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提高MCVD 工艺单模光纤生产率的新技术唐仁杰 曹美娥(邮电部武汉邮电科学研究院 430074)摘 要 光通信迅速发展,对单模光纤的需求急剧增长。
以传统的MCVD 工艺生产单模光纤,生产率受到限制。
本文首先简要分析了这些限制因素,然后综述克服这些限制因素的新技术,其中包括使用合成石英管、各种混合工艺以及可取代氢2氧焰的新加热技术。
最后,对我国光纤制造业的发展提出了建议。
关键词 单模光纤 MCVD 合成石英管 混合工艺 新加热技术中图分类号 TN929.1N ew T echnologies for Increasing Single Mode FiberProductivity with MCV D ProcessT ang R enjie C ao Meie(Wuhan Research Institute of Posts and Telecommunications 430074)Abstract As the rapid development of optical fiber communication ,the demand on silica 2based single mode fiber (SMF )is increasing dramatically.The productivity of SMF is re 2stricted by several factors with traditional MCVD process.This paper gives a brief analysis about these factors at first ,and then ,reviews the new technologies to overcome them ,in 2cluding using synthetic silica tube ,various hybrid processes and new heating technologies to substitute for H 22O 2flame .Finally ,suggestions about the development of optical fiber fabri 2cation in China are presented.K eyw ords single mode fiber , MCVD , synthetic silica tube , hybrid process , new heating technologies1 单模光纤制造技术的发展趋势光纤通信技术的迅速推广应用,使得石英单模光纤不仅在长途干线系统中成为唯一的理想传输介质,而且在各种局域网、用户网中广泛应用,其用量将比干线的用量大得多。
CVD⼯艺原理第⼀章，薄膜⼯艺原理介绍在超⼤规模集成电路(ULSI)技术中，有很多沉积薄膜的⽅法，⼀般⽽⾔这些⽅法可以分类为两个不同的反应机构：化学⽓相沉积(Chemical vapor deposition，CVD) 和物理⽓相沉积(Physical vapor deposition，PVD),在此我们仅对化学⽓相沉积进⾏介绍。
化学⽓相沉积法(CVD)化学⽓相沉积法定义为化学⽓相反应物，经由化学反应，在基板表⾯形成⼀⾮挥发性的固态薄膜。
这是最常在半导体制程中使⽤的技术。
通常化学⽓相沉积法包含有下列五个步骤：1. 反应物传输到基板表⾯2. 吸附或化学吸附到基板表⾯3. 经基板表⾯催化起异质间的化学反应4. ⽓相⽣成物脱离基板表⾯5. ⽣成物传输离开基板表⾯在实际的应⽤中，化学反应后所⽣成的固态材料不仅在基板表⾯(或⾮常靠近)发⽣(即所謂的异质间反应)，也会在⽓相中反应(即所谓的同质反应)。
⽽异质间反应，是我们所想要的，因为这样的反应只会选择性在有加热的基板上发⽣，⽽且能⽣成品质好的薄膜。
相反的，同质反应就不是我们想要的，因为他们会形成欲沉积物质的⽓相颗粒，造成很差的粘附性及拥有很多的缺陷，且密度低的薄膜。
此外，如此的反应将会消耗掉很多的反应物⽽导致沉积速率的下降。
因此在化学⽓相沉积法的应⽤中，⼀项很重要的因素是异质间反应远⽐同质反应易于发⽣。
