126U、128U资料

2009-2010学年度“微机原理与应用”指导手册一、考试及答疑信息答疑时间：1月20日（周三），白天到17：00为止。

答疑地点：教二208考试分数分布：平时成绩（50%）：大作业、实验、实验考试、实验报告期末考试（50%）：如果按百分制算，填空24分，简答24分，汇编程序16分，连接命令文件15分，中断编程21分。

二、填空部分1、2812的存储空间被分成了两部分，一部分是程序空间，一部分是数据空间。

2、2812有3个32位的CPU定时器。

3、2812的PIE称为外部中断扩展模块，可以支持96个外部中断，当前仅仅使用了其中的45个。

4、2812的实际线性地址能达到4M，存储器分配地址采用的是分页机制。

5、2812的存储器被分成程序空间和数据空间，保留区，CPU中断向量等几个部分。

6、2812通过CMD文件来分配存储空间的内容。

7、我们通常在调试程序的时候把程序装载到RAM中，而固化程序时候才会把程序烧写到FLASH里。

8、2812有很多外设，比如GPIO、EV A/B、SPI、SCIA/B、ADC、Watchdog等。

9、2812的CPU能够支持2个不可屏蔽中断和16个可屏蔽中断。

10、2812的中断是3级中断机制，分别是外设级、PIE级和CPU级。

11、假如在程序的执行过程中，某一个外设产生了一个中断事件，那么这个外设的某个寄存器中与该中断事件相关的中断标志位被置为1，该标志位需要手动清零。

此时，如果该中断相应的中断使能位也置1，外设就会向PIE控制器发出中断请求。

12、很多时候，需要通过写1对标志位清零。

13、外设中断的中断标志位是需要手工清除的，而PIE级的中断标志位是自动置位或清除的。

但是PIE多了一个PIEACK寄存器。

14、PIEIFR是PIE级的中断标志寄存器，PIEIER是PIE级的中断使能寄存器，PIEACK是中断应答位；IFR是CPU的标志寄存器，IER是CPU的使能寄存器，INTM是CPU的全局中断屏蔽位。

2.1 MC9S12DG128的内部结构
2.1.1 CPU12内核(Star Core)
（2）间址/变址寄存器(Index Register) X、Y
❖ CPU12内部有两个16位地址寄存器IX和IY，称为间接寻址寄 存器，简称间址寄存器或变址寄存器。一般情况下作为指针 寄存器，用于多种寻址方式下的地址计算，也可用于临时存 放数据或参与一些运算，只能按照16位方式访问。
❖ 若把一个16位数据存入累加器D中，则高8位在A寄存器中，低8位在B 寄存器中。与此相对应，若把D寄存器中的一个16位数据存入存储器， 则高8位在存储器的低位地址，低8位在存储器的高位地址。
❖ 注意，任何Motorola (Freescale)公司独立设计的16位、32位CPU中， 寄存器与存储器字节的对应关系都是高位数据存放于低位地址，低位数 据占用高位地址，这与Intel公司的CPU数据存放格式正好相反。
2.1 MC9S12DG128的内部结构
2.1.1 CPU12内核(Star Core)
❖ SP主要用于堆栈管理，用于中断和子程序调用时保存系统地址信息，也 可以存储临时信息，一般不做他用。
❖ 在不影响其内容的前提下，也可替补用作所有变址寻址方式下的变址寄 存器，通常不参与运算。
❖ 惟一例外的是，在符号扩展指令中用作目的寄存器。此外，还具有自身 的加、减1指令。
(Program State Word)，但不同的是，它还可以参与控制CPU的行为。 ❖ 条件码寄存器中各位的定义：
CCR中的各位包括两部分： ➢5个算术特征位(Arithmetic Flag Bit) ，即H、N、Z、V、C，它们反映上一条指令执 行结果的特征(状态)； ➢3个MCU控制位，即中断屏蔽位X、I和STOP指令控制位，这3位通常由软件设定， 以控制CPU的行为。复位后，X、I两位默认状态为1，屏蔽系统中断。CCR是真正的 专用寄存器，除了C、H位以外，其他各位不参与任何运算。

