PROE操作说明
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PROE操作说明
Por/E草绘基本指令操作⽅法
⼀、基本指令1．⽬录：临时⽬录：⽂件→⼯作⽬录设定；永久⽬录：桌⾯Pro/E →右键→属性→起始⽬录设定，把要储存⽂件的地址复制在起始⽬录设定→应⽤→√。2．⿏标功能：按住⿏标中键不放=移动屏幕；⿏标中键向前/向后→缩⼩/放⼤。（草绘后缀名sec），按住中键：旋转；Shift+中键=移动。
3．Pro/E每次保存不会覆盖原来的⽂件，重新⽣产新⽂件后缀，⽂件→删除→旧⽂件；⽂件拭除：⽂件→拭除→当前（退出当前⽂件相当于清空内存）。4．中⼼线的作⽤：1、⽤于表⽰圆的中⼼线，2、⽤于镜像、对称设置，3、⽤于对称约束及标注。对象→对称命令→中⼼线。
5．矩形、圆及标注⽅法：矩形对⾓两点、圆的半径：→在圆
上点⼀下→在圆外中键。圆的直径：→在圆上快速点两下→在圆外中键。圆弧的半径和直径与圆标注⽅法⼀样，弧长：起点→终点→圆上任意⼀点在圆外中键。（总结：圆上快速单击⼀下是半径，快速两下是直径）。6．倒圆⾓及椭圆形倒⾓：倒圆⾓命令→对象⼀→对象⼆（倒圆⾓是相交线）。椭圆形倒圆⾓有两个半径。
7．样条曲线、点、参照坐标系：样条曲线双击：多点、曲率。参照坐标系：主要⽤于扫描混合。
8．线性标注、对齐标注：对齐标注：→直线上⼀点→直线外中键。⽔平/垂直标注→起点→终点→⽔平/垂直⽅向→中键。
9．对称标注：→起点→中⼼线→起点→在外中键。
10．⾓度的标注：→第⼀条线→第⼆条线→在⾓内/外中键。
11．整体修改尺⼨：先全框选→修改尺⼨命令→输⼊尺⼨→回车√。
12．约束：⽔平、垂直、相切、点在线上、两端对称（起点→终点→中⼼线）、相等/平⾏（约束相等/平⾏命令→第⼀条线→第⼆条线）、13．⽂本：⾼度是⽂字⾼度。
14．调⾊板，有特殊图形。
15．修剪⼯具：→修剪段→画圆弧线。打断余点
16．缩放并旋转：在对称图标中。
17．锁定尺⼨：选中已标注尺⼨→长按右键→锁定（不在改变图形的尺⼨）。
18．作图原则：先画定位尺⼨，再画定性尺⼨。
19．弱尺⼨变强尺⼨：选中已标注尺⼨→右键→强。
⼆、拉伸1．实体拉伸：1）先创好草绘截⾯（条件：必须是封闭的）；2）
通过拉伸⽅向√⾼度。拉伸→右键→定义内部草绘→选择TOP/FRONT/RIHGT基准⾯。2．修改已画好图形：模型树→右键→编辑定义→放置→编辑。
3．再⽣模型：模型树→右键→编辑（修改尺⼨）→再⽣符合，即是修改后的尺⼨。
4．图标是查找。
5．绘图时屏幕很花时使⽤。清屏作⽤！6．在旋转时做定点，若关闭就在⿏标点击处是旋转点。
7．全部显⽰，点击此图标，图形全部在绘画框中。
8．重复使⽤同⼀边，即复制。
9．加强筋起加强和固定作⽤，只需⼀条线不需封闭。
10．创建基准平⾯→选择参照基准⾯→距离。可以重新命名！
三、旋转1．旋转条件：1）必须有旋转轴，2）草绘截⾯必须封闭，3）草
绘截⾯落于中⼼线⼀边，不能跨越中⼼线。旋转→右键→定义内部草绘→选择TOP/FRONT/RIHGT基准⾯。注：标注必须对称标注：起点→中⼼线→起点→⿏标中键。2．对称：起点→中⼼线→终点。画螺母：先拉伸六边形→在倒⾓旋转。
