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2020—2021学年第一学期 微电子材料与器件专业《电工与电子技术》期末考试题试卷 （试卷C ） 题 号 一 二 三 四 五 总 分 得 分 一、填空题（每小题1分，合计40分）。
1．稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅 二极管，工作在特性曲线的反向击穿 区。
2. 理想运放同相输入端和反相输入端的“虚短”指的是 同相输入端与反相输入端两点电位相等，在没有短接的情况下出现相当于短接时的现象。
3. 放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电结反偏。
4. 将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。
使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 正 反馈。
放大电路中常用的负反馈类型有 并联电压 负反馈、 串联电压 负反馈、 并联电流 负反馈和 串联电流 负反馈。
5. 射极输出器具有 电压放大倍数 恒小于1、接近于1， 输入信号 和 输出信号 同相，并具有输入电阻 高和 输出电阻 低的特点。
…○…………○………装…………○…………订…………○…………线…………○…………院系：专业班级：学号：姓名：座位号：6．一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于饱和状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于截止状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为放大状态。
7．理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压相同，称为“虚短”；二是输入电流为零，称为“虚断”。
8. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U BE分别为0.7 V和0.3 V。
9. MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
10. 放大器输出波形的正半周削顶了，则放大器产生的失真是截止失真，为消除这种失真，应将静态工作点上移。
11. 集成运放有两个输入端，称为同相输入端和反相输入端，相应有同相输入、反相输入和双端输入三种输入方式。
湖南大学2021级电气工程专业《电路原理》期末试卷D 卷考试时长 120分钟年级：2021级 学号： 姓名：一.单项选择题（每小题2分，共计30分，在答题纸上写清小题号及正确答案序号） 1、电流与电压为关联参考方向是指（1）。
（1）A . 电流参考方向与电压降参考方向一致 B . 电流参考方向与电压升参考方向一致C . 电流实际方向与电压升实际方向一致D .电流实际方向与电压降实际方向一致 2、 应用叠加定理时，理想电压源不作用时视为 （2），理想电流源不作用时视为 （3）。
（2） A . 短路 B . 开路 C . 电阻 D . 理想电压源 （3） A . 短路 B . 开路 C . 电阻 D . 理想电流源 3、直流电路中，（4）。
（4）A 感抗为0，容抗为无穷大 B 感抗为无穷大，容抗为0C 感抗和容抗均为0D 感抗和容抗均为无穷大4、在正弦交流电路中提高感性负载功率因数的方法是（5）。
（5）A 负载串联电感 B 负载串联电容 C 负载并联电感 D 负载并联电容 5、正弦电压 u (t ) =2U cos (ωt + θu )对应的相量表示为 （6） 。
（6）u U U A θ∠=. u U U B θ∠=•. u U U C θ∠=2. u U U D θ∠=•2. 6、任意一个相量乘以j 相当于该相量（7）。
（7）A 逆时针旋转90o B 顺时针旋转90o C 逆时针旋转60o D 逆时针旋转60o 7、三相对称电源星型联结，相、线电压的关系为（8）。
（8）A ．线电压是相电压的3倍，且线电压滞后对应相电压30°B ．相电压是线电压的31倍，且相电压滞后对应线电压30°C ．线电压是相电压的2倍，且线电压滞后对应相电压30°D ．相电压是线电压的21倍，且相电压滞后对应线电压30°8、电路如图1所示，电压源（9）（9）A. 吸收120W 功率 B. 吸收0功率 C.产生120W 功率 D. 无法计算9、电路如图2所示，R ab = （10）。
2.02.11. 电压2. 第0 复习绘绘制如图1 绘制出首先建立压源的元件默认电压二次上制电路图图2-0所示电路图立一个项目件编号为压源的DC 图2-上机 二图示的电路图图目test2, 然V1，二极元件属性1测量二极二极管图2-0 电路然后绘制出极管元件编性为0，不极管V-I特性管V-I 特路图出如图2-1编号为D 不要改动。
性曲线的电特性曲1所示的电1N4002。
电路图曲线电路图。
其其中2.21. 开N2. 每隔3.2.31. 2. Pro2 设置参新建Sim New Simu 在此设置隔0.01记设置完毕3 存档并单击保存单击按obe窗口。
数mulation （P ulation 对置了主扫描记录一点。
毕后，单击执行仿真存按钮进行按钮启动。
Pspice->N 对话框，对描变量为电 击确定按钮图2-2真行存档。
Pspice程New Simu 对它的设置电压源V1钮退出对话2 DC Sweep程序执行仿ulation pro 置如图2-21，由-120话框。
p 设置仿真，这ofile ）命名2所示。
