半导体二极管的主要参数
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二极管的分类及参数(精)
二极管的分类及参数一．半导体二极管的分类半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。
普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。
二.半导体二极管的主要参数1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR 为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3. 最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM 值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
二极管三极管主要参数
二极管三极管主要参数二极管和三极管是半导体器件中常见的两种元件，它们在电子电路中具有重要的作用。
下面将详细介绍二极管和三极管的主要参数。
一、二极管的主要参数：1.电压额定值：也称为反向工作电压（VR）或正向导通电压（VF），表示二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压。
对于正向工作，一般为0.7V左右，而对于反向工作，一般为数十V至几百V。
2.最大定向电流：指二极管在正向工作时能够承受的最大电流，也称为连续电流（IF），一般为几毫安到几十安。
3.反向漏电流：指二极管在反向工作时的漏电流，也称为反向电流（IR），一般为几微安到几毫安。
4.开启时间和关断时间：也称为导通时间和截止时间，指二极管从关断到开启、从开启到关断的时间，一般为纳秒或微秒级。
5.反向恢复时间：指二极管在从正向工作状态转为反向工作状态时，恢复正常的导通特性所需的时间，一般为纳秒或微秒级。
6.动态电阻：指二极管在正向工作时的电压变化与电流变化的比值，一般在工作点附近呈线性关系。
7.耐压能力：指二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压，一般为几十伏到几百伏。
二、三极管的主要参数：1.当前放大倍数：也称为直流电流放大倍数（hFE）或β值，指输入电流和输出电流之间的比值，一般为几十至几千。
2.基极电流：也称为输入电流（IB），指输入信号经过基极向集电极注入的电流。
3.饱和电流：也称为最大电流（IC），指当三极管的基极电流达到一定值时，集电极电流不能再继续增大的电流值。
4.最大功耗：指三极管能够承受的最大功率，一般为几十毫瓦到几瓦。
5.最大频率：指三极管能够工作的最高频率，一般为几十MHz到几GHz。
6.最小输入电压：指三极管能够正常工作的最小输入电压。
7.最大输入电压：指三极管能够承受的最大输入电压。
三、总结：二极管主要参数包括电压额定值、最大定向电流、反向漏电流、开启时间和关断时间、反向恢复时间、动态电阻和耐压能力。
这些参数主要描述了二极管在正向和反向工作时的性能。
sic二极管参数解读
sic二极管参数解读摘要：1.Sic 二极管的概念2.Sic 二极管的参数3.Sic 二极管参数的解读4.Sic 二极管的应用正文：【1.Sic 二极管的概念】Sic 二极管，全称为Silicon Carbide Diode，即碳化硅二极管，是一种由碳化硅（SiC）材料制成的半导体二极管。
它具有耐高压、高频率、大电流等优点，广泛应用于电力电子、微波通信等领域。
【2.Sic 二极管的参数】Sic 二极管的主要参数有以下几个：（1）正向电压（Vf）：指二极管正向导通时的电压。
（2）反向电压（Vr）：指二极管反向不导通时的电压。
（3）正向电流（If）：指二极管正向导通时的电流。
（4）反向电流（Ir）：指二极管反向不导通时的漏电流。
（5）温度特性：指二极管参数随温度变化的特性。
【3.Sic 二极管参数的解读】（1）正向电压（Vf）：正向电压是Sic 二极管导通的电压，一般来说，正向电压越低，导通损耗越小，器件性能越高。
（2）反向电压（Vr）：反向电压是Sic 二极管截止的电压，一般来说，反向电压越高，反向击穿电压越高，器件耐压能力越强。
（3）正向电流（If）：正向电流是Sic 二极管在正向导通时的电流，一般来说，正向电流越大，器件的导通能力越强。
（4）反向电流（Ir）：反向电流是Sic 二极管在反向不导通时的漏电流，一般来说，反向电流越小，器件的反向隔离能力越强。
（5）温度特性：Sic 二极管的参数随温度变化，一般来说，温度特性好的器件，在不同温度下的性能稳定性更好。
【4.Sic 二极管的应用】Sic 二极管广泛应用于电力电子、微波通信等领域，如高压直流输电、光伏发电、新能源汽车、无线通信等。
二极管的两个主要参数
二极管的两个主要参数二极管是一种电子元件，由P型半导体和N型半导体组成，具有两个主要参数：导通电压和截止电压。
1. 导通电压（Forward voltage）：导通电压是指在二极管的正向工作条件下，从P区到N区施加足够的正电压，使得二极管开始导电的最小电压。
一般以VF表示。
当外加的正向电压大于导通电压时，二极管进入导通状态，电流开始流动；当外加的正向电压小于导通电压时，二极管处于截止状态，不导电。
导通电压的大小取决于二极管的材料性质和制造工艺。
对于硅（Silicon）材料的二极管，导通电压一般为0.6V到0.7V；对于砷化镓（Gallium Arsenide）材料的二极管，导通电压一般为0.2V到0.3V。
导通电压的具体数值指导了二极管在电路中的应用范围，过小或过大的导通电压都可能会导致电路的不稳定性或无法正常工作。
2. 截止电压（Reverse voltage）：截止电压是指在二极管的反向工作条件下，施加的反向电压达到一定程度时，二极管开始截止导电的最大电压。
