实验报告——半导体激光器输出光谱测量

半导体激光器实验报告摘要：本文旨在通过对半导体激光器的实验研究，探索其基本原理、结构和性能，并分析实验结果。

通过实验，我们了解了激光器的工作原理、调制和控制技术以及其应用领域。

在实验过程中，我们测量了激光器的输出功率、光谱特性和波长调制特性等参数，并对实验结果进行了分析和讨论。

1.引言半导体激光器是一种利用半导体材料作为活性介质来产生激光的器件。

由于其小尺寸、高效率和低成本等优点，半导体激光器被广泛应用于通信、光存储、医学和科学研究等领域。

本实验旨在研究不同结构和参数的半导体激光器的性能差异，并通过实验数据验证理论模型。

2.实验原理2.1 半导体激光器的基本结构半导体激光器由活性层、波导结构和光学耦合结构组成。

活性层是激光器的关键部分，其中通过注入电流来激发电子和空穴复合形成激光。

波导结构用于限制光的传播方向，并提供反射面以形成光腔。

光学耦合结构用于引导激光光束从激光器中输出。

2.2 半导体激光器的工作原理半导体激光器利用注入电流激发活性层中的电子和空穴，使其发生复合并产生激光。

通过适当选择材料和结构参数，使波导结构中的光在垂直方向形成反射，从而形成光腔。

当光经过活性层时，激发的电子和空穴产生辐射跃迁，并在激光器中形成激光。

随着光的多次反射和放大，激光逐渐增强，最终从光学耦合结构中输出。

3.实验步骤3.1 实验器材本实验使用的主要器材有半导体激光器装置、电源、光功率计、多道光谱仪等。

3.2 实验过程首先，将半导体激光器装置与电源连接，并通过电源控制激光器的注入电流。

然后，使用光功率计测量激光器的输出功率，并记录相关数据。

接下来，使用多道光谱仪测量激光器的光谱特性，并记录各个波长的输出光功率。

最后，调节激光器的注入电流，并测量波长调制特性。

完成实验后，对实验数据进行分析和讨论。

4.实验结果与分析通过实验测量，我们得到了半导体激光器的输出功率、光谱特性和波长调制特性等数据，并对其进行了分析。

实验结果显示，随着注入电流的增加，激光器的输出功率呈现出递增趋势，但当电流达到一定值后，增长速度逐渐减慢。

半导体激光器实验报告半导体激光器实验报告引言：半导体激光器是一种重要的光电子器件，具有广泛的应用领域，如通信、医疗、工业等。

本实验旨在通过搭建实验装置，研究半导体激光器的工作原理和性能特点，并探索其在光通信领域的应用。

实验一：激光器的工作原理激光器的工作原理是基于光放大和光反馈的原理。

在实验中，我们使用一台半导体激光器，通过电流注入激发半导体材料，产生光子。

这些光子在激光腔中来回反射，不断受到增益介质的放大，最终形成激光束。

实验装置中的关键组件包括半导体激光器、激光腔、准直器和光探测器。

半导体激光器通过电流注入，激发载流子跃迁，产生光子。

光子在激光腔中来回反射，经过准直器调整光束的方向，最后被光探测器接收。

实验二：激光器的性能特点在实验中，我们测试了激光器的输出功率、波长和光谱宽度等性能指标。

通过改变注入电流和温度等参数，我们研究了激光器的输出特性。

首先，我们测试了激光器的输出功率。

通过改变注入电流，我们观察到激光器输出功率随电流增加而增加的趋势。

然而，当电流达到一定值后，激光器的输出功率不再增加，甚至出现下降。

这是由于激光器的光子数饱和效应和损耗机制导致的。

其次，我们测量了激光器的波长。

通过调节激光腔的长度，我们观察到激光器的波长随腔长的变化而变化。

这是由于激光腔的谐振条件决定了激光器的输出波长。

最后，我们研究了激光器的光谱宽度。

通过光谱仪测量激光器的光谱分布，我们发现激光器的光谱宽度与注入电流和温度有关。

随着注入电流的增加和温度的降低，激光器的光谱宽度变窄，光纤通信系统中要求的窄光谱宽度可以通过适当的调节实现。

实验三：半导体激光器在光通信中的应用半导体激光器在光通信领域有着重要的应用。

我们通过实验研究了激光器在光纤通信中的应用。

首先，我们将激光器的输出光束通过光纤传输。

通过调节激光器的输出功率和波长，我们实现了光纤通信中的光信号传输。

通过光探测器接收光信号，并通过示波器观察到了传输过程中的光信号波形。

激光实验六半导体激光器激光谱线特性的测量实验目的（1）掌握使用单色仪和F-P标准测量半导体激光器激光谱线的办法；（2）学习从CCD-计算机图像采集系统获取的图像文件得到相关物理参数的图像分析方法。

