极限流ICM参数1集电极最大允许电

德国英飞凌晶体管参数
德国英飞凌是一家知名的半导体公司，其晶体管参数包括以下方面：
1. 极间电压（Vce）：晶体管的最大工作电压差值，用于确定晶体管能否支持特定电路的工作电压要求。

2. 最大集电极电流（Ic max）：晶体管能够承受的最大集电极电流。

3. 最大功率（Pc）：晶体管可以承受的最大功耗。

4. 饱和电压（Vcesat）：当晶体管进行饱和工作时，集电极与发射极之间的电压。

5. 最大频率（fT）：晶体管能够工作的最高频率，通常用于射频放大器设计中。

6. 放大倍数（hFE）：晶体管在特定工作条件下的电流放大倍数。

7. 温度系数（TC）：晶体管参数随温度变化的变化率，通常以温度系数负数来表示。

请注意，以上晶体管参数是一般性的示例，具体的参数取决于晶体管型号和规格。

如果您需要更具体的信息，建议直接参考英飞凌公司的官方资料或与他们联系。

1am三极管参数
1AM三极管是一个通用贴片NPN三极管，型号是MMBT3904LT1，丝印为1AM，可以用MMBTA05LT1进行代换。

以下是该型号的部分技术参数：
1.最大集电极电流(Icm)为200mA。

2.最大集电极-发射极击穿电压(Vcbo)是60V。

3.最大集电极-基极击穿电压(Vceo)是40V。

4.工作温度范围在-65℃ to +150℃。

此外，由于长年以来走访、交流优质的银河微一级代理商企业，多数的同行企业仓储备货充足，可供应贴片三极管、晶体三极管等系列热门型号产品，可根据客户不同要求提供各类晶体三极管。

以上信息仅供参考，建议查阅关于1AM三极管参数的资料获取更准确的信息。

三极管的极限参数三极管是一种常用的半导体器件，具有电流放大、功率放大等作用，在电子电路中得到广泛的应用。

在使用三极管时，需要注意它的极限参数，这些参数规定了三极管的工作范围和承受能力，如果超过极限参数，三极管可能会损坏或性能下降。

以下是对三极管极限参数的详细描述。

一、集电极最大允许电流ICM集电极最大允许电流ICM是指三极管在正常工作状态下，集电极允许通过的最大电流值。

当集电极电流超过ICM时，三极管的电流放大系数β会下降，影响其正常工作。

因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极电流，确保其不超过ICM。

二、集电极最大允许耗散功率PCM集电极最大允许耗散功率PCM是指三极管在正常工作状态下，集电极允许消耗的最大功率值。

当集电极耗散功率超过PCM时，三极管会过热，可能会导致损坏或性能下降。

因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极耗散功率，确保其不超过PCM。

三、集电极-发射极反向击穿电压BVCEO集电极-发射极反向击穿电压BVCEO是指三极管在基极开路的情况下，集电极与发射极之间的最大允许电压值。

当集电极与发射极之间的电压超过BVCEO时，三极管可能会被击穿，导致损坏或性能下降。

因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极与发射极之间的电压，确保其不超过BVCEO。

四、集电极-基极反向击穿电压BVCBO集电极-基极反向击穿电压BVCBO是指三极管在发射极开路的情况下，集电极与基极之间的最大允许电压值。

当集电极与基极之间的电压超过BVCBO时，三极管可能会被击穿，导致损坏或性能下降。

因此，在使用三极管时，需要严格控制集电极与基极之间的电压，确保其不超过BVCBO。

五、发射极-基极反向击穿电压BVebo发射极-基极反向击穿电压BVebo是指三极管在集电极开路的情况下，发射极与基极之间的最大允许电压值。

当发射极与基极之间的电压超过BVebo时，三极管可能会被击穿，导致损坏或性能下降。

因此，在使用三极管时，需要严格控制发射极与基极之间的电压，确保其不超过BVebo。

三极管的主要参数直流参数1、直流参数　（1）集电极⼀基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在⼀定温度下是个常数，所以称为集电极⼀基极的反向饱和电流。

良好的三极管，Icbo很⼩，⼩功率锗管的Icbo约为1～10微安，⼤功率锗管的Icbo可达数毫安，⽽硅管的Icbo则⾮常⼩，是毫微安级。

　（2）集电极⼀发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。

Iceo⼤约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极⼤，它们是衡量管⼦热稳定性的重要参数，其值越⼩，性能越稳定，⼩功率锗管的Iceo⽐硅管⼤。

