ICT测试程式标准模板
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.目录.文件修订履历表 (2)1. 目的 (3)2. 适用范围 (3)3. 权责 (3)4. 相关参考文件 (3)5. 名词定义 (3)6.标准 (3)文件修订履历表1.目的1.1为使本公司ICT测试程式标准化, 统一化, 特订定本标准。
2.适用范围2.1凡使用于本公司ICT测试程式均适用之。
3.权责3.1制作单位: ICT治具厂商3.2维护单位: ICT工程师3.3使用单位: ICT测试员4.相关参考文件无5.名词定义无6.标准6.1测试参数6.1.1程序命名方式板号+小管号.6.1.2自动存盘功能设定10片.6.1.3重测次数设为3次.6.1.4Firstpin为1,Lastpin设定为SWB(256)的整数倍并大于下针盘的最后一针点数.6.1.5OPS档设定原则为2(155585),”短路RawTest-1”字段打勾,但可视情况调整.6.1.6测试不良报表打印最大行数设为20,打印方式为按F12打印6.2Open/ShortLearning6.2.1若GND与VCC为同一个ShortGroup时,在MDA程序加阻抗测试,期望阻值依机板阻值而订,误差范围-1%,-10%;一般使用MODE2,GNDpin一般置于Hi-pin,VCCpin一般置于Low-pin.6.3测试数据编辑6.3.1程序需对照BOM表确认是否有漏(错)KEY或SKIP错误之现象6.3.2确认不良零件区块(横行/纵行)之设定是否与点图相符.6.3.3BoardView显示零件面并调整与M/B方向一致6.3.4零件SKIP时,需注明原因,/NC;/NP;/C;/R;/Q;/BP;/M;等6.3.5所有零件按照J→R→C→X→L→F→D→Q→U排序6.3.6零件位置上已layout短路线,若BOM无零件,则不外加测试(零件名称前不加J)6.3.7电阻A.按照零件值排序(零件名称前不加J)B.电阻值0Ω~10Ω(不包含10Ω)使用Jump方式测试C.电阻在10Ω~1KΩ(不包含1KΩ)误差范围+40%,-40%D.排阻的阻抗低于1KΩ(不包含1KΩ)误差范围+40%,-20%E.电阻值≧1KΩ误差范围+10%,-10%F.当电阻并联D,Q,IC时,必须使用MODE1或MODE2G.电阻值≧1MΩ时,一般使用MODE2误差范围+40%-60%H.热敏电阻, 一般使用MODE1, 误差范围+40%-90%I.蜂鸣器(BUZZER)以阻抗方式测试,期望值42Ω,误差范围+40%,-40%6.3.8电容A.按照零件值排序B.电容值<33P时,全部SKIP,并注明/BP(example:C315/BP)C.容值≦P时,需将此VCC或GND至于Hi-Pin,且需用MODE2,不加隔离点D.40uF(含)以上之电解电容,一般使用MODE8测试E.电容1uF与0.1uF误差范围+80%-60%F.电容1uF与0.1uF有并联情况时,误差范围+80%-60%G.电容2.2uF&0.01uF之间的其它电容,误差范围+80%-60%H.电解电容(CE)若有并联(CE),误差范围+30%-10%,开启一个STEP即可I.电解电容(CE)若无并联(CE),误差范围+30%-30%J.其它电容误差范围+80%-60%K.小电容并联大电容时,小电容之测试STEP要SkipL.当SMT电容与DIP电容有并联时,合理优化下限以提高程序对零件缺件的可卡性.6.3.9震荡器A.震荡器使用电容方式测试6.3.10电感A.电感使用Jump方式测试,MODE0,Delay306.3.11二极管A.二极管,误差范围+30%-30%,一般使用MODE1,当量测值小于0.3V时须加Delay30B.二极管需加测一反向STEP,标准值及实际值设1.5V,误差范围–1–50%,MODE1C.ZD加测反向崩溃电压(约3.9V以上),误差范围+50%-30%,MODE1,Delay30D.LED参数为Act/Std=2.3V,误差范围+30%-30%,Mode=1,Delay=306.3.12晶体管A.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step1(B→C)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=QMODE=1B.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step2(B→E)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=QMODE=1C.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step3(C→E→B)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%,隔离点=B,MODE=4D.