英飞凌压力传感器选型表

原理及特点通用参数应用■泵和压缩机■液压和气动■机床■机械制造■真空技术应用技术参数 (订货时用户可自定义量程）PN3010采用陶瓷厚膜传感器进行压力测量，信号由后部处理电路处理后转换成标准工业电信号输出并显示。

全金属外壳设计，采用高亮型LED 数字显示，使得该系列产品能够被用于各种工业场合。

双键设计和用户友好的菜单使产品使用更加方便。

多种连接方式可以充分满足各种特定的安装需求。

可330º旋转的显示头能保证在不同安装方式下获得最佳的观察角度。

·经济型产品·测量范围从0…1bar 到0…600bar ·4位LED 数字显示·全金属外壳·PNP/NPN 可设置·4...20mA/0…20mA 可设置；1…5V/0…5V 可设置·显示头可旋转N e x o n E l e c t r o n i c c a t a l o g P N 3010 c n v e r s i o n 1.0 2010 02设定面板窗口模式窗口模式下降过程中压力值要小于rP1时开关输出才释放。

窗口功能可使产品用来监视压力值是否超出一个特定的压力范围。

当压力值在rP1和SP1之间时，开关输出一种状态，而当压力值处于这个范围之外时开关输出另一种状态（与前一种相反）。

选型表i特殊要求可订制■用户指定的压力范围■G1/2, NPT1/2过程连接■食品卫生级法兰连接■用于粘性介质的齐平膜安装方式■加装用于高温介质的散热器■用户提出的其它电气，机械连接N e x o n E l e c t r o n i c c a t a l o g P N 3010 c n v e r s i o n 1.0 2010 02原理及特点通用参数应用■工程机械■液压和气动■机床■机械制造■泵和压缩机■石油钻探量程相关参数 (订货时用户可自定义量程）PN3020采用不锈钢薄膜传感器进行压力测量，信号由后部处理电路处理后转换成标准工业电信号输出并显示。

英飞凌IGBT模块选用指南英飞凌IGBT模块选用指南对于一个具体的应用来说，在选择英飞凌IGBT模块时需考虑其在任何静态、动态、过载（如短路）的运行情况下：（i）：器件耐压;（ii）：在实际的冷却条件下，电流的承受力;（iii）：最适合的开关频率;（iv）：安全工作区（SOA）限制;（v）：最高运行温度限制。

一、器件耐压的选择因为大多数IGBT模块工作在交流电网通过单相或三相整流后的直流母线电压下，所以通常IGBT模块的工作电压（600V、1200V、1700V）均对应于常用电网的电压等级。

考虑到过载，电网波动，开关过程引起的电压尖峰等因素，通常电力电子设备选择IGBT 器件耐压都是直流母线电压的一倍。

如果结构、布线、吸收等设计比较好，就可以使用较低耐压的IGBT模块承受较高的直流母线电压。

下面列出根据交流电网电压或直流母线电压来选择IGBT 耐压的参考表。

二、电流的选择半导体器件具有温度敏感性，因此IGBT模块标称电流与温度的关系比较大。

随着壳温的上升IGBT模块可利用的电流就会下降，英飞凌IGBT模块是按壳温TC=80℃来标称其最大允许通过的集电流极电流（IC）。

对于西门子/英飞凌NPT-IGBT 芯片来说，当TC≤25℃时，这个电流值通常是一个恒定值，但随着TC 的增加，这个可利用的电流值下降较快，有些公司是按TC＝25℃的电流值来标称型号，这需用户特别注意。

需指出的是：IGBT 参数表中标出的IC 是集电极最大直流电流，但这个直流电流是有条件的，首先最大结温不能超过150℃，其次还受安全工作区（SOA）的限制，不同的工作电压、脉冲宽度，允许通过的最大电流不同。