　（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。

　（4）直流电流放⼤系数β1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流信号输⼊时，集电极输出的直流电流与基极输⼊的直流电流的⽐值，即：β1=Ic/Ib交流参数　2、交流参数　（1）交流电流放⼤系数β（或hfe）这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输⼊电流的变化量△Ib之⽐，即： β= △Ic/△Ib ⼀般晶体管的β⼤约在10-200之间，如果β太⼩，电流放⼤作⽤差，如果β太⼤，电流放⼤作⽤虽然⼤，但性能往往不稳定。

　（2）共基极交流放⼤系数α（或hfb）这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie 之⽐，即： α=△Ic/△Ie 因为△Ic＜△Ie，故α＜1。

⾼频三极管的α＞0.90就可以使⽤ α与β之间的关系： α= β/（1+β） β= α/（1-α）≈1/（1-α）　（3）截⽌频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截⽌频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截⽌频率fαo fβ、fα是表明管⼦频率特性的重要参数，它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα　（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全⾯地反映晶体管的⾼频放⼤性能的重要参数。

常用三极管参数大全1.最大耐压（VCEO）：指三极管的集电极与发射极之间的最大耐压，也是三极管工作的最高电压。

2.最大漏极电流（ICMAX）：指三极管的最大工作电流，超过该电流可能会导致器件损坏。

3. 最大功率（Pmax）：指三极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致器件损坏。

4. 最大集电极-基极电压（VCEMax）：指三极管的集电极与基极之间的最大电压，通常用于确定三极管在开关工作状态下的最大电压。

5. 最大基极电流（IBmax）：指三极管的最大基极电流，超过该电流可能会导致器件损坏。

6. 饱和区电压下降（VCEsat）：指三极管在饱和区时，集电极与发射极之间的电压降。

7. 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：指三极管在饱和区时，基极与发射极之间的电压降。

8. 输入电阻（hie）：指三极管的输入电阻，它与基极电流成正比。

9. 输出电阻（hoe）：指三极管的输出电阻，它与输出电流成正比。

10. 增大时间（tf）：指三极管从关断状态到导通状态所需的时间。

11. 减小时间（tr）：指三极管从导通状态到关断状态所需的时间。

12. 反向转换时间（tfr）：指三极管由关断状态转换为导通状态时，极化电容反向充电所需的时间。

13. 正向转换时间（tff）：指三极管由导通状态转换为关断状态时，极化电容正向放电所需的时间。

14.最大效率：指在特定工作条件下，三极管从输入功率到输出功率的转换效率。

15.电流放大倍数（β）：指三极管中电流放大的倍数，即集电极电流与基极电流之比。

16.最大工作频率（fT）：指三极管能够正常工作的最高频率。

上述参数都是三极管常用的重要参数，不同型号的三极管具体数值会有所不同。

在选择三极管时，根据具体需求选择合适的参数是非常重要的。

此外，这些参数在设计电子电路时也起到了至关重要的作用。

常用三极管数据引言概述：三极管是一种常见的电子元件，广泛应用于电子电路中。

了解常用三极管的数据参数对于正确选择和使用三极管至关重要。

本文将详细介绍常用三极管的数据参数，帮助读者更好地了解和应用三极管。

一、电流参数1.1 最大集电电流（ICmax）：指三极管正常工作时允许通过集电极的最大电流。

该参数决定了三极管的功率承受能力。

1.2 最大基极电流（IBmax）：指三极管正常工作时允许通过基极的最大电流。

超过该电流会导致三极管损坏。

1.3 最大发射极电流（IEmax）：指三极管正常工作时允许通过发射极的最大电流。

