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电路温度控制温度传感控制和保护的电路设计电路温度控制是现代电子设备中一个非常重要的功能。
通过控制温度，可以保证电路的正常工作和延长电子元件的寿命。
本文将介绍一种电路温度控制的设计方案，其中包括温度传感、控制和保护三个部分。
1. 温度传感部分温度传感器是电路温度控制的基础，它能够感知环境温度并将其转化为电信号。
常见的温度传感器包括热敏电阻、热电偶和半导体温度传感器等。
在本设计方案中，我们选择使用半导体温度传感器。
半导体温度传感器的工作原理是根据半导体材料的温度敏感性来测量温度。
当温度升高时，半导体材料的电阻值会发生变化。
通过对电阻值进行测量和计算，可以得到相应的温度值。
2. 控制部分控制部分是根据温度传感器所测得的温度值，对电路进行相应的控制操作。
常见的控制方式包括PWM（脉宽调制）控制和PID控制。
在本设计方案中，我们采用PID控制算法进行温度控制。
PID控制是一种常用的控制算法，它根据当前的温度误差、温度积分和温度微分来计算控制输出。
通过调节PID控制器的参数，我们可以实现精确的温度控制效果。
3. 保护部分温度保护是电路温度控制中必不可少的一部分，它能够保护电路免受过热损坏。
常见的温度保护方式包括过热保护和过温警报。
在本设计方案中，我们添加了过热保护功能。
当温度超过设定的安全阈值时，电路将自动切断电源或降低功率，以避免过热造成的损坏。
同时，我们还设置了过温警报功能，当温度接近安全阈值时，电路会发出警报信号，提醒用户及时采取措施。
总结：通过上述设计方案，我们可以实现对电路温度的准确控制和全面保护。
温度传感器负责感知环境温度，控制部分使用PID算法进行精确控制，保护部分则能够避免因过热而损坏电路。
这种电路温度控制设计方案在各种电子设备中都有广泛的应用前景。
怎样设计一个温度传感器电路设计一个温度传感器电路需要考虑到以下几个方面：传感器选择、电路设计和校准方法。
本文将详细介绍怎样设计一个温度传感器电路。
1. 传感器选择温度传感器有很多种类型，包括热敏电阻、热电偶、热电阻、半导体温度传感器等。
在选择传感器时，需考虑精度、响应时间、适用温度范围及成本等因素。
2. 根据传感器特性进行电路设计在设计电路时，首先需要将传感器接入一个适当的电桥电路。
电桥电路常用于测量和放大传感器输出的微小信号。
电桥电路由四个电阻组成，其中传感器作为其中一个电阻的变化将引起电桥输出电压的变化，从而间接反映出温度的变化。
3. 增益放大器设计为了放大电桥电路的输出信号，需设计一个增益放大器电路。
增益放大器电路可以将微小的变化信号放大到一定幅度，以便后续的信号处理和测量。
常用的增益放大器电路包括差动放大器、运算放大器等。
4. 滤波电路设计为了消除传感器输出中的噪声干扰，可以添加一个滤波电路。
滤波电路可滤除高频或低频的噪声信号，提高系统的抗干扰能力和测量精度。
5. 温度校准方法为了提高传感器电路的准确性，需要进行温度校准。
常用的校准方法包括通过对比法、模拟校准法和数字校准法。
校准方法的选择应根据具体的应用场景和需求。
总结：设计一个温度传感器电路需要选择合适的传感器类型，并根据传感器特性进行电路设计，包括电桥电路、增益放大器和滤波电路的设计。
此外，为提高测量准确性，还需进行温度校准。
一个完整的温度传感器电路设计需要综合考虑传感器性能、电路设计和校准方法等因素，并进行相应的优化和调整，以实现准确、稳定和可靠的温度测量。
金属氧化物半导体传感器的制备及应用金属氧化物半导体传感器（Metal Oxide Semiconductor Sensor，简称MOS）是一种能够检测并响应气体的半导体器件，其主要通过检测周围环境气体的变化来实现气体控制和监测。
MOS传感器已广泛应用于空气污染监测、生物医学检测、室内空气质量检测等领域。
本文将从MOS传感器制备和应用两个方面来探讨其相关知识。
一、MOS传感器的制备1. 原理MOS传感器的制备基于其本质特征——半导体材料的氧化还原反应。
