升压芯片-TPS系列
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本文介绍一款超低输入电压升压式DC/DC转换器TPS61200系列。
该系列在Ta=-40~+85℃工作温度范围内,最低输入电压为0.3V;单个芯片就能组成升压式电源,效率较高。
该系列有三种型号,有输出可设定及固定电压输出,如表1所示。
特点与应用领域TPS61200系列的主要特点:效率高(在VIN≥1.2V、输出3.3V、输出电流600mA时,其效率可大于90%);自动转换成升压模式或降压模式;静态电流小(小于55μA);输入电压在0.5V时,在满负载时也能启动工作;输入工作电压范围宽,从0.3~5.5V;输入低电压锁存的电压可设定;有输出短路保护;有输出电压可设定及固定输出的品种供用户选择(见表1);在输出功率较低时有节能模式,可提高效率;有可能强制按固定效率工作;在关闭电源时,负载与输入端断开;有过热保护;工作温度范围-40~+85℃;小尺寸3mm×3mm QFN封装。
引脚排列与功能TPS61200系列的引脚排列如图1所示,各引脚功能如表2所示。
图1 TPS61200的引脚排列主要技术参数TPS61200系列主要极限参数:输入电压为-0.3~7V(包括VIN、L、VAUX、VOUT、PS、EN、FB、UVLO端)。
建议工作条件:VIN=0.3~5V。
TPS61200系列主要电特性参数:可调输出电压为1.8~5.5V;固定3.3V输出电压允差±0.03V;固定5.0V输出电压允差 ±0.05V;内部平均开关电流限制为1350mA;静态电流典型值50μA;关闭状态时耗电小于2μA;EN端低电平:VIN<0.8V时为<0.1VIN、VIN>1.5V时为<0.4V、0.8V≤VIN≤1.5V时为<0.2VIN;EN高电平:VIN<0.8V时为>0.9VIN、 VIN>1.5V时为>1.2V、0.8≤VIN≤1.5V时为>0.8VIN;PS输入低电平<0.4V、PS输入高电平>1.2V;开关管开关频率 1250~1650kHz。
电源管理芯片型号电源管理芯片是一种用于控制和管理电源供应的集成电路,常用于电子设备和计算机系统中。
它能够监测电源电压、电流和温度等参数,以确保电子设备或计算机系统正常工作,并保护设备免受过电压、过电流和过温等不良条件的损害。
电源管理芯片的型号有很多种,下面简单介绍几种常见的型号。
1. MAX77650:这是一款高性能、集成度很高的电源管理芯片。
它具有多种功能,包括锂电池充放电管理、电源管理和系统监测等。
它采用低功耗设计,能够延长电池寿命,同时提供多种省电模式。
2. TPS54160:这是一款高效率、同步降压型电源管理芯片。
它适用于工业和通讯设备,能够提供稳定的电源输出。
它的主要特点是高效率和低纹波,能够满足电子设备对稳定电源的要求。
3. LT3652:这是一款微型化、高效率的电源管理芯片。
它适用于锂电池充电和电源管理。
它采用了开关电源技术,能够提供高效率的电源转换,同时集成了多种保护机制,能够确保电子设备的安全使用。
4. LTC6804:这是一款用于电池管理的芯片。
它可以对电池进行均衡充放电,并能够监测电池的电压、温度和容量等参数。
它采用高精度的ADC技术,能够提供准确的电池状态监测。
5. BQ25895:这是一款专用于充电管理的芯片。
它支持快速充电和逆变充电模式,能够根据不同设备的需求,选择合适的充电模式。
同时,它还具有多种保护机制,能够保护设备免受过充、过放和短路等不良条件的损害。
以上仅是部分电源管理芯片的型号介绍,每一款型号都有自己的特点和应用场合。
随着电子设备的不断发展,电源管理芯片的功能和性能也在不断提高,以满足电子设备对高效、稳定和安全电源供应的需求。
