HV Tester”。

按键操作：把待测试的元件放入对应的引脚后，按下测试键进行测试遥控操作：把待测试的元件放入对应的引脚后，按下遥控器播放键，可以进行测试遥控器只有2个按键有用，一个是高压测试键，另外一个是返回清屏键软件上位机操作可以测试和保存测试数据四、主要经典（重要项目）测试方法1、二极管测试方法，有两种VB R和U F电压，如下图1和图2所示图1 图22、三极管NPN的测试方法，有BVces和BVcer的反向击穿电压（耐压）测试，如下图3和图4所示图3 图43、三极管PNP的测试方法，有BVces和BVcer的反向击穿电压（耐压）测试，如下图5和图6所示图5 图64、N沟道的M O S管的测试方法，有BVdss和BVdsr的反向击穿电压（耐压）测试，如下图7和图8所示图7图85、P沟道的M O S管的测试方法，有BVdss和BVdsr的反向击穿电压（耐压）测试，如下图9和图10所示图9图105、可控硅的单、双向的测试方法，V RR M的反向击穿电压（耐压）测试，如下图11和图12所示图11 图12五、多种测试类型管的不同接法1、NPN管的8种击穿电压接法：以下是NPN三极管的8种测试电压的接法，BVceo、BVc b o、BVe b o、BV b eo、BVcer、BVces、BVce x、的击穿电压测试方法：（1）、BVceo：晶体管反向击穿电压；基极开路,集电极－发射极反向击穿电压接法：NPN管基极B开路（悬空），集电极C接测试槽3，发射极E接测试槽1，这时测试的就是反向击穿电压。

晶体管直流参数测试仪的妙用河南省高级煤炭技工学校马武刚从事电子维修的专业技术人员，大体上都拥有晶体管直流参数测试仪。

该仪表不仅能够测试各类二、三极管、可控硅、场效应管的正反向电压、正向饱和压降、放大倍数、反向漏电流等多种直流参数，还能够测试电容的耐压值；不仅能够测试压敏电阻的爱惜电压值，而且能够测试氖泡、霓虹灯管的起辉电压值。

可是，以彩色电视的故障为例。

大多数故障发生在电源和行扫描部份。

行扫描电路显现故障，常使行管损坏或造成“三无”故障。

造成“三无”故障的缘故尽管很多，但最难判定的是高压包匝间短路。

若是能用简便、直观的方式，开路或在路判定出高压包是不是存在匝间短路，无疑会对检修造成极大的便利。

本人利用云峰牌JD6909-B晶体管直流参数测试仪稍作改动，不仅实现了以上目的，而且关于高压包次级负载是不是有短路也能进行准确判定。

由于开关电源与行扫描电路工作原理有相同的地方，因此本方式对检修开关电源也一样适用。

改制灵感：行扫描电路工作频率为15625Hz，高压包显现匝间短路或次级负载短路，将必然造成高压包低级电流过大而烧坏行管。

假设能在高压包低级施加一个与行频相近的小功率交流电，则既可幸免烧坏行管，又能判定出高压包及负载是不是存在短路。

在利用晶体管直流参数测试仪（以下简称测试仪）时，每次按下测试开关，就能够听到“吱---”的叫声，说明测试仪内部有一个自激振荡电路。

故能够尝试用测试仪内部的自激振荡电路产生的脉冲电压加至高压包低级，用以测试高压包是不是存在短路。

测试仪内部相关电路原理：由于需要的是测试仪内部产生的交流脉冲信号，故仅对自激振荡电路部份进行分析。

依如实物，绘制出电路如图：图中K为反压测试按钮V BR，R一、Q1、L一、L2组成自激振荡电路，D1、D2、D3与C一、C二、C3、C4、C五、C6组成倍压整流电路，D4为次级线圈L4的整流电路。