该参数与最大集电电流和最大基极电流之间的关系为IEmax = ICmax - IBmax。

二、电压参数2.1 最大集电极-发射极电压（VCEO）：指三极管正常工作时允许的最大集电极-发射极电压。

超过该电压会导致三极管损坏。

2.2 最大集电极-基极电压（VCBO）：指三极管正常工作时允许的最大集电极-基极电压。

超过该电压会导致三极管损坏。

2.3 最大基极-发射极电压（VBE）：指三极管正常工作时允许的最大基极-发射极电压。

超过该电压会导致三极管损坏。

三、功率参数3.1 最大耗散功率（PDmax）：指三极管正常工作时允许的最大耗散功率。

超过该功率会导致三极管过热损坏。

3.2 热阻（θJA）：指三极管在单位功率耗散时，导热器件与环境之间的热阻。

热阻越小，三极管的散热性能越好。

3.3 热稳定系数（θJC）：指三极管在单位功率耗散时，导热器件与芯片之间的热阻。

热稳定系数越小，三极管的散热性能越好。

四、放大参数4.1 直流放大倍数（hFE）：指三极管在直流工作状态下，输出电流与输入电流之间的比值。

该参数决定了三极管的放大能力。

4.2 最大输出功率（Poutmax）：指三极管在最大输出功率时能够提供的最大输出功率。

4.3 频率响应范围（fT）：指三极管能够正常工作的最高频率。

超过该频率会导致三极管的放大能力下降。

全系列三极管参数三极管是一种常用的电子元件，主要由三个控制电极组成：基极、发射极和集电极。

它可以将小信号放大成大信号，并具有放大和开关两种应用。

下面将详细介绍三极管的各种参数。

1.DC参数：（1）E-B击穿电压：控制电极到基极之间的击穿电压，通常是5V。

（2）集电极饱和电压：集电极电压和基极电压之间的差，通常是0.2V。

（3）极化电压：基极与发射极之间的电压，一般为0.6V。

（4）漂移电流：无输入信号时集电极电流，通常为1μA。

2.小信号参数：（1）共射放大参数：-电流放大倍数：基极电流和集电极电流之比，通常为20。

-输入电阻：基极电阻，通常为50kΩ。

-输出电阻：发射极电阻，通常为100Ω。

-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为300。

-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。

-带宽：能够通过的频率范围。

（2）共集放大参数：-电流放大倍数：发射极电流和集电极电流之比，通常为1-输入电阻：发射极电阻，通常为10Ω。

-输出电阻：集电极电阻，通常为10kΩ。

-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为1-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。

-带宽：能够通过的频率范围。

（3）共基放大参数：-电流放大倍数：基极和集电极电流之比，通常为0.99-输入电阻：集电极电阻，通常为10kΩ。

-输出电阻：发射极电阻，通常为0.1Ω。

-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为0.99-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。

-带宽：能够通过的频率范围。

3.大信号参数：（1）最大集电极电流：集电极电流的最大值。

（2）最大功率：集电极电流和集电极电压之积的最大值。

（3）最大集电极电压：集电极电压的最大值。

（4）开关时间：从信号输入到放大器开关的时间，一般小于1μs。

4.噪声参数：（1）噪声系数：直流电流吸收后引起的输出噪声。

（2）输出噪声电压：由于内部噪声而引起的输出电压。

以上是三极管的一些重要参数，这些参数可以帮助我们了解三极管的性能和适用范围。

常用三极管参数大全1. 最大集电极电流（IC max）：三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极电流。

这个参数决定了三极管能够驱动的负载电流的最大值。

2. 最大功率耗散（PD max）：三极管在特定工作条件下能够承受的最大功率耗散。

这个参数决定了在特定工作条件下，三极管能够承受的最大功率，超过这个功率则可能会损坏。

3. 最大集电极-基极电压（VCEO max）：三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极-基极电压。

