02低噪声放大器
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低噪声放大器设计随着电子技术的不断发展,低噪声放大器(Low Noise Amplifier,简称LNA)在无线通信和微波领域的重要性不断提升。
低噪声放大器的主要作用是在前置放大器中放大微弱信号,同时将噪声压制到最小,以保证整个系统的性能。
低噪声放大器的噪声系数是衡量其性能的重要指标,通常用dB比值或者分贝数来表示,简称Nf。
低噪声放大器的设计要确保Nf足够低,才能在微弱信号中产生足够的增益且不引入过多的噪声。
因此,低噪声放大器的设计非常重要。
一、低噪声放大器设计的挑战在设计低噪声放大器时,需要面临几个挑战。
第一,如何处理噪声。
在放大器中,噪声来自于电阻、晶体管的温度、元器件的起伏等因素,噪声在传输信号时会被放大。
因此,设计低噪声放大器需要充分考虑噪声的来源,并采取合适的抑制措施,以保证系统的高效运作。
第二,如何改善热噪声。
热噪声是低噪声放大器中一个常见的问题,是由器件本身热引起的噪声。
为了减小热噪声,需要减小器件的温度,采用低噪声晶体管等高品质元器件来代替常规器件,并减小元器件之间的串扰。
第三,如何平衡增益和噪声。
低噪声放大器需要在增益和噪声之间进行权衡,在增益和噪声之间找到平衡点。
增加放大器的增益会对噪声产生影响,因此需要采用低失真、高效率的放大器设计来保证放大器的性能。
二、低噪声放大器的设计要点低噪声放大器的设计要点主要包括器件选择、电路结构、滤波器和匹配等。
器件选择是设计低噪声放大器时非常关键的一个方面,选择适当的低噪声、低电荷、高频率的晶体管材料,能提高系统的性能,也能减小噪声系数。
电路结构是设计低噪声放大器时的另外一个重要方面。
直接耦合放大器和共源放大器是常见的电路结构,其中直接耦合放大器简单、稳定,但增益和噪声系数会受到限制。
而共源放大器的增益和噪声系数的选择范围更大,但也更过程更为复杂。
此外,混频器的阻抗匹配和反馈网络设计也是设计低噪声放大器的重要方面。
滤波器也是设计低噪声放大器时需要重点考虑的方面之一。
低噪声放大器的工作原理低噪声放大器是一种常用的电子器件,它的工作原理是通过降低输入信号中的噪声,提高输出信号的信噪比。
在各种电子设备中,低噪声放大器起着关键的作用,其应用范围涉及通信、雷达、无线电等各个领域。
低噪声放大器的核心部件是放大器。
放大器的作用是将输入信号放大到所需的幅度。
对于低噪声放大器而言,其特点是在放大信号的同时尽量减小噪声的干扰。
噪声可以来自于各种因素,例如电路本身的热噪声、器件的非线性、功率供应的波动等等。
因此,低噪声放大器在设计上需要考虑到这些因素,采取相应的措施来降低噪声。
低噪声放大器的工作原理主要包括以下几个方面:1. 选择低噪声元件:在低噪声放大器的设计中,选择低噪声的元件是非常重要的。
例如,使用低噪声的晶体管作为放大器的核心元件,可以有效地降低噪声。
此外,还可以采用特殊的材料来减小噪声,例如使用低噪声放大器中常用的砷化镓材料。
2. 优化电路结构:在低噪声放大器的设计中,电路结构的优化也是非常重要的。
通过合理布局电路元件的位置,减小信号路径中的干扰,可以有效地降低噪声。
此外,还可以采用差分放大电路来抑制共模干扰,进一步提高信噪比。
3. 降低功率供应噪声:功率供应的波动也是低噪声放大器中的一个重要噪声源。
为了降低这种噪声的影响,可以采取一些措施,例如使用稳压器来提供稳定的电压供应,减小功率供应的波动。
4. 优化工作环境:低噪声放大器的工作环境也会对噪声产生影响。
在设计中,可以注意到一些细节,例如降低温度对噪声的影响、减小电磁干扰等。
通过以上的工作原理,低噪声放大器能够有效地降低输入信号中的噪声,提高输出信号的信噪比。
这对于各种电子设备而言,都非常重要。
例如,在通信系统中,低噪声放大器可以提高信号的传输距离和质量;在雷达系统中,低噪声放大器可以提高探测的灵敏度和准确性;在无线电系统中,低噪声放大器可以提高接收信号的清晰度和稳定性。
低噪声放大器是一种通过降低噪声、提高信噪比的电子器件。
