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半导体材料课程教学大纲一、课程说明（一）课程名称：半导体材料所属专业：微电子科学与工程课程性质：专业限选学分： 3（二）课程简介：本课程重点介绍第一代和第二代半导体材料硅、锗、砷化镓等的制备基本原理、制备工艺和材料特性，介绍第三代半导体材料氮化镓、碳化硅及其他半导体材料的性质及制备方法。
目标与任务：使学生掌握主要半导体材料的性质以及制备方法，了解半导体材料最新发展情况、为将来从事半导体材料科学、半导体器件制备等打下基础。
（三）先修课程要求：《固体物理学》、《半导体物理学》、《热力学统计物理》；本课程中介绍半导体材料性质方面需要《固体物理学》、《半导体物理学》中晶体结构、能带理论等章节作为基础。
同时介绍材料生长方面知识时需要《热力学统计物理》中关于自由能等方面的知识。
（四）教材：杨树人《半导体材料》主要参考书：褚君浩、张玉龙《半导体材料技术》陆大成《金属有机化合物气相外延基础及应用》二、课程内容与安排第一章半导体材料概述第一节半导体材料发展历程第二节半导体材料分类第三节半导体材料制备方法综述第二章硅和锗的制备第一节硅和锗的物理化学性质第二节高纯硅的制备第三节锗的富集与提纯第三章区熔提纯第一节分凝现象与分凝系数第二节区熔原理第三节锗的区熔提纯第四章晶体生长第一节晶体生长理论基础第二节熔体的晶体生长第三节硅、锗单晶生长第五章硅、锗晶体中的杂质和缺陷第一节硅、锗晶体中杂质的性质第二节硅、锗晶体的掺杂第三节硅、锗单晶的位错第四节硅单晶中的微缺陷第六章硅外延生长第一节硅的气相外延生长第二节硅外延生长的缺陷及电阻率控制第三节硅的异质外延第七章化合物半导体的外延生长第一节气相外延生长（VPE）第二节金属有机物化学气相外延生长（MOCVD）第三节分子束外延生长（MBE）第四节其他外延生长技术第八章化合物半导体材料（一）：第二代半导体材料第一节 GaAs、InP等III-V族化合物半导体材料的特性第二节 GaAs单晶的制备及应用第三节 GaAs单晶中杂质控制及掺杂第四节 InP、GaP等的制备及应用第九章化合物半导体材料（二）：第三代半导体材料第一节氮化物半导体材料特性及应用第二节氮化物半导体材料的外延生长第三节碳化硅材料的特性及应用第十章其他半导体材料第一节半导体金刚石的制备及应用第二节低维半导体材料及应用第三节有机半导体材料（一）教学方法与学时分配按照教材中的内容，通过板书和ppt进行讲解。
半导体工艺课程设计一、课程目标知识目标：1. 让学生理解半导体的基本概念、性质和分类，掌握半导体材料的生长、制备和加工工艺。
2. 使学生了解半导体器件的原理、结构和工作特性，掌握常见半导体器件的制造工艺。
3. 引导学生掌握半导体集成电路的制备工艺，了解现代半导体工艺技术的发展趋势。
技能目标：1. 培养学生运用半导体工艺知识解决实际问题的能力，提高实验操作技能。
2. 培养学生通过查阅资料、开展小组讨论等方式，对半导体工艺进行自主学习和研究的能力。
情感态度价值观目标：1. 激发学生对半导体工艺的兴趣，培养其探索精神和创新意识。
2. 培养学生严谨的科学态度和良好的团队协作精神，使其具备一定的工程伦理观念。
课程性质分析：本课程为高中年级的选修课程，旨在让学生了解半导体工艺的基本知识，培养其实践操作能力和创新意识。
学生特点分析：高中学生具有一定的物理、化学知识基础，思维活跃，好奇心强，具备一定的自主学习能力。
教学要求：1. 结合课本内容，注重理论与实践相结合，提高学生的知识运用能力。