一般以VR表示。
当反向电压小于截止电压时，二极管处于正向偏置条件，开始导通；当反向电压大于等于截止电压时，二极管进入截止状态，不导电。
截止电压的大小取决于二极管的材料性质，是通过制造工艺和外部保护结构来确定的。
对于硅材料的二极管，截止电压一般为50V到100V；对于砷化镓材料的二极管，截止电压一般为5V到10V。
截止电压的高低决定了二极管在反向电压下能承受的最大值，过高或过低的截止电压都可能会导致二极管烧毁或不稳定。
总结：二极管的导通电压和截止电压是两个重要的电性能参数。
导通电压决定了二极管在正向电压下能否导通，截止电压决定了二极管在反向电压下能否截止导电。
这两个参数的合理选择和设计，对于保证二极管在电路中的正常工作和保护二极管不被损坏起着至关重要的作用。
(整理)半导体二极管的主要参数.
1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4.最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9.最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。
二极管的主要参数
二极管的主要参数二极管是一种主要由两个电极（即正极和负极）组成的电子器件。
它是半导体器件的一种，具有一些重要的参数，下面将详细介绍这些参数。
1.额定峰值反向电压（VR）：指二极管所能承受的最大反向电压。
当反向电压高于额定峰值时，会导致二极管击穿，失去正常功能。
2.额定直流正向电流（IF）：指在正向电压下，二极管所能承受的最大电流。
当超过额定直流正向电流时，二极管可能会过载损坏。
3.最大导通电流（IFM）：指二极管在导通状态下所能承受的最大电流。
超过该电流，二极管可能会由于过热而损坏。
4.静态电阻（RS）：指二极管正向导通时的电阻。
该参数影响二极管的电压降和功耗。
5.正向压降（VF）：指二极管正向导通时的电压降。
不同类型的二极管具有不同的正向压降，这个参数会影响电路的设计和功耗。
6. 动态电阻（rd）：指在二极管正向导通时，电压变化与电流变化之比。
动态电阻决定了二极管的响应速度和频率特性。
7.反向漏电流（IR）：指二极管在反向电压下的漏电流。
该参数影响二极管的反向恢复速度和反向漏电功耗。
8. 反向恢复时间（trr）：指二极管由正向导通到反向截止状态的时间。
这个时间决定了二极管在高频应用中的性能。
9. 反向恢复电荷（Qrr）：指正向导通状态下，当二极管截止时，由于载流子的复合和电荷移动而产生的额外电荷。
这个参数决定了二极管的反向恢复能力。
10. 热阻（Rth）：指二极管在正常工作温度下的散热能力。
较低的热阻可以帮助降低二极管的温度，提高其可靠性和寿命。
除了以上提到的参数，还有一些其他参数也很重要，例如温度系数、漂移电流、噪声系数等。
这些参数在不同应用场合下扮演着不同的角色，并且通过适当的选择和优化可以使二极管在电路中发挥出最佳的性能。
总结起来，二极管的主要参数可以分为电流参数、电压参数、速度参数和热参数等几个方面。
在实际应用中，选择合适的二极管必须综合考虑这些参数，并与具体的电路需求相匹配，以确保电路的稳定和可靠性。
半导体二极管参数的测量
2．二极管的主要参数 （1）最大整流电流 I FM
指管子长期工作时，允许通过的最大正向 平均电流。 （2）反向电流
指在一定温度条件下，二极管承受了反向 工作电压、又没有反向击穿时，其反向电 流值。 （3）反向最大工作电压 VRM 指管子运行时允许承受的最大反向电压。 应小于反向击穿电压。
（4）直流电阻
如果有且只有两个脚间的电阻无论正反向都无穷大那么这两个脚一定是集电极和发射极剩下的那个脚就是基极判别发射极和集电极的依据是
4.2.4
半导体二极管参数的测量
二极管是整流、检波、限幅、钳位 等电路中的主要器件。
一、半导体二极管的特性和主要参数
1．二极管的主要特性
二极管最主要的特性是单向导电特性，即二极 管正向偏置时导通；反向偏置时截止。
2．用数字万用表测量三极管
3．用晶体管特性图示仪测量三极管
二、测量原理和常规测试方法
1．模拟万用表测量三极管 可判断b、c、e，并估测电流放大倍数。
（1）基极的判定 利用PN结的单向导电性进行判别。 假设一个基极，分别测两个PN结的正向电阻和 反向电阻。基极判断出来后，还可以判断管型。
具体步骤
用模拟万用表红黑表 笔分别测量三极管任 意两个脚，每两个脚 正反都测量一次。如 果有且只有两个脚间 的电阻无论正反向都 无穷大，那么这两个 脚一定是集电极和发 射极，剩下的那个脚 就是基极b。
黑
100kΩ 万 用 表 E
R0
红
(a)判断c、e的测量接线图
（3）电流放大倍数的估测
测量集电极和发射极间的电阻（对NPN， 黑笔接集电极，红笔接发射极；PNP的相 反），用手捏着基极和集电极，观察表针 摆动幅度的大小，表针摆动越大，β值越大。 一般数字万用表都有测量三极管的功能， 将晶体管插入测试孔就可以读出β值。
二极管的分类及选型
二极管的分类及选型 (2011-09-06 10:45)分类：电源技术一.半导体二极管的分类半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。
普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。
二.半导体二极管的主要参数1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3. 最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
半导体二极管的主要参数
半导体二极管的主要参数描述二极管特性的物理量称为二极管的参数，它是反映二极管电性能的质量指标，是合理选择和使用二极管的主要依据。
在半导体器件手册或生产厂家的产品目录中，对各种型号的二极管均用表格列出其参数。