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step1(C→B)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=QMODE=1E.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step2(E→B)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=QMODE=1F.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step3(E→C→B)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%,隔离点=B,MODE=3G.N MOS-FET电压测试Step1(S→D)Act/Std=0.7V,误差范围+30%-30%MODE=1H.N MOS-FET电压测试Step2(S→D→G)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%Delay=50MODE=4隔离点=GI.N MOS-FET电压测试Step2(S→D→G)若并联Diode时,误差改为+15%-1%J.P MOS-FET电压测试Step1(D→S)Act/Std=0.7V,误差范围+30%-30%MODE=1K.P MOS-FET电压测试Step2(D→S→G)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%Delay=50MODE=3隔离点=G L.P MOS-FET电压测试Step2(D→S)若并联Diode时,误差改为+15%-1%M.A LLMOS-FET于STEP后加入N型orP型<Example:Q12-2-3(N)大(中)型MOSFET加测一个电容STEPG-S脚(1-2)orG-D脚(1-3),标准值设定值为3000PF,用MODE2测试,误差范围-1–30%,RepeatD(Hilowpin不可change)6.3.12ICClampingDiodeA.ICClampingDiodeMODE=2,误差范围+30%-30%,需LearningVCCorGNDB.IC测试之电压脚位优先选择顺序为+3V→+5V→+12V。
ICT測試作業標準流程(Quick Start)ICT 編程技術指導書(Technical Reference)PART I ICT測試作業標準流程(ICT操作密笈V6.10C) I. 針床製作準備及注意事項 (5)A。
治具(針床) (5)i。
治具製作須提供給治具廠商之資料 (5)ii。
治具製作需注意事項 (5)B. 測試程式製作 (7)II. 針床的安裝及程式匯入 (8)A. 安裝針床 (8)B. 連接針床與開關卡排線 (11)C. 讀入測試檔案 (12)i. 開啟ICT舊檔: (12)ii. 匯入他廠程式: (12)III。
參數的設定及注意事項 (14)A。
測試參數的設定 (14)i. 待測板參數 (15)ii. O/S參數的設定 (16)iii. TAJ設定參數 (17)iv。
測試參數設定 (18)B. 系統參數的設定 (20)i. 壓床參數的設定 (20)ii。
周邊參數設定 (20)IV. 程式學習及偵錯 (21)A。
開短路學習(O/S Learning)及偵錯(Debug) (21)i。
測試項目設定 (21)ii. O/S學習及偵錯 (22)iii。
壓台上下測試 (23)iv。
多片良品板交換進行測試 (23)B。
元件的學習及除錯 (24)i. 參數的設定 (24)ii. 元件自動學習、測試及除錯 (24)iii. 壓台上下測試 (25)iv。
多片良品板交換進行測試 (25)C。
IC學習(IC Leaning)及偵錯(Debug) (26)i。
參數設定 (26)ii。
IC自動學習及測試 (29)iii。
壓台上下測試 (30)iv。
多片良品板交換進行測試 (30)D. 連板設定及除錯 (31)i. 連板的展開 (31)ii。
連板學習(Learn)及偵錯(Debug) (32)iii. 壓台上下測試 (32)iv。
多片良品板交換進行測試 (32)V. 上線測試 (33)PART II ICT 編程技術指導書(ICT Debug密笈V6.10C)ICT編程技術指導書 (34)電阻元件測試原理及步驟(Debug R) (36)A. CV Mode —-- 定電壓法 (36)B. CI Mode —-—定電流法 (37)C. ACR Mode —-—相位量測法 (37)D。
如何制作标准的ICT测试程序来源:作者:赐鸿科技热度:836日期:11-08-05, 07:17 PM注意事項:一. 一般情况下不允許修改R 的標准值(电阻并联电阻除外)二. 修改程式的上下范圍必須按以下的標准执行 .ü跳線﹑Connecter ﹑Fuse﹑電感﹑排感﹕以J測試﹐Exp-V用1表示﹐+-10% ﹐MODE為0 ﹐無Guarding ,无Offset 。