MOS传感器主要由金属氧化物和半导体两个部分组成，氧化物在阳极氧化下形成靶膜，将待检测气体暴露在此膜表面，因其吸附物的不同而改变电场。
这种改变由负载电路测出，通过对比实验数据，便可得知周围气体的相关信息。
2. 制备过程MOS传感器制备的过程相对复杂，具体步骤如下：1) 基板清洗。
由于MOS传感器采用半导体硅为基板，所以在制备前必须将其表面进行清洗，以免杂质产生。
2) 金属沉积。
在清洗好的半导体基片上沉积一层金属，常用的金属有铝、铜、铁等。
3) 退火。
将沉积了金属的基板在高温下进行退火，可以消除金属层与基板之间的应变差。
4) 氧化。
在金属层上氧化成阻挡层，保证后续电流只能从半导体侧注入，而阻止金属侧的电流加入。
5) 接触阳极/ 阳极氧化。
在氧化的铝层上形成铝阳极，通过阳极氧化处理，生成微米级的氧化铝靶膜。
6) 样品制备。
将样品放入靶膜内暴露，并用负载电路测量微小电压信号的变化。
二、MOS传感器的应用MOS传感器在生活中应用广泛，例如在室内环境检测、生物医学实验和空气污染监测等领域经常被使用。
这里简单介绍一下MOS传感器在汽车尾气中的应用。
汽车尾气是环境污染的重要来源之一，其中含有废气、有毒气体等多种有害气体。
MOS传感器可以快速检测并监测汽车尾气中的有害气体，以帮助减少环境污染。
具体步骤如下：1) 采集尾气。
第一步，将汽车发动机排放的尾气样品采集到采样器中。
CMOS的工作原理简述及应用1. 什么是CMOS技术CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor），即互补金属氧化物半导体技术，是一种集成电路制造技术。
CMOS技术主要通过硅基材料和氧化物薄膜构成的半导体MOS管实现的互补工作原理。
2. CMOS的工作原理CMOS技术的核心是构成集成电路的两个互补型MOS管：P型MOS管（PMOS）和N型MOS管（NMOS）。
这两种管子具有互补的作用，通过互相接驳实现集成电路的正常工作。
在CMOS电路中，PMOS管和NMOS管的栅极电压（即输入信号）不同，栅极电压高时，PMOS管导通，NMOS管截止；栅极电压低时，PMOS管截止，NMOS管导通。
这种互补工作原理使得CMOS电路在工作时能够产生高的电平和低的电平，从而实现数据的传输和处理。
3. CMOS的优点CMOS技术在集成电路领域具有许多优点：•低功耗：CMOS技术采用的是固态器件，因此功耗非常低，具有较低的能耗。
•高集成度：由于CMOS电路的小尺寸和高集成度，可以将大量晶体管集成在一个芯片上，实现复杂的功能。
•抗干扰性强：CMOS电路采用互补工作原理，可以有效降低电磁干扰和噪声对电路性能的影响。
•稳定性好：CMOS电路的设计和制造工艺比较成熟，具有较好的稳定性和可靠性。
•工作电压范围广：CMOS电路可以在较低的电压下正常工作，从而降低功耗。
4. CMOS的应用领域由于CMOS技术具有低功耗、高集成度和稳定性好等优点，广泛应用于各个领域的集成电路设计中。
4.1 处理器CMOS技术是现代处理器的基础。
高性能和低功耗是处理器设计的两个关键要求，而CMOS技术的优势正能够满足这些要求。
CMOS处理器具有更高的性能、更低的功耗和较低的发热量，广泛应用于个人电脑、服务器和移动设备等领域。
4.2 存储器CMOS技术在存储器领域也有重要应用。
静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）都是常见的CMOS存储器。
pn结传感器的基本原理及其他方面的应用1. pn结传感器的基本原理pn结传感器是一种常见的半导体传感器，它基于pn结的特性来实现信号检测和转换。
下面是pn结传感器的基本原理：•pn结的构成：pn结由n型半导体和p型半导体构成，通过p型区域与n型区域之间的结界来实现信号转换。
•势垒形成：当n型区域与p型区域接触时，由于不同材料的能带结构不同，形成一个势垒。