同时，各大厂商也给出了2 倍于额定值的脉冲电流，这个脉冲电流通常是指脉冲宽度为1ms 的单脉冲能通过的最大通态电流值，即使可重复也需足够长的时间。

如果脉冲宽度限制在10μs 以内，英飞凌NPT-IGBT 短路电流承受能力可高达10 倍的额定电流值。

型号描述MPX5100最大压力范围100KPa/115KPa,满量程电压4.5v,灵敏度45mV/kPa，,精度是±2.5％,破碎压力400KPa，带温度补偿,带放大MPXV5100MPX5500最大压力范围500KPa,满量程电压4.5v,灵敏度9mV/kPa，,精度是±2.5％,破碎压力2000KPa，带温度补偿,带放大MPX5700最大压力范围700KPa,满量程电压4.5v,灵敏度6mV/kPa，,精度是±2.5％,破碎压力2800KPa，带温度补偿,带放大MPX5999最大压力范围1000KPa,满量程电压4.5v,灵敏度5mV/kPa，,精度是±2.5％,破碎压力4000KPa，带温度补偿,带放大MPXH6101最大压力范围102KPa,满量程电压4.6v,灵敏度54mV/kPa，,精度是±1.8％,破碎压力400KPa，带温度补偿,带放大MPXA6115最大压力范围115KPa,满量程电压4.6v,灵敏度46mV/kPa，,精度是±1.5％,破碎压力400KPa，带温度补偿,带放大MPXAZ6115MPXH6115MPX6250最大压力范围250KPa,满量程电压4.7v,灵敏度19mV/kPa，,精度是±1.5％,破碎压力400KPa，带温度补偿,带放大MPXH6300最大压力范围300KPa,满量程电压4.7v,灵敏度16mV/kPa，,精度是±1.8％,破碎压力400KPa，带温度补偿,带放大MPXH6400最大压力范围400KPa,满量程电压4.7v,灵敏度12mV/kPa，,精度是±1.5％,破碎压力500KPa，带温度补偿,带放大MPXY8020A 轮胎压力传感器，最大工作压力６３７．５KPa，满量程（数字）８位。

MPXY8021A 轮胎压力传感器，最大工作压力６３７．５KPa，满量程（数字）８位。

原理及特点通用参数应用■泵和压缩机■液压和气动■机床■机械制造■真空技术应用技术参数 (订货时用户可自定义量程）PN3010采用陶瓷厚膜传感器进行压力测量，信号由后部处理电路处理后转换成标准工业电信号输出并显示。

全金属外壳设计，采用高亮型LED 数字显示，使得该系列产品能够被用于各种工业场合。

双键设计和用户友好的菜单使产品使用更加方便。

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可330º旋转的显示头能保证在不同安装方式下获得最佳的观察角度。

·经济型产品·测量范围从0…1bar 到0…600bar ·4位LED 数字显示·全金属外壳·PNP/NPN 可设置·4...20mA/0…20mA 可设置；1…5V/0…5V 可设置·显示头可旋转N e x o n E l e c t r o n i c c a t a l o g P N 3010 c n v e r s i o n 1.0 2010 02设定面板窗口模式窗口模式下降过程中压力值要小于rP1时开关输出才释放。

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当压力值在rP1和SP1之间时，开关输出一种状态，而当压力值处于这个范围之外时开关输出另一种状态（与前一种相反）。

选型表i特殊要求可订制■用户指定的压力范围■G1/2, NPT1/2过程连接■食品卫生级法兰连接■用于粘性介质的齐平膜安装方式■加装用于高温介质的散热器■用户提出的其它电气，机械连接N e x o n E l e c t r o n i c c a t a l o g P N 3010 c n v e r s i o n 1.0 2010 02原理及特点通用参数应用■工程机械■液压和气动■机床■机械制造■泵和压缩机■石油钻探量程相关参数 (订货时用户可自定义量程）PN3020采用不锈钢薄膜传感器进行压力测量，信号由后部处理电路处理后转换成标准工业电信号输出并显示。