在次级空载的情形下，测试L4两头的输出电压为250V p-p，频率约为5000Hz。

晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。

在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。

在一次测试完成后，如果没有检测到器件。

长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。

当需要从某个功能里退出时，则长按开关。

●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。

这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。

经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。

测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。

如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。

要再一次测试则按一次开关。

测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。

●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。

校准分为快速校准和全功能校准。

快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。

屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。

晶体管图示仪的测试原理晶体管图示仪是一种用于测试和分析晶体管性能的仪器。

它通过对晶体管进行电流-电压（I-V）特性曲线的测量，来评估晶体管的工作状态和性能。

晶体管图示仪的测试原理主要包括以下几个方面：1. 电流-电压特性测量：晶体管图示仪通过在晶体管的基极、发射极和集电极之间施加不同的电压，测量晶体管的电流-电压特性曲线。

这些特性曲线可以显示晶体管的工作区域、饱和区、截止区等工作状态，以及晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。

2. 输入输出特性测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的输入输出特性。

输入特性是指在给定的集电极电压下，测量晶体管的基极电流与基极电压之间的关系；输出特性是指在给定的基极电流下，测量晶体管的集电极电压与集电极电流之间的关系。

通过测量输入输出特性，可以评估晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。

3. 频率响应测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的频率响应特性。

频率响应是指晶体管在不同频率下的放大倍数和相位差。

通过测量频率响应，可以评估晶体管的截止频率、增益带宽等性能参数。

4. 功率测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的功率特性。

功率特性是指晶体管在不同电压和电流下的功率输出。

通过测量功率特性，可以评估晶体管的最大功率输出、效率等性能参数。

晶体管图示仪的测试原理基于电子学和半导体物理学的基本原理。

晶体管是一种半导体器件，其工作原理基于PN结和场效应晶体管的原理。

晶体管图示仪通过施加不同的电压和电流，可以改变晶体管的工作状态，从而测量和分析晶体管的性能。

总之，晶体管图示仪通过测量晶体管的电流-电压特性、输入输出特性、频率响应特性和功率特性，来评估晶体管的工作状态和性能。

它是一种重要的测试仪器，用于研究和开发半导体器件、电子电路和通信系统等领域。

294数显晶体管直流参数测试仪
邱水顺
【期刊名称】《电子世界》
【年(卷),期】1994(000)012
【摘要】294数显晶体管直流参数测试仪是一种更新换代产品,它比295指针式晶体管直流参数测试仪(见本刊1991年第1期)量程宽,线性好,可直读、准确度分辨率高,体积小,重量仅500克。

它不仪能测试二极管、三极管、稳压管、发光二极管,而且还能测试场效应管,可控硅和触发管,甚至还能测压敏电阻保护值,氖泡起辉值,电容耐压等直流参数。

【总页数】1页(P26)
【作者】邱水顺
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】TN32
【相关文献】
1.JL294-3型晶体管直流参数测试表的测试方法 [J], 武丽仙
2.晶体管参数测试仪的设计 [J], 张明英
3.数显摩托车继电器参数测试仪的研制 [J], 高友;赵伟
4.晶体管参数的测量方法和测试仪器 [J], 柴振明
5.单片机控制的晶体管管芯直流参数自动测试仪 [J], 季菊
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晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪是一种用于测试晶体管性能和功能的设备。