低噪声放大器的原理
低噪声放大器是一种电子设备,用于放大电信号,同时尽量减小噪声的干扰。
其原理主要包括以下几个方面:
1. 输入电路设计:低噪声放大器的输入电路采用高阻抗、低噪声的元件和结构设计,以减小对输入信号的干扰。
常见的设计技巧包括使用高阻抗输入电路、采用薄膜电阻、陶瓷电容等元件,以及合理布局和屏蔽设计等。
2. 放大器结构:低噪声放大器通常采用共基极、共集极或共源极等结构,以提供高增益和低噪声。
其中,共源极结构被广泛应用于射频放大器,其工作原理是利用场效应管的高输入阻抗和低噪声系数。
3. 负反馈设计:通过引入负反馈,可以有效降低放大器的噪声系数。
负反馈可以利用输出与输入之间的比例关系来抵消放大器内部的噪声。
常见的负反馈设计技巧包括采用电阻网络、差分输入等。
4. 电源噪声抑制:低噪声放大器需要通过设计合理的电源滤波电路来减少电源噪声的影响。
这可以通过使用电源滤波电容、电感等元件来实现。
总体来说,低噪声放大器通过合理的电路设计和结构选择,以及负反馈和电源噪声抑制等技术手段,目的是尽量减小放大器本身引入的噪声,从而提供纯净的放大信号。
低噪声放大器原理符号低噪声放大器(LowNoiseAmplifier,LNA)是无线通信设备中的关键组件,它负责提升信号的强度,以便于后续的信号处理。
在电路符号表示中,低噪声放大器通常以一种特定的形式进行表示。
一、原理低噪声放大器的工作原理主要是通过放大微弱的信号电流,同时抑制噪声和干扰。
它的输入信号通常来自天线或其他接收器,其输出信号经过处理后可以进一步传递到下一级电路。
在放大信号时,低噪声放大器的一个重要指标是噪声系数(NoiseFactor),它表示放大器输入端的噪声与输出端的噪声之比。
低噪声放大器的噪声系数通常应该尽可能的小,以确保放大后的信号强度更高,而干扰和噪声的影响更小。
二、符号表示在电路图中,低噪声放大器通常以特定的符号进行表示。
其基本形式通常是一个简单的二极管加一个放大器,下面我们来详细解释这个符号的含义:1.放大器部分:通常是一个开环的差分放大器,用于放大微弱的信号电流。
2.二极管:表示低噪声放大器的输入端,它接收来自天线的微弱信号。
3.箭头:表示信号的流向,即输入端的信号被放大后,输出到下一级电路。
4.环绕箭头:表示噪声的抑制,这个符号的含义是低噪声放大器能够有效地抑制干扰和噪声,从而提升信号的质量。
此外,在一些具体的电路图中,可能还会在符号旁边添加一些其他的参数和标注,例如放大器的增益、带宽、噪声系数等。
三、应用低噪声放大器在无线通信系统中有着广泛的应用,例如在移动电话、无线路由器、无线基站等设备中都扮演着重要的角色。
通过提高信号的强度和降低干扰和噪声的影响,低噪声放大器使得无线通信设备能够更好地工作,提供更稳定、更可靠的通信服务。
四、总结低噪声放大器是无线通信设备中的关键组件,通过放大微弱的信号电流并抑制干扰和噪声,它对于提高通信质量和稳定性具有重要作用。
在电路符号表示中,低噪声放大器通常以特定的形式进行表示,包括一个简单的二极管加一个放大器,以及一些其他的参数和标注。
低噪声放大器工作原理介绍低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,简称LNA)是一种常见的电子器件,其主要功能是将弱信号放大到足够的水平,以便能够有效地进行后续信号处理。
在无线通信、雷达系统等领域中,低噪声放大器起着至关重要的作用,它能够在信号传输过程中尽可能地减小噪声的加入,从而提高系统的信噪比。
工作原理低噪声放大器的工作原理涉及到放大器的各个组件和信号传输路径。
下面将详细介绍几个关键原理。
1. 放大器的输入部分低噪声放大器的输入部分通常包括天线、匹配网络和LNA芯片。
天线将接收到的微弱信号送入匹配网络,匹配网络对输入信号进行适当的调整,以保证信号能够最大程度地被传输到LNA芯片。
匹配网络的设计需要考虑到天线的阻抗、传输线等因素,以实现最佳的信号匹配。
2. 低噪声放大器的放大部分LNA芯片是低噪声放大器的核心组成部分,它负责将输入的微弱信号放大到合适的水平,同时尽可能地减小噪声。