实验原理半导体激光器的工作原理不考虑光源的话，一个激光器主要由两部分组成。

一是工作介质，用于产生受激辐射，要求粒子数反转以实现增益放大；另一个是谐振腔，用于控制电磁波的传播特性，只有被选择的少数电磁场模式能够传播。

在半导体激光器中，增益介质是半导体材料；并且在一般的半导体激光器中，构成谐振腔的也是半导体材料。

1.半导体作为光的增益介质电子在两个态之间跃迁产生光的吸收或发射。

在半导体中有若干种不同的跃迁机理，电子—空穴复合发光（即能带间的跃迁）是其中最主要的一种。

此时，产生电子跃迁的上下能态是半导体的导带和价带。

半导体中若是掺杂了施主杂质，使材料比未掺杂时（本征半导体）具有更多的电子，则成为n型半导体；若掺杂了受主介质，使材料比未掺杂时具有更多的空穴，则成为p型半导体。

在制作半导体激光器时，控制掺杂的种类和浓度，可以使一块半导体材料的一侧成为n型区，另一侧成为p型区，形成p-n结。

图1p-n 结如果在两侧加上正向电压，则使势垒降低，外加电源向n 区注入电子，向p 区注入空穴。

大量注入电子和空穴的半导体的状态与系统处于热平衡是的状态时不同的，此时，电子和空穴处于非平衡态，有各自的费米分布()e f E 和()h f E 以及不同的准费米能级n F E 和p F E 。

n 区的电子会经过p-n 结向p 区运动，p 区的空穴也会经p-n 结向n 区运动，在p-n 结处，即激活区（或称为有源层）产生粒子数反转，电子和空穴复合，以光子形式释放出能量。

这是半导体作为增益介质，在电流注入时的电子-空穴发光机理。

图1与图2是在坐标空间中的能级图，横坐标眼垂直于p-n 结方向；用以说明电子空穴对的符合发光是在p-n 结的区域中发生的。

半导体激光器_实验报告【标题】半导体激光器实验报告【摘要】本实验主要通过实际操作和测量，研究半导体激光器的工作原理和性能特点。

通过改变电流和温度等参数，观察激光器的输出功率和波长、发散角度等特性的变化，并分析其与激光器内部结构和材料特性之间的关系。

【引言】半导体激光器具有体积小、功耗低、效率高等优点，在光通信、激光加工、医疗等领域有广泛应用。

了解半导体激光器的工作原理和特性对于深入理解其应用具有重要意义。

【实验内容】1. 实验器材与仪器准备：准备半导体激光器、电源、温度控制器、功率测量仪等实验设备。

2. 实验步骤：a. 连接电源和温度控制器，调节温度至设定值。

b. 调节电流，记录相应的激光器输出功率。

c. 测量激光器的输出波长和发散角度。

d. 分析激光器输出功率、波长和发散角度等特性随电流和温度变化的规律。

【实验结果】1. 实验数据记录：记录不同电流和温度下的激光器输出功率、波长和发散角度数据。

2. 实验结果分析：a. 输出功率与电流和温度的关系。

b. 输出波长与电流和温度的关系。

c. 发散角度与电流和温度的关系。

【讨论】根据实验结果，结合半导体激光器的内部结构和材料特性，讨论激光器输出功率、波长和发散角度等特性与电流和温度的关系。

分析激光器的工作原理和性能特点，并讨论其在实际应用中的优缺点。

【结论】通过实验，我们深入了解了半导体激光器的工作原理和性能特点。

通过调节电流和温度等参数，可以控制激光器的输出功率、波长和发散角度等特性。

半导体激光器具有体积小、功耗低、效率高等优点，但也存在一些限制，如温度敏感性较强。

最后，我们对半导体激光器的应用前景进行了展望。

实验C 半导体激光器发射光谱测量实验简介：半导体激光器是以半导体材料作为工作物质的激光器，也是近年来发展得最快的激光器之一。

1962年夏，通用电气实验室的Holonyak在温度为77K的条件下，实现时间短暂的注入受激辐射。

当时的半导体激光器采用同质结结构，由于它在室温下的阈值电流密度高达104A/cm2量级，故只能在液氮温度下才能连续工作，因而是没有实用价值的。

随着半导体工艺的发展，后来出现了能在室温下进行脉冲工作的半导体激光器。

1970 年研制成功的双异质结半导体激光器可在室温下连续工作，其阈值电流密度几乎降低了两个数量级。

20 世纪70年代中期开始出现了一些高功率、具有不同特点、频率响应特性好、热稳定性好的单模激光器，如分布反馈(DFB)、分布布拉格反射(DBR)、解理耦合腔、双有源层和量子阱等结构的半导体激光器。

