西南交通大学2007年电力电子技术真题

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

一、填空题（11 小题，每空0.5分，共22 分）1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。

2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类；1) 的电力电子器件被称为半控型器件，这类器件主要是指及其大部分派生器件。

2) 的电力电子器件被称为全控型器件，这类器件品种很多，目前常用的有和。

3) 的电力电子器件被称为不可控器件，如。

3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义，在空格处填写该参数的名称。

4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，在中小功率领域应用最为广泛的是___________。

5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节，一般采用光隔离，例如；或磁隔离，例如。

6、缓冲电路又称为吸收电路，缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。

其中缓冲电路又称为du／dt 抑制电路，用于吸收器件的过电压。

缓冲电路又称为di／dt抑制电路，用于抑制器件时的电流过冲和di／dt，减小器件的损耗。

7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路，当负载分别为电阻负载和电感负载时，晶闸管的控制角移相范围分别是多少（用角度表示，如0°～180°）？8、在单相全控桥式电阻-反电动势负载电路中，当控制角α大于停止导电角δ时，晶闸管的导通角θ=_____________。

当控制角α小于停止导电角δ时，且采用宽脉冲触发，则晶闸管的导通角θ=_____________。

9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多，因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。

换流方式可分以下四种： ， ，， 。

10、正弦脉宽调制（SPWM ）技术运用于电压型逆变电路中，改变 _可改变逆变器输出电压幅值；改变 _ _可改变逆变器输出电压频率；改变_ _可改变开关管的工作频率。

2007年度全国勘察设计注册电气工程师（供配电）执业资格考试试卷专业基础考试住房和城乡建设部执业资格注册中心命制人力资源和社会保障部人事考试中心印制二○○七年九月一、单项选择题（共60题，每题2分。

每题的备选项中只有一个最符合题意。

） 1. 图示电路中电流I 为下列哪项数值？（ ）（高频考点，第11页）（A ）-1A （B ）2A （C ）-2A （D ）3A 答案：A解题过程：根据图可得：A I VI VI V I V I 116161765248-==-=-+---。

2. 若电路中H L 4=，pF C 25=时恰好有C L X X =，则此时频率f 为（ ）kHz 。

（高频考点，第43页）（A ）15.92 （B ）16 （C ）24 （D ）36 答案：A解题过程：因为C L X X =，电路产生振荡，振荡角频率为：f LC πω21011025411512=⨯=⨯⨯==-，求得频率为：kHz f 915.15=。

3. 电阻为300Ω的信号源通过特性阻抗为36Ω的传输线向25Ω的电阻性负载馈电，为达到匹配的目的，在传输线与负载间插入一段4/λ的无损耗传输线，该线的特性阻抗应为（ ）。

（高频考点，第85页）（A ）30Ω （B ）150Ω （C ）20Ω （D ）70Ω 答案：A解题过程：Ω=Ω⨯==303625/CL C Z Z Z4. 图示电路中，H L L 1021==，F C μ1000=，M 从0变到8H 时，谐振角频率的变化范围是：（ ）。

（高频考点，第41页）（A ）s rad /1410~10 （B ）s rad /~0∞ （C ）s rad /67.16~10 （D ）不能确定答案：C解题过程：根据图可得：2111)1(MI j CjL j R I U ωωω+-+=， 2210I L j MI j ωω+=，推出122I L MI -=。

则：21121111)1(L MM C L I L M M j C jL j R I U ⨯+=⇒⨯--+=ωωωωωω )(111221222122221221M L L C L M L L L C C L M L C L M L -=-⨯==⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=-ωωωωωωω 当H L L 1021==，F C μ1000=，M =0时，10100)0100(001.010)(2212==-=-=M L L C L ω当H L L 1021==，F C μ1000=，M =8时，67.16036.010)64100(001.010)(2212==-=-=M L L C L ω5. 图示电路，()V u c 1001=-，()V u c 002=-，当0=t 时闭合开关S 后，1c u 应为（ ）。