为了实现低噪声放大,常见的设计方法包括:•使用低噪声场效应管(Low-Noise Field-Effect Transistor,简称LNA-FET)作为放大器的核心器件。
LNA-FET具有低噪声系数和高放大增益的特点,适合用于接收微弱信号。
•通过负反馈实现噪声抑制。
放大器的输出信号通过反馈回路与输入信号相比较,通过调节反馈网络的参数,可以抑制噪声的传输,从而提高信噪比。
•优化器件的工作状态和工作电压。
选择合适的工作状态和电压可以降低器件本身产生的噪声,并提高整个放大器系统的性能。
3. 噪声源和噪声参数低噪声放大器的性能评价与噪声参数密切相关。
主要的噪声源包括器件本身的噪声、传输线的噪声、温度噪声等。
常见的噪声参数有:•噪声系数(Noise Figure,简称NF):衡量放大器引入的噪声相对于理想放大器引入的噪声的影响程度。
噪声系数越低,表示放大器的噪声性能越好。
•噪声温度(Noise Temperature):用来表示放大器产生的等效噪声温度。
低噪声放大器核心参数低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是一种用于增加信号幅度而又尽量减小噪声的放大器。
在无线通信、雷达、卫星通信和其他接收系统中,低噪声放大器起到了至关重要的作用。
为了设计出性能优越的低噪声放大器,需要对其核心参数有深入的了解。
在本文中,我们将详细介绍低噪声放大器的核心参数,并对其进行分析和讨论。
1. 噪声指标低噪声放大器最为重要的参数之一就是噪声指标。
噪声指标通常用于描述放大器在增益条件下的噪声性能。
常见的噪声指标包括噪声系数(Noise Figure,NF)、噪声温度(Noise Temperature,Tn)、噪声系数与增益的乘积(Gain Bandwidth Product,GBP)等。
噪声系数是描述放大器引入信号噪声的指标,一般以分贝(dB)为单位,数值越小代表噪声性能越好。
而噪声温度描述了放大器引入的噪声相当于理想传输线路引入的噪声温度,单位为开尔文(K)。
噪声系数与增益的乘积则是评价放大器噪声性能的综合指标。
2. 增益增益是低噪声放大器的另一个核心参数。
增益表示放大器输出信号与输入信号的幅度比值,通常用分贝(dB)表示。
增益越大意味着放大器输出信号的幅度增加的越多,但也需要注意,在增益增大的同时可能会伴随着噪声的增加。
低噪声放大器需要在保证足够增益的前提下尽量减小噪声。
3. 带宽低噪声放大器的带宽也是一个重要参数。
带宽指的是在放大器工作范围内的频率范围,通常用赫兹(Hz)表示。
低噪声放大器需要具有足够的带宽,以确保对输入信号的覆盖范围足够广,同时也需要避免出现频率失真等问题。
4. 饱和输入功率饱和输入功率也是低噪声放大器的重要参数之一。
饱和输入功率指的是在放大器输出的信号出现压制之前,输入信号的功率大小。
通常用分贝毫瓦(dBm)来表示。
饱和输入功率越大,意味着放大器能够承受更大的输入信号功率而不至于出现失真等问题。
5. 稳定性低噪声放大器的稳定性也是一个重要的核心参数。
低噪声放大器低噪声放大器是一种具有优良噪声特性而增益较高的小信号放大器,一般位于接收机的前端,是决定整个接收系统噪声特性的关键部件。
目前常见的低噪声放大器有以下几种:低温制冷参量放大器、常温恒温参量放大器、微波场效应晶体管放大器和高电子迁移率晶体管放大器等。
参量放大器采用变容电抗元件(变容二极管)对信号进行放大,可以获得满意的低噪声性能,进一步降低其工作的环境温度(例如环境温度达20K),会大幅度改善其噪声性能。
然而随着金属半导体场效应晶体管性能的改善与提高,低噪声场效应放大器的噪声性能已接近于常温参量放大器的水平。
同时,由于FET放大器具有性能稳定、结构紧凑、价格低廉等优点,它已逐步取代了参量放大器。
目前,Ku频段以下的低噪声放大器普遍采用低噪声FET放大器。
继低噪声MESFET之后,高电子迁移率晶体管(High Electron Mobiliey Transistor),简称HEMT器件,获得了迅速的发展。