跳線﹕當Pin-Pin間有跳帽時﹐Exp-V用1表示﹐否則Pin-Pin間測試Exp-V采用4表示。
開關探針﹕以J測試﹐Exp-V用1表示+-10% ﹐MODE為0ü電阻﹑排阻﹕1﹑0 Ω ﹕按3 Ω 為標准﹐+10%﹐-1%﹔或按J測試﹐MODE為1﹐無Offset﹐+-10% 2﹑2.2 Ω : +60%﹐-30%﹐一般不采用MODE 3﹐無Guarding3﹑4.7 Ω : +40%﹐-20%﹐一般不采用MODE 3 , 無Guarding4﹑10.0 Ω ﹕ +15%﹐ -10%﹐一般不采用MODE 3﹐可根據各機台稍加Offset5﹑10. 0Ω 以上﹕ +-10%﹐一般不采用MODE 3 ﹐不加Offset6﹑熱敏電阻﹕可適當放寬范圍, 一般不采用MODE 3﹔7﹑電阻并聯﹐可按并聯值(R 1 *R 2 )/(R 1 +R 2 )作標准值﹔+-10% 一般不采用MODE 3 8﹑NC元件﹕一般50KΩ為標准值﹐+Lim:-1% ﹐-Lim﹕10% ﹐有并聯除外9﹑并聯IC 時﹐100K以上電阻+Lim﹕+10%﹔-Lim﹕可稍放寬10﹑No Pin的電阻可適當考慮用串聯的方式進行測試﹐小電阻并聯大電阻相差20倍時﹐大電阻不予測試﹔11﹑蜂鳴器﹕做電阻測試﹐Exp-V采用44ohm (据实际情况)﹐+-10%﹐無Guarding ﹐一般不采用MODE 312﹑FET管作電阻測試﹕Mode 一定為5﹐+20%﹐-10% ﹔也可直接選用Type:QF,Mode:22或2313﹑對測試極不穩定的電阻﹐可按PCA上實際電阻量測值作為Exp-V或根據線路圖分析﹔14﹑BOM-V一律根據BOM進行填寫。
ICT测试操作规范一、引言ICT(信息通信技术)测试操作规范旨在确保测试人员在进行ICT测试过程中,遵循一定的标准和规范,以提高测试的效率和质量。
本规范适用于所有ICT测试工作,包括硬件测试和软件测试。
二、测试准备1.确定测试目标:明确测试的目的和范围,制定测试计划。
2.确定测试资源:包括测试环境、测试设备和测试人员。
3.设计测试用例:根据需求和规格说明书,设计相应的测试用例,确保测试全面覆盖。
三、测试过程1.测试环境准备:确保测试环境的稳定性和可用性,包括网络连接、电源供应等。
2.测试设备准备:确保测试设备的正常工作和准确性,包括计算机、测试仪器等。
3.测试数据准备:准备测试所需的数据,包括输入数据、输出数据等。
4.执行测试用例:按照测试计划执行测试用例,并记录测试结果。
5.测试问题处理:对于出现的问题,及时记录并报告给相关人员,确保问题能够及时解决。
6.测试报告编写:根据测试结果和问题记录,编写测试报告,包括测试过程、测试结果、问题汇总等信息。
四、测试管理1.测试进度管理:对测试进度进行监控和管理,确保测试按时完成。
2.问题跟踪管理:对测试中的问题进行跟踪管理,包括问题的分配、解决和验证。
3.测试文档管理:对测试文档进行版本控制和管理,确保测试文档的一致性和可访问性。
4.测试评审:对测试计划、测试用例等进行评审,确保测试工作的质量和效果。
5.测试培训:对测试人员进行培训,提高测试人员的技术水平和测试能力。
五、测试规范要求1.严格遵守测试流程和标准,确保测试工作的可重复性和一致性。
2.在测试过程中,保证测试数据的安全性和保密性。
3.按照测试计划和测试用例的要求进行测试,不随意改变测试范围和测试方法。
4.对测试环境和测试设备进行充分的了解和熟悉,确保测试过程的准确性和有效性。
5.在测试过程中,认真记录测试结果和问题,确保测试报告的完整性和准确性。
6.在测试问题处理过程中,及时与相关人员进行沟通和协调,确保问题能够得到及时解决。
HC-TPM-01-10ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:1/18.目录.文件修订履历表.................................... 2/18页1.目的.......................................... 3/18 页2.适用范围...................................... 3/18页3.权责.......................................... 3/18页4. 相关参考文件.................................. 3/18页5. 名词定义 ...................................... 3/18 页6. 作业流程与说明................................. 3/18 页7. 附件 ......................................... 17/18页HC-TPM-01-10 ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:2/18文件修订履历表HC-TPM-01-10ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:3/181、目的为了规范ICT测试流程,提高公司产品品质和产能。