2. 采用启发式教学，引导学生主动参与课堂讨论，培养其独立思考和解决问题的能力。
3. 注重团队合作，培养学生的沟通能力和协作精神。
二、教学内容1. 半导体基本概念：半导体材料的性质、分类及其应用。
教材章节：第一章第一节2. 半导体材料的生长与制备：晶体生长、外延生长、薄膜制备等工艺。
教材章节：第一章第二节、第三节3. 半导体器件工艺：二极管、晶体管、光电器件等的工作原理、结构及制造工艺。
教材章节：第二章4. 集成电路工艺：制备流程、光刻、蚀刻、掺杂、金属化等关键工艺技术。
教材章节：第三章5. 现代半导体工艺技术：FinFET、MEMS、化合物半导体等新型器件与工艺。
教材章节：第四章6. 实践教学：开展半导体器件制备、集成电路工艺流程等实验，提高学生的实践操作能力。
教材章节：第五章教学内容安排与进度：第一周：半导体基本概念及分类第二周：半导体材料的生长与制备第三周：半导体器件工艺第四周：集成电路工艺第五周：现代半导体工艺技术第六周：实践教学（实验一）第七周：实践教学（实验二）第八周：课程总结与评价教学内容注重科学性和系统性，结合教材章节，合理安排教学进度，确保学生能够逐步掌握半导体工艺知识。
半导体材料课程教学大纲半导体材料课程教学大纲一、课程说明（一）课程名称：半导体材料所属专业：微电子科学与工程课程性质：专业限选学分： 3（二）课程简介：本课程重点介绍第一代和第二代半导体材料硅、锗、砷化镓等的制备基本原理、制备工艺和材料特性，介绍第三代半导体材料氮化镓、碳化硅及其他半导体材料的性质及制备方法。
目标与任务：使学生掌握主要半导体材料的性质以及制备方法，了解半导体材料最新发展情况、为将来从事半导体材料科学、半导体器件制备等打下基础。
（三）先修课程要求：《固体物理学》、《半导体物理学》、《热力学统计物理》；本课程中介绍半导体材料性质方面需要《固体物理学》、《半导体物理学》中晶体结构、能带理论等章节作为基础。
同时介绍材料生长方面知识时需要《热力学统计物理》中关于自由能等方面的知识。
（四）教材：杨树人《半导体材料》主要参考书：褚君浩、张玉龙《半导体材料技术》陆大成《金属有机化合物气相外延基础及应用》二、课程内容与安排第一章半导体材料概述第一节半导体材料发展历程第二节半导体材料分类第三节半导体材料制备方法综述第二章硅和锗的制备第一节硅和锗的物理化学性质第二节高纯硅的制备第三节锗的富集与提纯第三章区熔提纯第一节分凝现象与分凝系数第二节区熔原理第三节锗的区熔提纯第四章晶体生长第一节晶体生长理论基础第二节熔体的晶体生长第三节硅、锗单晶生长第五章硅、锗晶体中的杂质和缺陷第一节硅、锗晶体中杂质的性质第二节硅、锗晶体的掺杂第三节硅、锗单晶的位错第四节硅单晶中的微缺陷第六章硅外延生长第一节硅的气相外延生长第二节硅外延生长的缺陷及电阻率控制第三节硅的异质外延第七章化合物半导体的外延生长第一节气相外延生长（VPE）第二节金属有机物化学气相外延生长（MOCVD）第三节分子束外延生长（MBE）第四节其他外延生长技术第八章化合物半导体材料（一）：第二代半导体材料第一节GaAs、InP等III-V族化合物半导体材料的特性第二节GaAs单晶的制备及应用第三节 GaAs单晶中杂质控制及掺杂第四节 InP、GaP等的制备及应用第九章化合物半导体材料（二）：第三代半导体材料第一节氮化物半导体材料特性及应用第二节氮化物半导体材料的外延生长第三节碳化硅材料的特性及应用第十章其他半导体材料第一节半导体金刚石的制备及应用第二节低维半导体材料及应用第三节有机半导体材料（一）教学方法与学时分配按照教材中的内容，通过板书和ppt进行讲解。
