模拟电子技术 随堂练习

模拟电子技术单选考试模拟题（含答案）一、单选题（共100题，每题1分，共100分）1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。

（）A、对 :B、错正确答案：A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

A、仍为正弦波。

B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案：D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案：A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

（）A、错B、对 :正确答案：A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案：B8、N型半导体中的多数载流子是（）A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案：C9、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案：C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。

A、共模B、模拟C、差模正确答案：A11、理想集成运放的输出电阻为（）。

A、不定。

B、∞；C、0；正确答案：C12、PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。

A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案：D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案：C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。

2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。

填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。

i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。

1. 自然界中的物质不是按照导电性能分类的是（）。

A．导体B．绝缘体C．半导体D．单向导电PN结展参考答案：D2.(单选题)2. 电子体温计是利用半导体的（）电子器件来测量体温。

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.单向导电性参考答案：A3.(单选题)3. 太阳能电池是利用半导体的（）特性制造成器件。

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.单向导电性参考答案：B4.(单选题)4. 各种半导体器件是利用半导体的（）特性制造成器件。

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.单向导电性答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.(单选题)5. 半导体的导电能力( )。

A. 与导体相同B. 与绝缘体相同C. 介乎导体和绝缘体之间D. 常温下非常高答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：6.(单选题)6. 将PN结加适当的正向电压时，空间电荷区将( )。

A. 变窄B.变宽C.基本不变D.不确定答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A7.(单选题)7. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A. 增大B.减小C.基本不变D.不确定答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题)8.二极管完全导通时在二极管两端存在正向导通压降，硅二极管正向导通压降为（）。

A.0.1~0.3VB.0.3~0.5VC. 0.6~0.7VD. 0.7~1V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：9.(单选题)9. 二极管电路如图1-1所示，二极管D1、D2为理想二极管，判断图中二极管工作状态（）。

A. D1和D2都导通B. D1和D2都截止C. D1导通，D2截止D. D1截止，D2导通答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：10.(单选题)10. 二极管电路如图1-2所示，二极管为硅二极管，二极管的工作状态是（）。

《模拟电子技术》随堂练习参考答案1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4.(单选题) 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V 的电路是( )。

答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.(单选题) 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.(单选题) 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。

A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。

A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。

模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。

（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。

（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。

（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。

（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。

（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。

（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。

（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。

（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。

（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。

A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。

A.阻当层不变，反向电流基本不变B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大D.阻当层变厚，反向电流减小作业1-2一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。

A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。

A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。

A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。

流出三极管 e、c、b 流进三极管 e、c、b流出三极管 c、e、b 流进三极管 c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

参考答案：A. B. C. D. 参考答案：A. B. C. D. 参考答案：参考答案：A. B. C. D. 参考答案：参考答案：A. B. C. D.参考答案：9.(单选题)9. 二极管电路如图1-1所示，二极管D1、D2为理想二极管，判断图中二极管工作状态（）。

A. D1和D2都导通B. D1和D2都截止C. D1导通，D2截止D. D1截止，D2导通答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：10.(单选题)10. 二极管电路如图1-2所示，二极管为硅二极管，二极管的工作状态是（）。

A. 正向导通B.反向截止C. 反向击穿D.电流为零答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：A. 电流正常B.电流过大使管子烧坏C. 反向击穿D.电流为零答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：12.(单选题)12. 电路如图1-4所示，二极管是硅管，死区电压是0.7V，电路中的U0值是（）。

A. 20.7VB.19.3VC. 10VD. -10.7V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：13.(单选题)13.电路如图1-5所示，二极管导通电压UD约为0.7V。

当开关S断开时输出电压UO数值是( )。

A. 18VB. 6.7VC. 6VD. 5.3V答题： A. B. C. D. （已提交）14.(单选题)14.电路如图1-6所示，二极管导通电压UD约为0.7V。

当开关S闭合时输出电压UO数值是( )。

A. 18VB. 12VC. 6.7VD. 5.3V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：15.(单选题)15.电路如图1-7所示，设二极管均为理想元件，当输入电压时，输出电压最大值是( )。

A. 15VB.10VC. 5VD. -5V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：16.(单选题)答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：参考答案：A. B. C. D.参考答案：答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：20.(单选题)20.电路如图1-10所示，其中限流电阻R=2KΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V，正向压降为0.7V，动态电阻可以忽略。