二极管的主要参数有以下几种：1．最大平均整流电流I F（A V）I F（A V）是指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。
它与PN结的面积、材料及散热条件有关。
实际应用时，工作电流应小于I F（A V），否则，可能导致结温过高而烧毁PN结。
2．最高反向工作电压V RMV RM是指二极管反向运用时，所允许加的最大反向电压。
实际应用时，当反向电压增加到击穿电压V BR时，二极管可能被击穿损坏，因而，V RM通常取为（1/2 ～2/3）V BR。
3．反向电流I RI R是指二极管未被反向击穿时的反向电流。
理论上I R=I R（sat），但考虑表面漏电等因素，实际上I R稍大一些。
I R愈小，表明二极管的单向导电性能愈好。
另外，I R与温度密切相关，使用时应注意。
4．最高工作频率f Mf M是指二极管正常工作时，允许通过交流信号的最高频率。
实际应用时，不要超过此值，否则二极管的单向导电性将显著退化。
f M的大小主要由二极管的电容效应来决定。
5．二极管的电阻就二极管在电路中电流与电压的关系而言，可以把它看成一个等效电阻，且有直流电阻与交流电阻之别。
（1）直流等效电阻R D直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D与流过二极管的直流电流I D 之比，即R D的大小与二极管的工作点有关。
通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。
不过应注意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。
其原因是二极管工作点的位置不同。
一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。
正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。
（2）交流等效电阻r dr d亦随工作点而变化，是非线性电阻。
最新半导体二极管的主要参数
半导体二极管的主要参数1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR 为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4.最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9.最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
半导体之二极管的主要参数
半导体之二极管的主要参数
电子器件的参数是其性能的定量描述，它是实际工作中选用器件的主要依据。
各种器件的参数可以由手册查得。
二极管的主要参数有以下几个。
①最大整流电流：指二极管长期运行允许通过的最大正向平均电流。
其值与PN结面积、外部散热条件等有关。
在规定的散热条件下，二极管正向平均电流若超过此值，则将因结温升高而烧坏。
②最高反向工作电压％：指二极管工作时允许外加的最大反向电压。
超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。
通常规定昧为击穿电压的一半。
③反向电流最：指二极管未击穿时的反向电流值。
其值越小，二极管单向导电性能越好。
但是，最会随温度上升而显著增加，在实际应用中要加以注意。
④最高工作频率方向：指保证二极管维持单向导电作用的最高工作频率。
当工作频率超过，血时，二极管单向导电性能就会变差，甚至失去单向导电特性。
由于PN结具有电容效应，其作用可以用PN结电容来等效。
由于PN结电容很小，对低频工作影响很小，当工作频率升高时就会增大，所以．向主要决定于PN结电容的大小，其值越大，方向就越小。
应当指出，由于制造工艺所限，半导体器件参数具有分散性，同一型号管子的参数值会有相当大的差距，因而手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。
此外，使用时应特别注意手册上每个参数的测试条件，当使用条件和测试条件不同时，参数也会发生变化。
在实际应用中，应根据管子使用的场合，按其承受的最高反向工作电压、最大正向平均电流、工作频率、环境温度等条件，选择满足要求的二极管。
二极管的两个主要参数
二极管的两个主要参数二极管是一种最简单的电子元件，也是最基本的半导体元件之一、它由半导体材料构成，具有两个端口，即端口p（正极）和端口n（负极）。
二极管有很多种类，其中最常见的是硅二极管和锗二极管。
在研究和应用中，人们通常关注二极管的两个主要参数：电压特性和电流特性。
一、电压特性电压特性是指二极管在不同电压下的能量传递特性。
具体包括以下两个主要参数：1.正向电压（VF）：正向电压是指在二极管的正向偏置情况下，二极管的两个端口之间的电压。
在正向偏置下，p端的电压高于n端的电压。
当正向电压超过二极管的正向开启电压时，电流可以流过二极管，二极管处于导通状态。
2.反向电压（VR）：反向电压是指在二极管的反向偏置情况下，n端的电压高于p端的电压。
在反向偏置下，二极管处于截止状态，没有电流流过。
当反向电压超出二极管的反向击穿电压时，电流会突然增加，二极管会发生击穿状态，可能造成破坏。
二、电流特性电流特性是指二极管在不同电流下的能量传递特性。
具体包括以下两个主要参数：1.正向电流（IF）：正向电流是指在正向偏置下通过二极管的电流。
正向电流主要由二极管的载流子（电子或空穴）在p-n结中的电荷迁移引起。
当正向偏压增加时，正向电流也会增加，但是二极管也有一个最大的正向电流容限，超过容限将会造成二极管受损。
2.反向饱和电流（IR）：反向饱和电流是指在反向偏置下通过二极管的非常小的电流。
这个电流主要是由少量的载流子在p-n结中的热激发引起的。
反向饱和电流是非常小的，可以忽略不计。
