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第二章双极型晶体三极管（BJT）
习题类型
2．1，2．2 BJT的管型、管材料及三个电极的判断；
2．3，2．5，2．6 BJT的工作状态的分析与判断；
2．4，2．9，2．10 BJT的计算；
2．7，2．8 BJT饱和状态的分析、计算；
2．11 温度对BJT的有关参数、静态工作点Q及输出特性曲线影响的分析、计算；2．12 判断BJT正常工作有关参数的分析、计算；
2．13 选择最佳的BJT有关参数的分析、计算；
2．14 共基获放大电路在小信号条件下输出电压的证明；
2．15 BJT厄利电压V A的估算。
2.1 已知BJT工作在线性放大区，并测得各电极对地电位如题图2.1所示。
试画出各BJT 的电路符号，并说明是Ge管还是Si管。
(a) (b) (c) (d)
题图2.1
解：(a) E(0V) B(0.7V) C(8V)
(b) C(-8V) B(-0.7V) E(0V)
(c) C(1V) B(3.7V) E(4V)
(d) E(4V) B(4.2V) C(9V)
2.2 已知两只BJT的电流放大系数分别为100和50,现测得放大电路中这两只三极管各极的电流如题图2.2所示。
分别求另一极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出三极管的符号。
(a) (b)
题图2.2
解：
(a) (b)
题图2.2.1
2.3 用万用表直流电压档测得电路中BJT各极的对地电位如题图2.3所示，试判断这些BJT 分别处于哪种工作状态。
(a) (b) (c) (d)
题图2.3
解：(a)3AD6A:Ge—PNP 发射结正偏，集电结反偏；放大状态。
(b)3BX1A:Ge－NPN 发射结正偏，集电结反偏；放大状态。
(c)3DG8C:Si—NPN 发射结反偏，集电结反偏；截止状态。
(d)3CG21:Si—PNP 发射结正偏，集电结零偏；临界饱和状态。
2.4题图2.4所示电路可以用来测量晶体管的直流参数。
改变电阻R B的
值，由两支电流表测得两组I B和I C的数值如下表所示。
（1）由数据表计算﹑I CBO﹑I CEO和
（2 ）图中晶体管是Si管还是Ge管？
题图2.4
解：（1）由
联立求得，
（2）是Ge管。
为量级，硅管不可有如此大的集电结反向饱和电流。
2.5试判断题图2.5电路中BJT的发射结和集电结的偏置状态
题图2.5
解：(a) 发射结零偏,集电结反偏。
(b)发射结正偏，集电结反偏。
(c)发射结反偏，集电结正偏。
2.6 题图2.6所示电路中，硅BJT的，I CBO≈0。
试通过计算判断当R B分别等于200k Ω和50kΩ时，晶体管工作在什么状态。
题图2.6
解：（1），设BJT工作在放大区，取V，则
mA
V。
，集电结反偏，假设成立，BJT工作在放大区。
（2），若假设BJT工作在放大区，V，则
，mA
V
不可能为负值，故假设不成立。
该管已进入饱和区。
取饱和的V，则mA。
3.27mA为改变时，可能达到的最大电流。
2.7 题图2.7所示电路中，硅PNP管的，，I CBO≈0。
试问：R B＝？时BJT 刚好处于临界饱和状态？
题图2.7
解：PNP管临界饱和时，取V，则
mA
mA
产生上述的为。
2.8 题图2.8所示电路中，硅BJT的，，电源电压。
(1)设，求基极临界饱和电流。
(2)设，欲使三极管饱和，的最小值为多少？
题图2.8
解：（1）集电极临界饱和电流
基极临界饱和电流
(2)欲使管子饱和，应有，则
2.9图 2.9为一支3DG6A的静态输出特性曲线。
试求在工作点
I C=6mA，V CE=5V处该管的﹑和﹑的值。
（设）
题图2.9
解：在Q[5V，6mA]点处
取，则mA
则
再取A，则mA
则
取、平均值作Q点的交流，
，。
该例说明在工作点处BJT的，。
2.10 BJT的输入、输出特性曲线分别如图2.10(a)、（b）所示。
(a) (b)
题图2.10
(1)试说明图（a）输入特性曲线中，随值增大，特性曲线右移的原因；
(2)试说明图（b）输出特性曲线中，随值增大，曲线上翘的原因；
(3)根据图（b）所示各值，试确定BJT电流放大系数的值；
(4)若将图（b）中的的条件改为
等数值，而其它参数大小均不变，则对应的值应为多大？
解：（1）当参变量增大时，输入特性曲线略为右移。
这种右移意味着当不变时，
增大会使减小。
这显然是基区宽调效应引起的。
因为增大而不变就是集电结反偏电压增大（），基极电流会因基区宽调效应而减小。
（2）这是因为增加使得集电结反偏电压增大，会因由此产生的基区宽调效应而略有增大，造成在放大区每条曲线都有不同程度的上翘。
（3）
（4）
2.11 测得某晶体管在时的共射输出特性曲线如题图2.11所示。
已知该管的温度系数为。
(1)试确定该管在时，Q点处的及和的大小；
(2)若温度升高到时，试问特性曲线有何变化？并确定此时Q点对应的值。
题图2.11
解：（1）由于Q点处的，因而。
取，
此处功耗线对应的，因此，。
(2)由于温度升高时，均增大，因而特性曲线均上移且间隔增大。
当时，
和分别变为
则
2.12 某晶体三极管的极限参数为。
试判断下列情况下哪种工作正常，为什么？
（1）（2）
（3）（4）
解：（1）
，故工作正常。
（2），而，使值大大下降。
（3），烧毁管子。
（4），击穿损坏。
2.13 今有三只晶体管，分别为
（1）锗管（2）硅管
（3）硅管
试从和温度稳定性两方面选择一只最佳的管子。
解：（3）
由于越大，温度的稳定性越差，故从和温度稳定性两方面来考虑，应选用（2）最佳。
2.14 试用题图2.14给出的共基放大电路证明：在小信号条件下，。
题图2.14
解：
即
上电压
，与此时同相。
2.15在图示BJT电路中改变集电极电阻R C的值时，可由毫安表和伏特表读出I C和V CE的两组数据为：I C1＝1m A,V CE1=1V; I C2=1.1m A,V CE2=12V。
据此估算该管的厄利电压V A。
题图2.15
解：按题意可画出时的近似输出特性曲线如题图2.15.1。
题图2.15.1
由上图，V。
