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模拟电子技术基础章节总结

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模拟电子技术基础章节总结

模拟电子技术基础章节总结

篇一：模拟电子技术基础总结

第一章晶体二极管及应用电路

一、半导体知识

1．本征半导体

·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制造半导体ic的材料（三五价化合物砷化镓Gaas

是微波毫米波半导体器件和ic的重要材料）。

·纯净（纯度>7n）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发

（又称热激发或产生）（图1-3）。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高，本征激发越强。

·空穴是半导体中的一种等效?q载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示?q电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。

·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。

2．杂质半导体

·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成n型（或

P型）杂质半导体（n型：图1-5，P型：图1-6）。

·在很低的温度下，n型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。

·由于杂质电离，使n型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。

·在常温下，多子>>少子（图1-7）。多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。 ·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。3．半导体中的两种电流

在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。

4．Pn结

·在具有完整晶格的P型和n型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——Pn结（图1-8）。·Pn结是非中性区（称空间电荷区），存在由n区指向P区的内建电场和内建电压；Pn结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；Pn结内的电场是阻止结外两区的

1

多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层）。

·正偏Pn结（P区外接高于n区的电压）有随正偏电压指数增大的电流；反偏Pn结（P区外接低于n区的电压），在使Pn结击穿前，只有其值很小的反向饱和电流iS。即Pn结有单向导电特性（正偏导通，反偏截止）。

v/V

1)，其中，在T=300K时，热电压VT?26mV。·Pn结的伏安方程为：i?iS(e

T

·非对称Pn结有Pn结（P区高掺杂）和Pn结（n区高掺杂），Pn结主要向低

掺杂区域延伸（图1-9）。

二、二极管知识

·普通二极管内芯片就是一个Pn结，P区引出正电极，n区引出负电极（图1-13）。·在低频运用时，二极的具有单向导电特性，正偏时导通，Si管和Ge管导通电压典型值分别是0.7V和0.3V；反偏时截止，但Ge管的反向饱和电流比Si管大得多（图1-15）。

·低频运用时，二极管是一个非线性电阻，其交流电阻不等于其直流电阻。 di?rd??d?

dvd?

1

Q二极管交流电阻rd定义：

·稳压管电路设计时，要正确选取限流电阻，使稳压管在一定的负载条件下正常工作。

二极管交流电阻rd估算：rd?VTid

·二极管的低频小信号模型就是交流电阻rd，它反映了在工作点Q

处，二极管的微变电流与微变电压之间的关系。

·二极管的低频大信号模型是一种开关模型，有理想开关、恒压源模型和折线模型三种近似（图1-20）。

三、二极管应用

1．单向导电特性应用

·整流器：半波整流（图1-28），全波整流（图P1-8a），桥式整流（图P1-8b）·限幅器：顶部限幅，底部限幅，双向限幅（图P1-9）

·钳位电路*

·通信电路中的应用*：检波器、混频器等2．正向导通特性及应用二极管正向充分导通时只有很小的交流电阻，近似于一个0.7V（Si 管）或0.3V（Ge管）的恒压源。

2

3．反向击穿及应用

·二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大的现象即反向击穿。

·反向击穿的原因有价电子被碰撞电离而发生的“雪崩击穿”和价电子被场效激发而发生的“齐纳击穿”。

·反向击穿电压十分稳定，可以用来作稳压管（图1-33）。

4．高频时的电容效应及应用

·高频工作时，二极管失去单向导电特性，其原因是管内的Pn结存在电容效应（结电容）。

·结电容分为Pn结内的势垒电容cT与Pn结两侧形成的扩散电容cd。·cT随偏压的增大而增大，cd与正偏电流近似成正比。

·反偏二极管在高频条件下，其等效电路主要是一个势垒电容cT。利用这一特性的二极管称为变容二极管。变容二极管在通信电路中有较多的应用。

第二章双极型晶体三极管（BJT）

一、BJT原理

·双极型晶体管（BJT）分为nPn管和PnP管两类（图2-1，图2-2）。·当BJT发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。在放大偏置时，nPn管满足