但是当反向电压超过二极管的反向击穿电压时，反向电流会急剧增加，可能导致二极管受损。
总结起来，二极管的两个主要参数是电压特性和电流特性。
电压特性包括正向电压（VF）和反向电压（VR）；电流特性包括正向电流（IF）和反向饱和电流（IR）。
这些参数的理解和应用对于正确选择和使用二极管至关重要。
二级管参数
2. 最大反向电压（Reverse Voltage, Vrmax）：最大反向电压是指二极管能够承受的最 大反向电压。当反向电压超过这个值时，二极管可能会击穿并损坏。
二级管参数
3. 最大正向电流（Forward Current, Ifmax）：最大正向电流是指二极管能够承受的最 大正向电流。当正向电流超过这个值时，二极管可能会过热并损坏。
二级管参数
6. 功耗（Power Dissipation）：功耗是指二极管在工作过程中消耗的功率。功耗与正向 电流和正向电压有关，通常以瓦特（W）为单位。
这些参数可以帮助工程师选择适合特定应用的二极管，并确保其正常工作和可靠性。请注 意，不同类型和型号的二极管可能具有不同的参数范围，因此在选择和使用二极管时，应仔 细阅读其数据手册或规格表。
二级管参数
二极管是一种最简单的半导体器件，它具有两个端口：正极（阳极）和负极（阴极）。以 下是一些常见的二极管参数：
1. 额定电压（Forward Voltage, Vf）：二极管的额定电压是指在正向工作时，二极管的 电压降。对于硅二极管，额定电压通常在0.6V到0.7V之间，而对于锗二极管，额定电压通常 在0.2V到0.3V之间。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current, Ir）：反向漏电流是指在反向电压下，二极 管的漏电流。对于正常工作的二极管，反向漏电流应该很小。
5. 响应时间（Response Time）：响应时间是指二极管从关断状态到பைடு நூலகம்通状态的时间， 或者从导通状态到关断状态的时间。响应时间越短，二极管的开关速度越快。
二级管参数
3. 最大正向电流（Forward Current, Ifmax）：最大正向电流是指二极管能够承受的最 大正向电流。当正向电流超过这个值时，二极管可能会过热并损坏。
二级管参数
6. 功耗（Power Dissipation）：功耗是指二极管在工作过程中消耗的功率。功耗与正向 电流和正向电压有关，通常以瓦特（W）为单位。
这些参数可以帮助工程师选择适合特定应用的二极管，并确保其正常工作和可靠性。请注 意，不同类型和型号的二极管可能具有不同的参数范围，因此在选择和使用二极管时，应仔 细阅读其数据手册或规格表。
二级管参数
二极管是一种最简单的半导体器件，它具有两个端口：正极（阳极）和负极（阴极）。以 下是一些常见的二极管参数：
1. 额定电压（Forward Voltage, Vf）：二极管的额定电压是指在正向工作时，二极管的 电压降。对于硅二极管，额定电压通常在0.6V到0.7V之间，而对于锗二极管，额定电压通常 在0.2V到0.3V之间。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current, Ir）：反向漏电流是指在反向电压下，二极 管的漏电流。对于正常工作的二极管，反向漏电流应该很小。
5. 响应时间（Response Time）：响应时间是指二极管从关断状态到பைடு நூலகம்通状态的时间， 或者从导通状态到关断状态的时间。响应时间越短，二极管的开关速度越快。
二极管的主要参数
二极管的主要参数一、导言：二极管（Diode）是一种最简单的半导体器件，具有只允许电流在一个特定方向流动的特性。
由于其简单的结构和广泛的应用，掌握二极管的主要参数对于电子工程师和电子爱好者来说是非常重要的。
本文将对二极管的主要参数进行详细的介绍，包括正向导通压降、反向击穿电压、最大正向电流、最大反向电流、反向恢复时间以及温度特性等。
二、二极管的主要参数：1. 正向导通压降（Forward Voltage Drop）：二极管在正向导通时的电压降，一般用VF表示，单位为伏特（V）。
正向导通压降是由于电子和空穴在P-N结中的扩散和复合所引起的，正常情况下，硅二极管的正向导通压降约为0.6V，而锗二极管的正向导通压降约为0.2V。
正向导通压降的大小与电流的大小有关，一般来说，随着电流的增大，正向导通压降会略微下降。
2. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage）：二极管在反向电压超过一定值时，P-N结中的耐压能力不足，发生击穿现象。
反向击穿电压一般用VR表示，单位为伏特（V）。
击穿电压的大小与二极管的材料和结构有关，不同类型的二极管击穿电压有所不同。
例如，普通的硅二极管的击穿电压通常在50-100V左右。
当二极管的反向电压超过击穿电压时，电流会大幅度增加，这可能会损坏二极管。
3. 最大正向电流（Maximum Forward Current）：二极管允许通过的最大正向电流，一般用IFM表示，单位为安培（A）。
正常情况下，二极管的最大正向电流由材料和结构决定，一般在几十毫安到几安之间。
超过最大正向电流时，二极管可能会过热损坏。
4. 最大反向电流（Maximum Reverse Current）：二极管在反向电压下允许通过的最大反向电流，一般用IRM表示，单位为安培（A）。
反向电流是由于P-N结中存在少量的载流子而引起的，一般来说，反向电流很小，可以忽略不计。
超过最大反向电流时，二极管可能会损坏。
半导体二极管的主要参数
1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4.最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9.最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。
半导体二极管的参数及温度特性
