功率合成器.

1.6功率分配器/合成器【产品简介】恒达微波提供一系列高性能的波导魔T 、功分器、合成器产品。

在魔T 的H 臂或E 臂接上负载，则可制成魔T 功率分配器或合成器。

波导魔T 具有如下特点：平衡臂两端对称；从E 臂输入的信号会在平衡臂两端等幅反相输出，H 臂隔离；从H 臂输入的信号会在平衡臂两端等幅同相输出，E 臂隔离；从平衡臂任一端输入的信号在E 臂和H 口等分输出，而对应平衡臂另一端隔离。

因此魔T 具有的对口隔离、邻口3dB 耦合及完全匹配的特点，使之在微波领域获得了广泛应用,尤其用在单脉冲雷达和差比较器、雷达收发开关、功率分配/合成、混频器及移相器等场合。

【型号描述】波导魔T ，波导管型号BJ100，材料为铝（材料为铜时缺省）。

产品类型：波导魔TH D - 100 W M T A波导管型号：B J 100恒达微波材料：铝【产品类型】类型代码含义类型代码含义WET 波导ET 接头WHT 波导HT 接头WMTPC 波导同相功率合成器WMTPD 波导同相功率分配器WMT 波导魔TWSWC 波导90°功率分配器/合成器(窄边耦合)；I\U\XY\YU 型WTWC波导90°功率分配器/合成器(宽边耦合)；I\U\XY\YU 型1.6.1波导ET 接头、波导HT 接头这两种器件在微波系统中常用作功率分配/合成元件。

波导ET 接头可以将E 口输入的信号在平衡臂两端等幅反相输出，反之，在平衡臂两端等幅反相输入信号则在E 口合成输出；波导HT 接头可以将H 口输入的信号在平衡臂等幅同相输出，反之，在平衡臂两端等幅同相输入信号则在H 口合成输出，但是ET 、HT 接头是不匹配的器件，只对其E 口或是H 口进行单端口匹配。

