拉扎维模拟CMOS集成电路设计_习题答案(第9章节)
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专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）.标准答案：B2. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.C.D..标准答案：C 6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。
拉扎维模拟CMOS集成电路设计(前十章全部课件)
L 0
模拟集成电路设计绪论 Ch. 1 # 13
重邮光电工程学院
I/V特性的推导(4)
1 ID nC [(VGS VTH)VDS VDS2 ] 2 三极管区(线性区) 每条曲线在VDS＝VGS－VTH时
W ox L
取最大值，且大小为： nCox W ID (VGS VTH )2 2 L
（a）自然界信号的数字化 （ b）增加放大器和滤波器以提高灵敏度
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 3
重邮光电工程学院
数字通信
数字信号通过有损电缆的衰减和失真
失真信号需放大、滤波和数字化后才再处理
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 4
重邮光1
10 01
00
使用多电平信号以减小所需的带宽 组合二进制数据 DAC 多电平信号 ADC 确定所传送电平
传送端 接收端
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 5
重邮光电工程学院
磁盘驱动电子学
存储数据
恢复数据
硬盘存储和读出后的数据
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 6
重邮光电工程学院
无线接受机
无线接收天线接收到的信号(幅度只有几微伏)和噪声频谱 接收机放大低电平信号时必须具有极小噪 声、工作在高频并能抑制大的有害成分
1 2 ID nC [(VGS VTH)VDS VDS ] 2 V' DS VGS VTH (Pinch off )
W ox L
ID
nCox W
2 L
(VGS VTH )2
模拟集成电路设计绪论 Ch. 1 # 16
重邮光电工程学院
饱和区MOSFET的I/V特性
Active Region
重邮光电工程学院cmos西安交通大学出版社2003重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1第一章模拟集成电路设计绪论重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1自然界信号的处理adca自然界信号的数字化b增加放大器和滤波器以提高灵敏度重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1数字通信数字信号通过有损电缆的衰减和失真失真信号需放大滤波和数字化后才再处理重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1数字通信使用多电平信号以减小所需的带宽10110100组合二进制数据dac传送端多电平信号adc接收端确定所传送电平重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1磁盘驱动电子学存储数据恢复数据硬盘存储和读出后的数据重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1无线接受机无线接收天线接收到的信号幅度只有几微伏和噪声频谱接收机放大低电平信号时必须具有极小噪声工作在高频并能抑制大的有害成分重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1光接收机转换为一个小电流高速电流处理器激光二极管光敏二极管光纤系统重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1差动加速度表汽车触发气囊的加速度检测原理图重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch110模拟设计困难的原因是什么1
模拟集成电路设计绪论 Ch. 1 # 13
重邮光电工程学院
I/V特性的推导(4)
1 ID nC [(VGS VTH)VDS VDS2 ] 2 三极管区(线性区) 每条曲线在VDS＝VGS－VTH时
W ox L
取最大值，且大小为： nCox W ID (VGS VTH )2 2 L
（a）自然界信号的数字化 （ b）增加放大器和滤波器以提高灵敏度
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 3
重邮光电工程学院
数字通信
数字信号通过有损电缆的衰减和失真
失真信号需放大、滤波和数字化后才再处理
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 4
重邮光1
10 01
00
使用多电平信号以减小所需的带宽 组合二进制数据 DAC 多电平信号 ADC 确定所传送电平
传送端 接收端
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 5
重邮光电工程学院