ICE5xSAG采用 DSO-8 封装的固定频率 PWM 控制器产品亮点• 可选进入和退出待机功率电平的增强型主动突发模式，其最低待机功率小于 100 mW• 数字降频模式，提高整体系统效率 • 借助共源共栅配置实现快速启动 • 支持频率抖动和软栅极驱动，实现低 EMI • 集成误差放大器• 具备交流输入过压保护，提供全面防护 • 无铅电镀、无卤模塑化合物，符合 RoHS 标准特性• 可选进入和退出待机功率电平的增强型主动突发模式• 数字频率降低，提高整体系统效率 • 借助共源共栅配置实现快速启动• 支持 DCM （非连续导通模式）和 CCM （连续导通模式）运行，具备斜坡补偿• 支持频率抖动和软栅极驱动，实现低 EMI • 内置数字软启动• 集成误差放大器，在非隔离反激式架构中支持直接（原边）反馈• 具备交流输入过压保护、V CC 过压、V CC 欠压、过载/开路及过温保护机制，提供全面防护• 所有保护功能均处于自动重启模式 • 受限的V CC 短接至地的充电电流应用• 适用于家用电器/白色家电、电视、电脑及服务器的辅助电源• 蓝光播放器、机顶盒和 LCD/LED 显示器产品验证完全符合 JEDEC 工业应用标准要求描述ICE5xSAG 是第五代固定频率 PWM 控制器，支持共源共栅配置，并针对离线开关模式电源进行了优化。

其共源共栅配置亦可实现快速启动。

器件通过降低频率并软化栅极驱动和频率抖动，进而在低负载和 50% 负载之间实现低 EMI 效果，并提高了效率。

产品支持主动突发模式，可选进入和退出待机功率，输出电压纹波小且可控，因此可在待机模式下具备较高的灵活性和极低功耗。

此外， ICE5xSAG 有宽的供电电压工作范围 (10.0～25.5 V)，功耗较低。

产品具备诸多保护功能，提供可调交流输入过压保护，可在故障情况下为电源系统提供全面防护。

凭借上述特性，第五代 ICE5xSAG 系列得以成为市面上用于固定频率反激式转换器的理想 PWM 控制器。

英飞凌EiceDRIVER™门极驱动芯片2尊敬的客户及合作伙伴：您好！电力电子应用需要用到功率器件开关，而功率器件开关需要最合适的门极驱动解决方案。

电池驱动的应用、小型和大型家电、计算和电信服务器、电动车充电桩、太阳能和机器人等应用都电路设计有特殊的需求。

合适的门极驱动配置对于所有功率器件——无论是分立式还是功率模块——都至关重要。

运用最新技术的分立式器件——包括CoolMOS™和OptiMOS™ MOSFET、TRENCHSTOP™IGBT、CoolGaN™氮化镓HEMT、CoolSiC™碳化硅MOSFET——以及开放框架模块(如Easy、Econo功率模块)，都需要细调门极驱动电路才能充分发挥出它们的能力。

针对CoolGaN™和CoolSiC™等新式宽带隙功率器件，我们最常被问及的问题之一是“你们是如何驱动它们的呢？”英飞凌门极驱动提供从0.1 A到10 A的一系列典型的输出电流选项，适用于任何功率器件型号。

快速短路保护、可编程的死区时间、直通短路保护及有源关断等全面的门极驱动保护功能，使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和CoolSiC™在内的所有功率器件。

英飞凌门极驱动还具备集成自举二极管、使能、故障报告、输入过滤器、OPAMP和DESAT保护等更先进的功能。

有源米勒箝位，和独立的拉/灌电流输出引脚功能，还有助于提高设计的灵活性。

英飞凌EiceDRIVER™系列门极驱动让客户更容易驱动所有功率器件和功率模块。

针对电气隔离需求，英飞凌既提供基础型隔离产品，也提供增强型隔离产品。

我们始终坚守承诺，让英飞凌成为品质的代名词。

英飞凌拥有现代化的前瞻性质量管理体系，可通过将客户需求转化为实实在在的行动来支持公司的卓越运营。

我们致力于在成本、质量和上市时间上做到一流。

英飞凌的质量方针相当于一个安全屏障，能够避免以牺牲品质为代价来提高生产率。

英飞凌是功率半导体解决方案全球领先的供应商之一，可让您的生活更轻松、更安全、更环保。

压力传感器的种类及选用[工程类精品文档]本文内容极具参考价值,如若有用,请打赏支持,谢谢!【学员问题】压力传感器的种类及选用？【解答】压力传感器及变送器分为表压、尽压、差压等种类。