2、范围凡本公司ICT测试均适用之3、权责3.1 制造部作业人员负责对产品进行测试及测试机台的日常保养,并将无法解决的问题反映上级及当线工程师处理。
3.2 工程部ICT工程师负责不良产品的误判分析和改善以及机台软硬件的维护。
4、相关参考文件无5、名词定义ICT:(In Circuit Test)在线测试仪。
6、作业流程与说明一、操作流程HC-TPM-01-10 ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:4/18二、作业前检查HC-TPM-01-10 ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:5/18三、操作步骤1.显示电脑主画面HC-TPM-01-10ICT 测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor页次:6/182.如下图所示:3.按确定显示如主画面输入密码TRIHC-TPM-01-10ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:7/184.将ICT治具放置于测试工作台上HC-TPM-01-10ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:8/185.将压床压到固定位置6.将ICT治具用四个螺丝锁定天板HC-TPM-01-10ICT 测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor页次:9/187.将排线与ICT 治具插槽插入HC-TPM-01-10ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:10/188.选择要检测的程式HC-TPM-01-10ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:11/189.进入到检测画面HC-TPM-01-10ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:12/1810.将OK样品置于ICT治具HC-TPM-01-10ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:13/1811.检测OK样品为良品HC-TPM-01-10ICT测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor 页次:14/1812.检测NG样品为不良品HC-TPM-01-10ICT 测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor页次:15/1814.NG 良品的位置15.打印报表HC-TPM-01-10ICT 测试操作指导书版别:1.0 Ict test operation instructor页次:16/187.附件。
11. 电阻测试1.1 典型电阻测试(0-19MΩ)1.2 毫欧级电阻测试(0.1-2Ω)直流: 交流:2.电容测试典型精度4%,1pF到10uF,使用100Hz到100KHz的交流电激励。
100uF到20mF,使用典型精度10%到20%的直流电。
容值较小的电容测量可使用容值补偿。
23.电感测试测量范围0 – 1000H。
34.二极管测试标准二极管、发光二极管和稳压二极管会通过在阳极和阴极加一个恒定电流然后测l量由此产生的电压(正向压降)。
可使用最高 100 mA 应用电流最高 50V 电压。
二极管:稳压二极管:5.晶体管测试偏置控制终端的同时,如在另一个测试点使用电压或电流,则可在两个电源端口(如集电极和发射极)测3个终端装置(NPN, PNP, N-FET和 P-FET)。
这样可以有效地测试操作,或在大多数情况下测试 FETs, SCRs 和晶体管器件等设备的极性。
46.光耦及继电器7.IC测试向量测试技术IC的方向与存在量测试,可以通过检测在 IC 引脚和UUT电源之间的保护二极管的半导体结点来验证 IC 的存在和方向。
系统使用专有算法对这些IC图自学产生一个图以及针对该图进行相关的测试。
该图可以根据具体测试规格进行手动编辑和设定免测点。
SMT-2模块支持TestJet 技术,并进行了二次开发优化,TESTJET的测试稳定性优于原生系统。
每个SMT-2模块最多可以测量24个普通或电容感应探头。
使用SMT-2-EXP模块,最多可以测试384个零件。
58.供电电源PS-UUT-L10 到 60V可编程直流电压,最大电流12A,遥感,输出能控制4位精度: 0.5% 的额定电压/电流 + 1 计数数量: 最多8组PWR-212V@1A,5V@1A,–********;最多2组9.多联片烧录MultiWriter pps™ 使用成熟的专利申请同步编程技术,同步编程多达 16 款不同型号,每次可测试多达384 块芯片,以秒编程取代传统编程设备的以分钟计。