晶体结构缺陷全面总结(无机非方向)
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晶格的缺陷晶格的缺陷是指晶体结构中存在的各种不完美或异常的位置或排列。
这些缺陷对晶体的物理、化学性质以及材料的性能都会产生重要影响。
本文将从点缺陷、线缺陷和面缺陷三个方面,介绍晶格缺陷的种类、产生原因以及对材料性能的影响。
一、点缺陷1. 点缺陷是指晶体中原子或离子的位置发生变化或缺失。
常见的点缺陷有原子间隙、空位、间隙原子、杂质原子等。
2. 原子间隙是指晶体中存在的原子无法占据的空间,通常是由于晶格结构的不完美而形成。
原子间隙的存在会导致晶体的密度降低,同时对电子和热的传导产生影响。
3. 空位是指晶体中原子位置上缺失了一个原子。
空位会导致晶格的局部变形,降低晶体的机械强度和热稳定性。
4. 间隙原子是指晶体中存在的非晶体或空气中的原子进入了晶体中的间隙位置。
间隙原子的存在会改变晶体的电子结构和热导率。
5. 杂质原子是指晶体中存在的与晶格原子不同种类的原子。
杂质原子的加入会改变晶体的导电性、磁性以及光学性质。
二、线缺陷1. 线缺陷是指晶体结构中存在的一维缺陷,通常是晶体中原子排列发生错位或缺失。
2. 赝位错是指晶体中两个晶格面之间的原子排列发生错位,即晶体中的原子位置发生了偏移。
赝位错会导致晶体的机械强度下降,同时也会引起晶体的局部形变。
3. 堆垛错是指晶体中两个晶格面之间的原子排列发生缺失或添加。
堆垛错会导致晶体局部的结构畸变,进而影响晶体的热稳定性和电子传导性能。
4. 螺错是指晶体中原子排列沿晶体的某一方向发生了扭曲,形成了一种螺旋形的缺陷。
螺错会导致晶体的机械强度下降,同时也会引起晶体的局部形变。
三、面缺陷1. 面缺陷是指晶体结构中存在的二维缺陷,通常是晶格面的错位、缺失或添加。
2. 晶界是指晶体中两个晶粒之间的界面。
晶界是晶体中最常见的面缺陷,其形成原因包括晶体生长过程中的结晶不完全以及晶体在变形过程中的再结晶。
晶界会对晶体的力学性能、电学性能以及化学反应产生显著影响。
3. 双晶是指晶体中存在两个晶界的结构。
第四部分晶体结构缺陷讨论晶体结构是,把整个晶体中所有原子都看成按理想的晶格电阵排列。
实际上,在真实晶体中,在高于0K的任何温度下,都多少存在着对理想晶体结构的偏离。
实际晶体都是非理想的,存在各种晶体结构缺陷。
晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域,这些缺陷的存在并不影响晶体结构的基本特征,只是晶体中少数原子的排列发生改变。
缺陷的存在及其运动规律、缺陷的数量及其分布对材料的行为起着十分重要的作用。
掌握缺陷的知识是掌握材料科学的基础。
4.1 点缺陷晶体结构缺陷有好几种类型,按其几何形状划分(偏离区域在三维空间的几何特征),可分为三大类型:点缺陷:缺陷在4个空间方向上的尺度均很小,尺寸在1-4个原子大小级别。
线缺陷:缺陷在4个空间方向上的尺度很小,另一方向的尺度很大。
一维缺陷,通常指位错。
面缺陷:缺陷在1个空间方向上的尺度很小,另4个方向的尺度很大。
二维缺陷,通常指晶界和表面。
三种缺陷中,点缺陷是最基本也是最重要的。
4.1.1 点缺陷的类型(1)根据对理想晶格偏离的几何位置及成分可划分为4种类型①空位:正常结点没有被原子或离子所占据,成为空结点。
(空穴)晶体中某结点的原子跳离,迁移到界面或跳到另一个位置。
最重要的点缺陷。
晶体结构中,少了原子,周围原子收缩,产生畸变。
多了原子,周围原子扩张,产生畸变。
这个畸变区域就是缺陷,宏观上看该区域,抽象为几何点。
②间隙原子(离子):原子或离子进入晶格正常结点之间的间隙位置,成为填隙原子或添隙离子。
③杂质原子:外来原子进入晶格成为晶体中的杂质。
置换杂质原子:杂质原子取代原晶格中的原子而进入正常结点位置。
间隙杂质原子:杂质原子进入本来没有原子的间隙位置。
杂质进入晶体可以看作一个溶解过程:杂质为溶质,原晶体为溶剂。
这种溶解了杂质原子的晶体称为固溶体。
