手机充电管理分析ppt课件

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负压保护及OVP
负压保护及OVP电路主要用来给充电模块提供负压保护和OVP保护，以防 止基带IC和充电模块在充电过程中由于高压而损坏。
负压保护电路：
V2400是一个PMOS管。当VCHG和GND正确接入时，寄生二极管导通， VS=VD-Vd，VSG>VTH，MOS管导通，导通后由于D和S间导通电阻很小（65 mΩ ），寄生二极管不导通。当VCHG和GND接反时，VG>VS，MOS无法导 通，达到了防反接的目的。
随着VBAT电压的变化，通过调整充电MOS管的栅极电压（BB端的GATEDRV输出 电压）来调整MOS管压降VDS（源漏极电压）， 通过 可以调整从而调整各阶段的充 电电流。
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充电类型判断
1、当充电中断发生，打开模拟开关，使DM通过100K上拉电阻连接到VUSB。检查DM 的电平：若DM为低，则为USB充电；若DM为高，则为标准充电器或非标准充电器。
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充电原理图
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引脚定义
CHRIN： 充电器插入检测，当此引脚电压高于VBAT+120mv时产生充电中断。 ISENSE： 精密电阻电压检测引脚（BB内部ADC输入引脚） BATSENSE：电池电压检测引脚（BB内部ADC输入引脚） BATDET： 电池插入检测。未插入电池时，此引脚被拉高，当电池插入时，此引脚被 电池内部热敏电阻拉低。 GATEDRV：充电MOS管栅极电压控制引脚，随着VBAT电压变化，BB端调节 GATEDRV电压来控制充电电流。
OVP电路：
当输入电压小于UVLO（欠压锁定值，3.25V）或者大于OVLO(过压锁定 值,6.02V)时，U2400会关断内部一个NMOS管，输出为0；当输入电压介于 UVLO及OVLO之间时，输出等于输入。

此台红米1S电信版的理论充电时间为 2000mAh÷630mA×1.5涓流充电时间系数≈4较之空载的5.29V， 降低了0.09V
输出的充电电流为0.75A，比粗线君高了0.12A，比短线君 低了近一倍在这种充电条件下，此台红米1S电信版的理论 充电时间为2000mAh÷750mA×1.5涓流充电时间系数 =4小时
不同长度充电器充电效果
陈莉
总长22.5CM， 线长16CM
总长120CM， 线长113CM
总长110CM， 线长104CM
爱克斯达（XTAR）VI01便携 型USB电压电流测试表
标称输出参数为5V 2.5A
将适配器君插入插座，再插上USB电压电流测试表 显示的空载电压为5.29V
电量在警戒值20%以下，亟需大电流充电的红米1S电信版
适配器君负载输出的电压为5.17V， 相对空载时的5.29V下降了0.12V
此台红米1S电信版标配2000mAh的电池，按照这种速度 充电，所需理论时间为2000mAh÷1450mA×1.5涓流充电 系数≈2.1小时
不过此时短线君两头金属部分发热相当明显，红米1S后侧也迅速开始发热
适配器君输出的电压为5.23V， 较之空载的5.29V仅下降了0.06V

根据SW分析，公司建立并维持自身的竞争优势
通过一定努力， 建立自身竞争 优势
竞争优势受到 削弱，寻找新 的策略增强自 身竞争优势
引起竞争者 注意，开始 作出反应
直接进攻企 业优势所在， 或采取更为 有力的策略
企业在维持竞争优势过 程中，必须深刻认识自 身的资源和能力，采取 适当的措施。因为一个 企业一旦在某一方面具 有了竞争优势，势必会 吸引到竞争对手的注意。
R20 1 KΩ
D3 R6
8 .2V 3 3K ( TRI M)
Q2 BC8 1 7 -2 5
C6 2 .2N
B
C11
I C1 TL4 3 1 A
R21
1 00 n F /50 V
R231 0Ω
2 2K Ω
B
R5 1 .5K Ω
R24 6 8K
R7 2 .4Ω
A
Title
A
S ize
N umb er
希姆通等。累计量产300万PCS 。
RCC方案电路图
1
2
3
4
D
D
L
R1
1 0Ω
2
N
C
D1
MB6 S
L1
4
1
3 30 u H
3
C1 4 .7u F /40 0 V
R12
C4 R11
C81 .5n F /40 0 V
C2
R2
1 0u6 F80/4K00ΩV
R9 1 50 K Ω
R10 1 50 K Ω C3
而影响企业竞争优势的持续时间，主要的是三个关键因素： （1）建立这种优势要多长时间? （2）能够获得的优势有多大？ （3）竞争对手作出有力反应需要多长时间？ 如果企业分析清楚了这三个因素，就会明确自己在建立和维持竞争优势中的地位了。

手机中MOS的使用场景分析
按照充电电路的器件的不同，将充电方式分为四种：PMOS、OVP、 BJT+NMOS、 BJT+PMOS。 1、PMOS控制的充电方式： 目前在MTK的MT6223、MT6235、MT6253和展讯平台所有平台中，都 是采用PMOS控制的充电方式。
MT6225
VDRV ISNS VBAT_SNS
0.1欧姆
手机中MOS的使用场景分析
• 这是高通平台上的充电电路，其中使用到 单路P-MOS。 • MOS作为电池电源开关，工作在可变电阻 区，功耗不大。 • 此电路中使用者最为关心的参数为：PD, ID, RDSON。 • 容易出现的问题：最大功率或电流不够。 • WILL对应的产品：WPM23413/TR,WPM1480-3/TR, WPM2301-3/TR。
VDRV ISNS BATSNS
0.2欧姆
手机中MOS的使用场景分析
BJT+NMOS的充电方式改变为脉冲充电，GATDRV由电压控制改 变为电流控制。 如右图所示“电池充电电流I1由流进 VDRV管脚的电流I2控制，假设PNP三极 管在放大区的放大倍数为200，需要450 mA的电池充电电流，那么手机平台内部 需要控制的电流为I2= 450mA/200=2.25 mA，并通过检测Rsense上的压降组成反 馈系统来控制充电电流。
手机中MOS的使用场景分析
4、BJT+PMOS方式 高通的平台充电部分一般采用的方式 为BJT+PMOS。不同的平台区别是PMIC内 部有没有集成BJT.其中QSC6270将BJT集 成在芯片内部。
QSC60X0/60X5/62X0/1100/1110
CHG_CTL ISNS_P ISNS_M BAT_FET_N