tps63020TPS60101用于低功耗系统的电源解决方案随着单片机应用技术的发展,各种应用场合对单片机系统有了更加严格的要求,便携式解决方案在系统设计中开始占据越来越大的比重,并越来越多地倾向于低电压、低功耗、微型化设计。
在这些设计中,一般采用镍氢、镍镉或锂电池作为系统供电方式;在一些使用交流供电的系统中,均设计了后备电池供电方式。
TPS__具有高效率、宽输入电压范围、稳压效果好、低漏电流、体积小等突出优点,可以为这些设计提供完美的电源解决方案。
1TPS__芯片简介TPS__是TexasInstruments公司新推出的一种低噪声电荷泵直流稳压芯片,能在输入电压动态范围较大时,为单片机系统提供稳定的直流供电。
1.1封装形式及引脚说明TPS__芯片的封装为一种特殊的TSSOP贴片封装,如图1所示。
芯片各引脚功能描述如表1所列。
表1TPS__引脚功能引脚名引脚号功能描述3V819模式选择,接低电平输出为标准3.3V,外接IN输出为预置3.8VC1+6外接电荷泵电容C1正极C1-8外接电荷泵电容C1负极C2+15外接电荷泵电容C2正极C2-13外接电荷泵电容C2负极COM18模式选择。
扫低电则电荷泵工作于推挽模式,提供最佳稳压性能;接IN工作于单端模式,只需1个外接电容__使能端。
接IN正常工,接低电平进入关断状态FB4反馈输入,接输出脚以获得最佳稳压效果GND1,20模拟地IN7,14外电源输入OUT5,16稳压电源输出PGND9~12稳压电源地SYNC2时钟信号选择,接地使用片内时钟,扫IN 使用片外时钟同步1.2TPS__的性能特点精密的制造工艺和优良的设计使得TPS__具有出色的电气性能:◇最大输出电流100mA,可满足绝大多数低功耗单片机系统的要求;◇少于5mV的输出电压波动,提供3.3(1±0.04)V的稳压输出;◇仅需少量外围元件,无需谐振线圈等器件,应用电路体积很小;◇电荷泵效率可达90%;◇宽输入电压范围,1.8~3.6V均可正常工作,充分保证了单片机系统在外接不同类型电源以及电池电量状态变化过程中得到稳定的电源供应;◇50μA的工作附加电流,0.05μA的关断漏电流,消耗电能很少;◇关断模式下,稳压电源输出隔离,增加电源管理的可靠性;◇微型的TSSOP贴片封装,减小应用电路体积。
升压芯片有哪些升压芯片原理升压芯片是如何升压的升压芯片是一种电子元器件,用于将低电压升高到所需的高电压。
它在各种电子设备中广泛应用,在通信、电源管理、汽车电子、医疗设备等领域起着重要的作用。
以下是升压芯片的一些常见类型和原理,以及升压芯片实现升压的具体过程。
常见的升压芯片类型:1.电感式升压芯片:通过外部电感储存能量,并在合适的时机释放能量来实现升压。
2.开关式升压芯片:采用开关管控制电荷流动,通过周期性地切断和连接电路来实现升压。
3.变压器式升压芯片:通过变压器的原理来升压,通常用于需要大功率输出的场合。
升压芯片的原理:升压芯片的原理基于能量守恒定律和电磁感应定律。
通常情况下,输入的低电压通过变换和控制电流的方式,转化成高电压输出。
具体升压芯片实现升压的过程:1.输入电源:升压芯片从外部接收一个较低电压的输入。
2.开关管控制:通过控制开关管的通断状态,控制输入电流的流动。
3.储能:在切断开关管的时候,电感储存输入电流的能量。
此时输出电压为零。
4.释能:在连接开关管的时候,通过闭合电路释放储存的能量到输出电路。
这个过程中,电流会在电感和输出负载间流动,电感将存储的能量传递给输出负载。
5.整流:为了保证输出稳定,一般在输出电压上加上整流二极管,以防止输出电压反向流动。