Vc?VB?Vc

；PnP管满足Vc?VB?VE。

BE

v

iE?iESe·放大偏置时，作为Pn结的发射结的Va关系是：

/VT

v

iE?iESe（nPn），

BET

/V

（PnP）。

·在BJT为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流iE将几乎转化为集电流ic，而基极电流较小。

icniE

·在放大偏置时，定义了

（icn是由iE转化而来的ic分量）极之后，可以导

出两个关于电极电流的关系方程：ic?iE?icBo

ic??iB?(1??)icBo??iB?icEo

3 其中

1?，icEo是集电结反向饱和电流，icEo?(1??)icBo是穿透电流。

·放大偏置时，在一定电流范围内，iE、ic、iB基本是线性关系，而vBE对三个电流都是指数非线性关系。

·放大偏置时：三电极电流主要受控于vBE，而反偏vcB通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。影响的规律是；集电极反偏增大时，ic，iE增大而iB减小。·发射结与集电结均反偏时BJT为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT为饱和状态。

二、BJT静态伏安特性曲线

·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。BJT常用cE伏安特性曲线，其

画法是：

输入特性曲线：输出特性曲线：

iB?f(vBE)ViB?f(vcE)

cE常数

（图2-13）

iB常数

（图2-14）

·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。·输出特性曲线族把伏安平面分为4个区（放大区、饱和区、截止区和击穿区）放大区近似的等间隔平行线，反映?近似为常数，放大区曲线向上倾是基区宽度调制效应所致。

·当温度增加时，会导致?增加，icBo增加和输入特性曲线左移。三、BJT主要参数

lim

ic?iE

Q

·电流放大系数：直流?，直流；交流满足

1??

0

lim

ic?iB

Q

和

0

，?、?也

。

·极间反向电流：集电结反向饱和和电流icBo；穿透电流icEo

·极限参数：集电极最大允许功耗Pcm；基极开路时的集电结反向击穿电压BVcEo；集电极最大允许电流icm

·特征频率fT

4

BJT小信号工作，当频率增大时使信号电流ic与ib不同相，也不成比例。若用相量

表示为ic，iB，则??iciB称为高频?。fT是当高频?的模等于1时的频率。

四、BJT小信号模型

·无论是共射组态或共基组态，其放大电压信号的物理过程都是输入信号使正偏发射结电压变化，经放大偏置BJT内部的vBE的正向控制过程产生集电极电流的相应变化（ic出现信号电流ic），ic在集电极电阻上的交流电压就是放大的电压信号。

·当发射结上交流电压|vbe|?5mV时，BJT的电压放大才是工程意义上的线性放大。·BJT混合?小信号模型是在共射组态下推导出的一种

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模电第一章期末知识点总结

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模拟电子技术基础复习要点

一、常用半导体器件

1. 半导体二极管

（1）掌握二极管具有单向导电的特性。用电位的方法来判断二极管是否导通，即，哪个二极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。

（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。

（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）。

交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值

（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业：1.3

2. 半导体稳压管

（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点

只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好

（2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。 （3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。

（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6

3. 晶体三极管

（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握Ic=βIb）

（2）掌握NPN型三极管的输出特性曲线。

晶体管有三个级，必然就有BE间的输入，CE间的输出，所以有两组特性曲线。

iB和Ube之间的关系，但是保证Uce是一个恒定值

iC和Uce之间的关系，保证Ib是一个恒定值

关于NPN型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。主要是饱和区和截止区之间的区别

（3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。

（4）理解CEOCBOII和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。作业：1.9，1.12 ，

共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈1

4. 场效应管

（1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。

（2）掌握结型场效应管(N沟道)的转移特性和输出特性的意义。

（3）掌握绝缘栅N沟道增强型MOS的转移特性和输出特性的意义。

（4）掌握电流方程，1.4.4 式和1.4.5式 作业：1.14

(完整版)模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结

(完整版)模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结

1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。

3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。

4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。

5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。

6、硅管Uon和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。

7、稳压管是工作在反向击穿状态的： ①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，）

②加反向电压时截止，相当断开。③加反向电压并击穿（即满足U﹥U

Z）时便稳压为U

Z 。

8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。

9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开

关时在截止、饱和状态。三个极：基极B、发射极E和集电极C。二个结：即发射结和集电结。饱和时：两个结都

正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数

β=I

C / I

B (或I

C=β I

B)和开关作用.

10、当输入信号I

i 很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。

11、失真有三种情况:

⑴截止失真原因I

B、I

C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。调小R

B，以增大I

B、I

C，使Q点上移。

⑵饱和失真原因I

B、I

C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。调大R

B，以减小I

B、I

C，使Q点下移。

⑶信号源U

S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。

1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共

发射极电路）。

共射电路的输出电压U

0与输入电压U

I反相，所以又称反相器。

共集电路的输出电压U

电子技术基础总结

电子技术基础总结

电子技术基础总结

电子技术基础总结

电子技术基础总结应该怎么拟写呢?大家对此有何了解呢?今天我们就一起来看看相关内容吧!

