【CN209433405U】用于寄生参数提取的添加的版图单元【专利】

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finfet单元结构的寄生参数提取

finfet单元结构的寄生参数提取FinFET（Fin Field-Effect Transistor）是一种三维晶体管结构，其带来了新的寄生参数，需要进行提取和建模。

寄生参数是指在电路元件中存在且具有一定影响的电阻、电容和电感等参数。

对于FinFET单元结构，其中的寄生参数包括通道电阻、接触电阻、源/漏接触电阻、栅氧电容、外延电阻等，下面将对这些寄生参数进行详细的提取方法进行介绍。

首先，通道电阻是FinFET单元结构中的一个重要寄生参数。

它影响了传输特性和输出特性的性能。

常用的提取方法是基于建模和测量的结合。

在建模方面，可以使用二维有限元方法或二维瞬态电流导数方法进行计算模拟。

而在测量方面，可以通过量测终端I-V曲线和直流注入方法进行实验测量。

通过这些方法可以获得通道电阻的数值和变化规律。

其次，接触电阻是FinFET单元结构中的另一个重要寄生参数。

它影响了信号传输的稳定性和速度。

接触电阻的提取方法可以分为电学方法和物理方法两种。

电学方法主要通过测量接触电阻的电流-电压关系，如线性插值法或基于界面Hamiltonian的方法。

而物理方法主要通过X射线能谱学和原子力显微镜技术等手段进行非接触测量。

这些方法可以获得接触电阻的数值和分布情况。

此外，源/漏接触电阻也是需要提取的寄生参数之一。

它对FinFET 单元结构的低电压操作和快速开关速度具有重要影响。

提取方法主要是通过测量晶体管结构的源/漏接触电压和电流关系，获取接触电阻的数值和特性。

栅氧电容是FinFET单元结构中的一个重要寄生参数。

它在FinFET 单元结构的小尺寸和高频操作中起到关键作用。

常用的提取方法包括基于测量和建模的方法。

测量方法主要通过C-V（电容-电压）曲线测量、电流充放技术和频率响应技术进行实验测量。

而建模方法可以通过有限元分析和开路时域反射法进行计算模拟。

这些方法可以获得栅氧电容的数值和变化规律。

最后，外延电阻是寄生参数中的一个重要因素。

版图寄生参数提取技术的研究

⑶从理论入手,对原有的14元件等效电路模型进行改进,提出16元件等效电路模型,并采用分步提取法完成GaN HEMT小信号等效电路模型的参数提取,测试和仿真结果显示了本文中参数提取方法的正确型和可靠性,优化了参数提取的方法。
4.学位论文李宁深亚微米集成电路互连RC网络约简算法分析2005
随着半导体工艺特征尺寸的迅速减小,电路的性能越来越多地取决于互连线而不是器件。互连寄生延迟将大大超过器件延迟而成为制约系统时钟频率的关键因素。就是说,大部分时钟周期将被消耗在数据传输过程当中,而不是像过去那样,是消耗在数据的运算和生成过程中。全局互连线的寄生效应仍将是制约电路性能的瓶颈。不断提高互连质量,准确快速分析互连寄生效应将始终是一个具有挑战性的重要课题。由于寄生参数对电路性能的影响十分重要,设计人员一般把寄生参数的分析分作两个阶段:寄生参数提取和寄生参数分析。寄生参数提取是指将版图中的互连线经过抽象形成寄生的电阻和电容器件,而寄生参数分析是指针对提取的RC电路进行模拟和运算,分析这些RC对电路的影响。经过寄生参数提取形成的电路网表在规模上远远大于没有经过寄生参数提取的网表,这对后续的RC分析效率带来了极大困难。寄生参数提取之后网表规模急剧增长的主要原因是:版图中的互连线长度较长,并且通过通孔连接到不同的布线层上,在参数提取时,对这类互连线要切割为许多小的线段形成多个寄生电阻,此外,由于耦合寄生电容的存在,寄生电容个数也很大。为了提高后续RC分析的效率,在寄生参数提取和寄生参数分析两个阶段之间往往需要加入一个RC约简的步骤。它的基本出发点是:在保持电路近似等价的前提下,通过一定的等价变换,大大减小寄生参数网表的规模。一般来说,RC约简后的网表规模会比约简前减少一个数量级以上。本文针对互连RC约简的技术难点,对经典的RC网络约简算法PACT算法改进计算环节提出了若干解决方法,明显提高了计算的精度与速度。采用了RCM预处理技术来对矩阵的变量重新编号,对经过RCM预处理的矩阵进行Cholesky分解,其分解结果的非零元素比不经过预处理分解的非零元素减少20%以上,大大提高了程序效率。提出一种十分简便的Lanczos计算方法,有效地解决稠密矩阵特征值分解的问题。采用了特殊的Lanczos初始向量设置方法,保证了恶性中断不会发生。克服了经典PACT算法的局限性,使之可以适用于实际应用的各种电路的网络约简,如纯电阻网络,纯电容网络,没有直流通路到端口的特殊电路等,从而提高了该算法的适用性。基于上述算法开发了互连RC网络约简软件ZeniRCR,通过大量来自VLSI实际版图算例的测试结果表明,ZeniRCR具有优越的性能和很强的竞争能力。

