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电力电子技术选择题1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。
A、180°，B、60°，c、360°， D、120°2、α为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度，B，60度，C，30度，D，120度，3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为 A 。
A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理 A 。
A、30º-35º，B、10º-15º，C、0º-10º，D、0º。
6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD 。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
7、在有源逆变电路中，逆变角β的移相范围应选 B 为最好。
A、β=90º∽180º，B、β=35º∽90º，C、β=0º∽90º，11、下面哪种功能不属于变流的功能（C）A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )A、交流相电压的过零点；B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（B）A、700VB、750VC、800VD、850V14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D )A、0º-90°B、0º-120°C、0º-150°D、0º-180°15、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差 A 度。
一、填空题（11 小题，每空0.5分，共22 分）1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。
2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类；1) 的电力电子器件被称为半控型器件，这类器件主要是指及其大部分派生器件。
2) 的电力电子器件被称为全控型器件，这类器件品种很多，目前常用的有和。
3) 的电力电子器件被称为不可控器件，如。
3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义，在空格处填写该参数的名称。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，在中小功率领域应用最为广泛的是___________。
5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节，一般采用光隔离，例如；或磁隔离，例如。
6、缓冲电路又称为吸收电路，缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
其中缓冲电路又称为du／dt 抑制电路，用于吸收器件的过电压。
缓冲电路又称为di／dt抑制电路，用于抑制器件时的电流过冲和di／dt，减小器件的损耗。
7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路，当负载分别为电阻负载和电感负载时，晶闸管的控制角移相范围分别是多少（用角度表示，如0°～180°）？8、在单相全控桥式电阻-反电动势负载电路中，当控制角α大于停止导电角δ时，晶闸管的导通角θ=_____________。
当控制角α小于停止导电角δ时，且采用宽脉冲触发，则晶闸管的导通角θ=_____________。
9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多，因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。
换流方式可分以下四种： ， ，， 。
10、正弦脉宽调制（SPWM ）技术运用于电压型逆变电路中，改变 _可改变逆变器输出电压幅值；改变 _ _可改变逆变器输出电压频率；改变_ _可改变开关管的工作频率。
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术测试题与答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()。
A、共四只B、各一只C、各二只D、共三只正确答案：B2.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、30度B、120度，C、0度D、60度正确答案：A3.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、全控型器件B、半控型器件C、触发型器件D、不控型器件正确答案：A4.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案：A5.可在第一和第四象限工作的变流电路是（）A、接有续流二极管的单相半波可控变流电路B、单相半控桥C、三相半波可控变流电路D、接有续流二极管的三相半控桥正确答案：C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、180°B、150°C、90°D、120°正确答案：D7.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、3msB、4msC、1msD、2ms正确答案：A8.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。
A、0～120B、0～180C、0～90D、0～150正确答案：A9.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、安全工作区B、不触发区C、可靠触发区D、不可靠触发区正确答案：B10.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、减小输出谐波B、增大输出幅值C、减小输出功率D、减小输出幅值正确答案：A11.对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C12.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案：D13.晶闸管的伏安特性是指()A、阳极电压与门极电流的关系B、门极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系正确答案：C14.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
电⼒电⼦技术试卷及答案完整版电⼒电⼦技术试卷及答案HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】⼀、填空题（每空1分，34分）1、实现有源逆变的条件为和。
2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运⾏系统中，两组变流装置分别⼯作在正组状态、状态、反组状态、状态。
3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经⽽不流经的电流。
为了减⼩环流，⼀般采⽤αβ状态。
4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。
5、给晶闸管阳极加上⼀定的电压；在门极加上电压，并形成⾜够的电流，晶闸管才能导通。
6、当负载为⼤电感负载，如不加续流⼆极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为 H；⽽三相全控桥Z；这说明电路的纹波系数⽐电整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为 HZ路要⼩。
8、造成逆变失败的原因有、、、等⼏种。
9、提⾼可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。
10、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流⼩于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管⼜会关断。
三、选择题（10分）1、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差度。