其振荡波长已能覆盖从30µm的红外到0.32µm的紫外这样大的范围。

实验目的：1、了解半导体激光器的基本原理及基本参数；2、测量半导体激光器的输出特性和光谱特性；3、了解外腔选模的机理，熟悉光栅外腔选模技术；4、熟悉压窄谱线宽度的方法。

实验仪器：650半导体激光器、激光功率计、MS9001B/B光谱仪、闪耀光栅、透镜、He—Ne激光器、470 型扫描干涉仪。

实验原理：（一）半导体激光器的辐射机理从激光物理学中，我们知道产生激光的必要条件是粒子数反转，在半导体激光器中称作载流子数反转分布。

正常条件下，电子总是从低能态的价带填充起，填满价带后才能填充到高能态的导带；而空穴则相反。

如果用光注入或电注入的方法，使p-n结附近区域形成大量的非平衡载流子，即在小于复合寿命的时间内，电子可在导带，空穴可在价带分别达到平衡（如图1），那么在此注入区内，这些简并化分布的导带电子和价带空穴就处于相对反转分布，也称之为载流子反转分布。

注入区称为载流子分布反转区或作用区。

结型半导体激光器通常用与p-n结平面相垂直的一对相互平行的自然解理面构成平面腔。

半导体激光器光学特性测量实验学号：姓名：班级：日期：【摘要】激光器的三个基本组成部分是：增益介质、谐振腔、激励能源。

本实验通过测量半导体激光器的输出特性、偏振度和光谱特性，进一步了解半导体激光器的发光原理，并掌握半导体激光器性能的测试方法。

【关键词】半导体激光器、偏振度、阈值、光谱特性一、实验背景激光是在有理论准备和实际需要的背景下应运而生的。

光电子器件和技术是当今和未来高技术的基础之一。

受激辐射的概念是爱因斯坦于1916年在推导普朗克的黑体辐射公式时提出来的, 从理论上预言了原子发生受激辐射的可能性，这是激光的理论基础。

直到1960年激光才被首次成功制造（红宝石激光器）。

半导体激光（Semiconductor laser）在1962年被成功发明，在1970年实现室温下连续输出。

半导体激光器的结构从同质结发展成单异质结、双异质结、量子阱（单、多量子阱）等多种形式，制作方法从扩散法发展到液相外延(LPE)、气相外延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机化合物气相淀积(MOCVD)、化学束外延(CBE) 等多种工艺。

由于半导体激光器的体积小、结构简单、输入能量低、寿命较长、易于调制及价格低廉等优点, 使得它目前在各个领域中应用非常广泛。

半导体激光器已经成功地用于光通讯和光学唱片系统，还可以作为红外高分辨率光谱仪光源，用于大气检测和同位素分离等；同时半导体激光器成为雷达，测距，全息照相和再现、射击模拟器、红外夜视仪、报警器等的光源。

半导体激光器与调频器、放大器集成在一起的集成光路将进一步促进光通讯和光计算机的发展。

半导体激光器主要发展方向有两类，一类是以传递信息为目的的信息型激光器，另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器。

本实验旨在使学生掌握半导体激光器的基本原理和光学特性，利用光功率探测仪和CCD光学多道分析器，测量可见光半导体激光器输出特性、不同方向的发散角、偏振度，以及光谱特性，并熟悉光路的耦合调节及CCD光学多道分析器等现代光学分析仪器的使用，同时进一步了解半导体激光器在光电子领域的广泛应用。

半导体激光器参数测量（二）一 实验目的测量半导体激光器的谱线特性和远场特性 二 实验原理1、半导体的纵模设激光器的腔长为L ，内部充满折射率为n 的半导体材料。

部分反射的两个腔面的反射系数为R 1和R 2，如图1所示。

在腔内传播的平面波可用下式描写])exp[(]2exp[z g nzi i αλπφ-=式中0λ是自由空间波长，i α是内部损耗系数，通常是由自由载流子吸收和光学不均匀散射。

引起的，g 为增益系数。

在该系统中能够形成自持振荡条件是：当波在两个腔面间经过多次反射回到原处时，波的振幅至少应等于起始值。

这个条件可用下式表示：1])(2exp[]4exp[021=-L g nLi R R i αλπ因此振荡的相位条件，即形成稳定振荡的驻波条件为：πλπm nL240=式中m 为正整数，该式表明光子在谐振腔内来回一周所经历的光程必须是波长的整数倍；因此当腔长和n 一定时，每一个m 对应一个振荡波长或频率，或者对应一个振荡的纵模模式。