电子技术基础总结篇一：

在这次为期一周的电子电工实训中，我确实是学到了很多知识，同时也深刻地了解到实践的重要性。通过这一次的电子电工实训，增强了我动手操作的能力，体会到“学以致用”的深切含义。记得我在读高中的时候，我帮家里安装一个开关控制电路，由于自己的动手能力不够强，结果把电路接成短路，还好因为电路原先装有保险丝，才没有造大的安全事故。而通过这一次的电子电工实训，我就掌握了日光灯电路的安装，学会了白炽灯的两地的控制方法。更主要的是，我还学会了电路的接线及检查的方法。

在后面的单管放大电路的实训项目里有用到了一些常用的电子元器件，所以通过了实训，我能够识别相关的电子元器件，如电阻器、电位器、电容器、三极管等常有的电子元器件。知道了它们的形状、它们的分类、它们的型号规格、它们的用法以及如何检测这些电子元器件的好坏。

这一周的电子电工的实训，也培养了我的胆大、心细、谨慎的工作作风。由于电路是要通电的，所以就要讲求用电的安全，配线进灯座，开关是灯芯千万不能裸露在外。也要求操作的时候要心细、谨慎，避免触电及意外的受伤。在后面的实训中用到了电烙铁，也学会了电烙钱的正确使用的方法，避免意外的受伤。

这次实习很累，在安装和焊接过程我都遇到了或多或少的困难，理论和实践是有很大区别的，许多事情需要自己去想，只有付出了，才会得到，有思考，才有收获，也就意味着有提高，增强了自己的实践能力和思维能力。所以在这里我想感谢给我们授课的老师，谢谢您的耐心教导，也感谢学校，给了我这么一个实训实践的机会，使我懂得了许多课本上体会不到的东西。

电子技术基础总结篇二：

一 实习时间

21年 12 月 15 日 ～21年 12 月 17 日

二 实习地点 实验室6101

三 实习目的

通过一个星期的电子实习，使学生对电子元件和电子电路(数字万用表)的组装、调试有一定的感性和理性认识，为日后深入学习电子技术的相关课程奠定基础。同时实习使学生获得了电子电路板与产品的实际生产知识和装配技能，培养了学生理论联系实际的能力，提高了学生分析问题和解决问题的能力，增强了独立工作的能力。最主要的是培养了学生与其他同学的团队合作、共同探讨、共同前进的精神。

数电模电基础知识总结

数电模电基础知识总结

数电模电基础知识总结

电子技术作为现代科学技术的一支重要分支，是现代社会发展的基础和支撑。数电模电基础知识是电子技术的核心内容，掌握好这些基础知识对于学习和应用电子技术都有着重要的意义。本文将对数电模电基础知识进行总结，帮助读者加深对这些知识的理解和掌握。

一、数电基础知识

1.数字信号与模拟信号

数字信号和模拟信号是电子系统中常用的两种信号形式。数字信号是以离散的、有限个数的数值表示的信号，是通过对连续模拟信号进行采样和量化得到的。数字信号具有离散性、可编程性、可靠性等特点，广泛应用于计算机和通信系统中。而模拟信号是连续的，可以取无限个数的数值，用于传输和处理连续的实时信号。

2.二进制系统

二进制系统是一种数学计数系统，它只使用两个数字0和1表示数值。在计算机中，所有的数据和指令都是用二进制数来表示和处理的。二进制系统有简单、直观、易于计算等优点，是计算机技术的基础。

3.逻辑门电路

逻辑门电路是电子系统中常用的一类组合逻辑电路，根据输入信号经过门电路的逻辑运算，最终得到输出信号。常见的逻辑门包括与门、或门、非门、异或门等。逻辑门电路可以实现布尔代数中的逻辑运算，是数字电路设计中的基础。

4.计数器和寄存器

计数器和寄存器是数字电路中常用的存储器件。计数器是一种能够按照一定规律自动计数的电子装置，广泛应用于时序电路设计和计数问题的解决。寄存器是一种能够暂时存储二进制数据的电子装置，常用于数据存储、传输和处理等。

二、模电基础知识

1.放大器

放大器是模拟电路中常用的一种电子器件，用于放大信号的幅度。放大器可以将弱信号放大为较强的信号，以便于处理和传输。常见的放大器有分立元件放大器、运算放大器和集成放大器等。

2.滤波器

滤波器是模拟电路中常用的一种电子器件，用于改变信号频率的分布特性。滤波器可以根据信号频率的要求实现对特定频段的放大或衰减。常见的滤波器有低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。