单片机课程设计报告--可控硅导通角的控制

  • 格式:doc
  • 大小:432.00 KB
  • 文档页数:19

下载文档原格式

  / 19
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

单片机课程设计报告可控硅导通角的控制

可控硅导通角的控制

设计要求

■导通时间可调,按键输入设置,LED数码直读显示

■精度误差小于50us

摘要:随着时代的进步和发展,单片机技术已经普及到我们生活,工作,科研,各个领域,已经成为一种比较成熟的技术,本文将介绍由单片机怎样去控制可控硅的导通角,可控硅在日常生活中的应用是非常广泛的,种类繁多,有温控可控硅和光控可控硅等多种,本设计使用的是MOC3021光敏双向可控硅,去控制交流电正负半周导通的时间。

关键词:单片机,数字控制,同步信号,数码管,可控硅,三端稳压器7805,MOC3021,P521,AT89C2051

1 引言

随着人们生活水平的不断提高,单片机控制无疑是人们追求的目标之一,它所给人带来的方便也是不可否定的,其中可控硅导通角的控制就是一个典型的例子。

本设计用光耦(P521)提取市电过零点的同步信号,由单片机控制可控硅的导通角,以实现被控对象(如灯泡)功率的数字化调节。(本设计用功率电阻代表被控对象)

2 总体设计方案

总体设计框图

图(1)总体设计方框图

主控制器单片机通过外部中断口提取交流电过零点的信号,再依外部按键设置的数,通过一定的算法转化为内部定时器的定时常数,去控制可控硅交流电导通的时间。

3 模块电路方案论证与比较

3.1主控制器

方案一:

选用8051,其有四组I/O口,资源丰富

图(2)8051

方案二:

选用AT89C2051,其有两组I/O口,资源较紧张

图(3)AT89C2051

最终方案:

因单片机AT89C2051具有低电压供电和体积小等特点,;两组端口就能满足本电路系统的设计需要,价格又比较便宜,所以采用它。

3.2显示电路

方案一:

采用2位共阳LED数码管,从P1口输出段码,动态显示。

图(4)显示电路

方案二:

采用2位共阳LED数码管,从P1口输出段码,硬件译码显示。如采用译码芯片CD4511,可以省掉四个I/O口,而且软件设计也比较简单,但要增加硬件成本。

最终方案:

考虑到硬件的成本,以及I/O的相对轻松,最终采用方案一,只是稍微增加了软件的设计难度。

3.3同步信号提取

在交流设备中, 正半周与负半周都要受控的设备比较多, 这就要求在一个周期内出现两个同步脉冲。

图(5)同步信号

方案一:

将同步交流信号整流, 使后一个过零点的波形与前一个过零点的波形一致,如下图:

图(6)同步信号的提取电路及电源电路 方案二:

使用二极管单向导通性,如下图:

图(7)同步信号的提取 最终方案:

由于电路要用到电源,直接从整流后的电路中提取同步信号即可,不要用到两片光耦芯片P521,减少硬件开销,降低电路复杂性,所以选用方案一。

3.4可控硅控制电路

方案一:

采用光电耦合隔离触发,可满足被控对象大功率的需求,如下图:

TR I

B TA086001

2

4

6

I C 4MOC 3021

VT59012

+5V

R 141K

P3.0R 15240

R 16270

R 171K

R 184Ω7

R L

C12

103/400V

AC 48V

AC 48V

图(8)可控硅控制电路1 方案二:

采用单独一个光耦隔离,当I/O 口为低电平时,光耦导通,可满足负载小功率的要求,如下图:

图(9)可控硅控制电路2

最终方案:

由于本设计只要求对小功率负载的控制,所以选用方案二。

4模块电路原理与参数计算

4.1显示电路

原理:

如图(4)所示,通过开启位选口P3.0,P3.1选通相应数码管,通过P1口送显示数据,以每10mS 送一位数码,即频率为100Hz,利用人的视觉暂留特性,让人觉得是连续点亮。

参数:

为使共阳数码管有足够的亮度,其电流应有几mA,选取8mA,所以根据下列公式:R=(5V-2.4V)÷8mA=325Ω≈330Ω

R8~R15均选用330Ω

R6、R7都选用为1 KΩ,保证PNP管基集电流不要太大就行。

4.2同步信号提取

原理:

原理图如图(5)所示,50HZ交流电经整流后的波形如U1,在U1每次的过零点处,光耦不导通,在P3.2口输出高电平,产生一个同步脉冲。依此下去,在P3.2产生一系列的同步脉冲,频率为交流电的2倍,即100HZ。

参数:

图(6)电路主要是确定R1的取值。交流输入为7.5V,其峰值电压约为6.75V为使光耦能够导通工作,需有大于1mA的电流流过光耦输入端,最大不超过20mA的电流,又光耦输入端的压降约为1V8,固输入限流电阻R1最大为:

(6.75V-1.8V)÷0.020A=248Ω

为了保证过零点的脉宽尽量小,R1应尽量取小,取R1=1KΩ

4.3可控硅控制电路

原理:

如图(9)所示,用I/O口P3.7去控制光耦MOC3021内部二极管的通断,再由MOC3021去控

制可控硅的导通。

参数:

为使M OC3021内部发光二极管有足够光强,其电流用10mA,有R4=(5-1.2)/0.01Ω,所以R4

取330Ω,为保证功率电阻R5电流不大于100mA,取470Ω/2W 4.3电源电路

原理:

如图(6)单相桥式整流,电容滤波,7805稳压。

参数:

整流二极管选用4007,C3取1000uf/35V,C6取470uf/35V,保证T=3---5RC.

软件设计