最常⽤的化学⽓相沉积法有常压化学⽓相沉积法(Atmospheric-pressure CVD，APCVD)、低压化学⽓相沉积法(Low-pressure CVD，LPCVD)和等离⼦增强化学⽓相沉积法(Plasma-enhanced CVD，PECVD)，⽽这三种化学⽓相沉积法的均有各⾃的优、缺点及应⽤的地⽅。
低压化学⽓相沉积法拥有很均匀的阶梯覆盖性、很好的組成成份和结构的控制、很⾼的沉积速率及输出量、及很低的制程成本。
再者低压化学⽓相沉积法並不需要载⼦⽓体，因此⼤⼤降低了颗粒污染源。
mcvd工艺技术MCVD (Modified Chemical Vapor Deposition) 是一种制备光纤的工艺技术，根据化学气相沉积原理，通过对预先制备好的光纤外壳进行沉积二氧化硅的过程，最终制得具有良好光学性能的光纤。
该工艺技术在光纤通信领域得到广泛应用。
MCVD工艺技术的主要步骤包括光纤外壳预先制备、预咨人气氛控制和杂质沉积、中心芯的合成、烧结等。
首先，在光纤外壳制备前，需要用合适的材料制备内部偏-核外-埋内凸的液滴，形成预先制备好的光纤外壳。
接下来，在进一步的步骤中，将光纤外壳放置于合适的温度下，在氩气的保护下开始加热。
在增加了乙炔和硅醇的反应温度下，发生了化学反应，并形成了泡状结构。
最后，通过烧结的方式，使得所有的材料得以结合。
MCVD工艺技术的关键是控制气氛和杂质沉积。
气氛的控制是通过加热炉的加热使得需要的气氛实现，并且保持恒定的温度，以确保化学反应能够进行。
而杂质沉积是通过对反应气氛中的杂质进行控制。
在气氛中加入适量的化学物质，即可控制光纤中的不纯物质含量。
这些不纯物质能够影响光的传导，因此控制杂质的沉积对光纤的光学性能非常重要。
MCVD工艺技术相较于传统的光纤制备技术，具有许多优势。
首先，它能够制备出更高质量的光纤。
通过控制反应气氛的参数，如温度、压力等，可以使光纤的抗损伤性更好，同时保证了光的传导性能。
其次，这种工艺可以制备出更多样化的光纤产品。
通过调整反应气氛的组成，可以制备不同材质、形状和直径的光纤，满足不同的应用需求。
此外，MCVD工艺技术还具有高效、自动化程度高等特点，提高了生产效率。
总体而言，MCVD工艺技术是一种制备光纤的先进技术。
它通过优化反应气氛和控制杂质沉积，制备出具有良好光学性能的光纤产品。
在光纤通信、激光器等领域应用广泛，为推动光通信技术的发展起到了重要的作用。
未来，随着科技的进一步发展，MCVD工艺技术有望得到更多的创新和改进，为光纤行业带来更加出色的成果。
碳化硅镀膜工艺一、引言1. 背景介绍：碳化硅在电子器件中的应用2. 碳化硅镀膜的重要性：提高器件性能、降低成本3. 论文目的：详细介绍碳化硅镀膜工艺二、碳化硅材料特性1. 物理性质：晶格结构、离子扩散、能带结构2. 化学性质：化学键、表面反应、腐蚀 resistance三、碳化硅镀膜工艺1. 化学气相沉积（CVD）：原理、设备、过程参数2. 物理气相沉积（PVD）：原理、设备、过程参数3. 激光喷涂（LSP）：原理、设备、过程参数4. 溶胶-凝胶法（SG法）：原理、设备、过程参数5. 原子层沉积（ALD）：原理、设备、过程参数6. 磁控溅射（MCV）：原理、设备、过程参数四、碳化硅镀膜性能评估1. 厚度均匀性：测量方法、评估指标2. 硬度：测量方法、评估指标3. 耐腐蚀性：测量方法、评估指标4. 电子迁移率：测量方法、评估指标5. 热稳定性：测量方法、评估指标五、碳化硅镀膜在电子器件中的应用1. 肖特基二极管2. 场效应晶体管3. 发光二极管4. 太阳能电池5. 功率放大器六、结论与展望1. 碳化硅镀膜工艺的发展趋势2. 面临的挑战与解决方案3. 碳化硅镀膜在电子器件中的未来应用前景1. 背景介绍：碳化硅在电子器件中的应用碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、高热导率和高抗热冲击能力,因此在电子器件中具有广泛的应用前景。
其中,碳化硅镀膜工艺是一种重要的制备碳化硅薄膜的方法,可以提高碳化硅器件的性能。
碳化硅在电子器件中的应用主要包括高温电力电子器件、功率器件、光电子器件和微电子器件等。
高温电力电子器件需要在高温环境下工作,因此需要使用具有高热导率和耐热冲击能力的材料。
碳化硅具有这些特性,因此被广泛应用于高温电力电子器件中。
功率器件需要具有高电子迁移率和低噪声特性,碳化硅在这方面也表现优异。
光电子器件需要具有高光响应率和低损耗特性,碳化硅在这方面也是优秀的材料。
微电子器件需要具有高精度和高可靠性的特性,碳化硅也在这方面有着广泛的应用。