磁盘驱动电子学
存储数据
恢复数据
硬盘存储和读出后的数据
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 6
重邮光电工程学院
无线接受机
无线接收天线接收到的信号(幅度只有几微伏)和噪声频谱 接收机放大低电平信号时必须具有极小噪 声、工作在高频并能抑制大的有害成分
1 2 ID nC [(VGS VTH)VDS VDS ] 2 V' DS VGS VTH (Pinch off )
W ox L
ID
nCox W
2 L
(VGS VTH )2
模拟集成电路设计绪论 Ch. 1 # 16
重邮光电工程学院
饱和区MOSFET的I/V特性
Active Region
重邮光电工程学院cmos西安交通大学出版社2003重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1第一章模拟集成电路设计绪论重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1自然界信号的处理adca自然界信号的数字化b增加放大器和滤波器以提高灵敏度重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1数字通信数字信号通过有损电缆的衰减和失真失真信号需放大滤波和数字化后才再处理重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1数字通信使用多电平信号以减小所需的带宽10110100组合二进制数据dac传送端多电平信号adc接收端确定所传送电平重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1磁盘驱动电子学存储数据恢复数据硬盘存储和读出后的数据重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1无线接受机无线接收天线接收到的信号幅度只有几微伏和噪声频谱接收机放大低电平信号时必须具有极小噪声工作在高频并能抑制大的有害成分重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1光接收机转换为一个小电流高速电流处理器激光二极管光敏二极管光纤系统重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch1差动加速度表汽车触发气囊的加速度检测原理图重邮光电工程学院模拟集成电路设计绪论ch110模拟设计困难的原因是什么1
集成电路设计习题答案6-9章-5页精选文档
CH61．芯片电容有几种实现结构？①利用二极管和三极管的结电容；②叉指金属结构；③金属-绝缘体-金属（MIM）结构；④多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构。
2．采用半导体材料实现电阻要注意哪些问题？精度、温度系数、寄生参数、尺寸、承受功耗以及匹配等方面问题3．画出电阻的高频等效电路。
4．芯片电感有几种实现结构？(1)集总电感集总电感可以有下列两种形式:①匝线圈;②圆形、方形或其他螺旋形多匝线圈;(2)传输线电感5．微波集成电路设计中，场效应晶体管的栅极常常通过一段传输线接偏置电压。
试解释其作用。
阻抗匹配6．微带线传播TEM波的条件是什么？7．在芯片上设计微带线时，如何考虑信号完整性问题?为了保证模型的精确度和信号的完整性，需要对互连线的版图结构加以约束和进行规整。
为了减少信号或电源引起的损耗以及为了减少芯片面积，大多数连线应该尽量短。
应注意微带线的趋肤效应和寄生参数。
在长信号线上，分布电阻电容带来延迟；而在微带线长距离并行或不同层导线交叉时，要考虑相互串扰问题。
8．列出共面波导的特点。
CPW 的优点是：①工艺简单，费用低，因为所有接地线均在上表面而不需接触孔。
②在相邻的CPW 之间有更好的屏蔽，因此有更高的集成度和更小的芯片尺寸。
③比金属孔有更低的接地电感。
④低的阻抗和速度色散。
CPW 的缺点是：①衰减相对高一些，在50 GHz 时，CPW 的衰减是0.5 dB/mm；②由于厚的介质层，导热能力差，不利于大功率放大器的实现。
CH71. 集成电路电路级模拟的标准工具是什么软件, 能进行何种性能分析？集成电路电路级模拟的标准工具是SPICE可以进行：（1）直流工作点分析（2）直流扫描分析（3）小信号传输函数（4）交流特性分析（5）直流或小信号交流灵敏度分析（6）噪声分析（7）瞬态特性分析（8）傅里叶分析（9）失真分析（10）零极点分析2. 写出MOS的SPICE元件输入格式与模型输入格式。
元件输入格式：M<编号> <漏极结点> <栅极结点> <源极结点> <衬底结点> <模型名称> <宽W> <长L> （<插指数M>）例如：M1 out in 0 0 nmos W=1.2u L=1.2u M=2模型输入格式：.Model <模型名称> <模型类型> <模型参数>……例如：.MODEL NMOS NMOS LEVEL=2 LD=0.15U TOX=200.0E-10 VTO=0.74 KP=8.0E-05+NSUB=5.37E+15 GAMMA=0.54 PHI=0.6 U0=656 UEXP=0.157 UCRIT=31444+DELTA=2.34 VMAX=55261 XJ=0.25U LAMBDA=0.037 NFS=1E+12 NEFF=1.001+NSS=1E+11 TPG=1.0 RSH=70.00 PB=0.58+CGDO=4.3E-10 CGSO=4.3E-10 CJ=0.0003 MJ=0.66 CJSW=8.0E-10 MJSW=0.24其中，+为SPICE语法，表示续行。
