SSP-T6资料

山东农业大学学报(自然科学版),2024,55(2):162-168Journal of Shandong Agricultural University ( Natural Science Edition )VOL.55 NO.2 2024doi:10.3969/j.issn.1000-2324.2024.02.004

微生物菌剂对菜心种子萌发及幼苗生长的影响

刘希港1，刘玉青1，周波4，李静1，2，3，季托1，2，3，范伟5，杨凤娟1，2，3*

1. 山东农业大学园艺科学与工程学院，山东 泰安 2710182. 农业农村部黄淮地区园艺作物生物学与种质创制重点实验室，山东 泰安 2710183. 山东果蔬优质高效生产协同创新中心，山东 泰安 2710184. 山东农业大学生命科学学院，山东 泰安 2710185. 潍坊市市场监管发展服务中心，山东 潍坊 261000

摘 要： 为探究微生物菌剂对菜心种子萌发及幼苗生长的影响，用10种微生物菌剂分别对菜心种子和菜心幼苗进行处

理，研究了不同微生物菌剂对菜心种子发芽指数、幼苗生物量、壮苗指数、根系构型和光合色素含量的影响。结果表

明，添加外源稀释400倍的微生物菌剂后，菜心种子发芽指数、幼苗壮苗指数、根系长度、根系表面积、根系体积和叶绿

素（a+b）含量均得到不同程度提高。其中种子发芽指数以内生普里斯特氏菌（T1）处理较高，较清水（CK1）处理高出

40.7%；幼苗壮苗指数和根系长度以耐盐芽孢杆菌（T4）处理较高，分别较营养液（CK2）处理高出50.0%和87.7%；根系

表面积、根系体积、根系平均直径和叶绿素（a+b）含量以T1处理较高，分别较营养液（CK2）处理高出154.4%、89.7%、

13.5%和19.3%，差异显著。隶属函数结果表明，稀释400倍的内生普里斯特氏菌（Priestia endophytica）处理对菜心促

生作用最好。

关键词： 菜心；微生物菌剂；发芽指数；壮苗指数；隶属函数

Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µA (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 2.300 Ω (Typ.)Advanced Power MOSFET

Thermal ResistanceJunction-to-CaseCase-to-SinkJunction-to-AmbientRθJCRθCSRθJAΟC /WCharacteristicMax.UnitsSymbolTyp.FEATURESAbsolute Maximum RatingsDrain-to-Source VoltageContinuous Drain Current (TC=25ΟC)Continuous Drain Current (TC=100ΟC)Drain Current-Pulsed Gate-to-Source VoltageSingle Pulsed Avalanche Energy Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Peak Diode Recovery dv/dt Total Power Dissipation (TC=25ΟC)Linear Derating FactorOperating Junction andStorage Temperature RangeMaximum Lead Temp. for SolderingPurposes, 1/8“ from case for 5-secondsCharacteristicValueUnitsSymbolIDMVGSEASIAREARdv/dtIDPDTJ , TSTGTLAVmJAmJV/nsWW/ΟCAΟCVDSSVTO-2201.Gate 2. Drain 3. Source321O1O1O1O2O3SSP5N90ABVDSS = 900 VRDS(on) = 2.9 ΩID = 5 A90053.2205295141.51401.12- 55 to +1503000.89--62.5--0.5--30 +_

Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µA (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) : 9.390 Ω (Typ.)Advanced Power MOSFET

Thermal Resistance

Junction-to-CaseCase-to-SinkJunction-to-AmbientRJCRCSRJA/WCharacteristicMax.UnitsSymbolTyp.FEATURES

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source VoltageContinuous Drain Current (TC=25)Continuous Drain Current (TC=100)Drain Current-Pulsed Gate-to-Source VoltageSingle Pulsed Avalanche Energy Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Peak Diode Recovery dv/dt Total Power Dissipation (TC=25)Linear Derating FactorOperating Junction andStorage Temperature RangeMaximum Lead Temp. for SolderingPurposes, 1/8” from case for 5-secondsCharacteristicValueUnitsSymbol

IDMVGSEASIAREARdv/dtID

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总

账

及

固

定

资

产

模

块

版本:T6 6.0

建立日期：2012-04

编 者:王珺

第一部分 系统管理

1、 注册与设操作员：

双击“系统管理”──“系统” ──注册──选择用户名为[admin]

──确定──权限──操作员──增加──输入操作员编号、姓名、口令（密码）、确认口令（重复密码）──增加──重复以上操作可增加不同的操作员──退出。

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2、建立新帐套：

系统──注册──用户名为[admin] ──确定──帐套──建立──输入帐套号、帐套名称、启用会计期──下一步──输入单位名称、单位简称──下一步──选择企业类型、行业性质及帐套主管名称，如需按行业预置科目则打√──下一步──设置存货、客户、供应商是否分类──完成──是──修改分类编码方案──确认──修改数据精度定义──确认──创建帐套成功──确定。

3、财务分工

（1） 设置帐套主管：

单击权限菜单──权限──选定操作员全名──选择相应的帐套号、年度、在帐套主管前打√──是。

（2） 其它操作员赋权：

单击权限菜单──权限──选定操作员全名──增加──双击左侧“产品分类选择”框的相应系统名称，使之变成天蓝色，则自动带出右侧“明细权限选择”框中的明细权限──双击右侧“明细权限选择”框，使之变为白色，可减少相应的明细权限──确定──退出。

4、会计数据备份与恢复

（1）备份

系统菜单下──注册──选择用户名为[admin]，输入密码──确定──帐套──输出──选择帐套号──确认──选择备份目标──确认──硬盘备份完毕──确定

（2）会计数据恢复

系统──注册──选择用户名为[admin]，输入密码──确定──帐套──引入──在“查找范围”框找出备份文件的存放位置──选定UFErpAct.Lst文件──打开──此操作将覆盖帐套当前的所有信息，选择“是” ──提示“账套引入成功” ──确定。