它在低噪声、高工作频率方面比FET更优越,已广泛投入使用。
目前广泛使用的是金属半导体场效应管低噪声放大器。
它的核心部件是金属半导体场效应管(MESFET)。
金属半导体场效应管是用本征砷化镓作为基片的衬底,用特殊工艺形成源极(S)、栅极(G)和漏极(D)三个电极;通过栅极电压来控制漏极电流,从而实现对小信号的放大功能。
微波场效应管的主要参数有:特征频率、单向功率增益和最大振荡频率、最大输出功率和噪声特性。
微波场效应管低噪声放大器设计主要考虑的问题是计算输入、输出匹配网络和选择工作点。
通常第一、二级按最小噪声系数设计,中间级按高增益设计,末级则保持良好的线性,满足系统互调特性的要求。
微波场效应管低噪声放大器的设计步骤:1、 选择适当的电路形式一般采用共源极电路形式,并尽可能选用f T 高的管子。
一般0)5~3(f f T =。
2、 确定工作点和偏置电路小信号管做低噪声放大时,漏极电流很小,一般为10mA 左右。
低噪声放大器测试方法1.引言1.1 概述低噪声放大器是一种在电子设备中广泛应用的重要组件,其主要功能是放大输入信号并保持较低的信号噪声水平。
在很多应用领域中,特别是在通信系统、雷达系统和传感器等领域中,低噪声放大器的性能对整个系统的工作稳定性和灵敏度起着至关重要的作用。
低噪声放大器的设计目标是在尽可能放大输入信号的同时,尽量减少额外的噪声引入。
这就要求设计人员在选择合适的材料、电路拓扑和组件参数时,综合考虑放大器的增益和噪声性能。
为了确保低噪声放大器的工作稳定性和可靠性,需要对其进行严格的测试和评估。
本文将介绍低噪声放大器测试的方法。
首先,我们将详细讨论测试方法的选择标准,包括测试设备的选择、测试环境的搭建以及测试参数的设置等。
然后,我们将介绍常用的低噪声放大器测试方法,包括噪声系数测试、增益测试和输入输出阻抗测试等。
针对每种测试方法,我们将详细介绍其原理、测试步骤以及数据分析方法。
通过本文的学习,读者将能够全面了解低噪声放大器测试的方法和技巧,能够准确评估和验证低噪声放大器的性能。
同时,本文还将提供一些实用的测试经验和建议,帮助读者在实际应用中更好地设计和应用低噪声放大器。
综上所述,本文旨在为读者提供关于低噪声放大器测试方法的详细介绍,帮助读者掌握低噪声放大器测试的技巧,提高低噪声放大器的设计和应用水平。
1.2 文章结构文章结构的设计是为了让读者能够清晰地了解整篇文章的组织和内容安排。
本文的结构主要包括引言、正文和结论三个部分。
引言部分(1.1)首先会对低噪声放大器进行概述,介绍该技术的基本概念和应用领域。
接下来,会简要介绍文章的结构,包括每个部分的内容和组织方式。
最后,会明确本文的目的,即介绍低噪声放大器的测试方法。
引言部分的目的是引起读者的兴趣,提供一个整体的框架,帮助读者了解本文的主要内容。
正文部分(2.1和2.2)是本文的重点,将详细介绍低噪声放大器的定义、重要性和基本原理。
在2.1部分,会详细解释低噪声放大器的概念,并探讨其在实际应用中的重要性和优势。
低噪声放大器原理
低噪声放大器的工作原理可以简单地概括为:接收输入信号,放大信号,输出信号。
将信号输入到放大器中,放大器通过增加信号幅度来提高信噪比,然后将信号输出到后续的电路中。
由于LNA需要将信号从噪声背景中提取出来,因此需要尽可能减小放大器本身产生的噪声。
在这个过程中,放大器单元的噪声也被放大,因此输出信号中包含有噪声。
为了减小放大器本身的噪声,需要在放大器单元前后加上合适的匹配网络,使得输入信号的功率得到最大化,而噪声功率得到最小化。
LNA的噪声主要来自两个方面:器件本身的噪声和放大器的失真。
为了减小器件本身的噪声,可以使用低噪声晶体管等低噪声器件,并采用合适的工艺和布线方式,减小器件之间的串扰和互感。
为了减小失真,可以使用高线性度的器件,采用反馈电路等方法来提高放大器的稳定性和线性度。
具体地,当输入信号进入输入网络时,它会被匹配到放大器单元的输入阻抗,并通过放大器单元的放大作用,使得信号的幅度得到增大。
低噪声放大器设计1. 引言本文档旨在讨论低噪声放大器的设计。
