电路原理作业一

第一讲作业（电路和电路模型，电流和电压的参考方向，电功率和能量） 1. 如图1所示：U ＝ V ，U 1＝ V 。

2. 图1—4所示的电路中，已知电压1245U U U V===，求3U 和CAU3. 图示一个3A 的理想电流源与不同的外电路相接，求3A 电流源三种情况第二讲作业（电路元件，电阻元件，电压源和电流源）I 。

2. 求图示各电路的电压U 。

3. 图示各电路，求：(1) 图(a)中电流源S I 产生功率S P 。

(2) 图(b)中电流源S U 产生功率S P第三讲作业（受控电源，电路基本定律（VAR 、K CL 、K VL ））1. 图示某电路的部分电路，各已知的电流及元件值已标出在图中，求I 、s U 、R 。

2. 图示电路中的电流I = ( )。

3. 图示含受控源电路，求：(1) 图(a)中电压u 。

(2) 图(b)中2Ω电阻上消耗的功率R P 。

第四讲作业（电路的等效变换，电阻的串联和并联，电阻的Y形联结和△形连结的等效变换）1.图示电路中的acb支路用图支路替代，而不会影响电路其他部分的电流和电压。

2.电路如图，电阻单位为Ω，则R ab=_________。

3. 求图示各电路中的电流I 。

第五讲作业（电压源和电流源的串联和并联，实际电源的两种模型及其等效变换，输入电阻）1. 求图示电路中的电流I 和电压U ab 。

2. 用等效变换求图示电路中的电流I 。

.3. 求图示各电路ab 端的等效电阻ab R 。

第三章作业3-1、某电路有n 结点，b 支路，其树枝数为 ，连枝数为 ，基本回路数为 ；独立的KCL 方程有 个，独立的KVL 方程有 个，独立的KCL 和KVL 方程数为 。

3-2、电路的图如图，以2、3、4为树枝，请写出其基本回路组。

3-3、电路如图，用支路电流法列方程。

3-4、电路见图，用网孔分析法求I 。

3-5、用网孔电流法（或回路电流法）求解图2电路中电流I及电压U 。

第一章 作业1-1. 在题图1-1中,若电压源12S U V =，电阻12R =Ω，试在图示参考方向下求支路电流I 。

解：以电压源为参考方向，I=-1A1-2. 求图1-2各支路中未知量的值。

解：a R=（10-4）/2=3Ωb U=10+2×2=14Vc U=14V1-3. 在题图1-3a 、b 所规定的参考方向下，若电压U 和电流I 的代数值均为正，试分析两个网络实际发出还是吸收功率？解：a 吸收功率b 发出功率U s题图1-3 I I U U a b=?4V 2Ω10V Ωa b c 题图1-2 题图1-11-4. 题图1-4是一个简化的晶体管电路，求电压放大倍数0/i U U ，再求电源发出的功率和负载L R 吸收的功率。

解：00iL I i L IL U U I R k I R k R R==-=-⋅ 0L I i U R k U R=- 电源i U 发出的功率i i i P U I =负载L R 吸收的功率0000I i I i P U I U k I k U I ==-=-2LIi i R k U I R=1-5. 题图1-5所示电路中，电流源6S I A =，电阻11R =Ω，22R =Ω，33R =Ω，46R =Ω，求电流0I 。

解:R 总=R 1R 2/(R 1+R 2)+R 3R 4/(R 3+R 4)=8/3。

I 0=1A1-6. 题图1-6所示电路中，已知电流源S I 发出功率为4W ，试求电阻R 的值。

题图1-5解：(2+R)×4/(4+2+R) + 2=4 R=2Ω1-7. 题图1－7所示电路中，电压源分别为1E ＝6V ，2E =8V ，R=7Ω，试求电流I 。

解：1214U E E V =+= 1427U I A R===1-8. 在题图1－8所示电路中，已知电流源1S I ＝2A ，2S I ＝1A ，R=5Ω，1R ＝1Ω，2R ＝2Ω，试求电流I 、电压U 为多少？解：节点电流法得知：I S1=I －I S2 即I=2+1=3A U=RI=5×3=15V题图1-72Ω4ΩRI S =1A 题图1-6 题图1-81-9. 题图1-9所示电路中，电流源S I 及其内阻0R 为定值，改变负载电阻R ，求R 为何值时它可获得最大功率，最大功率为多少?解：Is=I+I 1，I 1=IR/R 0，得I=IsR 0/(R+R 0)，P=I 2R=当R=R o ，功率最大P=1-10. 题图1-10电路中，1S I =0.5A ，S I =1A ，控制系数r=10，电阻R=50Ω。