(1) 当温度上升时,死区电压缩小， 正向管压降降低。
△uD/ △T = –（2∽2.5）mV/℃。
T2 T1
iD
O
uD
即 温度每升高1°C，管压降
降低（2∽2.5）mV
T2 T1
T1＞T2
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
(2) 温度升高，反向饱和电流增大。
模拟电子技术
T2 T1
iD
即 平均温度每升高10°C，反向饱和电流 增大一倍
死区 电压
O
uD
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
（6）最高工作频率 fM 当工作频率过高时，其单向导 电性明显变差。
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
二极管电路仿真：
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
大幅提高信号频率，二极管失去单向导电性：
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
2. 半导体二极管的温度特性
U(BR)
流的平均值。
（2）反向击穿电压 U(BR）
击穿 电压
二极管能承受的最高反向电压。
O
uD
普通二极管的最高反向电压一般在几十伏以上。
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
（3）最高允许反向工作电压 UR
iD
为了确保管子安全工作，所允许的最高
反向电压。
IR
UR=（1/2~2/3）U(BR）
（4）反向电流 IR 室温下加上规定的反向电压 测得的电流。
U(BR)
击穿 电压
硅管为（nA）级，锗管为微安（μA）级
死区 电压
O
uD
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
△uD/ △T = –（2∽2.5）mV/℃。
T2 T1
iD
O
uD
即 温度每升高1°C，管压降
降低（2∽2.5）mV
T2 T1
T1＞T2
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
(2) 温度升高，反向饱和电流增大。
模拟电子技术
T2 T1
iD
即 平均温度每升高10°C，反向饱和电流 增大一倍
死区 电压
O
uD
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
（6）最高工作频率 fM 当工作频率过高时，其单向导 电性明显变差。
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
二极管电路仿真：
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
大幅提高信号频率，二极管失去单向导电性：
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
2. 半导体二极管的温度特性
U(BR)
流的平均值。
（2）反向击穿电压 U(BR）
击穿 电压
二极管能承受的最高反向电压。
O
uD
普通二极管的最高反向电压一般在几十伏以上。
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
（3）最高允许反向工作电压 UR
iD
为了确保管子安全工作，所允许的最高
反向电压。
IR
UR=（1/2~2/3）U(BR）
（4）反向电流 IR 室温下加上规定的反向电压 测得的电流。
U(BR)
击穿 电压
硅管为（nA）级，锗管为微安（μA）级
死区 电压
O
uD
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
常用半导体的主要参数
常用半导体二极管的主要参数
表13部分半导体二极管的参数
3.常用整流桥的主要参数
4.常用稳压二极管的主要参数
5.常用半导体三极管的主要参数
(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管
（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管
表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管
(1)3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管
表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管
表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
(2)9011~9018塑封硅三极管
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数
6．常用场效应管主要参数
表22常用场效应三极管主要参数。
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外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运 动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P 区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这 时称PN结处于导通状态。
空间电荷区
变窄
P IF 外 电 场
＋
＋N ＋
内电场
E
R
②外加反向电压（也叫反向偏置）
外加电场与内电场方向相同，增强了内电
场，多子扩散难以进行，少子在电场作用
I /mA
40 30 20
-60 -40 -20 10
正向特性
