材料科学基础选择题版集团文件发布号：（9816-UATWW-MWUB-WUNN-INNUL-DQQTY-
1、极化会对晶体结构产生显着影响，可使键性由（B）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。
（A）共价键向离子键（B）离子键向共价键
（C）金属键向共价键（D）键金属向离子键
2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（B），离子配位数（）。
（A）增大，降低（B）减小，降低（C）减小，增大（D）增大，增大
3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（C）。
（A）5 （B）6 （C）4 （D）3
4、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（B）空隙中。
（A）全部四面体（B）全部八面体（C）1/2四面体（D）1/2八面体
5、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（C）空隙中。
（A）全部四面体（B）全部八面体（C）全部立方体（D）1/2八面体
6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（B）个MgO分子。
（A）2 （B）4 （C）6 （D）8
7、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（D）。
（A）八面体空隙的半数（B）四面体空隙的半数
（C）全部八面体空隙（D）全部四面体空隙
8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（B）。
（A）2 （B）4 （C）6 （D）8
9、CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-的配位数为（D）。
（A）2 （B）4 （C）6 （D）8
10、硅酸盐晶体的分类原则是（B）。
（A）正负离子的个数（B）结构中的硅氧比
（C）化学组成（D）离子半径
11、锆英石Zr[SiO4]是（A）。
（A）岛状结构（B）层状结构（C）链状结构（D）架状结构
12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（C）。
（A）同质多晶（B）有序—无序转变（C）同晶置换（D）马氏体转变
13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是（A）。
（A）岛状结构（B）层状结构（C）链状结构（D）架状结构
14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（A）。（A）沸石>萤石>MgO （B）沸石>MgO>萤石（C）萤石>沸石>MgO （D）萤石>MgO>沸石
15、根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（B）。
（A）2 （B）4 （C）6 （D）8
16、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体，两个相邻的[SiO4]四面体之间只能（A）连接。
（A）共顶（B）共面（C）共棱（D）A+B+C
17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（D）。
（A）弗仑克尔缺陷（B）肖特基缺陷（C）杂质缺陷（D）A+B
18、位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。
（A）攀移（B）攀移（C）增值（D）减少
19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（D）。
（A）负离子空位（B）间隙正离子（C）间隙负离子（D）A或B
20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（D）。
（A）正离子空位（B）间隙负离子（C）负离子空位（D）A或B
21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为（D）。
（A）稳定晶格（B）活化晶格（C）固溶强化（D）A+B+C
22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（B）。
（A）结构相同是无限固溶的充要条件
（B）结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件
（C）结构相同是有限固溶的必要条件
（D）结构相同不是形成固溶体的条件
23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（D）。
（A）点缺陷（B）线缺陷（C）面缺陷（D）A+B+C
24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（D）。
（A）热缺陷（B）杂质缺陷（C）非化学计量缺陷（D）A+B+C
25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（B）。
（A）线性增加（B）呈指数规律增加（C）无规律（D）线性减少
26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（D）。
（A）杂质质点大小（B）晶体（基质）结构（C）电价因素（D）A+B+C
27、位错的滑移是指位错在（A）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。
（A）外力（B）热应力（C）化学力（D）结构应力
28、柏格斯矢量（BurgersVector）与位错线垂直的位错称为（A），其符号表示为（）。
（A）刃位错；⊥（B）刃位错；VX （C）螺位错；（D）刃位错；
29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（B）。
（A）正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小（B）正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加（C）正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加（D）正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）时，（A）。
（A）间隙和空位质点同时成对出现
（B）正离子空位和负离子空位同时成对出现
（C）正离子间隙和负离子间隙同时成对出现
（D）正离子间隙和位错同时成对出现
31、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（C）。
（A）位错不一定是直线（B）位错是已滑移区和未滑移区的边界
（C）位错可以中断于晶体内部（D）位错不能中断于晶体内部
32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（A）。
（A）螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移