以下是晶体管测试仪的使用方法：
1. 准备工作：
- 确保晶体管测试仪的电源已接通并处于工作状态。

- 将待测试的晶体管正确插入测试仪的测试座，并确保与测试仪的接口连接牢固。

2. 设置测试参数：
- 通过测试仪的控制面板或操作界面，设置需要测试的参数，如电压、电流、频率等。

这些参数根据测试需求和晶体管规格进行设置。

3. 进行测试：
- 将测试仪的测试电源接通，并调整到适当的电压、电流或频率值。

- 开始测试时，观察测试仪的显示屏或指示灯，确保测试仪正常工作。

- 确保测试过程中晶体管没有异常现象，如短路、过载等。

如果发现异常，及时停止测试并检查故障原因。

4. 结果分析：
- 将测试仪测量得到的数据记录下来，包括电压、电流、频率等。

- 根据测试结果进行分析，判断晶体管的性能和功能是否符合要求。

常见的
测试项目包括开关特性、放大特性、输入输出特性等。

5. 维护保养：
- 测试完成后，及时关闭测试仪的电源，并进行清洁和保养。

如清除灰尘、调整测试座位等，以确保下次测试的准确性和可靠性。

- 定期检查测试仪的各个部件和连接线，确保其正常工作和连接牢固。

请注意，以上是一般的晶体管测试仪使用方法，不同型号和品牌的测试仪可能会有一些细微的差异。

在使用前请仔细阅读测试仪的说明书，并遵循厂家提供的操作指南。

JY-3晶体管测试仪技术说明书杭州精源电子仪器有限公司JY-3晶体管测试仪技术说明书1.系统简介本测试仪具有对半导体器件常温测试，高温热测(不需要外加烘箱)，热敏参数的快速筛选取代直流满功率老炼三大功能，并可任意选用及组合使用。

晶体管热敏参数的快速筛选技术，是采用在短时间内(一般为数秒)对晶体管施加超稳态额定功率的办法，使晶体管的结温迅速接近或达到最高允许结温TjM，通过快速检测晶体管热敏参数V BE、I CEO（或I CBO）和h FE ,及其在加功率前后的变化量、变化率△V BE、I CEOH和△h FE％，并以此为失效判据参量，淘汰超标的晶体管，达到剔除早期失效器件，改善产品批的质量和可靠性的目的，同时，所施加的超稳态额定功率模拟了被试管实际使用时可能出现的浪涌电压、电流等应力，以考核被试管承受冲击的能力。

该快速筛选方法不仅能替代直流满功率老炼，快速剔除有潜在缺陷的器件，而且更加科学合理，并已列为行业标准SJ／T10415—93及国军标GJB128A—97。

本测试仪不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛，而且可作常规直流参数测试仪器使用，具有足够的测试量程和精度，只要调用被测器件的型号，就能进入快速连续检测。

当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的瞬间，具有自动保护能力。

2.主要功能2.1可取代直流满功率老炼，每只器件整个老炼筛选过程（含测试）只需5秒左右。

2.2 能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三极管。

中文菜单式界面，操作简便。

2.3能一次性自动测试、筛选V BE、V BC、h FE1、h FE2、I CEO、I CBO、I EBO、V（BR）CEO、V、V（BR）EBO、V CES、V BES的常温、高温值及常温与高温值变化量或变化率。

（BRCBO并能任意选测全部或部分参数；若只选测常温参数，每只器件只需1秒多。

h FE1、h FE2可以自动分10档。

2.4 可任意设定器件型号、测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式任意修改、调用。

晶体管直流参数测试仪DY294概述晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。

它可以测量晶体管的静态参数，如基极-发射极电压，基极-集电极电压，集电极-发射极电流等。

该仪器适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。

技术参数参数数值基极-发射极电压0~40V基极-集电极电压0~40V集电极-发射极电流0~100mA基极-发射极电流0~10mA电源电压AC220V±10%工作温度-10℃~+40℃相对湿度≤70%RH使用方法准备工作1.检查DY294的供电电压是否为AC220V±10%；2.检查DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.连接测量被测晶体管的电源和四根测试线。

测试线颜色测试线接口被测管脚编号黄色BASE1红色COLLECTOR2黑色EMITTER3绿色BATTERY-测试流程1.接通DY294的电源开关；2.调节TEST SELECTOR旋钮，使其与被测晶体管对应的参数相符（如测试NPN晶体管的集电极-发射极电流，则将TEST SELECTOR旋钮拨至ICE）；3.轻轻按下TEST未装置开关，测得被测晶体管的电参数。

注意事项1.测量前请先确认DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符；2.测量前请先确认DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.测量前请先确认被测晶体管是否已正确连接测试线；4.测量前请先确认DY294的TEST SELECTOR旋钮是否与被测晶体管对应的参数相符；5.测量时请轻轻按下TEST未装置开关，以保证测量结果的准确性；6.测量完毕，请关闭DY294的电源开关，并断开电源线和测试线。