低噪声放大器在电子电路中起着重要的作用,可以提供高增益而又尽可能降低输入信号的噪声。
因此,低噪声放大器在无线通信、雷达系统和敏感测量等领域中得到广泛应用。
2. 设计原则低噪声放大器的设计应遵循以下原则:2.1 最小化噪声系数噪声系数是衡量放大器噪声性能的重要指标。
因此,在设计过程中应采取措施最小化噪声系数,例如使用低噪声元件、优化电路布局以降低噪声等。
2.2 选择合适的放大器拓扑结构不同的放大器拓扑结构具有不同的性能特点。
根据具体应用需求,选择合适的拓扑结构可以提高低噪声放大器的性能。
2.3 优化功率匹配功率匹配是低噪声放大器设计中的一个重要考虑因素。
通过优化功率匹配,可以提高放大器的效率和性能。
3. 设计步骤以下是一个简单的低噪声放大器设计的步骤:3.1 确定应用需求和规格首先,确定放大器的应用需求和规格。
这包括增益要求、频率范围、输入输出阻抗等。
3.2 选择合适的放大器拓扑结构根据应用需求,选择合适的放大器拓扑结构,例如共源放大器、共栅放大器等。
3.3 选取适当的元件选择适当的元件来实现放大器的设计。
对于低噪声放大器,应选择具有低噪声特性的元件,如低噪声晶体管等。
3.4 进行电路模拟和优化使用电路模拟工具进行低噪声放大器的电路设计和仿真。
通过不断优化电路参数,以满足设计需求和要求。
3.5 PCB设计和布局进行PCB设计和布局,优化电路的布局和连接,减少噪声干扰和信号损耗。
3.6 制造和测试根据设计要求,制造和测试低噪声放大器。
进行性能测试和验证。
4. 结论低噪声放大器设计是一个复杂而重要的工作,它需要综合考虑多个因素和技术。
本文档介绍了低噪声放大器设计的一般原则和步骤,希望能为读者提供一些参考和指导。
《通信电子线路》(第 2 版)2.1引言2.2晶体管高频小信号模型2.3LNA主要指标2.4单管低噪声放大器2.5集成宽带低噪声放大器2.6LNA的噪声匹配2.7LNA设计举例2.1 引言•低噪声放大器在接收通道中的作用与位置图2.1.1 某CDMA移动台射频前端收发系统结构框图2.1 引言•LNA的主要特点1、要求LNA有较低的噪声系数。
2、要求LNA有一定的功率增益。
3、要求LNA具有足够的线性范围。
4、LNA的匹配问题•双极型晶体管共射小信号等效模型主要参数:发射结的结电阻r b’e 、发射结电容C b’e 、集电结电容C b’c 基极电阻r bb’、g m U b’e 、特征频率f T .2.2 晶体管高频小信号模型•r b ’e 为发射结的结电阻,其值为:EQT e e b I U r r )1()1('ββ+=+=•C b ’e 为发射结电容,包含势垒电容C T 和扩散电容C D 两部份,C b ’e = C T + C D•C b ’c 为集电结电容,它也包含势垒电容C T 和扩散电容C D 两部份主要参数:2.2 晶体管高频小信号模型2.2.1双极型晶体管共射小信号等效模型•r bb ’由基极引线电阻和基区体电阻组成,其值约为几十到几百欧。
•g m U b ’e 表示双极型晶体管放大作用的等效电流源。
mVI r U i g E be Q BE C m 26≈=∂∂=β•特征频率f T ,定义为共射输出短路电流放大倍数β下降为1时的频率m m T C g C C g f 2)(2ππ≈+=主要参数:2.2 晶体管高频小信号模型2.2.1双极型晶体管共射小信号等效模型主要参数:跨导g m 、输出电阻r ds 、栅源极间和栅漏极间电容C gs 和C gd 、漏源极间电容C ds 、最高工作频率f m2.2 晶体管高频小信号模型2.2.2场效应管小信号模型•跨导g mDQox th GS GSQ ox m I l WC U U l WC g 22)()(μμ≈−≈µ为迁移率,通常为常数。
C ox 为单位面积的栅极电容量,l 为沟道长度,W 为沟道宽度。
•输出电阻r ds DQds ds I g r λ11≈=A U /1−=λ称为沟道长度调制系数,U A 为厄尔利电压主要参数:2.2 晶体管高频小信号模型2.2.2场效应管小信号模型•栅源极间和栅漏极间电容C gs 和C gd•漏源极间电容C ds ,主要由漏、源区分别与衬底之间PN 结的势垒电容组成,通常为0.1~1pF 左右。