0 0.4 0.8 U /V 反向特性
（2）反向特性
外加反向电压时， PN结处于截止状态，反向电流 很小。 反向电压大于击穿电压时，反向电流急剧增加。
3．半导体二极管的主要参数
1）最大整流电流IF：指管子长期运行时，允许通过的最 大正向平均电流。 2）反向击穿电压UB：指管子反向击穿时的电压值。 3）最大反向工作电压UDRM：二极管运行时允许承受的最 大反向电压（约为UB 的一半）。 4）反向电流IR：指管子未击穿时的反向电流，其值越小 ，则管子的单向导电性越好。 5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。
自由电子 空穴
多数载流子（简称多子） 少数载流子（简称少子）
P型半导体
在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素，由于 这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成的 共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴， 这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动， 称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载流 子，热激发形成的自由电子是少数载流子。
点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用 于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。
面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在 低频整流电路中。
阳极 阴极
2．半导体二极管的伏安特性曲线
（1）正向特性
外加正向电压较小时，外 电场不足以克服内电场对 多子扩散的阻力，PN结仍 处于截止状态 。 正向电压大于死区电压后 ，正向电流 随着正向电压 增大迅速上升。通常死区 电压硅管约为0.5V，锗管 约为0.2V。
PN结的形成
半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两 种运动方式。载流子在电场作用下的定向运 动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子 浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会 从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种 运动称为扩散运动。
将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体， 另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的
热激发产生自由电子和空穴
每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通 过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用 一对电子。 室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的 束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个 空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成 为正离子，就好象空穴带正电荷一样。
在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。
空穴 自由电子
多数载流子（简称多子） 少数载流子（简称少子）
＋＋＋＋ ＋＋＋＋ ＋＋＋＋
N型半导体
P型半导体
无论是P型半导体还是N型半导体都是中 性的，对外不显电性。
掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流 子的数量越多。
少数载流子是热激发而产生的，其数量 的多少决定于温度。
2．PN结及其单向导电 性
PZ=UZIZM
阳极 阴极
交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。
扩散与漂移达到动态平衡 形成一定宽度的PN结
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
多子
形成空间电荷区
扩散
产生内电场
阻止
促使 少子 漂移
P区
N区
＋ ＋＋
＋ ＋＋
＋ ＋＋
载流子的扩散运动
P 区 空间电荷区
N区
＋＋ ＋
＋＋ ＋
＋＋ ＋
内电场方向 PN 结及其内电场
PN结的单向导电性
①外加正向电压（也叫正向偏置）
半导体器件
半导体器件是用半导体材料制成的电子器 件。常用的半导体器件有二极管、三极管、 场效应晶体管等。半导体器件是构成各种 电子电路最基本的元件。
PN结
半导体：导电性能介于导体和绝缘体之 间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是 4价元素，原子的最外层轨道上有4个价 电子。
1．半导体的导电特征
空穴运动 （与自由电子的运动不同）
有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个 空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会 被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴 的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方 向的运动。