6.输出电压稳定:利用反馈控制技术,通过监测输出电压并与参考电压进行比较,调整控制开关管的通断状态,以维持输出电压稳定在设定值。
以上是基于开关式升压芯片的实现过程,其他类型的升压芯片实现原理和过程会有所不同,但总体思路是将输入的低电压通过其中一种方式转化为高电压输出。
升压芯片在各种电子设备中起到了重要的作用,满足了各种设备对电源需求的不同要求。
不同的升压芯片会有不同的优缺点,可根据具体应用场景来选择合适的升压芯片。
双路高速MOSFET驱动芯片TPS2812的基本介绍1.基本介绍今天和大家分享一颗双路高速(MOSFET)(驱动芯片)-TPS2812的一些设计知识。
这颗(芯片)是(TI)公司的一款驱动芯片,(工业)级。
这颗芯片内部集成了一颗(LDO),最高可以支持到40V的电压,-40到125度的工作温度。
TPS2812芯片集成一颗LDO,输入电压14V到40V,可以支持两路的(信号)输入,最高可以同时控制2路MOSFET.TPS2812内部的框图是由LDO和逻辑门组成,知道这个可以在分析逻辑时,分析自己的设计输入和输出的时序图。
2.TPS2812 引脚分布:1.REG_IN: LDO调节器的输入端1IN: 输入信号1通道GND: 公共地2IN: 输入信号2通道5.2OUT: 输出信号2通道6.VCC: (电源)(供电)引脚1OUT: 输出信号1通道REG_OUT: LDO调节器的输出端3.(电路设计)注意要点:(1)在MOSFET驱动的时间上,是可以调节的,文中标注的25ns 和40ns是在1nf负载和14V供电电源的前提下,因此在不同的负载时,其上升沿和下降沿的时间是会变化的,在设计时,可以预留调节的器件位置,方便后期调整。
(2)REG_IN和REG_OUT这个LDO不使用时,可以悬空处理(这样最简单),而且在VCC输入电源是供给逻辑输入和输出的输入,在连线时,注意和REG_IN分开。
也可以利用集成的LDO进行稳定VCC电压,因为LDO的输入有小浮动波动,也会保持REG_OUT稳定在11.5V(典型值)。
(3)注意电路设计时VCC输入电压不能超过14V,而且在VCC=5V,VCC=10V,VCC=14V时,输出的电压是不同的,这个根据驱动的MOS 的VGS电压调整。
(4)在设计1OUT和2OUT输出电压时,要注意对MOSFET的VGS 电压的应用,如果输出电压不能够完全打开MOSFET,则MOSFET会急剧发热,直至烧坏MOSFET。
K f封装方式/引脚数D S B G A /20D S B G A /14W S O N /14W S O N /14D S B G A /18W Q F N /24W Q F N /24W Q F N /24D S B G A /8D S B G A /9W S O N /I O S O T -23-T H I N /6D S B G A /12D S B G A /12D S B G A /16D S B G A /20D S B G A /20D S B G A /30D S B G A /30D S B G A /24主要特点I C 总线控制,32级亮度调节|模拟/脉宽调制混和调光P W M (脉宽调制)调光P W M 调光|P W M 调光I 2C 总线控制I 2C 总线控制F C 总线控制同步升压,过压保护过压保护F C 总线控制P W M 调光,过压保护128级亮度调节,过压保护可编程环境光感应,1^总线控 制压保护过压保护环境光传感和动态背光控制,i I "C 总线控制,P W M 调光m鸩y#: m m t1 ^ 。
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升压芯片有哪些升压芯片原理升压芯片是如何升压的升压芯片是一种能将低电压转换成高电压的集成电路芯片。