拉扎维_模拟CMOS集成电路设计课后答案
CORRECTIONS TO SOLUTIONS MANUALIn the new edition, some chapter problems have been reordered and equations and figure refer-ences have changed. The solutions manual is based on the preview edition and therefore must be corrected to apply to the new edition. Below is a list reflecting those changes.The “NEW” column contains the problem numbers in the new edition. If that problem was origi-nally under another number in the preview edition,that number will be listed in the“PREVIEW”column on the same line.In addition,if a reference used in that problem has changed,that change will be noted under the problem number in quotes. Chapters and problems not listed are unchanged.For example:NEW PREVIEW--------------4.18 4.5“Fig. 4.38” “Fig. 4.35”“Fig. 4.39” “Fig. 4.36”The above means that problem4.18in the new edition was problem4.5in the preview edition.To find its solution, look up problem 4.5 in the solutions manual. Also, the problem 4.5 solution referred to “Fig. 4.35” and “Fig. 4.36” and should now be “Fig. 4.38” and “Fig. 4.39,” respec-tively._____________________________________________________________________________ CHAPTER 3NEW PREVIEW--------------3.1 3.83.2 3.93.3 3.113.4 3.123.5 3.133.6 3.143.7 3.15“From 3.6” “From 3.14”3.8 3.163.9 3.173.10 3.183.11 3.193.12 3.203.13 3.213.14 3.223.15 3.13.16 3.23.17 3.2’3.18 3.33.19 3.43.20 3.53.21 3.63.22 3.73.23 3.103.24 3.233.25 3.243.26 3.253.27 3.263.28 3.273.29 3.28 CHAPTER 4NEW PREVIEW--------------4.1 4.124.2 4.134.3 4.144.4 4.154.5 4.164.6 4.174.7 4.18“p. 4.6” “p. 4.17”4.8 4.194.9 4.204.10 4.214.11 4.224.12 4.234.13 4.24“p. 4.9” “p. 4.20”4.14 4.1“(4.52)” “(4.51)”“(4.53)” “(4.52)”4.15 4.24.16 4.34.17 4.44.18 4.5“Fig. 4.38” “Fig. 4.35”“Fig. 4.39” “Fig. 4.36”4.19 4.6“Fig 4.39(c)” “Fig 4.36(c)”4.20 4.74.21 4.84.22 4.94.23 4.104.24 4.114.25 4.254.26 4.26“p. 4.9” “p. 4.20”CHAPTER 5NEW PREVIEW--------------5.1 5.165.2 5.175.3 5.185.4 5.195.5 5.205.6 5.215.7 5.225.8 5.235.9 5.15.10 5.25.11 5.35.12 5.45.13 5.55.14 5.65.15 5.75.16 5.85.17 5.95.18 5.10“Similar to 5.18(a)” “Similar to 5.10(a)”5.19 5.115.20 5.125.21 5.135.22 5.145.23 5.15CHAPTER 6NEW PREVIEW--------------6.1 6.76.2 6.86.3 6.9“from eq(6.23)” “from eq(6.20)”6.4 6.106.5 6.11“eq (6.52)” “eq (6.49)”6.6 6.16.7 6.26.8 6.36.9 6.46.10 6.56.11 6.66.13 6.13“eq (6.56)” “eq (6.53)”“problem 3” “problem 9”6.16 6.16“to (6.23) & (6.80)” “to (6.20) & (6.76)”6.17 6.17“equation (6.23)” “equation (6.20)”CHAPTER 7NEW PREVIEW--------------7.27.2“eqn. (7.59)” “eqn. (7.57)”7.177.17“eqn. (7.59)” “eqn. (7.57)7.197.19“eqns 7.66 and 7.67” “eqns 7.60 and 7.61”7.217.21“eqn. 7.66” “eqn. 7.60”7.227.22“eqns 7.70 and 7.71” “eqns. 7.64 and 7.65”7.237.23“eqn. 7.71” “eqn. 7.65”7.247.24“eqn 7.79” “eqn 7.73”CHAPTER 8NEW PREVIEW--------------8.18.58.28.68.38.78.48.88.58.98.68.108.78.118.88.18.98.28.108.38.118.48.138.13“problem 8.5” “problem 8.9”CHAPTER 13NEW PREVIEW--------------3.17 3.17“Eq. (3.123)” “Eq. (3.119)”CHAPTER 14 - New Chapter, “Oscillators”CHAPTER 15 - New Chapter, “Phase-Locked Loops”CHAPTER 16 - Was Chapter 14 in Preview Ed.Change all chapter references in solutions manual from 14 to 16. CHAPTER 17 - Was Chapter 15 in Preview Ed.Change all chapter references in solutions manual from 15 to 17. CHAPTER 18 - Was Chapter 16 in Preview Ed.NEW PREVIEW--------------18.316.3“Fig. 18.12(c)” “Fig. 16.13(c)”18.816.8“Fig. 18.33(a,b,c,d)” “Fig. 16.34(a,b,c,d)”Also, change all chapter references from 16 to 18.。
模拟CMOS集成电路设计(毕查德·拉扎维著,陈贵灿等译,西安交通大学出版社) 绪论课件
模拟CMOS集成电路设计教材n模拟CMOS集成电路设计，毕查德.拉扎维著，陈贵灿等译，西安交通大学出版社参考资料n半导体集成电路，朱正涌，清华大学出版杜n CMOS模拟电路设计（英文），P.E.Allen，D.R.Holberg，电子工业出版社n模拟集成电路的分析与设计，P.R.Gray等著，高等教育出版社半导体集成电路发展历史n1947年BELL实验室发明了世界上第一个点接触式晶体管（Ge NPN）半导体集成电路发展历史n1948年BELL 实验室的肖克利发明结型晶体管n1956年肖克利、布拉顿和巴丁一起荣获诺贝尔物理学奖n50年代晶体管得到大发展（材料由Ge→Si）半导体集成电路发展历史n1958年TI公司基尔比发明第一块简单IC。
n在Ge晶片上集成了12个器件。
n基尔比也因此与赫伯特·克勒默和俄罗斯的泽罗斯·阿尔费罗夫一起荣获2000年度诺贝尔物理学奖。
半导体集成电路发展历史n19世纪60年代美国仙童公司的诺依斯开发出用于IC的平面工艺技术，从而推动了IC制造业的大发展。
半导体集成电路发展历史n60年代TTL、ECL出现并得到广泛应用n1966年MOS LSI发明（集成度高，功耗低）n70年代MOS LSI得到大发展（出现集成化微处理器，存储器）n80年代VLSI出现，使IC进入了崭新的阶段。
n90年代ASIC、ULSI和巨大规模集成GSI等代表更高技术水平的IC 不断涌现，并成为IC应用的主流产品。
n21世纪SOC、纳米器件与电路等领域的研究已展开n展望可望突破一些先前认为的IC发展极限，对集成电路IC的涵义也将有新的诠释。
集成电路用半导体工艺，或薄膜、厚膜工艺（或这些工艺的组合），把电路的有源器件、无源元件及互连布线以相互不可分离的状态制作在半导体或绝缘材料基片上，最后封装在一个管壳内，构成一个完整的、具有特定功能的电路、组件、子系统或系统。
模拟集成电路n1967年国际电工委员会（IEC）正式提出模拟集成电路的概念，它包括了除逻辑集成电路以外的所有半导体集成电路。
CMOS集成电路设计拉扎维反馈
——一个单极点系统的 增益与带宽乘积不随反
馈变化。
可见，3dB带宽增加了βA0倍，但是以增益的减小为代价的
扩展带宽的使用实例
反馈提供了一种增加电路带宽的方法，如果同时要求高的 增益，可以采用多个高带宽放大器级连
电路模型：
2 放大器的种类
一个检测电压的电路必须具有高的输入阻抗（像一个电压表），而一个检测电流信号 的电路必须具有低的输入阻抗（像一个电流表）。
检测和输出 电流信号。
放大器的种类
改进性能的四种放大器:
改变了输出阻抗，或者提高了增益
例題 : 计算图中跨导放大器的增益。
答：
在此情況下的增益被定义为 Gm=Iout/Vin，也就是
Gm
VX Vin
Iout VX
gm1(rO1 || RD ) gm2
3 检测和返回机制