由此可见如果腔长较长，则可能有多个波长的波能够满足驻波条件；即所谓的多纵模。

对上式微分可以得到相邻纵模间隔)])((1[20200λλλλd dnn nL d -=式中方括号内所代表的是材料的色散，0/λd dn 表示每个纵模间隔是不同的。

该式表明，纵模与腔长成反比。

2、激光器的发射光谱、峰值波长、中心波长、平均波长（1）发射光谱激光器的发射光谱取决于激光器光腔的特定参数，大多数半导体激光器是多纵模振荡即其发光谱线中有多个峰的光谱（波长）如图2所示（2）峰值波长在规定输出光功率时，光谱内若干发射模式中强度最大的光谱波长被定义为峰值波长（p λ）。

（3）中心波长在激光器光谱中，连接50％最大幅度值线段的中点所对应的波长称为中心波长（c λ），用统计加权可表示为i ni i c E E λλ∑==10]1[式中，i λ为第i 个峰值的波长；i E 为第i 个峰值的能量；0E 为所有峰值的能量；∑==ni i P E 10。

光谱特性的测试方法 1一、实验目的：1、学习AQ6319光谱分析仪（optical spectrum analyzer）的使用。

2、熟悉激光器光谱特性的有关概念，并用相应的方法进行测量。

二、实验仪器说明：1、AQ6319光谱分析仪的示意图：2、几个常用按钮的使用说明：（1）SPAN键：可以观测扫描波长范围（SPAN WL）、扫描的起始波长（START WL）、扫描的结束波长（STOP WL）以及扫描的平均时间等参数；比如：SPAN WL 10.0nm；START WL 1313.708nm；STOP WL 1323.708nm；SWEEP TIME 2 sec;（2）LEVEL键：点击后屏幕右侧会出现多个选项○1REF LEVEL：通过数值键输入可以改变纵坐标显示的最大值；○2LOG SCALE-10.0dB/D：纵坐标以dBm显示；○3LIN SCALE-mw：纵坐标以mw显示；○4PEAK-REF LEVEL：以光源的功率最大值作为纵坐标的最大值；○5AUTO REF LEVEL OFF/ON：光谱分析仪内置有光衰减器，当输入光功率超过仪器的允许范围时，应开启内置衰减器，OFF表示未开启，ON表示开启。

（3）ZOOM键：点击后屏幕右侧会出现多个选项○1ZOOM CENTER WL：表示屏幕横轴显示的波长中心值○2ZOOM SPAN WL：表示屏幕横轴显示的波长扫描范围；○3ZOOM START WL：表示屏幕横轴显示的波长初始值；○4ZOOM STOP WL：表示屏幕横轴显示的波长结束值；（4）SWEEP键：点击后屏幕右侧出现开机时的多个默认选项○1AUTO：自动扫描光谱○2STOP：让不停扫描的光谱停止下来；○3REPEAT键：重复扫描被测光源；（5）PEAK SEARCH键：点击屏幕右侧的PEAK SEARCH键和BOTTOM SEARCH键，可以分别观测到光谱功率的最大值和最小值；（6）ANALYSIS键：点击后屏幕右侧会出现多个选项○1SPEC WIDTH THRESH：有THRESH、ENVELOPE、RMS、PEAK RMS、NOTCH多个键，选择THRESH即可；○2ANALYSIS1 ***：最开始显示的值是上次结束时选择的值；它有DFB-LD、FP-LD、LED、SMSR（最小边模抑制比）、POWER多个键，根据不同的需要进行选择；○3SPEC WIDTH THRESH：通过数值键可以设置你想要的dB，比如当需要测量中心波长时，就需要设置成3dB；○4ANALYSIS EXECUTE THRESH：点击使你重新设置的值生效；○5PARAMETER SETTING：其中有THRESH LEVEL、K、MODE FIT等值需要设定三、光谱特性的具体测量步骤：1、测试准备：（1）打开光源和光谱分析仪；（2）测试之前，应先检测一下光源的光功率，确保输入光功率不超过光谱分析仪的输入允许范围，否则会损坏光谱分析仪的光口；（3）将被测光源的输出端用跳线连接到OPTICAL INPUT；（4）按AUTO键；（5）按STOP键；（6）按SPAN键，观测扫描波长范围（SPAN WL）、扫描的起始波长（START WL）、扫描的结束波长（STOP WL）以及扫描的平均时间。