一种基于深度学习的中药材识别装置[发明专利]

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201710299118.2(22)申请日 2017.05.01(71)申请人刘至键地址 523320 广东省东莞市石龙镇广播电视大楼(72)发明人刘至键　(51)Int.Cl.G06K 9/20(2006.01)G06K 9/62(2006.01)G06N 3/04(2006.01)G06N 3/08(2006.01)(54)发明名称一种基于深度学习的中药材识别装置(57)摘要本发明所公开的一种基于深度学习的中药材识别装置，采用摄像模块获取待识别中药材图像，经过对图像处理后，利用预先训练得到的深度学习网络识别待识别中药材图像，依次经过卷积层、池化层和全连接层后得到中药材属性概率，从而确定中药材属性信息，本发明利用图像传感器代替人眼获取物体图像，利用计算机模拟人的判别准则去理解和识别图像，达到分析图像和提取被检测物体特征的目的。

权利要求书2页说明书13页附图1页CN 107092906 A 2017.08.25C N 107092906A1.一种基于深度学习的中药材识别装置，包括摄像模块、图像采集模块、亮度均衡控制模块、深度卷积网络服务器、显示驱动模块、微显示终端、补光灯，其特征在于所述的摄像模块与图像采集模块连接，所述的图像采集模块与亮度均衡控制模块连接，所述的亮度均衡控制模块与深度卷积网络服务器连接，所述的深度卷积网络服务器与显示驱动模块连接，所述显示驱动模块与微显示终端连接，所述亮度均衡控制模块与补光灯连接；所述的亮度均衡控制模块用于对来自摄像模块的图像亮度平均值进行检测，根据亮度平均值结果控制补光灯；所述的微显示终端是0.37英寸的 LCoS透视显示器；所述的深度卷积网络服务器采用深度学习网络，所述深度学习网络包括卷积层1、池化层1、卷积层2、池化层2、卷积层3、卷积层4、池化层3、卷积层5、池化层4、全连接层1和全连接层2。

calibre寄生参数提取

calibre寄生参数提取
寄生参数提取是指从设计中提取出寄生参数，以进行后续的分析和仿真。

在Calibre 中，有多种寄生参数提取器可供选择，以下是其中几种：
- RCX：标准RC提取器，可以提取晶体管和互连线的电容和电阻等寄生参数。

- xRC：扩展RC提取器，提供了更高级的功能，如几何抽象、子网合并、等效电路分析等。

- StarRC：寄生参数提取器，可以提取复杂的芯片级互连线寄生参数，包括互联线交叉、几何扭曲、设备变形等。

- QRC：快速RC提取器，可以在短时间内提取大规模的互连线寄生参数，支持多线程计算和分布式计算等高级功能。

- PEX：功率网提取器，可以提取功率网的电容和电阻等寄生参数。

在使用Calibre提取寄生参数时，你需要根据设计需求和工艺厂提供的文件，选择合适的提取器并进行相应的设置。

如果你需要了解更详细的信息，可以查阅Calibre的文档或联系技术支持。

calibre寄生提取

calibre寄⽣提取使⽤Calibre xRC实现RFCMOS电路的寄⽣参量提取及后仿真中国科学院微电⼦研究所郭慧民[摘要]Calibre xRC是Mentor Graphics公司⽤于寄⽣参量提取的⼯具，其强⼤的功能和良好的易⽤性使其得到业界的⼴泛认可。

本⽂以采⽤RFCMOS⼯艺实现的LNA为例，介绍使⽤Calibre xRC对RFCMOS电路寄⽣参量提取，以Calibreview 形式输出以及在Virtuoso的ADE中直接后仿真的流程。