0V 开始扫时候屏幕名simu1，扫描到10V幕会自动打打V ，打开2.41. Exp 按钮键。
2. SetRan 开如4 观察仿选择Tra pression 栏钮退出对话。
这样就打现在调整ttings 功能nge 栏下如图2-6所真结果ace\Add T 栏内输入话框。
也打开如图整横坐标和能菜单选项的User D 所示的Pr Trace 功能I(D1)，如可以直接2-4所示图2-3 A 和纵坐标轴项，如图2Defined 值robe窗口，能菜单选如图2-3所接在Nodes 示的Probe Add Traces轴坐标以观2-5所示设值设置为0，就可以选项或者是所示。
然后s names 下窗口。
对话框观测门槛电设置。
并将0-5A 。
然后看出门槛是按钮后用鼠标左下的I(D1电压值。
选将Y Axis 后单击OK 槛电压为0钮。
大学电子电工考试计算题复习题1．△试用戴维南定理求图所示电路中，9Ω上的电流Ｉ。
解: (1)用戴维南定理可求得ＵOC=6/(1+1)-9-4/(1+1)=-8（V）；(2)ＲO=0.5+0.5=1（Ω）；(3)Ｉ=-8/(9+1)=-0.8（A）；2．△试用戴维南定理求如图所示电路中的电流Ｉ。
解:用戴维南定理可求得：（1）求开路电压ＵOC=2（V）；（2）求等效电阻ＲO=1（Ω）；（3）求电流Ｉ=2/（1+1）=1（A）3．△求图示电路中的I、U值。
解: 由KVL, 12 = 4 ×(Ｉ - 3 ) + 1 ×Ｉ解出：Ｉ = 4.8 （A ）Ｕ = - 4 ×( 4.8 - 3 ) = - 7.2（V ）4．△求如图所示电路中4Ω电阻的电流Ｉ。
解：由于没有要求采用的方法，因此，此题有多种解法。
但结果正确即可。
用电源等效变换求：把电压源转换成电流源；合并电流源；则39422=?+=I （A ）或由图直接列写求解：Ｉ= 2/(2+4)×(15/3 + 3 - 12/6)=3A5．计算图示电路中的电流Ｉ。
(用戴维南定理求解)解：用戴维南定理求解（1）将1.2Ω电阻断开,求开路电压ＵOC ,21064620644=?+-?+=OC U V （2）等效电阻为ＲO = 4∥6+4∥6=4.8Ω（3）用等效电路求电流Ｉ＝ＵOC ／（ＲO ＋Ｒ）=2/(4.8+1.2)=1/3A6．用戴维宁定理计算图示电路中支路电流I 。
解：用戴维南定理求解（1）将1.2Ω电阻断开,求开路电压ＵOC ,12664424646=?+-?+=OC U V （2）等效电阻为ＲO = 4∥6+4∥6=4.8Ω（3）用等效电路求电流Ｉ＝ＵOC ／（ＲO ＋Ｒ）=12/(4.8+1.2)=2A7．△求如图所示电路中A 、B 之间的电压U 和通过1Ω电阻的电流I 。
解: 由KVL 得：Ｕ＝10-7-2=１VＩ＝（1+2）/1=3A8．求图示电路中电流I 。
(1)在半导体内部，只有电子是载流子。
(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
(3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。
(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。
(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。
(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
(8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。
(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。
(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。
(1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。
A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。
A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。
A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。
A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。
A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。
电路课程期末考试1（试卷）1、电路如图所示。
请按图中所示结点编号写出结点电压方程。
(8分)10Ω2u 2+题一图4A4A10Ω5Ω20Ωu 2+-4A10Ω①②-0二、电路如图所示。
已知u s1＝100V ，u s2＝200V ，求i 1，i 2及两个电压源发出的功率P 1和P 2。
(8分)Ωu s 1+20Ωi 110Ω10i 1u s 2++20Ωi 2题二图---三、电路如图所示。
(1) 求从a 、b 端看进去的戴维宁等效电路；(2) 求R L 为何值时，R L 能获得最大功率，并求此最大功率P max 。
(10分)10Ω20V +-题三图4A5Ωu +0.2u10Ω10ΩabR L-四、电路如图所示。
请应用叠加定理求电压u 3。
(8分)40题四图5A4Ω4Ω+－10i 1i 1u 3+10V+2Ω－－Ω五、含理想运放的电路如图所示。
求u 0和u x 。
(8分)+u o_+∞++∞+u x 6V+_+_ΩΩ1K ΩΩΩΩ题五图__1231K 1K 1K 1K 1Kk Ωk Ωk Ωk Ωk Ωk Ω题五图六、一阶动态电路如图所示。