半导体激光器实验目录一、实验目的 1 （一）、了解半导体激光器的发明和发展（二）、掌握半导体激光器的基本原理（三）、掌握半导体激光器性能的测试方法二、实验原理 1 （一）、半导体激光器的产生和发展 1 （二）、研究半导体激光器的功率、光谱及消光比等性能的意义 2 （三）、半导体激光器的发光原理 3 三、实验内容和方法 5 （一）、半导体激光器的输出功率与电流的关系 5 （二）、光谱特性 6 （三）、光谱的测量7 （四）、消光比的定义9四、半导体激光器的功率、光谱及消光比的测量方法9五、实验结果的处理与分析101、发光功率的测量（P-I曲线）2、光谱的测量（λp- I曲线）3、消光比的测量（E R-I曲线）六、实验结论12七、参考文献13一、实验目的通过实验，要求达到如下目的：（一）、了解半导体激光器的发明和发展。

（二）、了解半导体激光器的基本原理。

1、半导体激光器的结构2、半导体受激光发射放大的条件（三）、掌握半导体激光器性能的测试方法。

1、发光功率的测量（P-I 曲线）2、消光比的测量（E R -I 曲线）3、光谱的测量（λp - I 曲线）二、实验原理（一）、半导体激光器的产生和发展半导体激光器是指以半导体材料为工作物质的一类激光器，亦称为半导体二极管或激光二极管（简写为SLD ——Semiconductor Laser Diode ），是六十年代初发展起来的一种新型固体激光光源。

它是通过正向偏压下p-n 结中空间电荷区附近形成的载流子（电子）反转分布的“激活区”的自发发射感应受激辐射而发出相干光。

发射波长在0.33-100 μm 的范围。

激励方式有p-n 结注入电流激励、电子束激励、光激励和碰撞电离激励等4种。

我们最常用的p-n 结注入式，这是最为成熟的。

使用的工作物质有GaAS 、InGaAsP 直接带隙半导体材料等。

半导体激光器由于构成材料的不同分为同质结半导体激光器和异质结半导体激光器。

半导体激光器光学特性测量实验报告【摘要】激光是20世纪一项重大的发明，被广泛应用于生活之中。

激光的产生原理是受激辐射，需要满足粒子数反转、谐振腔反馈和阈值三个条件。

激光的工作介质有很多类型，其中的半导体激光器具有体积小、质量轻、稳定高效、可调制等特点。

本文使用激光器、光功率指示仪、透镜、偏振器等器件测量了可见光波段的半导体激光器的输出特性曲线、发散角、偏振度和光谱等特性，对半导体激光器的光学特性进行了总结。

【关键字】激光，半导体，偏振，发散角，光谱，定标Experiment report of Semiconductor laser optical characteristic measurementAbstract : The theory of laser generation is stimulated radiation, which needs to meet the three conditions of particle number conversion,resonant cavity feedback and threshold. There are many types of laser working media, among which semiconductor lasers have the characteristics of small size, light weight, stable and efficient, and can be modulated. This article use lasers, optical power indicators, lenses, polarizer and other devices to measure the output characteristic curve, divergence angle, alignment and spectrum of visible light semiconductor lasers, and summarize the optical characteristics of semiconductor lasers.Key words: laser, semiconductor, polarization, divergence, spectrum, calibration1. 引言继相对论、量子物理、原子能技术、计算机技术之后，激光技术成为了20世纪又一大重大科学技术新成就。

实验报告——半导体激光器输出光谱测量实验时间：2017.03.04一、实验目的1、了解半导体激光器的基本原理及基本参数；2、测量半导体激光器的输出特性和光谱特性；3、了解外腔选模的机理，熟悉光栅外腔选模技术；4、熟悉压窄谱线宽度的方法。

二、实验原理1.半导体激光器激光（LASER）的全称 light amplification by stimulated emission of radiation 意为通过受激发射实现光放大。

激光器的基本组成如下图：必要组成部分无外乎：谐振腔、增益介质、泵浦源。

在此基础上，激光产生的条件有二：1）粒子数反转通过外界向工作物质输入能量，使粒子大部分处于高能态，而非基态。

2）跃迁选择定则粒子能够从基态跃迁到高能态，需要两个能级之间满足跃迁选择定则，电子相差 的奇数倍角动量差。

世界上第一台激光器是1960年7月8日，美国科学家梅曼发明的红宝石激光器。

1962年世界上第一台半导体激光器发明问世。

2.半导体激光器的基本原理半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质(既利用电子)在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈、产生光的辐射放大，输出激光。