本⽂还将讨论Calibre xRC特有的XCELL⽅式对包含RF器件的电路仿真结果的影响。

采⽤Calibre xRC提取寄⽣参量采⽤RFCMOS⼯艺设计低噪声放⼤器(LNA)，其电路图如图1所⽰，版图如图2所⽰。

图1 LNA的电路图图2 LNA的版图Calibre⽀持将其快捷⽅式嵌⼊在Virtuoso平台中。

⽤户只需在⾃⼰.cdsinit⽂件中加⼊以下⼀⾏语句：load( strcat( getShellEnvVar("MGC_HOME") "/lib/calibre.skl" ))就可以在virtuoso的菜单中出现“calibre”⼀项，包含如下菜单：点击Run PEX，启动Calibre xRC的GUI，如图3所⽰。

Outputs菜单中的Extraction Type⾥，第⼀项通常选择Transistor Level 或Gate Level，分别代表晶体管级提取和门级提取。

第⼆项可以选择R+C+CC，R+C，R，C+CC，其中R 代表寄⽣电阻，C 代表本征寄⽣电容，CC代表耦合电容。

第三项可以选择No Inductance，L或L+M，分别代表不提取电感，只提取⾃感和提取⾃感与互感。

这些设置由电路图的规模和提取的精度⽽定。

在Format⼀栏中，可以选择SPECTRE，ELDO，HSPICE等⽹表形式，也可以选择Calibre xRC提供的CALIBREVIEW形式。

寄生参数提取

寄生参数提取寄生参数提取（Parasitic Parameter Extraction，PPE）是一种常用的电路测试技术，它通过分析从已经存在的物理结构中提取出的参数来发现和测量电路的功能模块。

它主要应用于设计原理图上的电路元件的参数测试和识别，以及系统模块的研发及测试。

由于参数提取不需要对电路进行任何修改，因此可以大大减少测试成本。

寄生参数提取的基本原理是，通过在电路中引入外部激励，使电路产生指定的反应，并通过测量这些反应来提取电路内部参数。

首先，将外部激励注入到电路中，如信号源、时间域反射（TDR）、电容源或分立元件，然后测量电路反应，如电压、电流或开关时间，最后根据相关理论和算法，利用测量得到的参数求解电路内部参数。