常见0.1、0.2、0.5、1.0等精度等级。

可丈量的压力范围很宽，小到几十毫米水柱，大的可达上百兆帕。

不同种类压力传感器及变送器的工作温度范围也不同，常分成0~70℃、-25~85℃、-40~125℃、-55~150℃几个等级，某些特种压力传感器的工作温度可达400~500℃。

压力传感器及变送器基于不同的材料及结构设计有着不同的防水性能及防爆等级，接液腔体由于材料、外形的差异可丈量的流体介质种类也不同，常分为干燥气体、一般液体、酸碱腐蚀溶液、可燃性气液体、粘稠及特殊介质。

压力传感器及变送器作为一次仪表需与二次仪表或计算机配合使用，压力传感器及变送器常见的供电方式为：DC5V、12V、24V、±12V等，输出方式有：0~5V、1~5V、0.5~4.5V、0~10mA．0~20mA．4~20mA等及Rs232、Rs485等与计算机的接口。

用户在选择压力传感器及变送器时，应充分了解压力丈量系统的工况，根据需要公道选择，使系统工作在最佳状态，并可降低工程造价。

1.常见精度参数及试验设备传感器静态标定设备：活塞压力计：精度优于0.05%数字压力表：精度优于0.05%直流稳压电源：精度优于0.05%传感器温度检验设备：高温试验箱：温度从0℃～+250℃温度控制精度为±1℃低温试验箱：温度能从0℃～-60℃温度控制精度为±1℃传感器静态性能试验项目：零点输出、满量程输出、非线性、迟滞、重复性、零点漂移、超复荷。

传感器环境试验项目：零点温度漂移、灵敏度漂移、零点迟滞、灵敏度迟滞。

（检查产品在规定的温度范内对温度的适应能力。

此项参数对精度影响极为重要）2.留意事项在安装使用前应具体阅读产品样本及使用说明书，安装时压力接口不能泄露，确保量程及接线正确。

英飞凌IGBT模块变频器选型表变频器的开关频率相对来说比较低，大部分开关频率fk<8KHz，因此应选择低饱和压降型IGBT；也有一些应用中其开关频率fk 高达15KHz 左右，这时就应选择高频型IGBT模块，即选用英飞凌“KT3”或“DN2”系列IGBT。

下面列出在正常环境下，强迫风冷的散热条件下，变频器推荐选用英飞凌IGBT 型号，如果散热条件更好（或更差的冷却条件），则可考虑采用电流值更小（或更大）的IGBT模块。

检测设计是否合理的简单方法是：逆变器加热到额定功率，达到热稳定后散热器的最高温度不超过80℃，一般选用75℃作为散热器温度继电器的保护点。

英飞凌大多数用于变频器的IGBT模块均内置NTC 温度传感器，NTC 更有效地检测到IGBT模块的壳温，建议这个过温点可设计在90℃以下。

表1 变频器选用英飞凌IGBT模块推荐表凌FF450R12ME3(两单元)或FS450R12KE3(六单元)，其特点是内部封装电感低，结构易于并联。

若要求更高的可靠性，可选择英飞凌大功率IGBT模块(IHM)，它采用AlSiC 基版，耐热循环能力比铜基版高，反并联续流二极管(F.W.D)容量更大。

英飞凌IHM IGBT模块两单元可达到1200A, 1700V (FF1200R17KE3);一单元IGBT模块可达到3600A、1700V(FZ3600R17KE3)。

对于经整流后的直流母线电压大于750V 的电力电子设备或多电平级联方式中高压变频器可选用下列英飞凌IGBT 系列。

详细英飞凌IGBT模块产品目录可参阅：BSM75GB170DN2 34mm 两单元 75A，1700VBSM100GB170DLC 62mm 两单元 100A，1700VBSM150GB170DLC 62mm 两单元 150A，1700VFF200R17KE3 62mm 两单元 200A，1700VFF300R17KE3 62mm 两单元 300A，1700VBSM300GA170DLS 62mm 一单元 300A，1700VBSM400GA170DLS 62mm 一单元 400A，1700V注：“S”代表“DLC”＋集电极引出端。