C gs 和C gd 主要由MOS 平板电容组成,工程中可以用下式近似估算Wl C C Wl C C ox gd ox gs 31,32== •最高工作频率f m gs m gd gs m m C g C C g f ππ2)(2≈+=主要参数:2.2 晶体管高频小信号模型2.2.2场效应管小信号模型-30-21-21反向隔离(dB )-4-3-11.1IIP3 (dBm)14.49.518.1增益(dB ) 1.32.82.8噪声系数NF(dB) 1.4-2.51.91.9工作频率(GHz ) 3.52.04.0电源电流(mA ) 2.7-5.51.93.0电源电压(V )SiGe 0.8µm Si Bipolar 0.5µm GaAs FET工艺2.3 LNA 主要指标2.3 LNA主要指标•功耗在保证放大器指标的前提下,适当减小偏置电流。
•噪声系数结论:对于无源互易网络,其损耗等于噪声系数。
(a)LC滤波器(b)RC滤波器•例2.3.1图2.1.1所示为某CDMA 移动台射频前端收发系统结构框图,设窄带CDMA 信号带宽B N 为1.23MHz ,接收灵敏度S(dBm)为-117dBm ,输出信噪比D 为11dB 。
求1) 窄带CDMA 接收系统的噪声系数;2) 若天线开关损耗为0.5dB ,收发双工器损耗为3.5dB ,LNA 的噪声系数控制在多少才能保证整个接收机的性能?2.3 LNA 主要指标2.3 LNA主要指标■动态范围动态范围通常定义为接收电路在能保证输出信号质量情况下,最大输入电平与最小输入电平的比值。
SFDR (dB) = Smax(dBm) -Smin(dBm)■例2.3.2某接收机的前端LNA噪声系数NF=3dB,输入三阶互调阻断点IIP3 = -20dBm,带宽B = 1MHz。
若要求输出信噪比D为12dB,求LNA的无失真动态范围SFDR。
■LNA 的匹配LNA 与信号源的匹配是非常重要的,由匹配方式决定了LNA 的拓扑结构:功率匹配与噪声匹配。
■增益及增益控制■线性度例2.3.4 已知LNA 的噪声带宽B N =200KHz ,N F =2dB ,求基底噪声N Ft 为多少?若1dB 压缩点的输入功率S in1= -20dBm ,要求输出信噪比D =15dB 时,问此时LNA 的线性动态范围IEDR (Linear dynamic range)为多少?2.3 LNA 主要指标分析步骤:•计算输入端总等效电容C eq ;•把该系统单向化近似,简化为含一个电容的一阶系统;•计算主极点(输入极点)的值ωP•计算系统上限角频率ωH 、共发放大器增益带宽积GBP2.4单管低噪声放大器2.4.1双极型三极管共射极高频小信号电路分析eb e b eb c b Lm eq DC C C C R g C ''']1[''=+=•主极点值为eqeq p C R 1=ωII out us C sR A s A s U s A +=+==⋅1/1)()(.ωeb bb s LI r r R R A '''++−=βeb bb s bb s e b e b bb s eq r r R r R r r r R R ''''')(//)('+++=+=eb e b bb s e b bb s eq eq p H DC r r R r r R C R ''''')(1+++===ωω•共射小信号放大电路的电压增益•上限角频率•输入端总等效电容为•C eq 两端并联等效电阻•中频区源电压增益2.4单管低噪声放大器2.4.1双极型三极管共射极高频小信号电路分析共源电路及密勒近似简化电路分析步骤:•计算输入端等效电容C eq 、一阶系统主极点(输入极点)ωP 、电路的电压增益为A US 、上限角频率ωH2.4单管低噪声放大器2.4.2场效应管共源极高频小信号电路分析gsgs D m gsgd gd D m gs gd D m gs eq DC C R g C C C