(4)根据产生缺陷的原因也可划分为4种类型①热缺陷:当晶体的温度高于绝对0K时,由于晶格内原子热振动,使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成缺陷。
第三章晶体结构缺陷内容提要在讨论晶体结构时,人们认为质点在三维空间的排列遵循严格的周期性,这是一种仅在绝对零度才可能出现的理想状况。
通常把这种质点严格按照空间点阵排列的晶体称为理想晶体。
由于质点排列的周期性和规则性,使得晶体中的势场也具有严格的周期性。
在实际晶体中,因其所处的温度高于绝对零度,因而其质点排列总会或多或少地偏离理想晶体中的周期性、规则性排列,即实际晶体中存在着各种尺度上的结构不完整性。
通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。
正是由于缺陷的存在,才使晶体表现出各种各样的性质,使材料制备过程中的动力学过程得以进行,使材料加工、使用过程中的各种性能得以有效控制和改变,使材料性能的改善和复合材料的制备得以实现。
缺陷的产生、类型、数量及其运动规律,对晶体的许多物理与化学性质会产生巨大的影响。
晶体材料所固有的电、磁、声、光、热和力学等性能和材料加工、使用过程中所表现出来的行为大都具有结构敏感性,晶体缺陷则是研究晶体结构敏感性的关键问题和研究材料质量的核心内容。
有位科学家说过:―能够控制晶体中的缺陷,就等于拿到了控制实际晶体的钥匙‖。
由此可见,了解和掌握各种缺陷的成因、特点及其变化规律,对于材料工艺过程的控制,材料性能的改善,新型结构和功能材料的设计、研究与开发具有非常重要意义。
本章从微观层次上介绍晶体中缺陷产生的原因和缺陷的类型,阐述缺陷的产生、复合、运动以及缺陷的控制与利用,建立缺陷与材料性质和材料加工之间的相互联系,为最终利用或控制缺陷对材料实施改性奠定科学基础。
概述一、晶体结构缺陷的概念在学习晶体结构的时候,我们知道了晶体结构的特征是晶体中的质点在三维空间规则与周期性排列。
晶体中的每一个质点都是处在相邻质点的周期性势场之中,具有这种性质的晶体称之为理想晶体,这是为了研究晶体面总结出来的理想状态。
在自然界中绝对完整的晶体是不存在的,在绝对零度以上,由于热运动等种种原因,晶体中质点的排列都或多或少不那么完全有规则。
晶体结构缺陷全面总结(无机非方向)
晶体结构缺陷全面总结
由于缺陷的存在,使晶体表现出各种各样的性质,使材料制备过程中的动力学过程得以进行,使材料加工、使用过程中的各种性能得以有效控制和改变,使材料性能的改善和复合材料的制备得以实现。
一、按缺陷的几何形态分类:
二、按缺陷产生的原因分类:
三、缺陷反应方程式的书写
1.对于杂质缺陷而言,缺陷反应方程式的一般式为:
2.书写时应遵循的原则:
(1)位置平衡:基质晶体中正负离子格点数之比保持不变,并
非原子个数比保持不变。
(2)质量平衡:缺陷反应方程式两边的质量应该相等。
缺陷符
号的右下标表示缺陷所在的位置,对质量平衡无影响(即空位没有质量)。
(3)电荷平衡:缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等。
3.经典例题:
写出C a Cl2加入KC l中的缺陷反应方程式。
4.基本规律
(1)低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷。
为了保持电中性,会产生负离子空位或间隙正离子。
(2)高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷。
为了保持电中性,会产生正离子空位或间隙负离子。
四、固溶体
1.定义:将外来组元引入晶体结构,占据基质晶体质点位置或间
隙位置的一部分,仍保持一个晶相,这种晶体称为固溶体。
2.形成置换型固溶体的条件:
(1)原子或离子尺寸的影响:从晶体稳定的观点看,相互替代的原子或离子尺寸愈相近,则固溶体愈稳定。
(2)晶体结构类型的影响:若溶质与溶剂晶体结构类型相同,这也是形成连续固溶体的必要条件,而不是充分必要条件。