飞思卡尔MC9S12XS128技术手册（AD转换部分）英文资料:飞思卡尔MC9S12XS256RMV1官方技术手册1.1 XS12系列单片机的特点XS12系列单片机特点如下：·16位S12CPU—向上支持S12模糊指令集并去除了其中的MEM, WAV, WAVR, REV, REVW 五条指令；—模块映射地址机制（MMC）；—背景调试模块（BDM）；·CRG时钟和复位发生器—COP看门狗；—实时中断；·标准定时器模块—8个16位输入捕捉或输出比较通道；；—16位计数器，8位精密与分频功能；—1个16位脉冲累加器；·周期中断定时器PIT—4具有独立溢出定时的定时器；—溢出定时可选范围在1到2^24总线时钟；—溢出中断和外部触发器；·多达8个的8位或4个16位PWM通道—每个通道的周期和占空比有程序决定；—输出方式可以选择左对齐或中心对其；—可编程时钟选择逻辑，且可选频率范围很宽；·SPI通信模块—可选择8位或16位数据宽度；—全双工或半双工通信方式；—收发双向缓冲；—主机或从机模式；—可选择最高有效为先输出或者最低有效位先输出；·两个SCI串行通信接口—全双工或半双工模式·输入输出端口—多达91个通用I/O引脚，根据封装方式，有些引脚未被引出；—两个单输入引脚；·封装形式—112引脚薄型四边引线扁平封装（LQFP）；—80引脚扁平封装（QFP）；—64引脚LQFP封装；·工作条件—全功率模式下单电源供电范围3.15V到5V；—CPU总线频率最大为40MHz—工作温度范围–40 C到125 C第十章模拟—数字转换10.1 介绍ADC12B16C是一个16通道，12位，复用方式输入逐次逼近模拟—数字转换器。

ATD的精度由电器规格决定。

10.1.1 特点·可设置8位、10位、12位精度·在停止模式下，ATD转换使用内部时钟·转换序列结束后自动进入低耗电模式·可编程采样时间·转化结果可选择左对齐或右对齐·外部触发控制·转换序列结束后产生中断·模拟输入的16个通道为复用方式·可以选择VRH、VRL、 (VRL+VRH)/2特殊转换方式·转换序列长度1到16·可选择连续转换方式·多通道扫描·任何AD通道均可配置外部触发功能，并且可选择4种额外的触发输入。

从闪存芯片编号识容量根据芯片编号识容量三星的闪存芯片均以K9打头，与容量相关的字段是从第4位到第7位。

第4～5位表示闪存密度，12代表512M、16代表16M、28代表128M、32代表32M、40代表4M、56代表256M、64代表64M、80代表8M、1G代表1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、00代表没有。