Dear customer,The time of a truly connected real and digital world hasarrived. Since the last edition of this brochure, the world aswe knew it significantly changed due to the pandemic, posingnew challenges in both our private and our professional lives.But new opportunities arose as well. The transformationinto a more digital and connected life accelerated at a never-before-seen pace. Humanity relies on technology morethan ever - for interactions, productivity, and efficiency. Andtechnology depends on reliable, highly efficient, and high-performance semiconductor solutions.The way we work may have changed, but one thing remainedunchanged: At Infineon, we put our customers at the heart of whatwe do. We keep them at the forefront of all decisions we make.The acquisition of Cypress Semiconductor in 2020 was animportant step for us. It was the latest stage in our journeyto offering an unparalleled range of hardware, software, andsecurity solutions to meet our customers’ needs. These needshave always been the key drivers behind our innovations anddevelopments. We enabled system performance optimizationthrough groundbreaking packaging concepts. We created newproducts which are smaller and deliver more. We expandedour manufacturing capabilities and global manufacturingfootprint. We used our 40 years of know-how and deepsystem understanding to develop our next-generationsilicon and wide-bandgap power portfolio, and our cutting-edge sensor offering. All the investments we make and allthe features we build into our solutions aim to translateinto benefits for our customers. We want to enable YOU toleapfrog your competition.The Power and Sensing Selection Guide is intended to helpyou find the best-fit solutions for your needs. With thiscatalog, we remove choice overload and decision stressby arranging our broad cutting-edge portfolio and game-changing solutions around applications and technologies ina synthesized and easy-to-digest format.Explore our comprehensive selection of power and sensorsystem solutions that make life easier, safer, and greener.尊敬的顾客， 现实世界与数字世界真正互联的时代已经到来。

EconoPIM ™3 模块 采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管带有温度检测NTC 特性•电气特性-V CES = 1200 V-I C nom = 150 A / I CRM = 300 A -沟槽栅IGBT7-过载操作达175°C -低 V CEsat•机械特性-集成NTC 温度传感器-PressFIT 压接技术-铜基板-低热阻的三氧化二铝 Al 2O 3 衬底可选应用•辅助逆变器•电机传动•伺服驱动器产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068 标准的相关测试，符合工业应用的要求。

