化学镀CoP/Insulator/BeCu复合结构丝的巨磁阻抗效应研究
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复合结构丝的巨磁阻抗效应研究【摘要】:巨磁阻抗(GMI)效应是指铁磁材料的交流阻抗在外加直流磁场的作用下会发生显著变化的现象。
这种效应具有灵敏度高、响应快等优点,在磁记录和磁传感器上有着广泛的应用前景。
对于匀质的铁磁薄膜、薄带和丝的GMI效应可以从经典的趋肤效应理论得到很好的解释。
近年来,在由中间为导电层两边为铁磁层组成的三明治薄膜和类似结构的复合结构丝中也观察到明显的GMI效应,与由同样铁磁材料组成的单层膜和匀质丝相比,GMI效应表现出两个明显的特点,一是GMI效应显著增强,另外在比较低的频率下就可以观察到明显的MI变化。
一些人基于上述现象提出,在复合结构材料中趋肤效应很弱,它已经不再是复合结构材料中引起GMI效应的主要原因。
多年来,虽然复合结构材料的GMI效应在实验上取得了很大的进展,但至今为止仍然没有在理论上给出一个正确的解释。
本文选取复合结构丝为研究对象,重点讨论了复合结构丝中层与层之间的电磁相互作用和趋肤效应及其与GMI效应之间的关系,尝试分别从理论上和实验上正确认识复合结构材料中产生GMI效应的物理机制。
本文研究内容主要包括以下几个方面:1.用Maxwell电磁方程组建立了复合结构丝GMI效应理论模型,模型中假定复合结构丝铁磁层的各向异性等效场为任意方向,并同时考虑低频时畴壁移动和较高频率时的磁矩转动对磁导率的贡献,使建立的理论模型更具普遍和实际意义。
新建模型数值模拟结果与公开发表的实验结果吻合,验证了该模型的正确性和有效性。
2.利用上述模型对Cu/FeCoNi复合结构丝和FeCoNi 匀质铁磁丝在不同频率时的电流密度分布及其GMI效应进行了数值模拟,发现复合结构丝不同层间存在很强的电磁相互作用,使得与同样条件下的匀质铁磁丝相比,复合结构丝铁磁层内的电流不但明显随频率的增大更快趋向于表面分布,而且趋肤效应开始明显时对应的频率大为降低。
当在比较低的频率下观察到明显的MI变化时,复合结构丝中的电阻和电抗变化仍然是由趋肤效应引起。
化学镀CoNiP/Cu复合结构丝巨磁阻抗效应研究的开题报告一、研究背景和意义随着电子和信息技术的迅猛发展,超高速通信、大容量存储等领域对纳米材料和纳米器件的应用需求越来越迫切。
其中磁电耦合材料作为一种具有优良磁阻抗效应的材料,已得到广泛的研究和应用。
磁阻抗效应是指材料因外界磁场作用下,其电阻率或导电率的变化所引起的阻抗变化。
磁阻抗效应的研究对于实现高灵敏度、高速度、高精度等特性的磁传感器和磁存储器等器件具有重要意义。
目前,磁电耦合材料的研究主要集中在合金和薄膜等方面,其中化学镀法是一种较为简便且成本较低的制备方法,被广泛地应用于制备合金和薄膜。
同时,化学镀法还可以制备出具有复合结构的材料,其中CoNiP/Cu复合结构丝具有优异的磁阻抗效应。
因此,深入探究CoNiP/Cu 复合结构丝的制备方法和磁阻抗效应机理,具有重要的理论和应用价值。
二、研究内容和方案1.制备CoNiP/Cu复合结构丝:采用化学镀法制备CoNiP/Cu复合结构丝,调节反应条件,控制复合结构丝的形貌和组成;2.表征CoNiP/Cu复合结构丝:利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射等技术表征复合结构丝的形貌和组成;3.研究CoNiP/Cu复合结构丝的磁阻抗效应:利用自行设计的实验系统对复合结构丝的磁阻抗效应进行测试,并探究其机理。
三、预期成果和意义本研究通过制备CoNiP/Cu复合结构丝,深入探究其磁阻抗效应机理,有望为磁电耦合材料的应用提供新的思路和方法,同时也为化学镀方法在材料制备方面的应用提供了新的依据和方法。
大力推进此领域的研究,有望推动国内相关技术和产业的发展。
实验42 巨磁电阻效应及其应用人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性有序状态。
量子力学出现后,德国科学家海森伯(W. Heisenberg)于明确提出铁磁性有序状态源铁磁性原子磁矩之间的量子力学交换作用,这个交换作用是短程的,称为直接交换作用。
后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具有反铁磁(或亚铁磁)有序状态,化合物中的氧离子(或其他非金属离子)作为中介,将最近的磁性原子的磁矩耦合起来,这是间接交换作用。
直接交换作用的特征长度为0.1—0.3nm,间接交换作用可以长达1nm以上。
1nm已经是实验室中人工微结构材料可以实现的尺度,所以1970年之后,科学家就探索人工微结构中的磁性交换作用。
1986年德国尤利希科研中心的物理学家彼得·格伦贝格尔( Peter Grunberg )采用分子束外延(MBE)方法制备了铁-铬-铁三层单晶结构薄膜。
在薄膜的两层纳米级铁层之间夹有厚度为0.8nm的铬层,实验中逐步减小薄膜上的外磁场,直到取消外磁场,发现膜两边的两个铁磁层磁矩从彼此平行(较强磁场下)转变为反平行(弱磁场下)。
换言之,对于非铁磁层铬的某个特定厚度,没有外磁场时,两边铁磁层磁矩是反平行的,这个新现象成为巨磁电阻( Giant magneto resistance,简称GMR)效应出现的前提。
格伦贝格尔接下来发现,两个磁矩反平行时对应高电阻状态,平行时对应低电阻状态,两个电阻的差别高达10%。
1988年巴黎十一大学固体物理实验室物理学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)的小组将铁、铬薄膜交替制成几十个周期的铁-铬超晶格,也称为周期性多层膜。
发现当改变磁场强度时,超晶格薄膜的电阻下降近一半,即磁电阻比率达到50%。
他们把这个前所未有的电阻巨大变化现象称为巨磁电阻,并用两电流模型解释这种物理现象。
1990年IBM公司的斯图尔特·帕金( S. P.Parkin ) 首次报道了除铁-铬超晶格,还有钴-钌和钴-铬超晶格也具有巨磁电阻效应。