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桂林电子科技大学2014年研究生统一入学考试试题科目代码：904 科目名称：微机原理及应用（B2）请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
用。
（ ）5. 使用EQU语句定义的符号在同一个程序模块中，允许重新定义。
（ ）6. 主存储器由ROM、RAM、Cache以及硬盘构成，也称为内存，用（ ）7.（ ）8. 在8086/8088中断系统中，其中断向量表可存放256个中断向量。
（ ）9. RS-232C标准是EIA制定的串行总线标准，主要适合于数据传（ ）10. 直接存储器访问方式是一种不需要CPU干预，也不需要软件介（ ）4、 分析简答题（本题共6小题，每小题5分，共30分）1. 已知DS=2000H，ES=3000H，SS=1500H，BX=0200H，BP=5000H，SI=0E50H，求出下列指令中，源操作数采用哪种寻址方式？物理地址各是多少？（1） MOV AX, [1000H]；（2） MOV AX，[BP]；（3） MOV AX，[BX][SI]；2. 已知AX=3600H，BX=4800H，CX=5010H，分析程序段执行后，寄存器AX,BX,CX的值。
PUSH AXPUSH BXPUSH CXXOR AX, AXNOT CXXCHG BH, CHPOP CXPOP BXPOP AX（1）用计数器0输出频率为1KHz的方波，二进制计数，给出初始化程序段；（5分）（2）要读出计数器1的当前计数值，存放到BX寄存器，给出相应程序段。
（5分）4. ADC0809通过并行接口8255A与系统总线连接，如图所示，已知缓冲区BUFFER已定义，大小为100个字节，现要求从ADC0809通道3（IN3）中，采用查询方式，采集100个数据，送到BUFFER缓冲区保存；A/D转换启动命令为START为高电平，EOC为高电平表示转换结束。
完成相关程序段。
8255A的端口地址范围是 60H--63H。
桂林电子科技大学2014年研究生统一入学考试试题科目代码：813 科目名称：材料科学基础（A）（A卷）请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
1、已知某元素原子序数为32，根据原子的电子结构知识，试指出它属于哪个周期？哪个族？并判断其金属性的强弱。
（15分）2、写出FCC、BCC、HCP晶体的密排面、密排面间距、密排方向、密排方向最小原子间距。
（15分）晶体结构密排面密排面间距密排方向密排方向最小原子间距FCCBCCHCP3、Cu-Zn和Cu-Sn组成固溶体最多可以溶入多少原子分数的Zn或者Sn?若铜晶体中固溶入Zn 的原子数分数为10%,最多还能溶入多少原子分数的Sn? (提示：铜基固溶体的极限电子浓度为1.36， Cu、Zn和Sn的电价分别为+1、+2、+4)（15分）4、 K+和Cl-的离子半径分别为0.133nm，0.181nm，KCl具有CsCl型结构，试求KCl的密度和致密度。
（已知K元素和Cl元素的相对原子质量分别为39.102和35.453）（15分）5、Nb元素的晶体结构为BCC, 若某温度下其晶格常数为0.3294nm，密度为8.57g/cm3，试求每106个Nb中所含的空位数目（提示：Nb元素的相对原子质量为92.91）。
（15分）6、如图所示某晶体滑移面上有一柏氏矢量为b的位错环并受到一均匀切应力τ的作用，(1)分析各段位错线所受力的大小并确定其方向；(2)在τ作用下，若要使它在晶体中稳定不动，其最小半径为多大？（15分）第6题所用的图7、简述一次渗碳体（Fe3CІ）、二次渗碳体（Fe3C II）、三次渗碳体（Fe3C III）的定义，各自的组织形貌及分布特征。
（15分）8、工业纯铝在室温下经大变形量轧制成带材后，测得室温力学性能为冷加工态的性能。
查表得知工业纯铝的T再=150℃，但若将上述工业纯铝薄带加热至100℃，保温16天后冷至室温再测其强度，发现明显降低，请解释其原因。
桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷考试科目代码： 223 考试科目名称：材料科学基础（A 卷）请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
一、名词解释（共20分）1、均匀形核；2、布拉菲格子；3、柯肯达尔效应；4、显微组织；5、临界分切应力、临界分切应力二、简答题（共30分）6、根据细晶强化有关知识回答以下问题、根据细晶强化有关知识回答以下问题（1）什么是细晶强化？（5分）分）（2）细晶强化的机理是什么？（5分）分）（3）写出Hall-Petch 公式，说明公式中各字母的含义。
（10分）分）（4）举例说明Hall-Petch 公式在细晶强化方面应用的优缺点。
（5分）分）（5）材料在凝固的过程中，获得细晶粒的措施主要有哪些？（5分）分）三、作图计算题（共20分）7、在同一晶胞中画出FCC 晶体中的)021(晶面以及]211[晶向。
（10分）分） 8、在Al 单晶中，（111）面上有一位错]110[21a b =。
()111面上有另一位错]011[22a b =。
若两位错发生反应，请画图绘出新位错，并判断其性质。
(10分) 四、综合分析题(30分)9、根据下图所示的Fe-Fe 3C 相图相图 (第2页) （图中未标注的各点的横坐标分别为，H ：0.09，J ：0.17，B ：0.53，P ：0.0218，Q ：0.0008） （1）标注出图中（I ）、（II ）、（III ）、（IV ）区域内的相。
（4分）分）（2）请问纯Fe 从室温至熔点过程中经历了哪三种晶体结构的转化。
（3分）分）（3）什么是奥氏体，碳在奥氏体中的最大固溶度是多少？奥氏体属于 空间点阵（3分）分）（4）计算w (C)=2.5%的二次渗碳体的析出量。
（5分）分）（5）画出w (C)=0.77%的共析钢的冷却曲线，并在冷却曲线上标出相应的相以及存在的相变，以及室温组织示意图。
（5分）分）（注意：画图时请在冷却曲线上标注与图中共析钢成分线旁边注明的1、2、3(33(3’’)、4等对应的关键点）。
桂林电子科技大学2014年研究生统一入学考试试题 科目代码：909 科目名称：材料科学基础（B ） 请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
（各题标题字号为黑体五号字，题干字号为标准宋体五号字。
）一、名词解释（任选6题作答，每题5分，共30分）1、布拉菲格子；2、弗伦克尔缺陷；3、位错；4、非均匀形核；5、扩散通量；6、珠光体;7、桥氧；8、烧结二、简答题（任选4题作答，每题10分，共40分）1、从结构、缺陷和物化性能等方面阐述晶界的特征。
2、何为固溶强化？影响固溶强化的因素有哪些？3、材料在凝固的过程中，获得细晶粒的措施主要有哪些？4、写出Hall-Petch 公式，并说明公式中各字母的含义。
5、NaCl 溶入CaCl 2中形成空位型固溶体，请写出其缺陷反应式。
6、试描述固相烧结过程中三个阶段的特点？三、作图分析题（任选2题作答，每题15分，共30分）1、在同一晶胞中画出fcc 晶体中的晶面以及晶向。
)021(]211[2、分析位错反应能否发生？（要求写出判断依]111[2]111[2]010[]100[a a a a +→+据）。
3、根据Al 2O 3-SiO 2系统相图（下图）说明，为了保持较高的耐火度，在生产硅砖时应注意什么？4、在Al 2O 3陶瓷烧结中，通常加入TiO 2可有效地降低烧结温度，并促进烧结。
请说明原因？（提示：从形成缺陷的角度考虑）四、计算题（任选1题作答，20分）1、某晶体生长机制为二维形核模型时，如果在固液界面形成的晶核为圆柱形（如下图所示），每个晶核的高度h=0.35 nm，求临界晶核的直径d。
已知该晶体的熔点T m＝1231 K，熔化热为750 000 KJ/m3，单位面积表面能为5.5×10-2 J/m2，凝固时过冷度ΔT＝0.01T m。
（要求写出详细的计算过程）。
2、CaO加到ZrO2中，在1600℃该固溶体为立方萤石结构。
经XRD测定，当溶入0.15molCaO时, 晶胞参数a=0.513nm, 实验测定的密度值D＝5.477g/cm3。