R g C C R g C C =+=+≈++=)1()1(eqS p C R 1=ωgsS D m eq S Ip I s out us DC sR R g C sR A s A s U s U s A ⋅+−=+=+==11/1)()()(ωgss eq S p H DC R C R 11===ωω•输入端等效电容•主极点值为•电压增益•上限角频率ωH 为2.4单管低噪声放大器2.4.2场效应管共源极高频小信号电路分析2.4单管低噪声放大器2.4.2场效应管共源极高频小信号电路分析JFET构成的共源LNA放大电路1) 双极型晶体管组合电路■组合电路的上限频率主要取决于共发电路。
利用共基电路输入阻抗低的特性,将它作为共发电路的负载,就可有效地克服共发电路中的密勒倍增效应。
2.5集成宽带低噪声放大器2.5.1组合LNA 电路2.5集成宽带低噪声放大器2.5.1组合LNA电路2)场效应管共源-共栅电路■由场效应管构成的共源共栅极放大器可以有效地提高电压增益和提高电流源的输出阻抗,并通过抑制密勒效应提高共栅极放大器的工作速率,并为共源极提供很高的输入阻抗。
•共源极和共栅极的级联叫作共源共栅结构(cascode)。
•共源共栅极电路的跨导大于共源极电路的跨导,因而可以获得较高的电压增益;•输出电阻R out = [1+(g m2 + g mb2)r o2]r o1+r o2,•假设g m r o >> 1,R out ≈(g m2 + g mb2)r o2r o1,即T 2把T 1的输出阻抗提高至原来的(g m2 + g mb2)r o2倍。
2)场效应管共源-共栅电路2.5集成宽带低噪声放大器2.5.1组合LNA 电路2.5集成宽带低噪声放大器2.5.2集成LNA电路2.6 LNA的噪声匹配•双端口网络噪声匹配(a)噪声源驱动一个含噪声的二端口网络(b)等效噪声模型噪声系数F :2222222||1)(s Ns c u s Ns c u s i e Y Y i i e Y Y i i F +++=+++=i c = Y c e Ni N = i c + i u 常数Y c 称为相关导纳,它表示e N 和i N 之间的导纳,Y c = G c + jB c ,G c 为相关电导,B c 为相关电纳。
2.6 LNA 的噪声匹配2.6.1双端口网络噪声匹配kTBe R s N 42=kTB i G u u 42=kTB i G s s 42=N s c s c u sN s c u G R B B G G G G R Y Y G F ])()[(1||1222+++++=+++=,式中,R N –网络等效输入噪声电阻;G u –非相关分量i u 电导;G s –噪声源电导;由此,噪声因数可以只用阻抗和导纳项来表示,把每个导纳Y 分解成电导G 和电纳B 之和:2.6 LNA 的噪声匹配2.6.1双端口网络噪声匹配s N s c u G R G G G F 2)(1+++=0=∂∂−=cs B B s G F Nu c opt s R G G G G +==2当B s = -B c = B opt 时,对给定的G s 有为得到最小的F 值,令并求解G s 得至此,得出结论:为了使噪声因数最小,应该使噪声源导纳Y S 中的电纳B s 等于相关导纳Y c 中相关电纳B c 的负值,即这两个导纳为复共轭,相关最佳信号源电导如式(2.6.7)中所示。
2.6 LNA 的噪声匹配2.6.1双端口网络噪声匹配双极型LNA 为共射组态且工作在射频段时输入阻抗为eb b b in C j r Z ''1ω+≈β2211'S m S m S bb R g R g R r F +++=β'211min bb m r g F ++=mbb m opt S g r g R )21(')(+=β共射LNA 放大器的噪声因数为可以得出最小噪声因数最佳源阻抗为2.6 LNA 的噪声匹配2.6.2双极型LNA 的匹配•例2.6.1 当共射放大器的射极电流Ic = 1mA, β= 100,r bb’= 50Ω,求最佳源阻抗Rs(opt)和最小噪声系数NF。