四、扫描1．扫描条件：1）扫描轨迹；2）扫描截⾯。插⼊→扫描→伸出项→草绘轨迹（有轨迹直接选取轨迹）→选基准⾯→正向→缺省。绘制轨迹结束→√→属性是选择合并还是⾃由端点→完成→绘制扫描截⾯。2．若轨迹是封闭的⾃动弹出→增加内部因素（实星）或者⽆内部
因素（空星）；1）增加内部因素：a扫描轨迹封闭的；b扫描截⾯开放；2）⽆内部因素：a扫描轨迹封闭的；b扫描截⾯封闭。3．倒圆⾓：
1)、→设置→圆形（圆锥系数0~1是倒圆⾓的弧度程度）→直径
值。2)、完全倒圆⾓：设置→圆形→在图形上选两条边（对边棱，不相
邻，已选的两条边之间的距离为直径倒圆⾓）→完全倒圆⾓。3)、通过曲线倒圆⾓：（两个⾯之间通过曲线倒圆⾓，事先：在某⼀
平⾯上草绘⼀条曲线）设置→通过曲线倒圆⾓→参照→选曲线所在⾯+ctrl相邻⾯→驱动曲线就是草绘的曲线→预览。4)、可变半径倒圆⾓：设置→半径→右键添加半径。
5)、三条边倒圆⾓：→连续选要倒⾓的三条边→→点击三边
交汇点→缺省处选择过渡⽅式。6)、⾃动倒圆⾓;是所有边圆⾓值⼀样的：插⼊→⾃动倒圆⾓→设定
直径值（范围：有凸边和凹边）。
五、混合特征1．混合特征：（混合特征最低两个截⾯）插⼊→混合→伸出项（所谓的添加材料）→平⾏→规则截⾯→草绘截⾯→完成→直的（光滑）→完成→选择基准平⾯→正向→缺省→绘制第⼀个图形→右键→切换剖⾯→绘制第⼆个图形→（如果要修改第⼀个图形右键→切换剖⾯→相当于是第三个剖⾯，不⽤绘制图形继续右键→切换剖⾯）→第⼀图形和第⼆图形图元数相等（添加图元数相等⽅法：）
→最后⼀个就是分割图元）→设置起始点→点击起点→右键设置起始点和改变起始点的⽅向（重复按起始点）。如要修改：模型树→编辑定义→双击截⾯→定义即可修改图形。2．扫描混合：插⼊→扫描混合→草绘轨迹→样条曲线绘制→→实体→参照→参照设置好后→剖⾯→截⾯位置→点击样条曲线的⼀个端点→草绘图形→√→点击样条曲线的另⼀个端点→对应的上⾯⽅框有插⼊→草绘图形→√相等的区段数→√。
六、螺旋扫描1．螺旋扫描：插⼊→螺旋扫描→伸出项→弹出对话框→属性→完成→产⽣基准平⾯→选模型中要绘制轨迹的平⾯→正向→缺省→绘制轨迹（指引⽅向的作⽤）→绘制中⼼线（点划线）→节距（螺距）→在轨迹处绘制截⾯→√注：扫引轨迹：轨迹+中⼼线截⾯应在轨迹上。2．可变螺旋扫描：插⼊→螺旋扫描→伸出项→弹出对话框→属性→可变的→完成→产⽣基准平⾯→选模型中要绘制轨迹的平⾯→正向→缺省→绘制轨迹并打⼏个点（每个螺距之间的点）→绘制中⼼线→在轨迹起始输⼊节距值→在轨迹末端输⼊节距值→添加在轨迹上的点，每个点之间设置螺距→绘制截⾯→√。3．在螺钉上绘制螺纹：插⼊→螺旋扫描→切⼝（相当于去除材料）→完成→选要绘制螺纹的⾯→正向→缺省→绘制轨迹→中⼼线→螺距→绘制截⾯→√→正向→√。退⼑槽是轨迹端点向外倾斜，起点直接到⾓即可。准标的螺纹：插⼊→修饰→螺纹→按步骤下去。
七、镜像1．镜像特征：尺⼨、⽅向、轴、：选镜像物体→镜像→镜像的平⾯→√（选项中有⽗⼦关系）。
2．尺⼨阵列：以尺⼨长度为准。
3．尺⼨阵列的可变阵列：在尺⼨阵列⾥以尺⼨阵列，点击尺⼨→对话框→⽅向1→对话框⾥有尺⼨阵列第⼀个尺⼨，要成可变阵列：对话框⽩⾊地⽅：按Ctrl+⾼度/⼤⼩尺⼨→修改增⾼⾼度/⼤⼩。
4．复制粘贴：选择要复制物体→复制→粘贴→放置→编辑→选择要放置的平⾯→⾃动弹出复制的物体直接放置即可。