第6～7位表示闪存结构，00代表没有、08代表×8.16代表×16. 32代表×32。

闪存芯片的容量=闪存密度×闪存结构÷8通过上述公式就可以计算出闪存芯片的真实容量了编号为K9K1G08U0M-YC80的SUMSUNG闪存芯片。

这块闪存芯片的规格为：128M×8bit、50ns 速度，单颗容量 128MB。

工作电压2.4～2.9V。

芯片编号K9F5608U0A，32M×8bit规格50ns速度，单颗容量32MB。

工作电压2.7～3.6V，内部分成块写区域大小（16K＋512）。

三星型号详解K9×××××：Nand FlashK8×××××：Nor FlashK7×××××：Sync SRAM(同步SRAM，带clock，速度快，网络产品，6个晶体管)K6×××××：Aync SRAM(异步SRAM，不带clock，速度快，手机产品，6个晶体管)K5×××××：MCP（相当于K1+K8+K9）K4×××××：DRAMK3×××××：Mask RomK2×××××：FRAMK1×××××：utRAM(使用SRAM技术，但只有2个晶体管跟1个电容，所以比SRAM功耗大，但成本低)samsung 编号：K9LAG08U0M，容量为2G，以K9L为开头的三星闪存一般都为MLC闪存，使用MLC闪存是大势所趋* K9K8G(1GB)、K9W8G(1GB)、K9WAG(2GB)* K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)* K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)* K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)* K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)* (1 Byte = 8 bits)SAMSUNG K9F2808U0B-YCB0 32MBK9F2808U0C-VCB0 32MBK9F5608U0B-YCB0 16MBK9F5608U0C-YCB0 16MBK9F1208U0M-YCB0 64MBK9F1208U0A-YCB0 64MBK9F1208U0A-YIB0 64MBK9F1208U0A-VCB0 64MBK9K1G08U0A-YCB0 128MBK9K1G08U0M-YCB0 128MBK9K1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-YCB0 128MBK9F1G08U0A-YCB0 128MBK9F1G08U0M-VCB0 128MBK9F1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-FIB0 128MBK9K2G08U0M-YCB0 256MBK9K2G08U0A-FIB0 (90nm) 256MBK9K2G08U0M-VCB0 256MBK9K2G08U0M-VIB0 256MBK9K2G08U0A-VIB0 (90nm) 256MBK9F2G08U0M-YCB0 (90nm) 256MBK9K4G08U0M-YCB0 (90nm) 512MBK9K4G08U0M-YCBO(90nm) 512MBK9K4G08U0M-PIB0(90nm) 512MBK9W8G08U1M-YCB0(90nm) 1GBK9W8G08U1M-YIB0(90nm) 1GBK9WAG08U1M 2GMNAND闪存芯片, 一般都是Samsung 或Hynix 芯片. SAMSUNG闪存的型号及对应容量:K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Hynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte) HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte) HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Part No Description MfgNANDFLASHHY27US08281A-T(P)CB 16Mx8 HYNIXHY27US08561A-T(P)CB 32Mx8 HYNIXHY27US08121A-T(P)CB 64Mx8 HYNIXHY27UF081G2M-T(P)CB 128Mx8 HYNIXHY27UF082G2M-T(P)CB 256Mx8 HYNIXHY27UF082G2A-TPCB 256Mx8 HYNIXHY27UG084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UF084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UT084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UH088G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHY27UU085G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte); HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte); HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte); HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) ATJ2051/ATJ2085主控支持的闪存FLASH型号列表品牌型号内存ATJ2085(2051) samsung K9K4G08U0M 512M ysamsung K9W4G08U1M 512M ysamsung K9W8G08U1M 1GB ysamsung K9F4G08U0M 512M ysamsung K9F4G08U0A 512M ysamsung K9K8G08U0M 1G ysamsung K9K8G08U0A 1G nsamsung K9WAG08U1M 2G ysamsung K9G4G08U0M 512M nsamsung K9L8G08U0M 1G nsamsung K9HAG08U1M 2G nHynix HY27UG084G1M 512M yHynix HY27UG084G2M 512M yHynix HY27UH084G1M 512M nHynix HY27UH084G2M 512M yHynix HY27UG088G2M 1G y Hynix HY27UG088G5M 1G n Hynix HY27UG088GDM 1G n Hynix HY27UH088G2M 1G y Hynix HY27UH088GDM 1G n Hynix HY27UH08AG5M 2G n Hynix HY27UH08AGDM 2G n Hynix HY27UF084G2M 512M y Hynix HY27UG088G5M 1GB n Hynix HY27UU088G5M 1G n Hynix HY27UV08AG5M 2G n Hynix HY27UT084G2A, 512M n Hynix HY27UT084G2M 512M n Hynix HY27UU088G 1GB nHynix HY27UU8G5M(MLC) 1GB n Hynix HY27UT4G2M(MLC) 512M n Hynix HY27UVAG5M(MLC) 2GB n Hynix HY27US08561M VPCB 428A 32MB HY27US08561M TPIB 427A 32MBHY27US08121M TCB 64MBHY27US08121M TPIB 407T 64MBHY27US08121M TCB 416A 64MBHY27US08121M TCB 422A 64MB HY27US08121M TCB 426A 64MB HY27US08121M TPCB 427B 64MB HY27US08121M VPCB 429A 64MB HY27UA081G1M TCB 128MBHY27UA081G1M TPCB 128MBHY27UA081G1M TCB 423A 128MB HY27UG082G2M 256MBHY27UH084G2M 512MBHY27UG088G5M 1GBHY27UH088G2M 1GBHY27UH08AG5M 2GBTOSHIBA TC58128AFT 16MBTC58128AFTI 16MBTC58DVM72A1FT00/05 16MBTC58256AFT 32MBTC58NVM8S0AFTI0 32MBTC58DVM82A1FT00/05 32MBTC58DVM82A1FTI0 32MBTC58512FT 64MBTC58DVM92A1FT00/05 64MBTH58100FT 128MBTC58DVG02A1FT00/05 128MBTC58NVG0S3AFT00/05 128MBTC58NVG0S3AFTI5 128MBTH58NVG1S3AFT00/05 256MBTH58NVG1S3AFTI0 256MBTC58NVG1S3BFT00 256MBTC58005FT 64MBTC58DVM94B1FT00/05 64MBTC58010FT 128MBTC58DVG04B1FT00/05 128MBTC58DVG14B1FT00/05 256MBTC58DVG14B1FTI0 256MBTH58DVG24B1FT00/05 512MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG2D4BFT00 512MBTH58NVG3D4BFT00 1GBTH58NVG3D4BFTI0 1GBTC58NVG3D4CTG10 1GBTH58NVG4D4BTG20 2GBSANDISK SDTNFAH-128, SDTNGAHE0-128 16M SDTNFAH-256, SDTNGAHE0-256 32MSDTNFAH-512, SDTNGAHE0-512 64M SDTNFCH-512, SDTNGCHE0-512 64M SDTNFBH-1024, SDTNGBHE0-1024 128M SDTNFCH-1024, SDTNGCHE0-1024 128M SDTNFDH-2048, SDTNGDHE0-2048 256M Micron MT29F2G08A 256MBMT29F4G08B 256MBMT29F4G08BAB 512MMT29F8G08FAB 1G。