本征半导体中有两种载流子：带负电荷的自由电子和带正 电荷的空穴 热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，电子和空穴 又可能重新结合而成对消失，称为复合。在一定温度下自 由电子和空穴维持一定的浓度。
在纯净半导体中掺入某些微量杂 质，其导电能力将大大增强。
N型半导体 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这 类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键 结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子， 这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N 型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的 空穴为少数载流子。
理想二极管：正向电阻为零，正向导通时为短路特性， 正向压降忽略不计；反向电阻为无穷大，反向截止时为 开路特性，反向漏电流忽略不计。
稳压管
稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管 的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于： 电流增量很大，只引起很小的电压变化。 稳压管的主要参数： （1）稳定电压UZ。反向击穿后稳定工作的电压。 （2）稳定电流IZ。工作电压等于稳定电压时的电流。 （3）动态电阻rZ。稳定工作范围内，管子两端电压的变 化量与相应电流的变化量之比。即：rZ=ΔUZ/ΔIZ （4）额定功率PZ和最大稳定电流IZM。额定功率PZ是在 稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流IZM是 指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是：
下形成反向电流 IR，因为是少子漂移运动 产生的， IR很小，这时称PN结处于截止状 态。
空间电荷区
变宽
＋＋＋
P
＋＋＋ N
＋＋＋
内电场
外电场
IR
E
R
半导体二极管
1．半导体二极管的结构与符号
一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构 成了半导体二极管，简称二极管。
半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接 触型两类。
空间电荷区
变窄
P IF 外 电 场
＋
＋N ＋
内电场
E
R
②外加反向电压（也叫反向偏置）
外加电场与内电场方向相同，增强了内电
场，多子扩散难以进行，少子在电场作用
I /mA
40 30 20
-60 -40 -20 10
正向特性
0 0.4 0.8 U /V 反向特性
（2）反向特性
外加反向电压时， PN结处于截止状态，反向电流 很小。 反向电压大于击穿电压时，反向电流急剧增加。
3．半导体二极管的主要参数
1）最大整流电流IF：指管子长期运行时，允许通过的最 大正向平均电流。 2）反向击穿电压UB：指管子反向击穿时的电压值。 3）最大反向工作电压UDRM：二极管运行时允许承受的最 大反向电压（约为UB 的一半）。 4）反向电流IR：指管子未击穿时的反向电流，其值越小 ，则管子的单向导电性越好。 5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。
自由电子 空穴
多数载流子（简称多子） 少数载流子（简称少子）
P型半导体
在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素，由于 这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成的 共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴， 这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动， 称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载流 子，热激发形成的自由电子是少数载流子。
点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用 于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。
面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在 低频整流电路中。
阳极 阴极
2．半导体二极管的伏安特性曲线
（1）正向特性
外加正向电压较小时，外 电场不足以克服内电场对 多子扩散的阻力，PN结仍 处于截止状态 。 正向电压大于死区电压后 ，正向电流 随着正向电压 增大迅速上升。通常死区 电压硅管约为0.5V，锗管 约为0.2V。
PN结的形成
半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两 种运动方式。载流子在电场作用下的定向运 动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子 浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会 从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种 运动称为扩散运动。