势垒的形成会导致电子向n型区域扩散，同时空穴向p型区域扩散，这种扩散现象被称为漂移。
•反向偏置和正向偏置：在正向偏置下，正电荷施加到p型区域，负电荷施加到n型区域，势垒减小，电流流动。
在反向偏置下，正电荷施加到n 型区域，负电荷施加到p型区域，势垒增大，电流不流动。
•光照引发的效应：当光照射到pn结上时，能量会激发出电子-空穴对，导致电流的增加或减小。
这种效应被应用在光敏传感器中。
•温度引发的效应：温度的变化会影响pn结的导电能力，因此可以通过测量电流的变化来检测温度。
这种效应被应用在温度传感器中。
2. pn结传感器的应用领域pn结传感器由于其简单、灵敏和易于集成的特性，在许多领域中得到广泛应用。
下面是一些常见的应用领域：•光敏传感器：光敏传感器基于光照引发电流的原理，可以用于光照强度的测量、自动亮度调节和光压测量等领域。
在摄像头、光电开关和光电二极管等设备中得到广泛应用。
•温度传感器：温度传感器是将pn结的温度特性应用于温度检测的传感器。
通过测量pn结的电流变化，可以确定环境的温度。
在温度控制系统、空调和电子设备中被广泛使用。
•压力传感器：压力传感器使用pn结物理特性来测量压力的变化。
当受到压力变化时，pn结的电流也会相应变化。
该传感器广泛应用于气体、液体和固体压力的检测和测量中。
•气体传感器：气体传感器利用pn结来检测气体的浓度变化。
当特定气体接触到pn结时，会改变pn结的导电特性。
这种传感器常用于环境监测、工业生产和燃气检测等领域。
•生物传感器：生物传感器是一类应用于生物医学领域的传感器，可以通过检测生物体内的化学物质变化来监测人体健康状况。
半导体传感器的原理与应用一、什么是半导体传感器半导体传感器是一种利用半导体材料特性进行物理、化学量测量的传感器。
半导体材料是指在温度较高时，导电性大致介于导体和绝缘体之间的物质。
半导体传感器广泛应用于环境监测、工业自动化、医疗仪器等领域。
二、半导体传感器的工作原理半导体传感器的工作原理基于半导体材料的特性，主要包括以下步骤：1.材料选择：选择合适的半导体材料，如硅、锗等。
材料的选择取决于传感器要测量的物理或化学量的特性。
2.材料加工：对半导体材料进行加工，通常包括晶体生长、切割、抛光等工艺，以获得符合要求的传感器元件。
3.接触电极制备：通过沉积金属薄膜或其他电导材料，制备出用于与被测物接触的电极或反应层。
接触电极的材料和形状也是根据要测量的物理或化学量的不同而选择的。
4.电流或电压测量：将电流或电压施加到半导体传感器中，根据传感器的特性，通过测量电阻、电导率、电容等参数，计算出被测量物理或化学量的值。
三、半导体传感器的应用领域半导体传感器由于其高灵敏度、快速响应和可靠性等优势，广泛应用于以下领域：1.环境监测：半导体传感器可以用于检测温度、湿度、气体浓度等环境参数。
在空气质量监测、室内空调控制和农业温室管理等方面发挥重要作用。
2.工业自动化：在工业自动化领域，半导体传感器被用于测量压力、流量、位移等物理量。
通过实时监测和控制，提高生产效率和产品质量。
3.医疗仪器：半导体传感器可以测量血氧浓度、体温等生命体征参数，用于医疗仪器中，如血氧仪、体温计等。
在医疗诊断和治疗中起到重要作用。
4.汽车电子：半导体传感器在汽车电子中广泛应用，如气囊传感器、氧气传感器等。
提高汽车安全性能和燃油效率。
四、半导体传感器的发展趋势随着科技的不断发展，半导体传感器也在不断创新和进步。
未来的发展趋势主要包括：1.小型化和集成化：半导体传感器的体积将越来越小，以适应微型化设备和系统的需求。
同时，将更多的传感器集成在一个芯片上，提高系统的集成度和简化制造工艺。
半导体压力传感器导语：半导体压力传感器是一种能够将压力转化为电信号的装置，被广泛应用于各行各业。
本文将对半导体压力传感器的工作原理、应用领域以及未来发展进行详细介绍。
一、工作原理1.1 压阻效应半导体压力传感器的核心是一块由硅等半导体材料制成的薄膜。
当外部施加压力作用在薄膜上时，导电材料内部的阻值会发生变化。
这种变化通过电路传递至输出端口，并由输出电路进行处理，最终转化成压力信号。