没有杂质的纯净半导体，称为本征半导体。

如果在本征半导体中掺入杂质原子，则在导带之下和价带之上形成了杂质能级，分别称为施主能级和受主能级。

有施主能级的半导体称为n型半导体；有受主能级的半导体称这p型半导体。

在常温下，热能使n型半导体的大部分施主原子被离化，其中电子被激发到导带上，成为自由电子。

而p型半导体的大部分受主原子则俘获了价带中的电子，在价带中形成空穴。

因此，n 型半导体主要由导带中的电子导电；p型半导体主要由价带中的空穴导电。

若在形成了p-n结的半导体材料上加上正向偏压，p区接正极，n区接负极。

正向电压的电场与p-n结的自建电场方向相反，它削弱了自建电场对晶体中电子扩散运动的阻碍作用，使n区中的自由电子在正向电压的作用下，源源不断地通过p-n结向p区扩散，在结区内同时存在着大量导带中的电子和价带中的空穴时，它们将在注入区产生复合，当导带中的电子跃迁到价带时，多余的能量就以光的形式发射出来。

一、实验目的1. 熟悉半导体激光器的基本结构和工作原理。

2. 掌握半导体激光器的电学特性、光学特性及其调节方法。

3. 通过实验了解半导体激光器在光电子技术方面的应用。

4. 学习使用WGD6光学多道分析器等实验仪器。

二、实验原理半导体激光器是一种基于半导体的电致发光效应的激光器。

当电流通过p型和n型半导体材料形成的pn结时，电子和空穴在pn结的活性区内复合，释放出能量，产生光子。

这些光子在谐振腔中多次反射和放大，最终形成具有特定波长、相位和方向性的激光输出。

半导体激光器的主要结构包括：半导体材料、pn结、谐振腔、光学元件等。

其中，半导体材料是激光器的核心部分，决定了激光器的波长、功率和效率。

pn结是半导体激光器的能量源，谐振腔是激光器的放大器，光学元件则用于调节激光器的光路。

三、实验仪器与材料1. 半导体激光器及可调电源2. WGD6型光学多道分析器3. 可旋转偏振片4. 旋转台5. 多功能光学升降台6. 光功率指示仪四、实验步骤1. 连接仪器：将半导体激光器、可调电源、WGD6型光学多道分析器、可旋转偏振片、旋转台、多功能光学升降台和光功率指示仪连接好。

2. 调节激光器：调整可调电源，使激光器工作在阈值电流附近。

观察激光器输出光斑，调整激光器的光路，使光斑最小化。

3. 测量电学特性：记录激光器在不同电流下的输出功率，分析激光器的电学特性。

4. 测量光学特性：使用WGD6型光学多道分析器测量激光器的光谱特性，分析激光器的光学特性。

5. 调节光路：通过旋转偏振片和旋转台，观察激光器的输出光斑，调整光路，使光斑最小化。

6. 观察应用：观察激光器在光电子技术方面的应用，如光纤通信、激光雷达等。

五、实验结果与分析1. 电学特性：实验结果显示，随着电流的增加，激光器的输出功率逐渐增加，但在阈值电流附近，输出功率增加速率最快。

这表明半导体激光器具有饱和特性。

2. 光学特性：实验结果显示，激光器的光谱线为单色线，且光斑最小化。

半导体激光器实验报告课程：_____光电子实验_____学号：姓名：专业：信息工程南京大学工程管理学院半导体激光器一．实验目的（1）通过实验熟悉半导体激光器的光学特性（2）掌握半导体激光器耦合、准直等光路的调节（3）根据半导体激光器的光学特性考察其在光电技术方面的应用二．实验原理1.半导体激光器的基本结构半导体激光器大多数用的是GaAs或Gal-xAlxAs材料。

P-n结通常在n 型衬底上生长p型层而形成，在p区和n区都要制作欧姆接触，使激励电流能够通过，电流使结区附近的有源区产生粒子数反转。

2.半导体激光器的阈值条件当半导体激光器加正向偏置并导通时，器件不会立刻出现激光震荡，小电流时发射光大都来自自发辐射，随着激励电流的增大，结区大量粒子数反转，发射更多的光子，当电流超过阈值时，会出现从非受激发射到受激发射的突变。

这是由于激光作用过程的本身具有较高量子效率的缘故，激光的阈值对应于：由受激发射所增加的激光模光子数（每秒）正好等于平面散射，吸收激光器的发射所损耗的光子数（每秒）。

3.横模和偏振态半导体激光器的共振腔具有介质波导的结构，所以在共振腔中传播光以模的形式存在。

每个模都由固有的传播常数和横向电场分布，这些模就构成了激光器中的横模。

横模经端面射出后形成辐射场，辐射场的角分布沿平行于结面方向和垂直于结面方向分别成为侧横场和正横场。

共振腔横向尺寸越小，辐射场发射角越大，由于共振腔平行于结面方向的宽度大于垂直于结面方向的厚度，所以侧横场小于正横场的发散角。

激光器的GaAs晶面对TE模的反射率大于对TM模的反射率，因而TE模需要的阈值增益低，TE模首先产生受激发射，反过来又抑制了TM模，另一方面形成半导体激光器共振腔的波导层一般都很薄，这一层越薄对偏振方向垂直于波导层的TM模吸收越大，这就使得TE模增益大，更容易产生受激发射，因此半导体激光器输出的激光偏振度很高。