总结晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。

该仪器具有测量范围宽，测量精度高，操作简单等优点，适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。

在测量前请注意DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符，以及DY294的工作温度是否在规定范围内，以保证测量结果的准确性。

晶体管测试仪使用方法晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。

晶体管测试仪可以帮助我们了解晶体管的工作状态和参数，从而判断其是否正常工作，以及是否符合设计要求。

下面是晶体管测试仪的使用方法的详细介绍。

首先，使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料。

除了晶体管测试仪本身外，还需要晶体管样品和连接晶体管的测试电路。

同时还需要一些测试引线和测试探头。

在使用晶体管测试仪之前，我们需要确保仪器和测试电路的电源已经连接好，并检查各个连接口和电源线是否牢固。

接下来，我们可以按照以下步骤来使用晶体管测试仪。

第一步是将待测的晶体管样品插入晶体管测试仪的测试插槽中。

在插入之前，需要先检查晶体管的引脚是否正确对应测试插槽的引脚。

插入晶体管后，要确保其引脚与测试插槽的引脚有良好的接触。

接下来，我们可以选择所需的测试模式和测量范围。

晶体管测试仪通常具有多种测试模式和测量范围可供选择，以适应不同类型和参数的晶体管。

通过仪器面板上的旋钮或按钮，我们可以选择所需的测试模式和测量范围，并通过仪器上的显示屏来查看测试结果。

在选择测试模式和测量范围之后，我们需要根据具体的测试要求和参数设置一些测试条件。

例如，我们可以设置测试的输入电压或电流的大小，以及测试的频率范围等。

这些测试条件可以通过仪器上的按钮或旋钮进行设置。

接下来，我们可以启动晶体管测试仪，并进行测试。

在测试过程中，我们需要仔细观察仪器上显示的测试结果，并记录下来。

同时，我们还可以通过仪器上的其他功能和参数来了解晶体管的更多信息，如输出功率、增益、频响等。

最后，在测试完成后，我们需要通过仪器上的按钮或旋钮来停止测试，并将测试结果进行保存和记录。

同时，还需要将晶体管从测试插槽中取出，并确保其他连接线和测试电路的电源已经关闭。

总结一下，晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。

在使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料，并确保仪器和测试电路的电源已经连接好。

XJ4810晶体管特性图示仪说明书晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。

用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。

下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。

图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示：1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。

2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。

3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。

4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。

5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。

当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。

AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。

6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。

为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。

7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。

8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。

9. 电源指示：接通电源时灯亮。

10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。

11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。

晶体管测试仪原理
晶体管测试仪是用于测试晶体管电性能的一种仪器。

它可以通过测量晶体管的电流放大倍数、漏极电流以及电流增益等指标来评估晶体管的工作状态和性能。

实现这些测试的原理主要包括以下几个方面。

首先，晶体管测试仪需要提供适当的电源电压和电流，以确保晶体管工作在正常的工作电压和电流范围内。

在测试时，晶体管通常会被连接到测试仪上，并通过适当的电路被驱动。

适当的电源电压和电流可以通过测试仪的控制面板或者控制程序进行设置。

其次，晶体管测试仪需要提供适当的测量电路来测量晶体管的电流放大倍数和漏极电流。

这通常通过建立一个特定的电路来实现，该电路包含了适当的电阻和电压测量装置。

在测试时，测量电路会将晶体管的输入信号和输出信号与适当的电阻相连，并通过电压测量装置来测量电阻上的电压。

根据欧姆定律和基尔霍夫定律，可以通过测量电压和电阻值来计算晶体管的电流放大倍数和漏极电流。

最后，晶体管测试仪可以通过适当的数据处理和显示装置来分析和显示测试结果。

数据处理通常涉及计算和记录测试结果，并将其显示在仪器的显示屏上。

这样，测试人员可以直观地了解晶体管的工作状态和性能。

总之，晶体管测试仪通过提供适当的电源和测量电路，以及数据处理和显示装置，可以实现对晶体管电性能的测量和评估。

这些测试的原理主要是基于电流和电压的测量，通过计算和分析来得出晶体管的工作参数。

Tek370A晶体管测试仪使用入门1.仪器简介2.测量npn三极管80503.测量pnp三极管2N44034.测量nmos管2N505.测量pmos管irf96306.测量达林顿晶体管TIP1271.仪器简介370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。