2007年（上）高等教育自学考试全国统一命题考试模拟、数字及电力电子技术试卷及答案详解第一部分选择题一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1．测得NPN型三极管三个电极的电位分别为U C=3．3V，U B=3．7V，U E=3V，则该管工作在( )A．放大区B．截止区C．饱和区D．击穿区2．理想运放组成的电路如题2图所示，其电压放大倍数为( )A．－10 B．11 C．10 D．－11题2图3．要提高放大电路的负载能力，可采用( )A．串联负反馈B．并联负反馈C．电流负反馈D．电压负反馈4．桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为20V，则输出直流电压为( )A．9V B．18V C．24V D．28V5．逻辑函数的最简与或式为( )6．逻辑函数的标准与或式为．( )A．∑(0,1,3,5,7) B．∑(1,2,4,5,6)C．∑ (0,2,3,6,7) D．∑ (1,3 4,6,7) 7．逻辑函数F(A，B，C，D)=∑(O，2，5，7，8，10，13，15)的最简与或非式为( )8．逻辑函数F(A，B，C，D)=∑(4，5，6，12，13，14)，其约束条件为BC =0，则最简与或式为( )9．题9图为TTL逻辑门，其输出F为( )题9图10．题10图为触发器的状态图，该触发器为( )题10图11．题11图中触发器的次态Q n+1为( )题11图12．为了将三角波变换为同频率矩形波，应选用( )A．计数器B．单稳态触发器C．施密特触发器D．多谐振荡器13．晶闸管SCR的导通条件是( )A．u ak＞0 u gk＜0 B．u ak＜0 u gk＜0 C．u ak＞0 u gk＞0 D．u ak＜0 u gk＞0 14．三相半波相控整流电路带电阻性负载，电源电压有效值为U2，则晶闸管SCR在电路中承受的最大反向电压为( )15．将固定的直流电压变成可调的直流电压称为( )A．整流B．斩波C．变频D．逆变第二部分非选择题二、填空题（本大题共10小题，每小题1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。

北京交通大学学生考试试题课程名称：电力电子技术（A卷）2009 –2010学年2学期出题：课程组一、单选题（每题2分，共20分）1、下列功率器件中，哪种器件最适合于小功率、高开关频率的变换器？①SCR ②IGBT ③MOSFET ④IGCT2、在单相全控桥带大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为：①0.707U2②1.414U2③0.9U2④3.14U23、对三相半波可控整流电路电阻性负载来说，触发脉冲的移相范围是：①0︒~90︒②0︒~120︒③0︒~150︒④0︒~180︒4、下列哪个电路不能实现输入输出之间的能量双向流动：①PWM整流电路②无源逆变电路③交交变频电路④BUCK电路5、单端反激变换器是①BOOST变换器的派生电路②BUCK变换器的派生电路③丘克变换器的派生电路④BUCK—BOOST变换器的派生电路6、在谐振变换器中，ZVS表示①零电压开关②零电流开关③硬开关④PWM开关7、采用并联缓冲吸收电路的目的是为了①减小导通损耗②减小关断过电压③实现开关器件的并联④实现软开关8、在晶闸管串联电路中，实现动态均压的主要元件是：①二极管②电感③电阻④电容9、晶闸管交流调压电路采用以下哪种控制方式：①相位控制②周期控制③通断控制④斩波控制10、在下列哪个电路中采用晶闸管时，需要加入强迫关断电路：①相控整流电路②有源逆变电路③无源逆变电路④交交变频电路二、判断题，正确的划“√”，不正确的划“×”（每题2分，共10分）（注意：每个小题后面有4个判断，答对4个判断得2分；答对3个判断得1分；其它不得分）1、三相电压型无源逆变器，每相桥臂由上下两个开关器件构成，下列哪些说法正确？①输出电压波形与负载性质有关（）②可以采用同步调制，也可以采用异步调制（）③可以采用方波控制，也可以采用PWM控制（）④桥臂上下两个开关器件换相时，在控制上应的控制需遵循“先断后开”的原则（）2、在带有大电感负载且触发角相同的情况下，单相全控桥电路与单相半控桥电路相比：①全控桥的输出电压平均值低于半控桥（）②全控桥的功率因数低于半控桥（）③全控桥负载电流连续而半控桥负载电流不连续（）④都会存在失控现象（）3、Boost DC—DC变换器：①工作状态（连续或断续）是根据负载电流的情况定义的（）②在连续工作状态下，输入电流是连续的（）③电感的作用是储能和滤波（）④又可称降压斩波器（）4、在谐振变换器中，下列哪些说法是正确的？①零电压开关、零电流开关都属于软开关（）②软开关的开关损耗比硬开关大（）③软开关的开关频率可以比硬开关高（）④软开关的电压、电流应力与硬开关相同（）5、晶闸管相控整流电路，考虑交流侧电抗时存在换相重叠角，其大小与许多因素有关：①直流负载电流越大，换相重叠角越大（）②输入变压器漏抗越大，换相重叠角越大（）③交流输入电压越大，换相重叠角越大（）④触发角α越大，换相重叠角越大（）三、简答题（共20分）1、如图所示交－直－交系统电路图， （1）简要说明图中各个变流器的作用；（2）当负载电机工作在发电状态时，说明该变流系统中的能量传递路径。