1.2 电桥结构大部分半导体压力传感器采用了电桥结构。
电桥结构由四个电阻组成，其中两个电阻是压敏电阻，另外两个是补偿电阻。
通过调整电桥中的电阻比例，可以实现对输出信号的准确控制。
1.3 敏感层技术为了提高压力传感器的灵敏度和准确度，研究人员将敏感层技术应用于传感器的设计中。
敏感层可以增加传感器对压力变化的响应，并有效降低温度、湿度等外界环境的影响。
二、应用领域2.1 工业控制半导体压力传感器广泛应用于工业控制领域。
在制造过程中，通过监测和控制压力变化，可以保证设备的正常运转，提高生产效率和安全性。
半导体压力传感器可用于汽车制造、化工、机械、电子等行业中的压力控制和检测。
2.2 医疗保健在医疗保健领域，半导体压力传感器被广泛用于测量人体内部压力，如心脏和呼吸系统。
通过监测这些压力变化，医生可以提前发现疾病和异常情况，并及时采取措施。
2.3 环境监测随着环境污染程度的不断加剧，环境监测变得尤为重要。
半导体压力传感器可用于测量大气压力、液位以及水压等指标，帮助保护环境和提升生活质量。
2.4 汽车工程半导体压力传感器在汽车工程领域具有广泛的应用。
它可以用于监测车辆轮胎的胎压、制动系统的压力以及涡轮增压器的气压等。
通过实时监测这些参数，车辆的性能和安全性能得到了显著提升。
三、未来发展未来的半导体压力传感器将更加便携、微型化和智能化。
随着科技的不断进步，传感器的体积将进一步缩小，从而应用于更多领域。
同时，通过与其他传感器的融合，半导体压力传感器将具备更强大的功能，如智能控制、自适应调节等。
半导体温度传感器的应用与发展半导体温度传感器的应用相当广泛，主要有以下三类：温度检测，包括对便携式电子设备、CPU、DSP、电池温度及环境温度；温度补偿，包括热电偶冷端补偿和蜂窝电话中的振荡器漂移；温度控制，包括电池充电和工业过程控制。
较之其它传感器，其突出优势是线性输出。
在-55~+150℃温度范围内，半导体温度传感器具有高精度和高线性度。
目前，半导体温度传感器主要的供应商有Analog Devices、Dallas Semiconductor 、Maxim Integrated Products、National Semiconductor 和TelCom Semiconductor等。
Analog Devices的半导体温度传感器主要分为五类：电流输出温度传感器、电压输出温度传感器、比率输出温度传感器、数字输出温度传感器及恒温开关和设定点控制器。
电流输出温度传感器的主要特点是输出阻抗高，输出电流不受传输线路电压降和电压噪声的影响，且对电源电压的脉动和漂移具有很强的抑制能力，常用的有AD592和TMP17。
AD592测温范围-25~+105℃，封装形式为TO-92，AD592CN线性误差典型值±0.1℃。
TMP17测温范围-40~+105℃，封装形式为SO-8，TMP17F线性误差典型值±0.5℃。
电压输出温度传感器的主要特点是电源电压和电流比较低，在传输线路电压降和电压噪声不是主要考虑因素时，电压输出温度传感器的输出可直接成为控制系统和数据采集系统的输入信号，常用的有TMP35/36/37，线性误差典型值±0.5℃。
TMP35测温范围+10~+125℃，可用作热电偶冷端补偿；TMP36测温范围-40~+125℃；TMP37测温范围+5~+100℃。
比率输出温度传感器特别适合与基准电压相关的比率测量或数据转换。
常用的有AD22100和AD22103，主要应用于加热通风与空调系统、仪器仪表、汽车中的温度监测与控制。
cmos差分放大电路设计一、CMOS差分放大电路简介1.CMOS技术简介CMOS（互补金属氧化物半导体）技术是一种集成电路制造工艺，它具有低功耗、高噪声抑制比、宽工作电压范围等优点。
在现代电子系统中，CMOS 技术得到了广泛的应用。
2.差分放大电路原理差分放大电路是一种模拟电路，它具有抑制共模干扰、放大差模信号的特点。
其基本原理是利用两个输入信号的差值进行放大，从而得到输出信号。