5．选择性粘贴（在同⼀平⾯）：选择要复制物体→复制→选择性粘贴→弹出选择对副本应⽤移动/旋转→选择参照平⾯、尺⼨、⽅向，还可以在变换中添加更多条件。6．缩放模型：编辑→缩放模型→输⼊⽐例（相当于缩放⽐例，尺⼨按⽐例成倍增⼤或减⼩）。
7．填充阵列：要阵列的零件在草绘图形内阵列；选中要阵列的零
件→阵列→填充→参照→定义→选择要阵列的平⾯→草绘图形→√→选择阵列类型→修改尺⼨→√。
8．曲线阵列：选择特征零件→阵列→曲线→参照→定义→选
择要阵列的平⾯→草绘（或选择已有的边）注意⽅向，若⽅向不在起点→右键→改为起始点→修改尺⼨→√。9．表阵列：选择特征零件→阵列→表→点击选取项⽬→ctrl+要阵列特征零件的尺⼨→编辑→弹出txt⽂本→R11idx为缩影→R12
命名在⽂本顶上输⼊序列号→对应的D尺⼨修改为需要的尺⼨（相同尺⼨⽤*代替）→⽂件→保存→⽂件→退出→√。10．参照阵列：⾸先要阵列出来；在母零件上修改或者添加图形，选择母零件特征→阵列→参照图表→√。
⼋、装配1．创建装配⽂件：装配时所有零件必须放在同⼀⽬录，装配时所产⽣的⽂件必须与零件同⼀⽬录。新建→组件→设计→命名→使⽤缺
省模板→mmns-asm-design→√→（插⼊→元件→装配）→第⼀个零件约束选缺省→√→导⼊第⼆在零件，与装配⽅向⼤致⼀直（采⽤ctrl+alt+左键竖直平移元件，ctrl+alt+中键旋转元件，ctrl+alt+右键在屏幕上移动元件）→约束（如果是部分约束还需约束到完全约束）→放置→对话框⾥新建约束→再约束。2．约束：
1)、匹配→装配零件⽅向与元件中以参照对象的正法线⽅向相反（即⾯对⾯）注：匹配约束中可以⽤尺⼨距离来约束；2)、对齐→装配零件⽅向与元件中以参照对象的正法线⽅向相同（与
匹配刚好相反）；3)、⾃动→是轴与轴；
4)、相切；
5)、插⼊→装配零件与元件中的圆柱形曲⾯同轴；
6)、坐标系→装配零件和元件之间的坐标系⾃动吻合。
3．剖切装配图：在装配图中→⽤拉伸命令→画图形切割→√（为
了不把有的切除：模型树→编辑定义→相交→找到不想切除的零件→右键→移除）。4．分解装配图：1）、⾃动分解装配图视图→分解→分解视图；2）、⼿动分解装配图：视图→分解→编辑位置→点运动参照中→选分解到那个⽅向的⼀条边→左键⼀下要移动的零件往分解的哪个⽅向移动。
5．取消分解：视图→分解→取消分解6、保存⼿动分解：视图→视图管理器→新建→命名（下次打开就是⼿动和⾃动两个分解图，需要哪个双击即可）。九、孔特征与拔模
1．简单孔（直孔）（有3种孔的⽅式）→放置→点击对话框→选要放置孔的平⾯→点击偏移参照→ctrl+到另外的两个⾯（作定位尺⼨）→修改尺⼨（点击形状）→√。
2．标注孔轮廓：（中的标准孔）→放置→点击对话框→选要放置孔的平⾯→点击偏移参照→ctrl+到另外的两个⾯（作定位尺⼨）→修改尺⼨（点击形状选择形状）→√。
3．标准孔的绘制;→（标准孔有2种）→放置→点击对话框→选要放置孔的平⾯→点击偏移参照→ctrl+到另外的两个⾯（作定位尺⼨）→修改尺⼨（点击形状选择形状）→√。
4．Pro/E拔模:→参照→拔模曲⾯对话框→点击拔模曲⾯（拔模曲⾯就是要拔模的⾯向外或向⾥扩⼤或缩⼩）→拔模枢轴或者基准平⾯（分割→分割选项）（拔模⾯围绕拔模枢轴扩⼤或缩⼩）→
拔模⾓度在-30℃~30℃→√。注：可变拔模与前⾯⼀直，点击→对话框中有⼀个现已拔模的⾓度→在现已⾓度的序列号上点击右键→添加⾓度→修改参数→√。
⼗、基准的创建1．