描述FP150R12N3T7_B11EconoPIM ™3 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4二极管,整流器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5IGBT, 制动-斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6二极管，制动-斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8 7负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 8特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 9电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 10封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17 11模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .201封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5kV 模块基板材料Cu内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)Al2O3爬电距离d Creep端子至散热器10.0mm 电气间隙d Clear端子至散热器7.5mm 相对电痕指数CTI > 200相对温度指数 (电)RTI封装140°C 表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE25nH 模块引线电阻,端子-芯片R AA'+CC'T C=25°C, 每个开关 1.1mΩ模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T C=25°C, 每个开关 1.6mΩ储存温度T stg-40125°CM5, 螺丝36Nm 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装重量G300g 注:The current under continuous operation is limited to 50 A rms per connector pin2IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T C = 80 °C150A 集电极重复峰值电流I CRM t p受限于 T vj op300A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 150 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.55 1.80VT vj = 125 °C 1.69T vj = 175 °C 1.77栅极阈值电压V GEth I C = 3.5 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V 2.5µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C1Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V30.1nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.105nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.012mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 150 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 3.3 ΩT vj = 25 °C0.172µs T vj = 125 °C0.183T vj = 175 °C0.189上升时间(感性负载)t r I C = 150 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 3.3 ΩT vj = 25 °C0.072µs T vj = 125 °C0.077T vj = 175 °C0.080关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 150 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 3.3 ΩT vj = 25 °C0.331µs T vj = 125 °C0.414T vj = 175 °C0.433下降时间(感性负载)t f I C = 150 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 3.3 ΩT vj = 25 °C0.103µs T vj = 125 °C0.198T vj = 175 °C0.262开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 150 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 3.3 Ω, di/dt =1700 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C16.6mJ T vj = 125 °C24.9T vj = 175 °C29.6关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 150 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 3.3 Ω, dv/dt =3200 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C10.4mJ T vj = 125 °C15.9T vj = 175 °C19.9(待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C520At P≤ 7 µs,T vj=175 °C490结－外壳热阻R thJC每个 IGBT0.290K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个 IGBT, λgrease= 1 W/(m*K)0.0680K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F150A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms300A I2t-值I2t t P = 10 ms, V R = 0 V T vj = 125 °C2700A²sT vj = 175 °C2250表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 150 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72 2.10VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52反向恢复峰值电流I RM V R = 600 V, I F = 150 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1700 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C65.3A T vj = 125 °C91.8T vj = 175 °C107恢复电荷Q r V R = 600 V, I F = 150 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1700 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C10.3µC T vj = 125 °C21.7T vj = 175 °C28.6(待续)表 6(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复损耗（每脉冲）E rec V R = 600 V, I F = 150 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1700 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.27mJ T vj = 125 °C7.32T vj = 175 °C9.88结－外壳热阻R thJC每个二极管0.463K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个二极管, λgrease= 1 W/(m*K)0.0698K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.4二极管,整流器表 7最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1600V 最大正向均方根电流(每芯片)I FRMSM T C = 100 °C150A最大整流器输出均方根电流I RMSM T C = 100 °C150A正向浪涌电流I FSM t P = 10 ms T vj = 25 °C1600AT vj = 150 °C1400I2t-值I2t t P = 10 ms T vj = 25 °C12800A²sT vj = 150 °C9800表 8特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 150 A T vj = 150 °C0.97V 反向电流I r T vj = 150 °C, V R = 1600 V1mA 结－外壳热阻R thJC每个二极管0.333K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个二极管, λgrease= 1 W/(m*K)0.0670K/W 允许开关的温度范围T vj, op-40150°C5IGBT, 制动-斩波器表 9最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T C = 90 °C100A 集电极重复峰值电流I CRM t p受限于 T vj op200A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 10特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 100 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.50 1.80VT vj = 125 °C 1.64T vj = 175 °C 1.72栅极阈值电压V GEth I C = 2.5 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V 1.8µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C 1.5Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V21.7nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.076nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.01mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 4.3 ΩT vj = 25 °C0.169µs T vj = 125 °C0.180T vj = 175 °C0.187上升时间(感性负载)t r I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 4.3 ΩT vj = 25 °C0.063µs T vj = 125 °C0.067T vj = 175 °C0.070关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 4.3 ΩT vj = 25 °C0.310µs T vj = 125 °C0.390T vj = 175 °C0.410下降时间(感性负载)t f I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 4.3 ΩT vj = 25 °C0.110µs T vj = 125 °C0.190T vj = 175 °C0.250(待续)表 10(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 100 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 4.3 Ω, di/dt =1100 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C7.12mJ T vj = 125 °C11.7T vj = 175 °C14.5关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 100 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 4.3 Ω, dv/dt =2800 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 6.93mJ T vj = 125 °C10.6T vj = 175 °C13.3短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C370At P≤ 7 µs,T vj=175 °C350结－外壳热阻R thJC每个 IGBT0.373K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个 IGBT, λgrease= 1 W/(m*K)0.0680K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.6二极管，制动-斩波器表 11最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F50A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms100A I2t-值I2t t P = 10 ms, V R = 0 V T vj = 125 °C220A²sT vj = 175 °C200表 12特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 50 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72 2.10VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52(待续)表 12(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复峰值电流I RM V R = 600 V, I F = 50 A,V GE = -15 V, -di F/dt = 550A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C37.3A T vj = 125 °C44.3T vj = 175 °C49.6恢复电荷Q r V R = 600 V, I F = 50 A,V GE = -15 V, -di F/dt = 550A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.86µC T vj = 125 °C7.05T vj = 175 °C10.1反向恢复损耗（每脉冲）E rec V R = 600 V, I F = 50 A,V GE = -15 V, -di F/dt = 550A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.13mJ T vj = 125 °C 2.34T vj = 175 °C 3.23结－外壳热阻R thJC每个二极管0.909K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个二极管, λgrease= 1 W/(m*K)0.109K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.7负温度系数热敏电阻表 13特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C5kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-55%耗散功率P25T NTC = 25 °C20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))]3375K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))]3411K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))]3433K 注:根据应用手册标定7 负温度系数热敏电阻9电路拓扑图图 110封装尺寸图 211 模块标签代码11模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明0.102021-08-23Initial version1.002022-03-28Final datasheet商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。