在实际应用中，差分放大电路常用于传感器信号处理、放大微弱信号等场景。
二、CMOS差分放大电路设计方法1.设计流程设计CMOS差分放大电路主要包括以下几个步骤：（1）确定输入输出信号范围和电源电压（2）选择合适的CMOS工艺（3）设计电路拓扑结构（4）电路参数设计（5）电路仿真与优化2.电路参数选择电路参数选择是影响CMOS差分放大电路性能的关键因素。
主要包括：（1）晶体管宽长比（2）源极电阻和负载电阻（3）电容耦合方式（4）输入输出电阻三、CMOS差分放大电路应用1.放大信号应用CMOS差分放大电路广泛应用于各种电子系统中，如音频放大器、图像传感器信号处理等。
通过差分放大电路，可以有效地抑制共模干扰，提高信号传输质量。
2.传感器信号处理CMOS差分放大电路在传感器信号处理领域具有广泛应用。
例如，在生物传感器、光纤传感器等领域，差分放大电路可以有效地放大微弱信号，提高传感器信号的检测灵敏度。
四、设计实例与仿真分析1.实例设计以下为一个简单的CMOS差分放大电路设计实例：（1）选择CMOS工艺：采用0.18μm CMOS工艺（2）确定输入输出信号范围：0-1V（3）设计电路拓扑结构：采用单级差分放大电路（4）电路参数设计：- 晶体管宽长比：10:1- 源极电阻和负载电阻：10kΩ- 电容耦合方式：采用直流耦合- 输入输出电阻：100Ω2.仿真结果分析利用电路仿真软件对设计的CMOS差分放大电路进行仿真。
仿真结果表明，在输入信号为0.5V时，输出信号为0.995V，增益约为1.99。
东北石油大学课程设计2012年6 月25任务书课程传感器课程设计题目半导体传感器应用电路设计专业测控技术与仪器姓名学号主要内容：利用温度传感器和热电偶设计制作一个温度测量系统。
参考利用半导体温度传感器AD590和单片机技术设计制作一个显示室温的数字温度计的设计提示与分析。
进一步了解有关温度传感器的工作原理，制定设计方案，确定温度传感器的型号等参数，掌握温度的检测方法。
基本要求：1、详细了解所选用的温度传感器的工作原理，工作特性等2、设计合理的信号调理电路，并列出制作该装置的元器件。
主要参考资料：[1]刘爱华，满宝元.传感器原理与应用技术[M].北京：人民邮电出版社，2006.45-48.[2]王雪文，张志勇.传感器原理及应用[M].北京：航空大学出版社，2004.27-34.[3]张福学.现代实用传感器电路[M].北京：中国计量出版社，1997.16-24.[4]缪家鼎，徐文娟，牟同升.光电技术[M].杭州：浙江大学出版社，1987.22-27.完成期限2012.6.25—2012.6.29指导教师专业负责人2012年6 月25 日摘要传感器属于信息技术的前沿尖端产品,尤其是温度传感器被广泛用于工农业生产、科学研究和生活等领域,数量高居各种传感器之首。
半导体传感器是利用某些半导体的电阻随温度变化而变化的特性制成的。
半导体具有很宽的温度反应特性,各种半导体的温度反应区段不同。
利用半导体温度传感器AD590 设计制作一个温度测量系统,AD590是一种集成温度传感器，其实质是一种半导体集成电路。
集成温度传感器的线性度好、精度适中、灵敏度高、体积小、使用方便，得到广泛应用。
集成温度传感器的输出形式分为电压输出和电流输出两种。
关键词：关键词传感器；半导体；温度传感器；AD590目录一、设计要求 (1)二、方案设计 (1)1、方案说明 (1)2、方案论证 (2)三、传感器工作原理 (2)四、电路的工作原理 (2)五、单元电路设计、参数计算和器件选择 (3)1、单元电路设计 (4)2、参数计算 (6)3、器件选择 (6)六、总结 (7)半导体传感器应用电路设计一 、设计要求参考下面的利用半导体温度传感器AD590和单片机技术设计制作一个显示室温的数字温度计的设计提示与分析。
用单片机和AD 芯片进行信号的采集等相关处理，要有Protel 画的硬件接线原理图﹑利用c 语言在单片机开发软件中编写相关程序，并对单片机的程序制作详细解释。