这个参数决定了三极管能够承受的最大电压，超过这个电压则可能会损坏。

4. 最大集电极-发射极电压（VCE sat）：三极管在饱和区的工作条件下，集电极-发射极之间的电压。

这个参数决定了三极管在饱和区时的电压控制能力。

5. 最大基极-发射极电压（VBE max）：三极管在特定工作条件下，基极-发射极之间能够承受的最大电压。

这个参数决定了三极管能够承受的最大电压，超过这个电压则可能会损坏。

6.直流电流放大倍数（hFE）：这个参数代表了三极管的放大能力。

它表示了当三极管的基极电流变化时，集电极电流变化的倍数。

7. 最大封装功率耗散（PC max）：三极管的封装能够承受的最大功率耗散。

这个参数与封装结构和材料有关，超过这个功率则可能会损坏封装。

8. 最大封装温度（Tj max）：三极管封装能够承受的最高温度。

超过这个温度则可能会导致封装失效。

9. 最大储存温度（Tstg max）：三极管能够承受的最高储存温度。

超过这个温度则可能会导致三极管性能退化。

10.最大工作频率（fT）：这个参数代表了三极管的最高工作频率。

在高频应用中，这个参数决定了三极管能够工作的最高频率。

通过了解和理解这些三极管参数，我们可以根据具体设计需求选择合适的三极管。

这些参数对于电子电路的设计和分析非常重要，因此研究这些参数并了解它们的意义是很有用的。

半导体三极管的主要参数有以下几个：1. 集电极最大允许电流（ICM）：半导体三极管允许通过的最大电流。

当集电极电流IC 增大到一定程度时，三极管的电流放大系数会明显下降，此时三极管尚可使用，但已不宜继续加大电流。

因此，规定IC 下降到额定值的2/3 时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。

2. 集电极最大允许耗散功率（PCM）：集电极耗散功率实际上是集电极电流IC 和集电极电压UC 的乘积。

这是三极管能够正常工作的最大功耗，超过这个功耗值三极管可能会过热损坏。

3. 电流放大系数（hFE）：也称为电流增益，是指三极管输出电流与输入电流之比。

电流放大系数越大，说明三极管的放大能力越强。

4. 带宽（fT）：三极管在工作状态下，输出信号的频率响应受到限制，这个限制频率称为带宽。

带宽反映了三极管响应速度的快慢，带宽越宽，响应速度越快。

5. 输入阻抗（Zi）：三极管输入端的阻抗，影响三极管对输入信号的吸收能力。

输入阻抗越大，吸收能力越强。

6. 输出阻抗（Zo）：三极管输出端的阻抗，影响三极管驱动外部负载的能力。

输出阻抗越小，驱动能力越强。

7. 极性：半导体三极管有npn 型和pnp 型两种极性，分别由n 型半导体基底、p 型半导体基底和n 型半导体构成。

8. 温度系数：三极管的性能参数（如电流放大系数、带宽等）随温度的变化而变化的程度。

9. 饱和电压（Vceo）：当三极管的集电极电流IC 增大到一定程度时，集电极与发射极之间的电压达到峰值，此电压称为饱和电压。

10. 开启电压（Vge）：当三极管的基极电压Vb 大于开启电压时，三极管开始导通。

11. 关闭电压（Vce）：当三极管的基极电压Vb 小于关闭电压时，三极管截止。

晶体三极管晶体三极管一．教学要求：1．了解三极管的基本构造、特点、符号、型号、分类等：2．理解三极管电流放大作用的实质和特性曲线及主要参数：3．掌握三极管的识别和简单测试方法：1．前1、2个属于知识方面的要求2．最后1个属于技能方面的要求二．教学重点、难点分析：1．教学重点是三极管的三个工作区域及其特点、三极管的电流放大作用：2．教学难点是三极管的伏-安特性3．技能要求是掌握三极管的识别与简单测试：三．教具：1．晶体三极管：2．万用表：3．晶体管特性测试仪、双踪示波器：四． 教学过程：（一）：复习提问，引入新课：1． 二极管具有哪些特性？ 2． 常用的电子元器件有哪些？提问3-4位学生回答（二）：新课教学：一：三极管的结构、符号和类型：1． 结构：总结：三极管的结构为：三区+两结+三电极：● 三区：指发射区、基区、集电区 ● 两结：指发射结、集电结： ● 三电极：指发射极、基极、集电极： 利用课件进行讲解，然后总结归纳。

2． 符号：3． 三极管具有放大作用的内部条件（结构特点）：● 发射区很厚，掺杂浓度最高； ● 基区很薄，掺杂浓度最小； ● 集电区很厚，掺杂浓度比较高。

4． 三极管的型号及其意义：发给不同规格的三极管让学生判别。

二：三极管的电流放大作用： 三极管具有放大作用，必须同时满足内部条件和外部条件，内部条件一般由生产厂家保证。

1． 三极管放大的外部条件：● 发射结正偏； ● 集电结反偏。

用双踪示波器演示输入信号和输出信号的差别，加强学生的感性认识，然后再进行分析。

2． 三极管的电流分配关系：c b e I I I += 3． 三极管电流放大作用的实质：“以小控大”——以基极小电流b I 控制集电极大电流c I 。

因此：双极型三极管属于“电流控制器件”。

三．三极管的连接方式：1． 共发射极：2． 共集电极：3．共基极：三张图进行比较，注意它们之间的特点 四．三极管的伏安特性曲线 （一） 输入特性曲线：三极管的输入特性与二极管的正向特性相似，因此要注意以下几点：1．三极管中的输入特性曲线随U CE的不同有许多条曲线，当VUce1≥时，各条曲线非常接近，所以实际使用时以其中的一条作代表：2．三极管的死区电压与二极管的死区电压基本相同：联系二极管的正向特性，并加以比较分析。