它由多个电子元件组成,通过内部的开关电路和控制电路来实现电压的转换。
升压芯片的原理是利用开关电源的工作原理,将输入的低电压经过变换和控制,输出为高电压。
具体原理如下:1.输入电压充电阶段:当输入电压低于输出电压时,通过内部的电感和开关电路将输入电压储存在电感中。
在这个过程中,电感会充电并储存能量。
2.关断电感切换阶段:当输入电压达到一定阈值时,控制电路会切换开关,将储存在电感中的能量以瞬间的高电压形式传递给输出端。
3.输出滤波阶段:输出端通过输出滤波电路对高频脉冲进行滤波处理,将输出信号平滑化,得到稳定的升压输出。
升压芯片的升压过程可以分为三个阶段:充电阶段、切换阶段和滤波阶段。
在充电阶段,输入电压将电感充电,并储存能量。
在切换阶段,能量被转换为高电压,并通过开关电路传递给输出端。
在滤波阶段,滤波电路对高频脉冲进行滤波处理,得到稳定的输出电压。
升压芯片通常用于电池供电设备、光伏发电系统、LED照明等领域,可以将输入的低电压转换为需要的高电压。
通过控制芯片内部的开关和控制电路,可以实现高效率的电压转换,提供稳定的升压输出。
总结起来,升压芯片是一种能将低电压转换为高电压的集成电路芯片,通过内部的开关和控制电路,将输入电压进行变换和控制,输出为高电压。
其原理是利用开关电源的工作原理,在充电阶段将输入电压储存在电感中,在切换阶段将储存的能量以高电压形式传递给输出端,并通过滤波电路对输出信号进行平滑处理。
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TPS7250中文介绍1. TPS7250部分特性 (2)2. TPS72XX系列描述 (2)3. TPS72XX芯片参数信息 (3)4. TPS72XX系列的基本性能参数 (4)附录 (11)1.TPS7250部分特性✧固定输出电压5V\4.85V\3.3V\3.0V和2.5V✧在输出为100mA的时候回动电压<85mA✧低静态电流✧8脚SOIC和8脚TSSOP封装✧全固定输出满操作状态输出误差控制在±2%✧极低的待机电流,最大为0.5μA✧高功率状态输出2.TPS72XX系列描述:TPS72XX家族的低损耗输出电压稳压器有一种低损耗电压、小功率控制和微型封装的优点。
由于有着SOIC 封装和8脚的TSSOP,TPS72XX系列的器件是一种理想的低成本的设计和一种可利用premium电路板空间的设计。
一种全新的电流设计和前卫的改革使得用一个PMOS器件来代替常规的传输晶体管成为了可能。
因为PMOS 的传输原理可以作为一个低压电阻器,它的回动电压是非常低的,在100mA的负载电压的时候最大只有85mA,而且相对于负载电流是直接线性的,如下图所示。
由于PMOS传输原理是一种电压驱动的器件,静态电流是非常低的(最大是300μA)且稳定地覆盖了输出端的负载电流整个边界。
在手提式的设备中,比如手提电脑和手机中,低损耗电压和低功率控制能够提升系统的操作电池的使用寿命。
图1 8脚封装管脚图图2 经典输出电压和电流的关系图TPS72XX系列同样可以提供一种可行的休眠模式去关闭稳压器,回动电流在25℃最大值为05μA。
另外一个特性包括一个高性能的低输出电压和一个可以用于实施一个重置或者低电池显示功能。
图3 可用选项说明:D组合里的是可以记录和组合的;PW组合是仅有左边缘记录的。
图4 经典应用电路图5 TPS72XX系列管脚功能图3.TPS72XX芯片参数信息芯片厚度:15 mils;规格大小:4x4 mils;最大使用温度:150℃;输入电压范围:-0.3V到11V输出电流大小:1.5A;虚拟连接操作温度范围:-55℃到150℃;存放温度范围:-65℃到150℃。