下图为此仪器操作面板：（1）：调整显示的x轴和y轴坐标间隔，在三极管输出特性中为调整Vce和Ic；（2）：调整扫描最大功率及最大电压，测试时需要设置合适的范围，否则可能烧坏器件；（3）：调整扫描的步距，在三极管输出特性中关于不同的Ib进行扫描，可设置包括电源种类（电源或电流）、扫描步数、工作点偏移、极性（n型、p型）、细分等；（4）调整图像位置及为图像做标记；（5）设置触发方式（单次触发、连续触发），在测试大功率器件时需要使用单次触发，否则可能导致芯片过热。

注意：1）测试中需要将左边output打开；2）测试时测试芯片盖子应盖牢；3）管脚位置不应放错；4）大功率测试时需将上图（5）调整为single模式；将STEP GENERATOR下的PULSE调整为short进行调试，在这种条件下仅扫描设定的点数，否则连续扫描两次可能将器件烧坏。

5）测量pnp或pmos时需要将COLLECTORY SUPPLY下POLARITY调整为。

6)上图（4）右侧position设置中，选择为DISPLAY可以调整图像绝对位置，为观看方便，可将n型（npn、nmos）调整为偏置1格，测量P型（pnp、pmos）图像方向相反，需将图像绝对位置添加负偏置，具体数值根据需要调整，另外上下键一起按可以将纵坐标方向偏置调为0，左右键一起按可以将横坐标方向偏置调为0。

POSION设置中选择为CURSOR，可以调整图像中光斑（亮点）的位置，标记点具体数值可以在图中读出。

按POSITION栏下左、右键可以调整光斑位置，光斑位置的调整与仪器扫描次序一致，即连续按右键、光斑会一直向右移动至设定的最大功率点后依次返回，之后再移至更高的基极电流（栅极电压）曲线，按左键则效果相反。

目 录使用须知．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．2 安全注意事项．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3 概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 主要技术指标．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 使用说明．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5 使用范例．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10 维修指南．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15 装箱单．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．16使用须知WQ4832型晶体管特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。

本仪器采用晶体管与集成电路混合线路，具有功耗低、电流容量大、重量轻等特点，是半导体研究及应用领域必不可少的测试工具。

用户在使用本仪器之前应熟悉以下注意事项，以保证仪器的正常使用。

1．“功耗限制电阻”作用大，除了测量饱和电压（如U CER）及最大电流（如I CM）外，一般应将“功耗限制电阻”置于较大值（≥1KΩ），这样既保护了被测管不至电流过载，又可防止由于被测管击穿后导致仪器损坏，在测量击穿电压时更应注意。

2．按“峰值电压范围”需特别注意，一般情况下应与“电压/度”开关相配合： “峰值电压范围”U C档级 “电压/度”应放置位置5V ≥500mV/度50V ≥5V/度100V ≥10V/度500V ≥50V/度5KV 500V/度如需要低于上述量程，应首先将“峰值电压”调至0，再徐徐加大。