当前，寄生参数提取技术已经广泛应用于IC与PCB的测试，可用于测量电容、电阻、耦合电容、直流偏置、单端高频等参数。

特别是在复杂的IC和PCB设计中，可以减少测试时间和成本，提高效率。

在IC设计中，寄生参数提取技术可用于测量封装的静态参数，例如电容、电阻和直流偏置，以及动态参数，如感应和耦合电容。

另外，它还可以用于测量组件内部电容和电阻的参数，从而提高了IC设计的准确性。

在PCB设计中，寄生参数提取技术可用于测量电缆、芯片或接口的参数，包括介电常数、阻抗、直流偏置电压和相关的单端高频参数等。

此外，还可以用于PCB上的元件之间的连接参数测量，包括连接器、PCB芯片和电缆之间的耦合电容和直流偏置电压等。

由于寄生参数提取技术可以快速、准确地测量电路参数，因此被广泛应用于电子产品的测试和设计中，例如手机、电脑、汽车、航空航天等。

随着科技的发展，寄生参数提取技术也在不断改进和发展，例如增加参数测量的精度和准确性，增加对复杂电路的测量能力，以及增加外部激励的种类等。

使用Calibre xRC 实施深亚微米IC 寄生参数提取

使用Calibre xRC实施深亚微米IC寄生参数提取培训时间：2007年 7 月 19 日(9:00 AM –5:00PM) ( 1 天)培训地址：上海市浦东新区世纪大道 88号金茂大厦 2902室课程描述:一、为什么需要摘取寄生电阻电容效应:1.电路设计工程师做设计仿真仿真时,并无法确切得知实际版图绘制后,寄生效应的影响.2.传统>0.35um硅制程,设计工程师普遍的观念是Mos Gate delay 占70%, net delay 占30%. 当硅制程<= 0.25um时此观念渐渐并不适用.3.先进制程虽然线宽缩小,但是其导线厚度却相对的增加.如此一来,偶合电容的重要性逐渐增加.如何能精确摘取寄生电阻电容执行版图绘制后后段仿真模拟的工作变得异常重要.如此才能确认Tape out的设计质量.二、Calibre xRC 的价值:1.完整整合Calibre LVS 并提供五种不同的网表输出.HSPICE, ELDO, DSPF,SPEF, SPECTRE2.晶元代工厂(TSMC, UMC, SMIC, Chartered , IBM…. Etc)提供完整的rulefile.3.针对Cadence PDK用户, Calibre xRC 提供“Calibre view”的网表输出格式让设计工程师能在Cadence 整合环境中执行版图绘制后后段仿真模拟的工作.让模拟或射频的电路能符合当初设计的规格,让设计工程师更有信心.4.Calibre RVE提供寄生电阻电容预览的功能(Parasitic Browsing).工程师能透过Calibre RVE显示寄生电阻电容的摘取坐标,让工程师能充分了解实际看到此片段寄生电阻电容的值.5.针对更先进铜导线制程(Copper)<=0.13um, Calibre xRC 提供新的in-die variation寄生电阻电容效应的摘取方法.此法针对铜导线的特性建立一系列的表格.必须充分与晶元代工厂合作.才能提供完整的rule file. TSMC已经验证过xRC精确度,并也已经提供xRC rule file在其网站上供使用者下载.6.针对先进制程除了要有精确的寄生电阻电容摘取之外,新组件模型参数的摘取也需要一起配合.Calibre xRC 结合Calibre LVS提供新组件模型参数LOD(length over diffusion), N-well ProximityMentor Graphics 的Calibre 是深亚微米物理验证的工业标准。

一种智能功率模块寄生参数提取方法及系统[发明专利]

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910080935.8(22)申请日 2019.01.28(71)申请人山东师范大学地址 250358 山东省济南市长清区大学科技园大学路1号(72)发明人华庆　王士鑫　郑家兴　冷严　王公堂　任俊峰　(74)专利代理机构济南圣达知识产权代理有限公司 37221代理人黄海丽(51)Int.Cl.G06F 17/50(2006.01)(54)发明名称一种智能功率模块寄生参数提取方法及系统(57)摘要本公开公开了一种智能功率模块寄生参数提取方法及系统，对智能功率模块的电路版图，进行格式转换，输出第一格式的电路版图；对第一格式的电路版图进行转换，输出第二格式的三维模型；对第二格式的三维模型输入到Q 3D Extractor求解器中，输出智能功率模块的电路版图的初步三维模型；对初步三维模型进行修复，生成完整的三维模型；根据智能功率模块的实际材质，对所述完整的三维模型赋予材料属性；对所述完整的三维模型进行边界条件设置，指定网络分配以及指定电流源端和电流漏端；设置求解选项，启动Q3D Extractor求解器，提取智能功率模块的寄生参数。

基于得到的寄生参数，优化智能功率模块的设计。

权利要求书2页说明书6页附图1页CN 109858139 A 2019.06.07C N 109858139A1.一种智能功率模块寄生参数提取方法，其特征是，包括：对智能功率模块的电路版图，进行格式转换，输出第一格式的电路版图；对第一格式的电路版图进行转换，输出第二格式的三维模型；对第二格式的三维模型输入到Q3D Extractor求解器中，输出智能功率模块的电路版图的初步三维模型；对初步三维模型进行修复，生成完整的三维模型；根据智能功率模块的实际材质，对所述完整的三维模型赋予材料属性；对所述完整的三维模型进行边界条件设置，指定网络分配以及指定电流源端和电流漏端；设置求解选项，启动Q3D Extractor求解器，提取智能功率模块的寄生参数。

一种细胞核提取系统[实用新型专利]

专利名称：一种细胞核提取系统专利类型：实用新型专利
发明人：杨素华
申请号：CN202020449391.6申请日：20200331
公开号：CN211825325U
公开日：
20201030
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型涉及一种细胞核提取系统，所述系统包括裂解液进给系统、温控系统、针/刀阵列及细胞核提取系统，其中，所述针/刀阵列及细胞核提取系统包括针/刀阵列和细胞核提取装置，所述针/刀阵列用于对样品进行切割裂碎，所述细胞核提取装置用于提取裂解了的细胞核；所述裂解液进给系统用于对样品进行裂解液供给；所述温控系统用于对被裂解样品的温度进行控制。

本实用新型克服了现有手工切剁植物组织制备植物细胞核方法的不足，提供了一种植物细胞核自动提取装置，能够实现自动化操作且样品前处理过程能够恒温。

申请人：中国科学院植物研究所
地址：100093 北京市海淀区香山南辛村20号
国籍：CN
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：刘小娟
更多信息请下载全文后查看。