半导体物理教学大纲半导体物理教学大纲随着科技的不断进步，半导体技术已经成为现代社会中不可或缺的一部分。
而半导体物理作为半导体技术的基础，对于学生的学习和研究具有重要的意义。
因此，制定一份合理的半导体物理教学大纲是非常必要的。
一、引言在引言部分，我们可以简单介绍半导体物理的背景和重要性。
可以提到半导体在电子、通信、光电等领域的广泛应用，以及对于新一代技术的推动作用。
二、基础知识在这一部分，可以介绍半导体物理的基础知识，包括晶体结构、能带理论、载流子的运动等。
可以通过图表和实例来说明这些概念，让学生更好地理解和掌握。
三、半导体材料与器件这一部分可以详细介绍半导体材料的种类、特性以及制备方法。
可以涉及到硅、锗等常见的半导体材料，以及它们在电子器件中的应用。
同时，也可以介绍一些新型半导体材料的发展和应用前景。
四、半导体器件的工作原理在这一部分，可以详细介绍半导体器件的工作原理，包括二极管、晶体管、场效应管等。
可以通过图示和实验来说明这些器件的工作原理，让学生能够更加直观地理解。
五、半导体物理实验半导体物理实验是非常重要的一部分，可以帮助学生巩固所学的理论知识，并培养学生的实验操作和数据处理能力。
可以设计一些简单的实验，如测量半导体材料的电阻率、探究PN结的特性等。
六、半导体材料的应用在这一部分，可以介绍半导体材料在电子、通信、光电等领域的应用。
可以涉及到集成电路、光电器件、太阳能电池等。
通过介绍这些应用，可以让学生了解到半导体物理的实际应用价值。
七、未来发展在这一部分，可以展望半导体物理的未来发展方向。
可以介绍一些前沿的研究领域，如量子点、纳米材料等。
同时，也可以提到半导体技术对于新一代技术的推动作用，如人工智能、物联网等。
八、总结在总结部分，可以对整个教学大纲进行总结，强调半导体物理的重要性和应用前景。
同时，也可以鼓励学生对半导体物理进行深入研究，并为未来的科技发展做出贡献。
通过制定一份合理的半导体物理教学大纲，可以帮助学生系统地学习和掌握半导体物理的基础知识和实验技能，为他们未来的学习和研究打下坚实的基础。
半导体材料及IC工艺原理教学大纲课程名称：半导体材料及IC工艺原理课程代码：xxxxxx学时：48学时一、课程背景本课程是为了培养学生对半导体材料及IC工艺原理的基本理论和实际应用进行深入了解和掌握的能力，以满足现代电子科技快速发展的需求。
通过本课程的学习，学生将会掌握半导体材料的基本性质、半导体器件的制备工艺、集成电路的工艺流程和测试技术等知识，为日后从事电子材料开发和集成电路设计提供基础。
二、教学目标1.了解半导体材料的基本性质，包括电子结构、能带理论、迁移率等概念；2.掌握半导体器件的制备工艺，包括光刻、薄膜沉积、离子注入等；3.理解集成电路的工艺流程，包括电路设计、掩模制备、刻蚀、渗透等步骤；4.熟悉集成电路的测试技术，包括电学测试、光学测试、芯片分选等方法；5.培养学生问题解决能力和团队合作能力，通过实验和项目综合应用课程所学知识。
三、教学内容1.半导体材料的基本性质a.电子结构与带隙b.能带理论和载流子c.迁移率与禁带宽度等参数2.半导体器件的制备工艺a.光刻工艺与掩模制备b.步进曝光、薄膜沉积和刻蚀工艺的原理和实施c.离子注入和扩散工艺的基本原理和实践经验3.集成电路的工艺流程a.IC工艺设计与电路设计的基本原理b.掩模图形制备、光刻、刻蚀和薄膜沉积等工艺步骤分析c.渗透、退火、电镀和切割等关键步骤的原理和实践4.集成电路的测试技术a.电学测试方法与设备b.温度、光强和压力等外部环境因素对芯片性能的影响c.芯片分选和封测技术的基本原理和实施方法四、教学方法1.理论讲授：通过课堂讲解、讲义和多媒体等形式，传授半导体材料和IC工艺原理的基本概念和知识。