(3)离子类型和键性:离子类型是指离子外层的电子构型,相
互置换的离子类型相同,容易形成固溶体。
化学键性质相近,即取代前后离子周围离子间键性相近,容易形成固溶体。
(4)电价因素形成固溶体时,离子间可以等价置换也可以不等
价置换。
为了保持形成固溶体的电中性,不等价置换不易形成连续固溶体。
3.形成间隙型固溶体的条件:
(1)杂质质点的大小:添加的原子愈小,易形成固溶体。
(2)晶体结构:基质晶体中空隙愈大,结构愈疏松,易形成固溶体。
(3)电价因素:外来杂质原子进入间隙时,必然引起晶体结构中电价的不平衡,与置换型固溶体一样,也必须保持电价的平衡。
4.固溶体形成后对晶体性质的影响:
(1)稳定晶格,阻止晶型转变的发生
(2)活化晶格:形成固溶体后,晶格结构有一定畸变,处于高能量的活化状态,有利于进行化学反应。
(3)固溶强化:固溶体的强度与硬度往往高于各组元,而塑性则较低。
5.固溶体理论密度的计算:
理论密度
式中W—晶胞中所有质点的质量;
V—通过X射线衍射测得的晶胞常数可得到,如立方晶系V=。
计算方法:
(1)先写出可能的缺陷反应方程式;
(2)根据缺陷反应方程式写出固溶体可能的化学式;
(3)由化学式可知晶胞中有几种质点,计算出晶胞中i质点的质量。
晶胞中i质点的质量:
晶胞中i质点的位置数由基质的晶体结构确定,i质点实际所占分数由固溶体的化学式决定。
据此,计算出晶胞质量
通过计算出的固溶体理论密度,在与实验测得的密度比较,哪个最符合实验值则属于这种固溶体类型。
6.例题:
以C a O加入到Z r O2中为例,若固溶体的摩尔组成为0.15C a O 0.85Z r O2,将其写成原子比形式为Ca0.15Z r0.85O1.85。
置换式固溶
体的化学式为,根据固溶体中各元素原子数目对应成比例即可求出固溶体化学式中待定参数的值。
(1)对于置换式固溶体有
置换型固溶体的缺陷反应方程式为:
x=0.151-x=0.852-x=1.85
则可得出x=0.15,所以,置换式固溶体化学式为C a
0.15Z r
0.85
O1.85。
又因为Zr O2属于萤石结构,晶胞分子数Z=4,晶胞中有、、三种质点。
晶胞质量
X射线衍射分析晶胞常数a=0.5131nm,晶胞体积V=a3=135.1×10-24c m3,
(2)对于间隙式固溶体:
间隙型固溶体的缺陷反应方程式为:
其化学式为,与已知组成C a
0.15Z r
0.85
O1.85相比,O2-不同,需经
过如下恒等变形来确定待定参数之值。
然后根据固溶体中各元素原子数目对应成比例建立关系:
由此可得y=0.15/1.85,所以间隙式固溶体化学式为
C a
0.3/1.85Z r
1.7
/
1.85
O2。
晶胞质量
实际测量密度=5.477g/cm3,与相近,由此可判断生成的是置换型固溶体。
五、非化学计量化合物
1.非化学计量化合物的特点:
(1)非化学计量化合物的产生及其缺陷浓度与气氛性质、分压大小有关,这有别于其他缺陷;
(2)这种化合物可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体,即不等价置换是发生在同一种离子中的高价态与低价态间的相互置换;
(3)缺陷浓度与温度有关,这点可以从平衡常数看出;
2.金属离子过剩(n型)导致的非化学计量缺陷:
(1)由于负离子缺位,使金属离子过剩:
T i O2失氧变成T i O2-x;其缺陷反应方程式为:
(2)由于间隙正离子,使金属离子过剩:
O。
其Z n O在锌蒸汽中加热,颜色会逐渐加深,形成了缺陷Zn
1+x
缺陷反应方程式为:
3.负离子过剩(p型)导致的非化学计量缺陷:
(1)由于间隙负离子,使负离子过剩:
目前只发现U O2+x具有这样的缺陷,可以看作U2O8在U O2中的固溶体其缺陷反应方程式为:
(2)由于正离子缺位,使负离子过剩:
F e O由于F e2+缺位产生了F e
O的缺陷,从化学观点看,可以看
1-x
O3在F e O中的固溶体,其缺陷反应方程式为:
作Fe
2。