一种PCB的寄生参数提取模型及优化设计

一种PCB的寄生参数提取模型及优化设计倪勇;徐振;陈沉【摘要】为改善印刷电路板线路的电磁干扰性能,提出了一种半桥准谐振变换器印刷电路板寄生参数的提取及优化的方法;该方法主要分析了此类印刷电路板设计中,如何采取合理地进行布局和正确地设置平行线的间距与线宽,隔离噪音敏感的组件,以减少电磁干扰,并通过仿真确保电路的物理结果与原理设计的一致性;仿真结果验证了该分析方法能够有效地降低半桥准谐振变换器印刷电路板上的电磁干扰噪声水平,从而可以缩短设计周期并提高产品的质量.【期刊名称】《计算机测量与控制》【年(卷),期】2010(018)003【总页数】6页(P677-681,684)【关键词】EMI;寄生参数;PCB设计【作者】倪勇;徐振;陈沉【作者单位】浙江工业大学,信息学院,浙江,杭州,310004;浙江机电职业技术学院,电子信息工程系,浙江,杭州,310053;浙江机电职业技术学院,电子信息工程系,浙江,杭州,310053;浙江机电职业技术学院,电子信息工程系,浙江,杭州,310053【正文语种】中文【中图分类】TN972+.10 引言为了进行PCB的EMC优化设计,首先需要得到PCB的电气参数以及印制导线的走线情况,然后才能用寄生参数计算软件建立模型和提取寄生参数[1]。

在建立了精确的电气模型后,使用美国Cadence公司软件包可以计算得到各种电气参数,包括印制导线的电阻、电感、电容矩阵和变压器、电感的杂散参数,并且能把制版、参数提取和EMC仿真等功能集合在一起。

利用Cadence软件的强大的电路辅助设计和寄生参数提取功能可以方便地得到PCB上印制导线的电感、电容以及阻抗矩阵这些寄生参数,然后再利用它的电磁兼容仿真工具对包含这些寄生参数的电路进行仿真,就可以得到在这种PCB布局下的开关电源的噪声情况[2]。