1.6.1.1波导ET 接头【标准产品数据表】产品型号频率范围(GHz)工作带宽对称性(dB)E口驻波比插损(dB)法兰材料涂覆HD-3WET0.32-0.49≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-4WET0.35-0.53≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-5WET0.41-0.62≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-6WET0.49-0.75≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-8WET0.64-0.98≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-9WET0.75-1.15≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-12WET0.96-1.46≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-14WET 1.13-1.73≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-18WET 1.45-2.20≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-22WET 1.72-2.61≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-26WET 2.17-3.30≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-32WET 2.60-3.95≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-40WET 3.22-4.90≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-48WET 3.94-5.99≤15%±0.35≤1.20≤0.2FDP铝氧化HD-58WET 4.64-7.05≤15%±0.35≤1.20≤0.2FDP铝氧化HD-70WET 5.38-8.17≤15%±0.35≤1.20≤0.3FDP铜镀银HD-84WET 6.57-9.99≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP铜镀银HD-100WET8.20-12.40≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP铜镀银HD-120WET9.84-15.0≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP铜镀银HD-140WET11.9-18.0≤15%±0.40≤1.25≤0.3FBP铜镀银HD-180WET14.5-22.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP铜镀银HD-220WET17.6-26.7≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP铜镀银HD-260WET21.7-33.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP铜镀银HD-320WET26.5-40.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP铜镀银HD-400WET32.9-50.1≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金HD-500WET39.2-59.6≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金HD-620WET49.8-75.8≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金HD-740WET60.5-91.9≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金HD-900WET73.8-112≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金1.6.1.2波导HT 接头【标准产品数据表】产品型号频率范围(GHz)工作带宽对称性(dB)H 口驻波比插损(dB)法兰材料涂覆HD-3WHT 0.32-0.49≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-4WHT 0.35-0.53≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-5WHT 0.41-0.62≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-6WHT 0.49-0.75≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-8WHT 0.64-0.98≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-9WHT 0.75-1.15≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-12WHT 0.96-1.46≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-14WHT 1.13-1.73≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-18WHT 1.45-2.20≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-22WHT 1.72-2.61≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-26WHT 2.17-3.30≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-32WHT 2.60-3.95≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-40WHT 3.22-4.90≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-48WHT 3.94-5.99≤15%±0.35≤1.20≤0.2FDP 铝氧化HD-58WHT 4.64-7.05≤15%±0.35≤1.20≤0.2FDP 铝氧化HD-70WHT 5.38-8.17≤15%±0.35≤1.20≤0.3FDP 铜镀银HD-84WHT 6.57-9.99≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP 铜镀银HD-100WHT 8.20-12.40≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP 铜镀银HD-120WHT 9.84-15.0≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP 铜镀银HD-140WHT 11.9-18.0≤15%±0.40≤1.20≤0.3FBP 铜镀银HD-180WHT 14.5-22.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP 铜镀银HD-220WHT 17.6-26.7≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP 铜镀银HD-260WHT 21.7-33.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP 铜镀银HD-320WHT 26.5-40.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP 铜镀银HD-400WHT32.9-50.1≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金产品型号频率范围(GHz)工作带宽对称性(dB)H 口驻波比插损(dB)法兰材料涂覆HD-500WHT 39.2-59.6≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP 铜镀金HD-620WHT 49.8-75.8≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP 铜镀金HD-740WHT 60.5-91.9≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP 铜镀金HD-900WHT73.8-112≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金1.6.2波导魔T【标准产品数据表】产品型号频率范围(GHz)工作带宽驻波比隔离度（E-H ）(dB)对称性(dB)法兰材料涂覆H 口E 口HD-3WMT 0.32-0.49≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-4WMT 0.35-0.53≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-5WMT 0.41-0.62≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-6WMT 0.49-0.75≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-8WMT 0.64-0.98≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-9WMT 0.75-1.15≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-12WMT 0.96-1.46≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-14WMT 1.13-1.73≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-18WMT 1.45-2.20≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-22WMT 1.72-2.61≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-26WMT 2.17-3.30≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-32WMT 2.60-3.95≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-40WMT 3.22-4.90≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-48WMT 3.94-5.99≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-58WMT 4.64-7.05≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-70WMT 5.38-8.17≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铜镀银HD-84WMT 6.57-9.99≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FBP 铜镀银HD-100WMT 8.20-12.4≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FBP 铜镀银HD-120WMT 9.84-15.0≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FBP铜镀银产品型号频率范围(GHz)工作带宽驻波比隔离度（E-H ）(dB)对称性(dB)法兰材料涂覆H 口E 口HD-140WMT 11.9-18.0≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FBP 铜镀银HD-180WMT 14.5-22.0≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FBP 铜镀银HD-220WMT 17.6-26.7≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.4FBP 铜镀银HD-260WMT 21.7-33.0≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.4FBP 铜镀银HD-320WMT 26.5-40.0≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.4FBP 铜镀银HD-400WMT 32.9-50.1≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.5FUGP 铜镀金HD-500WMT 39.2-59.6≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.5FUGP 铜镀金HD-620WMT 49.8-75.8≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.5FUGP 铜镀金HD-740WMT 60.5-91.9≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.5FUGP 铜镀金HD-900WMT73.8-112≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.5FUGP铜镀金1.6.3波导同相功率分配器/合成器根据波导魔T 所特有的对口隔离、邻口3dB 耦合及完全匹配的特点，可在在波导魔T 的E 臂内置负载，制成波导同相功率分配器/合成器。

研究Technology StudyI G I T C W 技术1 卫星通信发射机在Ku 频段卫星通信系统中，发射机实现对射频信号的功率放大，结合天线增益，使得卫星通信系统的EIRP 值达到一定的要求，满足卫星通信链路的使用要求，实现上行链路的信号畅通。