2.实验探究：组织学生开展实验实践活动，帮助他们理解和巩固课堂所学知识。
3.案例分析：通过真实案例的分析，引导学生理解半导体材料和IC 工艺原理在实际应用中的问题和解决思路。
4.综合应用：通过小组讨论、项目研究等方式，培养学生解决实际问题和团队合作的能力。
半导体制造工艺教案2半导体制造工艺教案2教案目标：1.了解半导体制造工艺的概念和基本流程。
2.了解半导体材料的特性及其在半导体制造过程中的应用。
3.学习半导体制造过程中的关键步骤和设备。
4.掌握半导体制造过程中常见的质量控制方法和技术。
教学内容：1.半导体制造工艺概述1.1半导体制造工艺的定义和基本流程1.2半导体材料的特性及其在制造过程中的应用2.半导体制造过程的关键步骤和设备2.1半导体晶体生长-蔡斯基法-溶液法-分子束外延法2.2微影和蚀刻-光刻技术-蚀刻技术2.3掺杂和扩散-掺杂技术-扩散技术2.4氧化和退火-氧化技术-退火技术2.5金属化和封装-金属化技术-封装技术3.质量控制方法和技术3.1检测和测试技术-光刻层厚度检测-晶格常数检测3.2质量控制方法-光谱分析-料浴分析教学过程：1.导入（10分钟）-老师简要介绍半导体制造工艺的重要性和应用领域。
-引导学生回顾上节课的内容，了解半导体制造工艺的基本概念。
2.授课（50分钟）2.1半导体制造工艺概述-老师讲解半导体制造工艺的定义和基本流程，并提供示意图加深学生对概念的理解。
-学生根据老师的讲解，整理笔记，并解答相关问题。
2.2半导体制造过程的关键步骤和设备-老师介绍半导体晶体生长的几种常用方法，以及微影、蚀刻、掺杂、扩散、氧化、退火、金属化和封装等关键步骤和设备。
-学生根据老师的讲解，整理笔记，并解答相关问题。
2.3质量控制方法和技术-老师介绍半导体制造过程中常见的检测和测试技术，如光刻层厚度检测和晶格常数检测。
-老师简要介绍半导体制造过程中常见的质量控制方法，如光谱分析和料浴分析。
-学生根据老师的讲解，整理笔记，并解答相关问题。
3.小结（10分钟）-老师对本节课的内容进行总结，并强调重要的知识点和技术。
-学生对本节课的内容进行回顾并提问，解决疑惑。
教学资源：1. PowerPoint或黑板2.教科书和参考书籍3.实验室设备和样品（可选）教学评估：1.教师通过课堂讲解和提问等方式，评估学生对半导体制造工艺概念和基本流程的掌握情况。
《半导体工艺技术》教学大纲（中文）一、课程名称（中英文）中文名称：半导体工艺技术英文名称：Semiconductor Manufacturing二、课程编码及性质课程编码：0800021课程性质：专业核心课，必修课三、学时与学分总学时：32学分：2.0四、先修课程大学物理，固体电子学基础，微电子学概论五、授课对象可供电子封装技术专业和材料科学与工程专业学生选修。
六、课程教学目的（对学生知识、能力、素质培养的贡献和作用）本课程是本专业的核心课程之一，其教学目的主要包括：1、了解集成电路工艺的发展历史和发展前沿，掌握行业方向和动态：2、掌握集成电路制造工艺及原理：3、掌握集成电路制造相关领域的新技术和新设备：4、培养工艺分析、设汁以及解决工艺问题和提髙产品质量的能力。
表1课程目标对毕业要求的支撐关系七、教学重点与难点：教学重点：重点要求学生掌握不同半导体工艺技术的原理和控制因素，通过这些工艺的组成来实现一定的器件结构。