4．纵模特性激光器二极管端面部分的反射的反馈导致建立单个或多个纵模特性。

一、实习背景随着科技的飞速发展，半导体激光器作为光电子技术领域的重要器件，在通信、医疗、工业加工等领域发挥着越来越重要的作用。

为了更好地了解半导体激光器的工作原理和应用，提高自身的实践能力，我于近期在XX公司进行了为期一个月的半导体激光器实习。

二、实习目的1. 熟悉半导体激光器的基本结构、工作原理和特性；2. 掌握半导体激光器的制备、调试和应用技术；3. 提高动手操作能力，为今后的工作打下坚实基础。

三、实习内容1. 实习单位简介XX公司成立于2005年，是一家专注于光电子技术研发、生产和销售的高新技术企业。

公司拥有一支高素质的研发团队，具备完善的实验室设施和生产线，产品广泛应用于通信、医疗、工业等领域。

2. 实习过程（1）学习半导体激光器基础知识实习期间，我首先学习了半导体激光器的基本结构、工作原理和特性。

在导师的指导下，我了解了激光产生的条件、半导体激光器的材料选择、结构设计以及阈值条件等知识。

（2）参观生产线在实习过程中，我参观了公司的生产线，了解了半导体激光器的制备过程。

从原材料的选择、制备工艺、封装测试等环节，我对半导体激光器的生产过程有了全面的认识。

（3）实际操作在导师的带领下，我进行了半导体激光器的调试和测试。

通过实际操作，我掌握了激光器的调试方法、参数调整技巧以及故障排除方法。

（4）项目参与在实习期间，我参与了公司一项关于半导体激光器在医疗领域的应用项目。

在导师的指导下，我负责部分实验数据的整理和分析，为项目提供了有力支持。

3. 实习收获（1）提高了理论知识水平通过实习，我对半导体激光器的基本知识有了更深入的了解，为今后的工作打下了坚实的基础。

（2）提升了动手操作能力在实习过程中，我学会了半导体激光器的调试和测试方法，提高了自己的动手操作能力。

（3）积累了实践经验通过参与项目，我积累了实践经验，为今后的工作积累了宝贵经验。

四、实习总结本次实习让我对半导体激光器有了更加全面的认识，提高了我的理论水平和实践能力。

实验C 半导体激光器发射光谱测量实验简介：半导体激光器是以半导体材料作为工作物质的激光器，也是近年来发展得最快的激光器之一。

1962年夏，通用电气实验室的Holonyak在温度为77K的条件下，实现时间短暂的注入受激辐射。

当时的半导体激光器采用同质结结构，由于它在室温下的阈值电流密度高达104A/cm2量级，故只能在液氮温度下才能连续工作，因而是没有实用价值的。

随着半导体工艺的发展，后来出现了能在室温下进行脉冲工作的半导体激光器。

1970 年研制成功的双异质结半导体激光器可在室温下连续工作，其阈值电流密度几乎降低了两个数量级。

20 世纪70年代中期开始出现了一些高功率、具有不同特点、频率响应特性好、热稳定性好的单模激光器，如分布反馈(DFB)、分布布拉格反射(DBR)、解理耦合腔、双有源层和量子阱等结构的半导体激光器。

其振荡波长已能覆盖从30µm的红外到0.32µm的紫外这样大的范围。

实验目的：1、了解半导体激光器的基本原理及基本参数；2、测量半导体激光器的输出特性和光谱特性；3、了解外腔选模的机理，熟悉光栅外腔选模技术；4、熟悉压窄谱线宽度的方法。

实验仪器：650半导体激光器、激光功率计、MS9001B/B光谱仪、闪耀光栅、透镜、He—Ne激光器、470 型扫描干涉仪。

实验原理：（一）半导体激光器的辐射机理从激光物理学中，我们知道产生激光的必要条件是粒子数反转，在半导体激光器中称作载流子数反转分布。

正常条件下，电子总是从低能态的价带填充起，填满价带后才能填充到高能态的导带；而空穴则相反。

如果用光注入或电注入的方法，使p-n结附近区域形成大量的非平衡载流子，即在小于复合寿命的时间内，电子可在导带，空穴可在价带分别达到平衡（如图1），那么在此注入区内，这些简并化分布的导带电子和价带空穴就处于相对反转分布，也称之为载流子反转分布。