信号的检测和返回
VOUT
1
VIN
1
1 gm1ro1
C2 C1
1 g r m1 o1
C1 C2
, for large gm1ro1
反馈电路的特性
1. 增益灵敏度降低:
一个实例（右边共源级电路）:
无反馈时: AV g r m1 o1
由于gm1和 rO1 都随工艺和温度而 变,电路的增益不稳定. 带反馈时: 如果 gm1ro1 >>1,
负反馈会使系统趋于稳定
反馈：闭环传输函数
前馈网络
反馈网络
H(s)
开环传输函数，开环增益
Y(s)/ X(s)
闭环传输函数，闭环增益
G(s)
若与频率无关，可用 反馈系数代替
H(s)× G(s)
馈变化。
可见，3dB带宽增加了βA0倍，但是以增益的减小为代价的
扩展带宽的使用实例
反馈提供了一种增加电路带宽的方法，如果同时要求高的 增益，可以采用多个高带宽放大器级连
电路模型：
2 放大器的种类
一个检测电压的电路必须具有高的输入阻抗（像一个电压表），而一个检测电流信号 的电路必须具有低的输入阻抗（像一个电流表）。
检测和输出 电流信号。
放大器的种类
改进性能的四种放大器:
改变了输出阻抗，或者提高了增益
例題 : 计算图中跨导放大器的增益。
答：
在此情況下的增益被定义为 Gm=Iout/Vin，也就是
Gm
VX Vin
Iout VX
gm1(rO1 || RD ) gm2
3 检测和返回机制
信号的检测和返回
VOUT
1
VIN
1
1 gm1ro1
C2 C1
1 g r m1 o1
C1 C2
, for large gm1ro1
反馈电路的特性
1. 增益灵敏度降低:
一个实例（右边共源级电路）:
无反馈时: AV g r m1 o1
由于gm1和 rO1 都随工艺和温度而 变,电路的增益不稳定. 带反馈时: 如果 gm1ro1 >>1,
负反馈会使系统趋于稳定
反馈：闭环传输函数
前馈网络
反馈网络
H(s)
开环传输函数，开环增益
Y(s)/ X(s)
闭环传输函数，闭环增益
G(s)
若与频率无关，可用 反馈系数代替
H(s)× G(s)
CMOS模拟集成电路设计拉扎维课件
.MODEL MOSP PMOS VTO=-0.7 KP=50U +LAMBDA=0.05 GAMMA=0.57 PHI=0.8
.endHIT Microelectronics
25
王永生
2009-1-16
MOS SPICE模型
例：采样spice进行TRAN分析
* TRAN analysis for AMP M1 2 1 0 0 MOSN w=5u l=1.0u M2 2 3 4 5 MOSP w=5u l=1.0u M3 3 3 4 4 MOSP w=5u l=1.0u R1 3 0 100K *CL 2 0 5p
CMOS模拟集成电路设计
绪论、MOS器件物理基础
王永生 Harbin Institute of Technology Microelectronics Center
2009-1-16
提纲
2
提纲
1、绪论 2、MOS器件物理基础
HIT Microelectronics
王永生
2009-1-16
chapter11带隙基准
chapter6频率特性
chapter7噪声
chapter8反馈
chapter3单级放大器 simple Circuits
chapter4差动放大器
Devices
chapter2 MOS器件物理
chapter5电流源
HIT Microelectronics
chapter1绪论
2.2.1 阈值电压
（以N型FET为例）
耗尽（b）；反型开始（c）；反型（d）
HIT Microelectronics
王永生
2009-1-16
MOS器件物理基础
.endHIT Microelectronics
25
王永生
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MOS SPICE模型
例：采样spice进行TRAN分析
* TRAN analysis for AMP M1 2 1 0 0 MOSN w=5u l=1.0u M2 2 3 4 5 MOSP w=5u l=1.0u M3 3 3 4 4 MOSP w=5u l=1.0u R1 3 0 100K *CL 2 0 5p
CMOS模拟集成电路设计
绪论、MOS器件物理基础
王永生 Harbin Institute of Technology Microelectronics Center
2009-1-16
提纲
2
提纲
1、绪论 2、MOS器件物理基础
HIT Microelectronics
王永生
2009-1-16
chapter11带隙基准
chapter6频率特性
chapter7噪声
chapter8反馈
chapter3单级放大器 simple Circuits
chapter4差动放大器
Devices
chapter2 MOS器件物理
chapter5电流源
HIT Microelectronics
chapter1绪论
2.2.1 阈值电压
（以N型FET为例）
耗尽（b）；反型开始（c）；反型（d）
HIT Microelectronics
王永生
2009-1-16
MOS器件物理基础
CMOS模拟集成电路设计 拉扎维课件
种类
1st 代：MOS1，MOS2，MOS3； 2nd代：BSIM，HSPICE level＝28，BSIM2 3rd代：BSIM3，MOS model9，EKV(Enz-Krummenacher-Vittoz)
目前工艺厂家最常提供的MOS SPICE模型为BSIM3v3 （UC Berkeley）