第1章常用半导体器件A. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：Cui=10sin tVA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：D稳定电压与相应电流稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZA. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：C是指A. B. D. 参考答案：BA. B.C.A. B. C. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：B约A. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：C.A. B. D. 参考答案：AA.6VB.0VC.0.6VD.5.3VA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：A确定电压放大倍数A. B. D.参考答案：C管子的值太小电路电源电压太高偏置电阻太小偏置电阻太大A. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：B第二级的基极电流随之而改变(..)第二级的静态电流不改变但要改变A. B. C. D.参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D.参考答案：DA. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：D.时的输出电压A. B. D.参考答案：DA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CB.A. B. D.参考答案：C若将源极旁路电容去掉A. B. C. D.参考答案：B约几十微法大于 C.小得多A. B. D.参考答案：C等于A. C.A. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. C. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CA. B. C. D.参考答案：C.A. B. C.A. B. D.参考答案：D一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为.A. B. C.A. B. C. D.参考答案：C反馈电压反馈电压反馈电压A. B. D.参考答案：C一个正弦波振荡器的反馈系数.开环电压放大倍数必须等于A. B. C.A. B. C. D.参考答案：C答题： A. B. C. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：AA. B. C. D.参考答案：B..消耗的功率为A. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.A. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D.参考答案：A.弦信号A. B. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：A≤0.2sin出A.12sin V C.A. B. D.参考答案：CA. B. C. D.A. B. C. D.参考答案：B静态时电容两端的电压等于A. B. C. D.A. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：B设变压器副边电压有效值为.输出电流平均值为。

专科《模拟电子技术》模拟题试卷一.（共60题,共150分）1.理想的功率放大电路应工作于()状态。

（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案：C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。

（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案：A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。

（2分）A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案：B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是()。

（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案：C5.为了提高电压放大倍数，希望放大电路的()大一些。

（2分）A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案：D6.当PN给外加反向电压时，其内部的扩散电流将()漂移电流。

此时，耗尽层的宽度将()。

（2分）A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案：C7.差动放大电路的特点是抑制()信号，放大()信号。

（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案：B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位()。

（2分）A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案：A9.直流电源滤波的主要目的是：()。

（2分）A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案：D10.电路如图所示。

若V1管正负极接反了，则输出()。

（2分）A.只有半周波形B.全波整流波形，但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案：D11.双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。

场效应管是控制器件。

（2分）★检查答案标准答案：1.电流;2.正向;3.反向;4.电压;12.在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。

电工电子技术模拟考试题+参考答案一、单选题（共37题，每题1分，共37分）1.纳入IP数据网的红外故障,IP网管机房人员要利用PING命令在( )内判断出故障区段,是属于IP网络故障还是地区接入或终端故障。

A、2分钟B、5分钟C、10分钟D、3分钟正确答案：B2.275W扩音机的杂音电平的标准是( )。

A、≤-40dBB、≤-80dBC、≤-60dBD、≤-56dB正确答案：C3.音频分机通常使用的晶体管有( )二极管。

A、普通B、检波C、稳压D、发光正确答案：C4.网管终端操作用户登录后,可以修改自己的( )。

A、维护级别B、维护权限C、登录密码D、登录权限正确答案：C5.事故发生在区间,应在1h内开通电话、( )内开通图像A、1.5hB、2hC、45minD、30min正确答案：B6.列车广播工区对管内设备每列车底,每年( ),要对广播机使用情况进行添程检查。

A、1—2次B、3次C、4次D、5次正确答案：A7.数据网日常监测维护里的数据的维护管理的周期是。

( )A、每周2次B、每日1次C、每周1次D、每日2次正确答案：C8.(考题) 郑西线北电BTS9000出现“Blockedairinlet”告警最可能是( )模块引发的。

A、DDMB、RICAMC、SICSD、RMBlockedairinlet:堵塞的空气入口正确答案：C9.非均匀量化的实现方式是采用了什么技术( )A、编码解码技术B、扩频解频技术C、压缩扩张技术D、调制解调技术正确答案：C10.我国PCM一次群速率为( )。

A、2048Kb/sB、64Kb/sC、16Kb/sD、1024Kb/s正确答案：A11.铁路IP骨干网分二层结构:核心层、( )接入层。

A、数据层B、作业层C、管理层D、汇聚层正确答案：D12.OSPF路由协议报文在IP包中的协议号是 ( )。

A、65B、86C、3D、89正确答案：D13.在internet的基本服务功能中,远程登录所使用的命令是( )。

模拟电子技术自测题一一.填空题：(20分)1. PN结伏安特性方程为I=_____________________。

2.高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN结存在___________(A. 结电容B. 反向击穿C. 单向导电性)。

3.温度升高时，二极管的正向导通压降将。

(A.增大B. 减小C. 不变)4.单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和B 截止C 交越D 频响）。

5.放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。

6.100μV～10V范围内的音频信号, 经过_____(A.对数B.指数C.乘法)运算电路处理后，可以用0V～10V范围的电压表反映。

二．分析计算题：1．(18分)图示单管共射电路中，已知晶体管β=100，rbb'=200，（1）求ICQ ,UCEQ（2）求rbe(3) 画出微变等效电路(4) 求Au，Ri4．(10分)图示放大电路中，试求电压放大倍数Au （Au=21Ui Ui Uo -）参考答案一． 填空题：1．)1(/-=T U U S e I I1．A2．B3．A B4．A5．A6．C二．分析计算题1．（1）I CQ =2mA, U CEQ =3.32V （2）r be =1.3k （3）（4）Au=-163，Ri=1.3k ，Ro=4.3k4．Au=21Ui Ui Uo -=1+R4/R3模拟电子技术自测题二一.填空题：(20分)1. 温度升高时，三极管的β将要。

(A.增大B. 减小C. 不变)2. 多级放大器的级间耦合方式有_____________ 、_______________和____________________等三种。