二、方案设计 1、方案说明1、方案一利用热敏电阻测量温度，热敏电阻的电阻值随温度变化而改变，通过测量其阻值推算出被测物体的温度，利用此原理构成的传感器就是电阻温度传感器，这种传感器主要用于-200—500℃温度范围内的温度测量。
纯金属是热电阻的主要制造材料，热电阻的材料应具有以下特性：电阻温度系数要大而且稳定，电阻值与温度之间应具有良好的线性关系；电阻率高，热容量小，反应速度快；材料的复现性和工艺性好，价格低；在测温范围内化学物理特性稳定。
2、方案二AD590是一种集成温度传感器，其实质是一种半导体集成电路。
它利用晶体管的b-e 结压降的不饱和值V RE 与热力学温度T 和通过发射极电流I 的下述关系实现对温度的检测。
（1） 式中：k--是波耳兹曼常数；q--是电子电荷绝对值。
集成温度传感器的线性度好、精度适中、灵敏度高、体积小、使用方便，得到广泛应用。
集成温度传感器的输出形式分为电压输出和电流输出两种。
电压输出型的灵敏度一般为10mV/K ，温度0K 时输出0，温度25℃时输出2.9815V 。
电流I q kT V RE ln输出型的灵敏度一般为1µA/K，25℃时输出298.15µA。
选择方案二。
2、方案论证AD590是美国模拟器件公司生产的单片集成两端温度传感器。
流过器件电流的微安数等于器件所处环境温度的热力学温度度数。
它主要特性如下：(1)AD590的测量范围为-55~+150℃。
变化1µA，相(2)AD590的电源电压范围为4~30V。
电源电压从4~6V变化，电流IT当温度变化1K。
AD590可以承受44V正向电压和20V的反向电压。
因而器件反接也不会损坏。
(3)输出电阻为710MΩ。
(4)AD590在出厂前已经校准，精度高。
AD590共有I、J、K、L、M五挡。
其中M 档精度最高，在-55~+150℃范围内，非线性误差为±0.3℃。
I档误差较大，误差为±10℃，应用时应校正。
由于AD590的精度高、价格低、不需辅助电源、线性度好，因此常用于测量和热电偶的冷端补偿。
三、传感器工作原理工业生产中最常见的一种传感器就是温度传感器了。
温度传感器将物体的温度转化为电信号输出。
不同的温度传感器制作方法不同，常见的有热敏电阻、热电偶和集成型产品。
温度传感器的特点为，结构简单，测量范围宽，稳定性好、精度高等优点。
其发展大体经历了从分体式、模拟集成到智能型阶段。
现在的温度传感器不仅温度信号输出，还可以集成湿度测量，信号输出也由原来的单一信号变成多样化的输出形式，可以进行远距离通信，数据可以根据需要进行记录、上限报警和自控控制等多种功能。
温度传感器是通过测量物体的某些参数随着温度的变化而间接测量温度的。
一个好的温度传感器要有应具备很多条件，比如温度范围宽、精度高、响应快、可靠性好、价格低等。
温度传感器有接触型和非接触型两类，接触型温度传感器价格低、响应速度慢、结构简单等特点，非接触型温度传感器响应速度快，还可以应该用测量高温、有腐蚀性的场合。
四、电路的工作原理传感器前端信号调理如图1所示。
要求的测量范围为室温，这里定位0～80C0。
0C0时，A点输出电压为273.2mv；80C0时，A点输出电压为（273.2+80）与温度mv。
调整B点的电压使之为273.2mv，这样就可以得到差分电压信号VAB的关系为1mv/C0。
经过传感器前端调整后的信号V AB要经过放大才能够被单片机采样。
图中LM336提供2.5伏参考电压源。
图1 AD950信号调理电路这里预定采用通用MCS-51单片机和AD590芯片进行数据采样、处理。
AD590是一个8通道8位ADC芯片，预计采样为0～5v的标准信号，对应采样结果位0～255。
基本能满足设计要求（范围0～80度，误差为 1C0）。
信号数据在测量系统中流程变化如表1所示。
表1中，假如放大后温度信号数据取值范围为0～2v；单片机接入通道参考电压为2.5v，故0～2.5v的信号相应地被转换为0～255这数据；单片机显示温度数据等于单片机采样结果乘上80后在除去204。
这里要求出差分电压V AB放大成为预采样为0～2v的标准信号的增益。