CMOS模拟集成电路设计
绪论、MOS器件物理基础
王永生 Harbin Institute of Technology Microelectronics Center
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提纲
2
提纲
1、绪论 2、MOS器件物理基础
HIT Microelectronics
王永生
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2.3.1体效应
对于NMOS，当VB<VS时，随VB下降，在没反型前， 耗尽区的电荷Qd增加，造成VTH增加，也称为“背栅 效应”
其中，γ为体效应系数
HIT Microelectronics
VTH 0
VTH
王永生
2009-1-16
MOS器件物理基础
15
2.3.2 沟道长度调制效应
当沟道夹断后，当VDS增大时，沟道长度逐渐减小， 即有效沟道长度L’是VDS的函数。
定义L’=L-ΔL， ΔL/L=λVDS
λ为沟道长度调制系数。
HIT Microelectronics
王永生
2009-1-16
MOS器件物理基础
16
2.3.3亚阈值导电性
当VGS≈VTH时和略小于VTH ，“弱”反型层依然存在， 与VGS呈现指数关系。当VDS大于200mV时，
这里ζ>1，VT＝kT/q
1st 代：MOS1，MOS2，MOS3； 2nd代：BSIM，HSPICE level＝28，BSIM2 3rd代：BSIM3，MOS model9，EKV(Enz-Krummenacher-Vittoz)
目前工艺厂家最常提供的MOS SPICE模型为BSIM3v3 （UC Berkeley）
CMOS模拟集成电路设计
绪论、MOS器件物理基础
王永生 Harbin Institute of Technology Microelectronics Center
2009-1-16
提纲
2
提纲
1、绪论 2、MOS器件物理基础
HIT Microelectronics
王永生
2009-1-16
2.3.1体效应
对于NMOS，当VB<VS时，随VB下降，在没反型前， 耗尽区的电荷Qd增加，造成VTH增加，也称为“背栅 效应”
其中，γ为体效应系数
HIT Microelectronics
VTH 0
VTH
王永生
2009-1-16
MOS器件物理基础
15
2.3.2 沟道长度调制效应
当沟道夹断后，当VDS增大时，沟道长度逐渐减小， 即有效沟道长度L’是VDS的函数。
定义L’=L-ΔL， ΔL/L=λVDS
λ为沟道长度调制系数。
HIT Microelectronics
王永生
2009-1-16
MOS器件物理基础
16
2.3.3亚阈值导电性
当VGS≈VTH时和略小于VTH ，“弱”反型层依然存在， 与VGS呈现指数关系。当VDS大于200mV时，
这里ζ>1，VT＝kT/q
拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答案中文共40页文档
55、 为 中 华 之 常成 于困约 ，而败 于奢靡 。——陆 游 52、 生 命 不 等 于是呼 吸，生 命是活 动。——卢 梭
53、 伟 大 的 事 业，需 要决心 ，能力 ，组织 和责任 感。 ——易 卜 生 54、 唯 书 籍 不 朽。——乔 特
拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答 案中文
1、合法而稳定的权力在使用得当时很 少遇到 抵抗。 ——塞 ·约翰 逊 2、权力会使人渐渐失去温厚善良的美 德。— —伯克
3、最大限度地行使权力总是令人反感 ；权力 不易确 定之处 始终存 在着危 险。— —塞·约翰逊 4、权力会奴化一切。——塔西佗
5、虽然权力是一头固执的熊，可是金 子可以 拉着它 的鼻子 走。— —莎士 比
53、 伟 大 的 事 业，需 要决心 ，能力 ，组织 和责任 感。 ——易 卜 生 54、 唯 书 籍 不 朽。——乔 特
拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答 案中文
1、合法而稳定的权力在使用得当时很 少遇到 抵抗。 ——塞 ·约翰 逊 2、权力会使人渐渐失去温厚善良的美 德。— —伯克
3、最大限度地行使权力总是令人反感 ；权力 不易确 定之处 始终存 在着危 险。— —塞·约翰逊 4、权力会奴化一切。——塔西佗
5、虽然权力是一头固执的熊，可是金 子可以 拉着它 的鼻子 走。— —莎士 比
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
（2分）A..B.C.D..标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。
最新专升本《cmos模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案讲课教案
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。
模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第九章运算放大器
位置匹配
合理安排元件的位置，使它们在版图上相对集中， 以减小连线误差和寄生效应。
方向匹配
确保同一类型的元件具有相同的旋转方向，以减 小失配误差。
防止噪声干扰
01
02
03
隔离噪声源