电路原来处于稳定状态，t=0时，开关S 从1合向2，求t>0时的u c (t )和i c (t )。
(10分)u c0.2F题六图2A10Ω5ΩS(t =0)2.5Ω10V++i c--12七、正弦稳态电路如图所示。
已知M =0.4H ，L 1=L 2=0.6H ，L 3=1.4H ，C 1=10-4F ，C 2=0.5×10-4F ，电源角频率ω=100rad/s ，(1) 求1I ，2I ；(2) 求两个电压源发出的复功率1S 、2S 。
(10分)12j C ω11j C ω八、正弦稳态电路如图所示。
已知u s1=2100cos100t V , i s1=22cos100t A,求，i 1、u 。
(10分)100Ω1H－＋100Ω100Ω10-4F 10-4F－＋1H u 题八图i 1i s2u s1九、对称三相电路如图所示。
微电子学考试题库及答案1、PN结电容可分为过渡区电容和扩散电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。
2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT 的影响为下降，对于窄沟道器件对VT的影响为上升。
4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响应速度快等。
5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等几种，其中发生雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。
6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。
8、热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线。
答案：见最后附件9、PN结电击穿的产生机构两种；（答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。
）10、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；（答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。
）11、晶体管特征频率定义；（答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数下降为时所对应的频率，称作特征频率。
）12、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；（答案：）13、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；（答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。
）15、MOSFET短沟道效应种类；（答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。
）16、扩散电容与过渡区电容区别。
（答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。
）。
2、截止频率fT答案：截止频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。
3、耗尽层宽度W。
答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，就会产生空间电荷区，而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。
3分，共30分)1. 电路如由图，若已知I1=-2A，则I2为____D___。
A. -1AB. 4AC. 2AD. -2A2.电路如由图，电流I是____B____。
A. 3AB. 0AC. 5AD. 1A3.如右图所示电路中I2应为____C____。
A. 2AB. 5AC. 4AD. 3A4.在右图电路中，已知U S =2V ，I S =2A 。
A 、B 两点间的电压U AB 为___A____。
A. 1VB. -1VC. -2VD. 4V 5. 如图所示电路中等效电阻Rab 应为_____B___。
A. 20ΩB. 10ΩC. 15ΩD. 5Ω6. 图示电路，在换路前处于稳定状态，在t=0瞬间将开关S 闭合，则Uc(0+)为____B____。
A. 2VB. -2VC. 0VD. -1V7. 如图所示电路的时间常数为____D____。
A. 5/4 SB. 4/5 SC. 3 SD. 1/3 S8. 日光灯电路中并联电容器后，提高了负载的功率因数，这时，日光灯消耗的有功功率将______C_____。
A. 减小B. 增大C. 不变D.可能增大，也可能减小9. 已知正弦交流电压U=200V ，初相位φu=-30°，正弦电流I=10A ，电流超前电压60°相位角，则电压电流瞬时值u 和i 可表示为____C_____。
A. u=200sin(wt-30°)V , i=10sin(wt-90°)A ；B. u=200sin(wt-30°)V , i=10sin(wt+30°)A ；C. u=283sin(wt-30°)V , i=14sin(wt+30°)A ；D. u=283sin(wt-30°)V , i=14sin(wt-90°)A ；10. 当某一线圈加以有效值为100V 的正弦电压时，电流有效值为2A ，有功功率为 120W 。
