目前大多数厂商采用中电48所和北京七星华创的国产扩散炉,国产炉扩散的均
匀性不好,气流量大,炉口密封性不好,常有绿色的偏磷酸生成。国外
Centrotherm公司生产的扩散炉也有少数公司采用,效果很好,缺点是编辑新扩散
工艺不方便,要求工艺人员会计算机编程语言才能编写工艺程序。
以下是我编写的一个扩散工艺recipe,采用了小气流量扩散工艺。
溶液中。
这里顺便提一下,国外的公司进行边缘刻蚀采用了激光刻蚀,用激光将
硅片边缘切除达到去N型区的目的,这一步在做成成品电池后进行,激光器
加在了烧结炉和Berger测试仪之间(后面会提及)。国内也尝试过这种办法,
但是激光刻蚀国内公司使用总是不稳定,所以很少有公司添加了这种设备,
拥有这种设备的公司一般只是在等离子刻蚀不完全时加上激光刻蚀,防止反
向漏电大现象。
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Edge isolation and remove PSG
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PECVD
镀膜的原理相信大家都很清楚,单晶硅电池 镀膜的主要作用是减反射和钝化硅片表面悬 挂键。国内厂商所用的镀膜设备主要有两种, Roth&Rau公司的板式镀膜机和Centrotherm 的管式镀膜机。此外,中电48所采用自主制 造的管式镀膜机,南京中电采用了ATON 的 PVD镀膜。后面附上了板式PECVD设备的 一些图片,很遗憾没有管式设备的全貌图,右 边小角是管式设备镀膜装硅片所用的石墨舟。 商业化生产单晶硅电池镀膜主要是镀单层氮 化硅,厚度控制在75-80nm,折射率在2.0-2.1
验的工艺人员在场控制。
制绒工艺所用的化学辅料现在普遍是NaOH,异丙醇和硅酸钠。有个别公司不用硅酸钠。
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扩散前清洗
制绒后会进行扩散制结,在扩散前要进行 酸洗,洗去硅片表面附着的金属离子。主 要采用盐酸溶液,清洗机一般采用捷佳创 和北京七星华创的。清洗作业还要用到HF 溶液,洗去硅片表面上的薄氧化层。硅片 经过两种酸液的清洗顺序没有严格要求, 一般是先经过HCl,再经过HF。