将噪声源与敏感电路隔离， 以减小噪声干扰。
滤波器设计
在版图中加入适当的滤波 器，以减小信号中的噪声 成分。
接地措施
合理接地，减小地线阻抗 和电位差，以减小噪声干 扰。
在数字电路中的应用
模拟数字转换器（ADC）
运算放大器在ADC中用于放大模拟信号并将其转换为数字信 号。
数字模拟转换器（DAC）
运算放大器在DAC中用于将数字信号转换为模拟信号，实现 数字控制和调节。
在信号处理中的应用
信号调理
运算放大器用于信号的放大、缩小、隔离和缓冲，以适应后续的 信号处理或测量设备。
模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第九章
运算放大器
$number {01}
目 录
• 运算放大器概述 • 运算放大器的基本结构和工作原
理 • 运算放大器的应用 • 运算放大器的设计流程 • 运算放大器的版图设计技巧 • 运算放大器的实际应用案例分析
01
运算放大器概述
定义与功能
定义
运算放大器是一种具有高放大倍数、 高输入电阻和低输出电阻的直接耦合 放大电路，通常由两个晶体管组成。
运算放大器的主要参数
增益
01 运算放大器的放大倍数，通常
用开环增益表示。
带宽
02 运算放大器能够处理的信号频
率范围，通常用单位Hz表示。
输入电阻
03 运算放大器的输入端电阻，通
常用MΩ表示。
输出电阻
合理安排元件的位置，使它们在版图上相对集中， 以减小连线误差和寄生效应。
方向匹配
确保同一类型的元件具有相同的旋转方向，以减 小失配误差。
防止噪声干扰
01
02
03
隔离噪声源
将噪声源与敏感电路隔离， 以减小噪声干扰。
滤波器设计
在版图中加入适当的滤波 器，以减小信号中的噪声 成分。
接地措施
合理接地，减小地线阻抗 和电位差，以减小噪声干 扰。
在数字电路中的应用
模拟数字转换器（ADC）
运算放大器在ADC中用于放大模拟信号并将其转换为数字信 号。
数字模拟转换器（DAC）
运算放大器在DAC中用于将数字信号转换为模拟信号，实现 数字控制和调节。
在信号处理中的应用
信号调理
运算放大器用于信号的放大、缩小、隔离和缓冲，以适应后续的 信号处理或测量设备。
模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第九章
运算放大器
$number {01}
目 录
• 运算放大器概述 • 运算放大器的基本结构和工作原
理 • 运算放大器的应用 • 运算放大器的设计流程 • 运算放大器的版图设计技巧 • 运算放大器的实际应用案例分析
01
运算放大器概述
定义与功能
定义
运算放大器是一种具有高放大倍数、 高输入电阻和低输出电阻的直接耦合 放大电路，通常由两个晶体管组成。
运算放大器的主要参数
增益
01 运算放大器的放大倍数，通常
用开环增益表示。
带宽
02 运算放大器能够处理的信号频
率范围，通常用单位Hz表示。
输入电阻
03 运算放大器的输入端电阻，通
常用MΩ表示。
输出电阻
(完整版)专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
.标准答案：B
and 54. 工作在（）区的 MOS 管，可以被看作为电流源。 （2 分） e A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和
.标准答案：D
tim 55. 工作在（）区的 MOS 管，其跨导是恒定值。 （2 分） t a A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和 a .标准答案：D
59. NMOS 管的导电沟道中依靠（）导电。 （2 分） A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 .标准答案：A
60. 当 MOS 管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。
A B C D （2 分） A.见图 B.见图 C.见图 D.见图 .标准答案：C
61. MOS 管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流 的能力。 （2 分） A.跨导 B.受控电流源 C.跨阻 D.小信号增益 .标准答案：A
A.电阻负载
B.二极管连接负载
C.电流源负载
D.二极管和电流源并联负载
.标准答案：C
25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。 （2 分）
A.电路设计
B.版图设计
C.规格定义
D.电路结构选择
.标准答案：B
26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的 IC 在功耗方面具有最大的优势。
（2 分）
19. NMOS 管中，如果 VB 变得更负，则耗尽层（）。 （2 分） A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变 .标准答案：C
20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（） （2 分）
A.不断提高 B.不变 .标准答案：D
C.可大可小 D.不断降低
21. MOS 管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。 （2 分） A.电导 B.电阻 C.跨导 D.跨阻 .标准答案：C