早期发射机设计时，末级功率芯片一般采用GaAs 芯片，在Ku 频段，GaAs 芯片输出功率可以达到数瓦量级。

一台上百瓦的发射机，需要几十只、上百只管子合成，从而导致合成路数多，合成效率低，整机可靠性差。

受芯片工艺水平限制，功率更高的GaAs 芯片未见报道，这限制了大功率固态发射机的发展。

随着GaN 芯片技术的进步，越来越多的发射机产品，逐渐使用GaN 芯片作为末级功放管使用。

目前，国内的GaN 功率芯片水平，在Ku 频段单芯片连续波输出功率可以做到35 W 。

考虑到输出功率采样、隔离器等无源器件的损耗，一台Ku 频段40 W 发射机，需要2只35 W 的GaN 功率芯片，进行功率合成，其输出功率方能满足使用要求。

针对Ku 频段卫星通信中40 W 发射机的使用要求，本文设计了一种小巧的双路功率合成器，该功率合成器为进一步减少体积，采用了减高波导设计。

2 波导微带转换设计波导传输线是一种三维立体结构，它的优点是传输损耗低、功率容量大；缺点是体积大、重量大，不便于有源电路集成。

微带传输线是一种平面二维结构，它的优点是体积小、重量经，便于有源电路集成；缺点是传输损耗高、功率容量受限、散热差。

设计一种过渡产品，能够将电磁波从波导三维立体结构过渡到微带平面二维结构，或者反之，具有现实意义。

通过这种过渡，我们设计电路时，可以充分利用两种结构的优点，避开它们的缺点。

波导微带转换电路便可以实现这一功能，下面介绍一种波导微带转换电路的设计。

图1 波导微带转换原理图波导微带转换的原理图如图1所示，它由三部分组成：一个波导功分器，两个波导微带转换。

波导功分器实现波导功率分配，波导微带转换实现波导三维立体结构和平面微带二维结构之间的转换。

功率合成器隔离度功率合成器中的隔离度呀，这可是个很有趣的东西呢！咱先来说说功率合成器是啥吧。

功率合成器就像是一个超级大管家，它能把好多小功率的信号集合在一起，变成一个大功率的信号。

这就好比好多小水滴汇聚成一个大水滴一样。

它在很多地方都超级有用，像是在通信领域啊，要是没有功率合成器，信号可能就没那么强，那咱们打电话、上网啥的可能就会受到影响啦。

那这个隔离度呢？隔离度就像是一堵墙，它的作用就是让不同的信号或者不同的部分之间互不干扰。

比如说在功率合成器里，各个小功率信号源之间要是没有很好的隔离度，就会像小朋友在教室里乱跑乱撞一样，那可就乱套啦。

隔离度越高呢，就表示这堵墙越结实，信号之间就越不容易互相影响。

咱可以想象一下，如果隔离度不够好，会发生啥情况呢？就像你在一个很吵的环境里听人说话，周围的噪音一直在干扰你，你就很难听清楚对方在说啥。

在功率合成器里也是这样，如果隔离度差，不同信号之间互相干扰，那最后合成出来的大功率信号可能就不是我们想要的啦，可能会有各种杂音或者错误。

那怎么才能让隔离度变好呢？这就涉及到好多技术方面的东西啦。

比如说在设计功率合成器的时候，电路的布局就很重要。

就像盖房子，房间的布局合理了，大家住着才舒服。

电路布局合理了，信号之间的隔离度就更容易提高。

还有一些特殊的元件也能起到提高隔离度的作用呢，它们就像是一群小卫士，守护着各个信号之间的界限。

再说说隔离度的测量吧。

测量隔离度也不是一件简单的事儿哦。

就像你要量一堵墙到底有多厚一样，得用对方法和工具。

在测量功率合成器的隔离度的时候，我们需要用到一些专门的仪器。

这些仪器就像是医生的听诊器一样，能够准确地告诉我们隔离度是多少。

而且测量的时候也要注意很多细节呢，比如说周围的环境啊，有没有其他信号的干扰之类的。

如果环境不好，就像你在大风天里称重一样，称出来的结果可能就不准确啦。

在实际的应用中，功率合成器的隔离度要求也不一样。

有的地方要求高一点，就像在一些精密的科学研究设备里，一点点干扰都不能有；而有的地方呢，要求可能相对低一些，但也得保证基本的正常运行。