A 、180度； B、60度； C、360度； D、120度；2、α= 度时，三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0度；B、60度； C 、30度； D、120度；3、通常在晶闸管触发电路中，若改变的⼤⼩时，输出脉冲相位产⽣移动，达到移相控制的⽬的。
A、同步电压；B、控制电压；C、脉冲变压器变⽐；B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流⼆极管电路D、单相半控桥整流电路选时系统⼯作才可靠。
5、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变⾓βminA、300~350B、100~150C、00~100D、00四、问答题（每题9分，18分）1、什么是逆变失败形成的原因是什么2、为使晶闸管变流装置正常⼯作，触发电路必须满⾜什么要求？五、分析、计算题：（每题9分，18分）1、三相半波可控整流电路，整流变压器的联接组别是D/Y—5，锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管。
电力电子技术考试试题(doc 8页)一、填空题（11 小题，每空0.5分，共22 分）1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。
2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类；1) 的电力电子器件被称为半控型器件，这类器件主要是指及其大部分派生器件。
2) 的电力电子器件被称为全控型器件，这类器件品种很多，目前常用的有和。
3) 的电力电子器件被称为不可控器件，如。
3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义，在空格处填写该参数的名称。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，在中小功率领域应用最为广泛的是___________。
5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节，一般采用光隔离，例如；或磁隔离，例如。
6、缓冲电路又称为吸收电路，缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
其中缓冲电路又称为du／dt抑制电路，用于吸收器件的过电压。
缓冲电路又称为di／dt抑制电路，用于抑制器件时的电流过冲和di／dt，减小器件的损耗。
5、IGBT 综合了（ ）和（ ）的优点，因而具有良好的特性。
A.SCRB.GTOC.GTRD.P.MOSFET F. 电力二极管三、计算题（4 小题，共20分）1、单相桥式全控整流电路，U2=200V ，负载中R=2Ω，L 值极大，反电势E=120V 。
已知控制角的变化范围是： 0°~30°,考虑安全裕量(按1.5倍计算)，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
（4分）2、单相全控桥式变流电路工作在有源逆变状态下，已知U2=200V ，电动机反电势E=120V ，负载中R=2Ω，L 极大。
回答下列问题。
(6分)（1）画出变流电路的电路图，并在图中标出在有源逆变初期电动机反电势的极性和变流电路输出直流电压的极性。
（2）逆变角β应限制在什么范围内？画出β＝60°时的d u 和d i 的波形。
浙信校2009—2010学年第一学期单元8模拟卷参考班级参考科目《电力电子技术》班级姓名学号得分一、填空题1、某半导体器件的型号为KS50—7的，其中KS表示该器件的名称为，50表示，7表示。
2、某半导体器件的型号为KN 100 / 50 —7，其中KN表示该器件的名称为100表示，50表示，7表示。
3、双向晶闸管的四种触发方式分别是、、和。
实际工作时尽量避免使用方式。
5、晶闸管整流装置的功率因数定义为侧与之比。
6、晶闸管装置的容量愈大，则高次谐波，对电网的影响。
7、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有补偿，最常用的方法是在负载侧。
二、判断题对的用√表示、错的用×表示（每小题1分、共10分）1、型号为KS50—7的半导体器件，是一个额定电流为50A的普通晶闸管。
（）2、双向晶闸管的额定电流是用有效值来表示的。
（）3、普通单向晶闸管不能进行交流调压。
（）3、双向触发二极管中电流也只能单方向流动。
（）4、单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。
（）5、两只反并联的50A的普通晶闸管可以用一只额定电流为100A的双向晶闸管来替代。
（）三、单项选择题把正确答案的番号填在括号内（每小题1分，共10分）1、双向晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A 有效值B 最大值C 平均值2、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A 一个，B 两个，C 三个，D 四个。
3、双向晶闸管的四种触发方式中，灵敏度最低的是（）。
A、Ⅰ+，B、Ⅰ-，C、Ⅲ+，D、Ⅲ-。
四、问答题（每小题6分，共计24分）1、双向晶闸管有哪几种触发方式？使用时要注意什么问题？2、双向晶闸管有哪几种常用的触发电路？3、双向晶闸管额定电流的定义和普通晶闸管额定电流的定义有什么不同？额定电流为100A的两只普通晶闸管反并联可用额定电流多大的双向晶闸管代替？五、计算题（每小题10分，共计20分）1、单相交流调压电路，其中U2为工频交流电，L=5.516mH，R=1Ω，求：⑴控制角的移相范围；⑵负载电流最大有效值。
电力电子技术测试题含参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（），单位为度。
A、10～15B、30～35C、40～45D、20～25正确答案：B2.在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（）。
A、90°～180°B、0°～90°C、0°～180°正确答案：B3.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、全控型器件B、不控型器件C、触发型器件D、半控型器件正确答案：A4.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。
A、0～90B、0～150C、0～120D、0～180正确答案：C5.逆变电路是一种（）变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC正确答案：B6.IGBT属于（）控制型元件。
A、电流B、电压C、电阻D、频率正确答案：B7.180°导电型电压型三相桥式逆变电路，其换相是在如下哪种情形的上、下二个开关之间进行()。
A、不确定相B、同一相C、不同相D、固定相正确答案：B8.在晶闸管整流电路中，变压器二次侧所供给的有功功率P＝（）A、U2IdB、I2RdC、I2dRdD、UId正确答案：A9.电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()A、各一只A、各二只B、共三只C、共四只正确答案：A10.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、90°B、150°C、180°D、120°正确答案：C11.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是()。
A、电感B、蓄电池C、电动机D、电容正确答案：A12.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A、干扰信号B、触发电流信号C、干扰信号和触发信号D、触发电压信号正确答案：A13.单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是（）。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在__开关__状态。
2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，普通由__操纵电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有_一般二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。
的__多元集成__结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下落__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
的通态压落在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