北京交通大学学生考试试题课程名称：电力电子技术（A 卷） 2009 –2010学年 2学期 出题：课程组一、单选题（每题2分，共20分）1、下列功率器件中，哪种器件最适合于小功率、高开关频率的变换器？① SCR② IGBT③ MOSFET ④ IGCT2、在单相全控桥带大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为：① 0.707U 2② 1.414U 2③ 0.9U 2④ 3.14U 23、对三相半波可控整流电路电阻性负载来说，触发脉冲的移相范围是：① 0︒~90︒② 0︒~120︒③ 0︒~150︒ ④ 0︒~180︒4、下列哪个电路不能实现输入输出之间的能量双向流动：① PWM 整流电路 ② 无源逆变电路 ③ 交交变频电路 ④ BUCK 电路5、单端反激变换器是① BOOST 变换器的派生电路 ② BUCK 变换器的派生电路③ 丘克变换器的派生电路 ④ BUCK —BOOST 变换器的派生电路6、在谐振变换器中，ZVS 表示① 零电压开关② 零电流开关③ 硬开关 ④ PWM 开关 7、采用并联缓冲吸收电路的目的是为了① 减小导通损耗 ② 减小关断过电压 ③ 实现开关器件的并联 ④ 实现软开关 8、在晶闸管串联电路中，实现动态均压的主要元件是：① 二极管② 电感③ 电阻 ④ 电容9、晶闸管交流调压电路采用以下哪种控制方式：① 相位控制② 周期控制③ 通断控制 ④ 斩波控制学院 班级 学号 姓名 ------------------------------------装 -------------------------------------------------------------------订--------------------------------------线-----------------10、在下列哪个电路中采用晶闸管时，需要加入强迫关断电路：①相控整流电路②有源逆变电路③无源逆变电路④交交变频电路二、判断题，正确的划“√”，不正确的划“×”（每题2分，共10分）（注意：本题共有5个小题。

单项选择题1、从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为（）。

1. 控制角▽2. 延迟角3 •滞后角4.重輕角2、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）1. 导通状态2. 关断状态23. 饱和状态4. 不定3、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为 ______________________________ o1. 700V 92. 750V3. 800V4. 850V4、快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是__________1. 功率晶体管2. IGBT3. 功率MOSFET4. 晶闸管V5*5、三相半波可控整流电路的自然换相点是1. 交流相电压的过零点2. 本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处93. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°4. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°6、在一般可逆电路中，最小逆变角B min选在下面那一种范围合理1. 30°-35° 92. 0°-15°3. 0°-10°4. 0°7、可实现有源逆变的电路为_____________________1. 三相半波可控整流电路22. 三相半控桥整流桥电路3. 单相全控桥接续流二极管电路4 .单相半控桥整流电路8、晶闸管触发电路中，若改变_____ 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。

1. 同步电压2. 控制电压23. 脉冲变压器变比4. 控制电流时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于9、a 为 _____连续和断续的临界状态。

1. 0度2. 30 度"3. 60 度4. 90 度10、单相全控桥式有源逆变电路，控制角为a,则输出电压的平均值为（）1. Ud=1.17U2cosa2・ Ud=0.9U2COsa :3. Ud=-2.34U2cosa4. Ud=0.45U2cosa11、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（）1. 分流2. 降压3. 过电压保护94. 过电流保护12、在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波，使之成为鞍形波的目的在于（）1. 消除谐波分量2. 包含幅值更大的基波分量93. 减少开关次数4. 削弱直流分量13、下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（1. P-MOSFET2. SIT3. GTR 24. IGBT14、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为1. 157A2. 100A 93. 80A4. 246.5A15、在PWM斩波方式的开关信号形成电路中，比较器反相输入端加三角波信号,同相端加（）1. 正弦信号2. 方波信号3. 锯齿波信号4. 直流信号916、可在第一和第四象限工作的变流电路是（）1. 三相半波可控变流电路22. 单相半控桥3. 接有续流二极管的三相半控桥4. 接有续流二极管的单相半波可控变流电路17、IGBT是一个复合型的器件，它是（）1. GTR 驱动的MOSFET2. MOSFET 驱动的GTR&"160; P3. MOSFET驱动的晶闸管4. MOSFET 驱动的GTO18、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是（）1. 输出负载电压与输出负载电流同相2. a的移项范围为0°<a<180°3. 输出负载电压U0的最大值为U14. 以上说法均是错误的919、降压斩波电路中，已知电源电压Ud二16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=1. 1ms2. 2ms3. 3ms4. 4ms20、有源逆变发生的条件为（）1. 要有直流电动势2. 要求晶闸管的控制角大于90度3. 直流电动势极性须和品闸管导通方向一致21、单相全控桥式整流电路电阻性负载中, 控制角的最大移相范围是（4. 以上说法都是对的W1. 90°2. 120° &T603. 150°4. 180° W22、逆变电路是一种（）变换电路:L AC/AC2. DC/AC 23. DC/DC4. AC/DC23、直流斩波电路是一种（）变换电路。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率围划分成若干频段，每个频段载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段，有（）晶闸管导通。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。