在测试中，当输出峰值电压较大时，请勿触摸C极与管子外壳，以免遭电击。

晶体管测试仪原理晶体管测试仪是一种专门用于测试晶体管的电子设备。

它通过对晶体管的各种参数进行测试，能够检测晶体管的质量、性能和可靠性等方面的指标，为后续的工作提供数据支持。

那么，晶体管测试仪的具体原理是什么呢？晶体管测试仪的原理主要涉及到两个方面：电路方面和测试原理方面。

首先，我们来讲一下电路方面的原理。

晶体管测试仪的电路主要由信号源、放大器、滤波电路、比较器、自动控制电路和数码显示等组成。

信号源产生输入信号，经过放大器放大后，输入到待测的晶体管中，从而得到待测晶体管的输出信号。

将待测晶体管的输入和输出信号进行比较并进行测量，通过数字显示器直接输出测量结果，以此来确定晶体管的品质和性能等指标。

其次，我们来讲一下测试原理方面的原理。

晶体管测试仪主要通过测试晶体管的电流放大系数、截止频率、输出阻抗、漏电流、饱和电流等指标来评估晶体管的性能。

其中，电流放大系数是指用晶体管输出电流除以输入电流得到的比值；截止频率是指在特定的电压条件下，输入电信号的频率达到一定值时，输出信号的衰减达到一定的程度；输出阻抗是指在特定的电流和电压条件下，晶体管的负载电路看到的等效输入阻抗；漏电流是指在截止状态下，晶体管的电流流入基极电路的电流；饱和电流是指在饱和状态下，晶体管的电流大小。

为了进行精确测量，晶体管测试仪会使用一些特殊的测试方法，比如交流放大器、锁相放大器、桥式电路和自动测试等。

其中，交流放大器可以将输入信号和晶体管输出信号进行放大，并可以消除信号中的直流分量；锁相放大器可以通过相位差的检测来提高信号的灵敏度；桥式电路可以消除电阻温度系数、漂移等影响；自动测试可以提高测试的准确性和效率，自动完成测试过程。

综上所述，晶体管测试仪通过信号源、放大器、滤波电路、比较器、自动控制电路和数码显示等组成的电路，结合使用交流放大器、锁相放大器、桥式电路和自动测试等特殊测试方法，进行对晶体管的电流放大系数、截止频率、输出阻抗、漏电流、饱和电流等指标的精确测量，在数字显示器上直接输出测量结果，从而评估晶体管的品质和性能等指标。

JY-3晶体管测试仪技术说明书杭州精源电子仪器有限公司JY-3晶体管测试仪技术说明书1.系统简介本测试仪具有对半导体器件常温测试，高温热测(不需要外加烘箱)，热敏参数的快速筛选取代直流满功率老炼三大功能，并可任意选用及组合使用。

晶体管热敏参数的快速筛选技术，是采用在短时间内(一般为数秒)对晶体管施加超稳态额定功率的办法，使晶体管的结温迅速接近或达到最高允许结温TjM，通过快速检测晶体管热敏参数V BE、I CEO（或I CBO）和h FE ,及其在加功率前后的变化量、变化率△V BE、I CEOH和△h FE％，并以此为失效判据参量，淘汰超标的晶体管，达到剔除早期失效器件，改善产品批的质量和可靠性的目的，同时，所施加的超稳态额定功率模拟了被试管实际使用时可能出现的浪涌电压、电流等应力，以考核被试管承受冲击的能力。

该快速筛选方法不仅能替代直流满功率老炼，快速剔除有潜在缺陷的器件，而且更加科学合理，并已列为行业标准SJ／T10415—93及国军标GJB128A—97。

本测试仪不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛，而且可作常规直流参数测试仪器使用，具有足够的测试量程和精度，只要调用被测器件的型号，就能进入快速连续检测。

当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的瞬间，具有自动保护能力。

2.主要功能2.1可取代直流满功率老炼，每只器件整个老炼筛选过程（含测试）只需5秒左右。

2.2 能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三极管。

中文菜单式界面，操作简便。

2.3能一次性自动测试、筛选V BE、V BC、h FE1、h FE2、I CEO、I CBO、I EBO、V（BR）CEO、V、V（BR）EBO、V CES、V BES的常温、高温值及常温与高温值变化量或变化率。

（BRCBO并能任意选测全部或部分参数；若只选测常温参数，每只器件只需1秒多。

h FE1、h FE2可以自动分10档。

2.4 可任意设定器件型号、测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式任意修改、调用。