表1 测量数据在系统中流程变化五、单元电路设计、参数计算和器件选择1、单元电路设计放大器可选用LM318、LM741、121等Op Amp。
我们实验室有一种更好使用的放大器AD620(在一般信号放大的应用中通常只要透过差动放大电路即可满足要求。
然而基本的差动放大电路精密度较差，且差动放大电路上改变放大增益时，必须调整两个电阻，影响整个信号放大精确度就更加复杂。
仪表放大器则无上述的缺点。
简单地说就是使用方便简单，缺点是价格高)，这里就采用该芯片作为我们的放大器。
该芯片引脚如图2所示。
RcRc-IN+Vs+IN OUTPUT-Vs REF图2 芯片引脚TOPVIEW因为AD620工作需要V12的电压接在+VS和-VS上，这里采用一个直流电压模块SAPS的SR5D12/100，需要5伏电压供电，输出为+12V和-12V的电压，如图3所示。
图3 SR5D12/100芯片引脚图 这样传感器信号调理电路就基本完成了，如图4。
档T=0C 0时，V 0=0V ；档T=80C0时，V 0=2V ；及灵敏度为25mv/C 0。
图4 AD590信号调理电路2、参数计算V REF5.2 ,单片机从ADC0809上采样的接口数据N 因ADC0809的参数电压为V还原为要显示的温度数据T的计算式子。
从上面的接口电路可知：p0口直接与ADC0809的数据线相连接，p0口的低三位通过锁存器74LS373连接到ADDA、ADDC,锁存器的锁存信号是89C52的CLK管脚，给ADC0809提供666KHz的时钟信号。
P2.7口作为读写口的选通地址。
片外A/D转换通道的地址为7FF8H～7FFFH。
在软件编制时，令p2.7（A15）=0，A0、A1、A2给出被选择的模拟通道地址，执行一条输出指令，就产生一个正脉冲，锁存通道地址和启动A/D转换；执行一条输出指令，读取A/D转换结果。
可采用延时等待AD转换结束方式，分别对8个通道模拟信号轮流采样一次，并依次大结果存放在数据存储器。
也可以采用8051的中断方式的接口来编写程序（ADC0809的E0C接8051的INT0），此时可以将0809作为外扩的并行I/0口，由p2.7口和WP口脉冲同时有效来启动A/D转换，通道选择端A、B、C分别与地址线A0、A1、A2相连。
其端口地址分别为7FF8H～7FFFH/。
A/D转换结束信号E0C经反相后，接80C51的外部中断管脚。
3、器件选择晶振瓷片电容C1，C2 RAD-0.3,30PF、复位电容C3 RAD-0.3,10UF、铝电解电容C4，50V1000UF、铝电解电容C8，C9，C13，35V1000UF、聚脂电容C5，C7，C10，C11，C12，C14，ct104,104、铝电解电容C6、铝电解电容C16，C18，2.2UF、铝电解电容C13，C15，35V100UF、铝电解电容C17，1UF、220V插座带1m接受线，LN（PE）POWER-CZ、整流桥D1，D2，2W10、稳压管D3，LM336-2.5V、共阳LED 数码管DS1-DS4，DIP10、4芯片5.08接插件JP1，JP4，JP5，4-5.08ZUO、复位电阴，10%，R1，AXIAL-0.4,10K、限流电阴，10%，R2-R14 ，510，复位开关S1，SPST-2，SW-PB、变压器，AC8V-GND;AC15GND-AC15T1、DIP40，单片机座、单片机U1，AT89S52、DIP20，741S373座，DIP28，ADC0809座、ADC0809U3、DIP14，74LS02座、74LS02U4，DIP-14/D19.7 74AC02PC、铁壳的，买散热片，以膈供DC5V电机用U5、7815U6、7815U7、AD590，温度传感器U8、DIP8，放大器座、DIP8，MAX6225座、MAX6225U10、调整信号可变电阻VR2 102、调整信号可变电阻VR2 202、调整信号可变电阻VR2 103、晶振，ale六份频为666KHZ Y1、实验板Z1，Z2、铜螺柱四个、导线若干。