一. （共50题,共100分）695eee7a-2437-single1. 在图示电感电路中，电压与电流的不正确关系式应是( )。

（2分）A. B. C.★标准答案：B3df86408-a37a-single2. 在图1电路中，点划线框中的部分为一电源，电压U和电流I的正方向已给出。

该电源的外特性曲线如图2所示曲线( )。

（2分）A.a线B.b线C.c线★标准答案：Cf8b9ed47-6496-single3. 在图示电路中，R1＝2R3，R2＝2R4，U S为正值，则流过电阻R G的电流I G为( )。

（2分）A.大于零B.小于零C.等于零★标准答案：C00259ecd-178b-single4. 在计算线性电阻电路的功率时，叠加原理( )。

（2分）A.不可以用B.可以用C.有条件地使用★标准答案：A581283c5-1f83-single5. 在额定功率和额定电压分别为下列规格的电灯泡中，电阻最大的是( )。

（2分）A.100 W，220 VB.100 W，110 VC.60 W，220 V★标准答案：C73882ada-144f-single6. 在图示电路中，电压U AB为( )。

（2分）A.29 VB.-19 VC.-2 V★标准答案：A3bd0cfaa-ce98-single7. 在图示电路中，已知直流理想电压源U S= 12V。

用量程为10 V，内阻为20 k的直流电压表，测得A .B两点间的电压U AB为( )。

（2分）A.6 VB.5 VC.4 V★标准答案：Ca20d51b0-b307-single8. 图示电路中，流过理想电压源U S2的电流I为( )。

（2分）A.2.5 A，方向向上B.2.5 A，方向向下C.3.5A，方向向上★标准答案：Ab1e86229-f930-single9. 图示电路中，每个电阻R均为8，则等效电阻R AB为( )。

（2分）A.3B.4C.6★标准答案：Aa3458c08-676b-single10. 图示电路中，已知电流I1= 1 A，则电流I为( )。

集成电路制造技术作业热氧化1、解释名词：自掺杂外扩散 SOS技术 SOI技术。

答：自掺杂：是指在高温外延时，高掺杂衬底中的杂质从基片外表面扩散进入气相边界层，又从边界层扩散掺入外延层的现象。

外扩散：又称为互扩散，是指在高温外延时，衬底和外延层中的杂质互相由浓度高的一侧向浓度低的一侧扩散的现象。

SOS技术：是SOI技术的一种，是在蓝宝石或尖晶石衬底上异质外延硅获得外延材料的技术。

SOI技术：是指在绝缘衬底上异质外延硅获得外延材料的技术。

2、详述影响硅外延生长速率的因素。

答：影响外延生长速率的因素主要有外延温度、硅源种类、反应剂浓度、外延反应器结构类型、气体流速、衬底晶向等。

外延温度的影响：外延过程可分为质量传递过程和表面反应过程。

在气相质量传递过程中，随着温度升高气相边界层中的气体分子热运动加剧、气体黏度增加、气体密度降低、气相边界层增厚，综合以上效应，气相质量传递速率随温度缓慢升高有所加快。

在表面反应过程中，外延剂吸附和气态生长物的解吸过程很快，对外延生长速率影响效果不明显；外延剂化学反应和生成硅原子迁移随着温度升高而明显加快，综合几个过程的综合效果，硅表面反应过程随温度升高速率加快非常明显。

因此，外延温度升高，外延生长速率加快。

硅源种类的影响：实际测得采用不同硅源，生长速率不同。

外延生长速率由高到低对应的硅源依次为：Si H4>SiH2Cl2>SiHCl3>SiCl4。

反应剂浓度的影响：一般地，在反应剂浓度较低时，随着反应剂浓度增加，质量传递至衬底表面的外延剂就会增加，外延速度就会加快。

但是，随着浓度进一步升高，到达某一临界浓度时，衬底表面生成硅原子速率大于硅原子在衬底表面生成单晶的速度或者反应剂分解形成硅粒堆积，就会生长出多晶硅，此时外延层的生长速率由硅原子形成单晶的速率控制。

当采用含氯硅源时，如果反应剂浓度继续增加，到达某一浓度时，外延生长速率反而开始减小。

其他影响因素：外延器的结构类型、气体流速的因素对气相质量传递快慢造成影响。

电路原理习题习题作业1一、单项选择题：在下列各题中，有四个备选答案，请将其中唯一正确的答案填入题干的括号中。

(本大题共3小题，总计29分)1、(本小题6分)电路如图所示, 若R、US 、IS均大于零，, 则电路的功率情况为A. 电阻吸收功率, 电压源与电流源供出功率B. 电阻与电压源吸收功率, 电流源供出功率C. 电阻与电流源吸收功率, 电压源供出功率D. 电阻吸收功率, 电流源供出功率，电压源无法确定答( )U I S2、(本小题9分)若电流表A读数为零, 则R与I的值分别为A. 6 Ω, 2.5 AB. 8 Ω, -2.5 AC. 6 Ω, 1 AD. Ω, 15 A答( )ab3、(本小题14分)用叠加定理可求得图示电路中ab 端的开路电压U ab 为 A. 8.5 V B. V C. 6 V D. V答()ab-二、填充题：在下列各题中，请将题止所要求的解答填入题干中的各横线上方内。