将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体， 另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的
热激发产生自由电子和空穴
每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通 过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用 一对电子。 室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的 束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个 空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成 为正离子，就好象空穴带正电荷一样。
在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。
空穴 自由电子
多数载流子（简称多子） 少数载流子（简称少子）
＋＋＋＋ ＋＋＋＋ ＋＋＋＋
N型半导体
P型半导体
无论是P型半导体还是N型半导体都是中 性的，对外不显电性。
掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流 子的数量越多。
少数载流子是热激发而产生的，其数量 的多少决定于温度。
2．PN结及其单向导电 性
PZ=UZIZM
阳极 阴极
交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。
扩散与漂移达到动态平衡 形成一定宽度的PN结
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
多子
形成空间电荷区
扩散
产生内电场
阻止
促使 少子 漂移
P区
N区
＋ ＋＋
＋ ＋＋
＋ ＋＋
载流子的扩散运动
P 区 空间电荷区
N区
＋＋ ＋
＋＋ ＋
＋＋ ＋
内电场方向 PN 结及其内电场
PN结的单向导电性
①外加正向电压（也叫正向偏置）
半导体器件
半导体器件是用半导体材料制成的电子器 件。常用的半导体器件有二极管、三极管、 场效应晶体管等。半导体器件是构成各种 电子电路最基本的元件。
PN结
半导体：导电性能介于导体和绝缘体之 间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是 4价元素，原子的最外层轨道上有4个价 电子。
1．半导体的导电特征
空穴运动 （与自由电子的运动不同）
有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个 空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会 被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴 的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方 向的运动。
本征半导体中有两种载流子：带负电荷的自由电子和带正 电荷的空穴 热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，电子和空穴 又可能重新结合而成对消失，称为复合。在一定温度下自 由电子和空穴维持一定的浓度。
在纯净半导体中掺入某些微量杂 质，其导电能力将大大增强。
N型半导体 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这 类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键 结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子， 这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N 型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的 空穴为少数载流子。
理想二极管：正向电阻为零，正向导通时为短路特性， 正向压降忽略不计；反向电阻为无穷大，反向截止时为 开路特性，反向漏电流忽略不计。
稳压管
稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管 的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于： 电流增量很大，只引起很小的电压变化。 稳压管的主要参数： （1）稳定电压UZ。反向击穿后稳定工作的电压。 （2）稳定电流IZ。工作电压等于稳定电压时的电流。 （3）动态电阻rZ。稳定工作范围内，管子两端电压的变 化量与相应电流的变化量之比。即：rZ=ΔUZ/ΔIZ （4）额定功率PZ和最大稳定电流IZM。额定功率PZ是在 稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流IZM是 指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是：
下形成反向电流 IR，因为是少子漂移运动 产生的， IR很小，这时称PN结处于截止状 态。
空间电荷区
变宽
＋＋＋
P
＋＋＋ N
＋＋＋
内电场
外电场
IR
E
R
半导体二极管
1．半导体二极管的结构与符号
一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构 成了半导体二极管，简称二极管。
半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接 触型两类。