注入区称为载流子分布反转区或作用区。

结型半导体激光器通常用与p-n结平面相垂直的一对相互平行的自然解理面构成平面腔。

激光实验六半导体激光器激光谱线特性的测量实验目的（1）掌握使用单色仪和F-P标准测量半导体激光器激光谱线的办法；（2）学习从CCD-计算机图像采集系统获取的图像文件得到相关物理参数的图像分析方法。

实验原理半导体激光器的工作原理不考虑光源的话，一个激光器主要由两部分组成。

一是工作介质，用于产生受激辐射，要求粒子数反转以实现增益放大；另一个是谐振腔，用于控制电磁波的传播特性，只有被选择的少数电磁场模式能够传播。

在半导体激光器中，增益介质是半导体材料；并且在一般的半导体激光器中，构成谐振腔的也是半导体材料。

1.半导体作为光的增益介质电子在两个态之间跃迁产生光的吸收或发射。

在半导体中有若干种不同的跃迁机理，电子—空穴复合发光（即能带间的跃迁）是其中最主要的一种。

此时，产生电子跃迁的上下能态是半导体的导带和价带。

半导体中若是掺杂了施主杂质，使材料比未掺杂时（本征半导体）具有更多的电子，则成为n型半导体；若掺杂了受主介质，使材料比未掺杂时具有更多的空穴，则成为p型半导体。

在制作半导体激光器时，控制掺杂的种类和浓度，可以使一块半导体材料的一侧成为n型区，另一侧成为p型区，形成p-n结。

图1p-n 结如果在两侧加上正向电压，则使势垒降低，外加电源向n 区注入电子，向p 区注入空穴。

大量注入电子和空穴的半导体的状态与系统处于热平衡是的状态时不同的，此时，电子和空穴处于非平衡态，有各自的费米分布()e f E 和()h f E 以及不同的准费米能级n F E 和p F E 。

n 区的电子会经过p-n 结向p 区运动，p 区的空穴也会经p-n 结向n 区运动，在p-n 结处，即激活区（或称为有源层）产生粒子数反转，电子和空穴复合，以光子形式释放出能量。

这是半导体作为增益介质，在电流注入时的电子-空穴发光机理。

图1与图2是在坐标空间中的能级图，横坐标眼垂直于p-n 结方向；用以说明电子空穴对的符合发光是在p-n 结的区域中发生的。

半导体激光器特性测量一、实验目的：1.通过本实验学习半导体激光器原理。

2.测量半导体激光器的几个主要特性。

3.掌握半导体激光器性能的测试方法。

二、实验仪器：半导体激光器装置、WGD-6型光学多道分析器、电脑等。

三、实验原理：WGD-6 型光学多道分析器，由光栅单色仪，CCD 接收单元，扫描系统，电子放大器，A/D 采集单元，计算机组成。

该设备集光学、精密机械、电子学、计算机技术于一体。

光学系统采用C－T 型，如图M1 反射镜、M2 准光镜、M3 物镜、M4 转镜、G 平面衍射光栅、S1 入射狭缝、S2 光电倍增管接收、S3 CCD 接收。

入射狭缝、出射狭缝均为直狭缝，宽度范围0－2mm 连续可调，光源发出的光束进入入射狭缝S1、S1 位于反射式准光镜M2 的焦面上，通过S1 射入的光束经M2 反射成平行光束投向平面光栅G 上，衍射后的平行光束经物镜 M3 成像在S2 上。

四、实验内容及数据分析1.半导体激光器输出特性的测量：a)将各仪器按照要求连接好；b)打开直流稳压电源，打开光多用仪；c) 将激光器的偏置电流输入插头接于稳压电源的电流输出端；d) 将激光器与光多用仪的输入端相连并使探头正好对激光器输出端，打开光多用仪； e) 缓慢增加激光器输入电流（0mA~36mA ），注意电流不要超过ＬＤ的最大限定电流（实验中不超过38mA ）。

从功率计观察输出大小随电流变化的情况； f) 记录数据； g) 绘图绘成曲线。

实验数据及结果分析： I （mA ） 1.02.03.04.05.06.07.0 8.09.010.011.0 12.0 P (uW) 0.40 0.80 1.25 1.75 2.25 2.85 3.54.255.05 5.956.98.0I （mA ） 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0 21.0 22.0 23.0 24.0 P (uW) 9.310.7512.4514.5517.8522.941.0311.5753.51179.51594.51845.0根据以上实验数据绘制I —P 曲线:半导体激光器输出特性2004006008001000120014001600180020000510152025I(mA)P(uW)实验结果分析：通过半导体激光器的控制电源改变它的工作电流I ，测量对应的发光功率P ，以P 为纵轴，I 为横轴作图，描成曲线。