(本大题共2小题，总计31分) 1、(本小题12分)图示电路中的电流=I A ,电压=U V .105Ao2、(本小题19分)图示正弦交流电路，已知t u 310cos 2100=V ，电源向电路提供功率P =200W ，L u 的有效值为50V ，求R 和L 。

Lu +三、非客观题 ( 本 大 题40分 )电路及外施电压波形如图所示，求电感贮能的最大值，并表明t >2s 时电阻所消耗的能量等于该值。

t s习题作业2一、单项选择题：在下列各题中，有四个备选答案，请将其中唯一正确的答案填入题干的括号中。

(本大题共3小题，总计34分) 1、(本小题9分)电路如图所示, 若R 、U S 、I S 均大于零，, 则电路的功率情况为 A. 电阻吸收功率, 电压源与电流源供出功率 B. 电阻与电流源吸收功率, 电压源供出功率 C. 电阻与电压源吸收功率, 电流源供出功率 D. 电阻吸收功率，供出功率无法确定答( )UI S2、(本小题8分)用叠加定理可求得图示电路中电压u 为 A. ()1+cos t V B. ()5-cos t V C. ()53-cos t V D. 513-⎛⎝ ⎫⎭⎪cos t V答( )3、(本小题17分)图示电路中a 、b 端的等效电阻R ab 为 A.83Ω B. 3 Ω C. 4 Ω D. 6 Ω 答()二、填充题：在下列各题中，请将题止所要求的解答填入题干中的各横线上方内。

第一章“电路模型和电路定律”练习题1-1说明题1-1图（a ）、（b ）中：（1）u 、i 的参考方向是否关联？（2）ui 乘积表示什么功率？（3）如果在图（a ）中u >0、i <0；图（b ）中u >0、i >0，元件实际发出还是吸收功率？（a ） （b ）题1-1图解：（1）图（a ）中电压电流的参考方向是关联的，图（b ）中电压电流的参考方向是非关联的。

（2）图（a ）中由于 电压电流的参考方向是关联的，所以ui 乘积表示元件吸收的功率。

图（b ）中电压电流的参考方向是非关联的，所以ui 乘积表示元件发出的功率。

（3）图（a ）中u ＞0、i ＜0，所以ui ＜0。

而图（a ）中电压电流参考方向是关联 的，ui 乘积表示元件吸收的功率，吸收的功率为负，所以元件实际是发出功率；图（b ）中电压电流参考方向是非关联的，ui 乘积表示元件发出的功率，发出的功率为正，所以元件实际是发出功率。

1-4 在指定的电压u 和电流i 的参考方向下，写出题1-4图所示各元件的u 和i 的约束方程（即VCR ）。

（a ） （b ） （c ）（d ） （e ） （f ）题1-4图解：（a ）电阻元件，u 、i 为关联参考方向。

由欧姆定律u=Ri=104 i （b ）电阻元件，u 、i 为非关联参考方向，由欧姆定律u = - R i = -10 i （c ）理想电压源与外部电路无关，故 u = 10V （d ）理想电压源与外部电路无关，故 u = -5V（e ）理想电流源与外部电路无关，故 i=10×10-3A=10-2A（f ）理想电流源与外部电路无关，故i=-10×10-3A=-10-2A1-5 试求题1-5图中各电路中电压源、电流源及电阻的功率（须说明是吸收还是发出）。

（a ） （b ） （c ）题1-5图解：（a ）由欧姆定律和基尔霍夫电压定律可知各元件的电压、电流如解1-5图（a ）故 电阻功率10220WR P u i ==⨯=吸（吸收20W ）电流源功率 I 5210WP ui ==⨯=吸（吸收10W ） 电压源功率U 15230WP ui ==⨯=发（发出30W ）（b ）由基尔霍夫电压定律和电流定律可得各元件的电压电流如解1-5图（b ）故 电阻功率12345WR P =⨯=吸（吸收45W ） 电流源功率 I 15230WP =⨯=发（发出30W ） 电压源功率U 15115WP =⨯=发（发出15W ）（c ）由基尔霍夫电压定律和电流定律可得各元件的电压电流如解1-5图（c ）故 电阻功率15345WR P =⨯=吸（吸收45W ）电流源功率 I 15230WP =⨯=吸（吸收30W ） 电压源功率U 15575WP =⨯=发（发出75W ）1-16 电路如题1-16图所示，试求每个元件发出或吸收的功率。