3. 如果测得三极管的三个引脚电压分别为U1=0.7V, U2=0V , U3=5V, 则引脚1,2,3分别为___、____和_____极。

第一部分电子技术第一章数字电路一、判断题（√）1、逻辑运算中，能把所有可能条件组合及其结果——对应列出的表格称为真值表。

（√）2、带有放大环节的稳压电源其放大环节的放大倍数越大，输出电压越稳定。

（√）3、逻辑电路中的与门和或门是相对的，即正与门就是负或门，正或门就是负与门。

（√）4、单稳态电路输出脉冲宽度取决于充电电容的大小。

（√）5、与非门的多余端不允许接地。

（×）6、用偶数个与非门首尾相接可组成环形多谐振荡器。

（√）7、凡具有两个稳定状态的器件都可构成二进制计数器。

（×）8、TTL与非门输入端同时悬空时，相当于输入端不加电平，故输出为高电平。

（√）9、使用TTL数字集成电路时，电源电压极性不能接反，其额定值为5V。

（×）10、若一个异或门的两个输入端的电平相同，即同为高电平或同为低电平，则输出为高电平。

（√）11、异步计数器各个触发器之间的翻转是不同步的，与CP脉冲也是不同步的。

（√）12、要将变化缓慢的电压信号整形成脉冲信号，应采用施密特触发器。

（×）13、将尖顶波变换成与它对应的等宽的脉冲，应采用单稳态触发器。

（×）14、TTL数字集成电路中，或门不使用的输入端接高电平。

（√）15、环形计数器实际上是一个自循环的移位寄存器。

（√）16、一个触发器可以存储一位二进制代码，用N个触发器就可以存储N位二进制代码。

（√）17、用二进制代码表示具有某种含义的信息称为编码。

在数字电路中，能实现编码功能的电路称编码器。

（×）18、主一从J－K触发器的输出状态中有土个是不确定的状态。

（×）19、寄存器存放数码的串行方式是数码各位从各对应位输入端同时输入到寄存器中。

二、单项选择题l、具有记忆功能的电路是( D )。

A：与非门B：异或门C：加法器D：触发器2、组合电路是由( B )组成的。

A：存储电路B：门电路C：逻辑电路D：数字电路3、下列逻辑电路错误的是( B )。

华工模拟电子技术随堂练习————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：第1章常用半导体器件当前页有8题，你已做8题，已提交8题，其中答对8题。

1.N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电参考答案：C2.将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变参考答案：B3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小参考答案：C4.电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV时，输出电压最大值为10V的电路是()。

参考答案：C5.电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V参考答案：D6.稳压管的动态电阻rZ是指()。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案：B7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。

A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极8.参考答案：B8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。

A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管参考答案：A第2章基本放大电路当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。

1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。

A.反向B.近似等于零C.不变D.增大参考答案：B2.晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。

模拟电子技术基础部分模拟考试题（含答案）一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管( )A、集电极电压UCE上升B、集电极电压UCE下降C、基极电流不变D、以上答案均不正确正确答案：B2、对于放大电路，所谓开环是指( )。

A、无信号源B、无负载C、无反馈通路D、无电源正确答案：C3、反向比例运算放大器实质上是 ( )A、深度电压串联负反馈B、电流负反馈C、电压负反馈放大器D、深度电压并联负反馈正确答案：D4、在放大电路中,如果希望输出电压受负载影响较小，同时对信号源的影响也要小，则附引入负反锁的类型是( )A、电流并联B、电流申联C、电压申联D、电压并联正确答案：B5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的 ( )。

A、0.5倍B、0.1倍C、0.7倍D、0.9倍正确答案：C6、有电流放大、无电压放大的电路是 ( )放大电路.A、共集电极B、基本共射C、共基极D、分压式偏置正确答案：A7、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 ( )。

A、共基放大电路B、差动放大电路C、共射放大电路D、共集放大电路正确答案：C8、用文字符号法表示电阻器的阻值时,中间的“R"表示( )。

A、103ΩB、109ΩC、ΩD、106Ω正确答案：C9、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A10、电阻器上标有“2R7”的含义是 ( )A、27B、27KC、2.7D、2.7K正确答案：C11、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门坎电压时，则晶体二极管相当 ( )A、大电阻B、断开的开关C、接通的开关D、以上答案均不正确正确答案：C12、识别发光二极管极性时，可以从外形来判断，以下正确的是( )。

A、引脚短的为正极B、无法判断C、引脚长的为正极D、没有正负正确答案：C13、直流稳压电源中滤波电路的作用是( )A、稳压B、将交流变为直流C、将高频变为低频D、将交、直流混合量中的交流成分滤掉正确答案：D14、在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是( )。

模拟电子技术第1章常用半导体器件1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4.(单选题) 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV时，输出电压最大值为10V的电路是( )。

答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.(单选题) 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.(单选题) 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。

A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。

A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：第2章基本放大电路1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。

习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。

（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。

（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。

（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。

（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。

（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。

（）（6）在集成电路中元件的对称性差。

（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。

（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。

A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。

A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。

A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。

各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。

题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。

模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。

试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解：对于（a ）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。