修改布线,可以得到在新的PCB布局下的噪声情况。

在进行多次比较和分析的基础上,能够判断得到对于特定拓扑的变换器的主要电磁干扰源,这样在布线的时候,就可以利用这些结论进行最优布线。

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加的版图单元，其中添加的版图单元被设置于待提取标准单元周围用于模拟待提取标准单元的周围布线环境，添加的版图单元包括：上部，与待提取标准单元的上侧相连接；下部，与待提取标准单元的下侧相连接；左部，与待提取标准单元的左侧相连接；和右部，与待提取标准单元的右侧相连接，其中上部、下部、左部、右部均为矩形，且上部或下部的长度等于左部长度、右部长度及待提取标准单元长度之和；上部、下部、左部、右部的高度均相同且均为待提取标准单元的高度；待提取标准单元的左侧和右侧到添加的版图单元的N型阱区的距离均大于或等于第一预定距离，且N型阱区的高度与待提取标准单元的高度相同。
技术领域 [0001] 本实用新型涉及版图处理领域，更具体地涉及用于标准单元寄生参数提取的添加的版图单元。
背景技术 [0002] 随着集成电路工艺技术的迅速发展，系统级芯片的规模越来越大，设计越来越复杂 ,高性能的标准单元库对设计出高速稳定的电路性能起了决定性作用。标准单元库在完成版图设计后的时序分析是大规模集成电路设计中非常重要的环节，它能验证设计在时序上的正确性，并决定设计是否能够在要求的工作频率下运行。而依据标准单元库提取的寄生参数是时序分析的基础。通常的方法是，在标准单元库版图完成之后，利用E D A (Electronic Design Automation)工具对寄生参数进行提取。
上部，所述上部与待提取标准单元的上侧相连接；下部，所述下部与待提取标准单元的下侧相连接；左部，所述左部与待提取标准单元的左侧相连接；和右部，所述右部与待提取标准单元的右侧相连接，其中所述上部、下部、左部、右部均为矩形，且所述上部或下部的长度等于所述左部长度、右部长度及所述待提取标准单元长度之和；所述上部、下部、左部、右部的高度均相同且均为待提取标准单元的高度；所述待提取标准单元的左侧和右侧到所述版图单元的N型阱区的距离均大于或等于第一预定距离，其中所述N型阱区的高度与所述待提取标准单元的高度相同。 2 .如权利要求1所述的添加的版图单元 ,其特征在于：所述左部和右部的图形各自包括：多个鳍式场效应晶体管图形、多个N型有源区图形和多个P型有源区图形、多条多晶硅图形、多条有源区切断图形、和多个多晶硅切断图形。 3 .如权利要求2所述的添加的版图单元，其特征在于：所述多个鳍式场效应晶体管图形中的每个鳍式场效应晶体管图形的宽度、和相邻的两个鳍式场效应晶体管图形之间的距离与所述待提取标准单元的工艺设计规则相匹配。 4 .如权利要求2所述的添加的版图单元，其特征在于：所述多个N型有源区图形和多个P 型有源区图形在所述添加的版图单元的长度方向上铺满所述添加的版图单元，且其中在满足所述待提取标准单元的工艺设计规则的条件下所述多个N型有源区图形和多个P型有源区图形的高度为第一预定高度，且其中所述多个N型有源区图形和多个P型有源区图形与所述待提取标准单元的距离均为第二预定距离。 5 .如权利要求2所述的添加的版图单元，其特征在于：所述多条多晶硅图形垂直于所述添加的版图单元的长度方向并且横跨所添加的版图单元的上部和下部，其中所述多条多晶硅图形的上下边界和所述添加的版图单元的上部的上侧和下部的下侧分别重合且按照相同的间距铺满整个所添加的版图单元，其中所述待提取标准单元的左侧和右侧分别与所述多条多晶硅图形中的两条多晶硅图形对齐，其中所述每条多晶硅图形的宽度和所述间距与标准单元库中的宽度和间距分别相同。 6 .如权利要求2所述的添加的版图单元，其特征在于：所述多条有源区切断图形垂直于所述N型有源区图形和P型有源区图形并将所述N型有源区图形和P型有源区图形切断，并且其中所述多条有源区切断图形与所述添加的版图单元的左部的多个多晶硅图形的图形条中的第一多晶硅图形条和第二多晶硅图形条重合，并且其中所述多条有源区切断图形与所述添加的版图单元的右部的多个多晶硅图形的图形条中第三多晶硅图形条和第四多晶硅图形条重合，其中，所述第一多晶硅图形条与所述第三多晶硅图形条以所述待提取标准单元为镜面对称，第二多晶硅图形条与所述第四多晶硅图形条以所述待提取标准单元为镜面对称。
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CN 209433405 U
权利要求书
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7 .如权利要求2所述的添加的版图单元，其特征在于：多个多晶硅切断图形的每一个的宽度和所述标准单元的多晶硅切断图形的宽度相同，且
其中在多个多晶硅切断图形的每一个的二分之一高度处与整个所述添加的版图单元的边界重合。
8 .如权利要求2-7中的任意一项所述的添加的版图单元，其特征在于：所添加的版图单元的上部和下部与所述添加的版图单元的左部和右部相比，不具有所述多条有源区切断图形，且所述添加的版图单元的上部和下部的其他部分与所添加的版图单元的左部和右部相同。
11105 代理人万里晴 (51)Int .Cl . G06F 17/50(2006 .01) ( ESM )同样的发明创造已同日申请发明专利
(10)授权公告号 CN 209433405 U (45)授权公告日 2019.09.24
( 54 )实用新型名称用于寄生参数提取的添加的版图单元
( 57 )摘要提供了用于提取标准单元的寄生参数的添
9 .如权利要求1所述的添加的版图单元，其特征在于：所添加的版图单元的上部、下部、左部、右部以及所述待提取标准单元构成以所述待提取标准单元为基本单元的n*n阵列，所述待提取标准单元位于所述n*n阵列的中心，其中，n为大于或等于3的正整数。3Biblioteka CN 209433405 U
说明书
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用于寄生参数提取的添加的版图单元
( 19 )中华人民共和国国家知识产权局
( 12 )实用新型专利
(21)申请号 201920166909 .2 (22)申请日 2019 .01 .30 (73)专利权人贵州华芯通半导体技术有限公司
地址 550081 贵州省贵阳市贵安新区黔中大道与金马大道交汇处斯特2楼
(72)发明人闫星臣任丛飞郭美兴郭俊彦 (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所
权利要求书2页说明书5页附图3页
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权利要求书
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1 .一种用于提取标准单元的寄生参数的添加的版图单元，其特征在于：所述添加的版图单元被设置于待提取标准单元周围用于模拟所述待提取标准单元的周围布线环境，其中，所述添加的版图单元包括：