教学难点：掌握器件结构和丄艺之间的关系，及其半导体工艺的组合应用。
八、教学方法与手段:教学方法：（1）采用现代化教学方法（含PPT演示，设备照片，影像资料等），阐述不同半导体工艺技术的原理和控制因素，保证主要教学内容的完成，这部分以课堂讲授为主；（2）适时安排课堂小测试和作业，使所学知识点能够融会贯通。
教学手段：（1）先介绍不同半导体工艺技术的原理和控制因素;（2）将器件与工艺结合起来，掌握一些器件的工艺实现方法。
（3）将器件性能与工艺、结构联系起来，初步了解器件的分析和设计思路。
九、教学内容与学时安排（1）总体安排教学内容与学时的总体安排，如表2所示。
（2）具体内容各章节的具体内容如下：1.半导体加工环境与衬底（4学时）了解半导体工业的发展历史，掌握微电子工艺对环境的基本要求：空气、水、气、化学试剂等。
掌握晶体生长技术（直拉法、区熔法），硅圆片制备及规格，晶体缺陷，硅中杂质。
2.热氧化（4学时）掌握SiCh结构及性质，硅的热氧化方程及其厚度计算方法，影响氧化速率的因素, 场氧化工艺，氧化缺陷，氧化工艺及设备。
半导体代工工艺课程设计一、课程目标知识目标：1. 让学生理解半导体的基本概念，掌握半导体材料的特点和分类。
2. 让学生了解半导体代工工艺的流程，掌握关键工艺步骤及其作用。
3. 使学生了解半导体器件的结构和原理，掌握常见半导体器件的应用。
技能目标：1. 培养学生运用半导体知识解决实际问题的能力，提高分析问题和解决问题的技巧。
2. 培养学生通过查阅资料、开展小组讨论等方式，自主学习和合作学习的能力。
3. 提高学生动手实践能力，通过实验课程，使学生能够独立完成半导体代工工艺的基本操作。
情感态度价值观目标：1. 培养学生对半导体科学技术的兴趣，激发学习热情，形成积极的学习态度。
2. 培养学生的团队合作意识，学会尊重他人，积极参与小组讨论和实践活动。
3. 引导学生关注半导体行业的发展，了解我国在半导体领域的成就和挑战，培养学生的家国情怀。
课程性质：本课程为高中年级电子技术课程，以理论教学和实践操作相结合的方式进行。
学生特点：高中年级学生具备一定的物理基础和动手能力，对新鲜事物充满好奇，喜欢探索和实践。
教学要求：注重理论与实践相结合，以学生为主体，充分调动学生的积极性和主动性，提高学生的知识水平和实践能力。
通过本课程的学习，使学生能够达到上述课程目标，为后续相关课程打下坚实基础。
二、教学内容本课程教学内容主要包括以下三个方面：1. 半导体基础知识：- 半导体的基本概念、特性及其分类；- 半导体物理基础，如能带理论、载流子输运等；- 常见半导体材料及其应用。
2. 半导体代工工艺：- 半导体器件的制作流程，包括晶圆制备、光刻、蚀刻、离子注入、金属化等关键工艺步骤；- 各个工艺步骤的原理、设备和技术要求；- 新型半导体代工技术的发展趋势。
3. 半导体器件与应用：- 常见半导体器件的结构、原理及其分类；- 重点介绍晶体管、二极管、MOSFET等器件的工作原理和应用；- 半导体器件在集成电路中的应用。
教学大纲安排如下：第一周：半导体基础知识学习，包括半导体概念、特性及其分类；第二周：半导体物理基础，如能带理论、载流子输运等；第三周：常见半导体材料及其应用；第四周：半导体代工工艺概述，介绍晶圆制备、光刻等工艺步骤；第五周：深入讲解各个工艺步骤的原理、设备和技术要求；第六周：半导体器件的结构、原理及其分类；第七周：晶体管、二极管、MOSFET等器件的工作原理和应用；第八周：半导体器件在集成电路中的应用及新型半导体代工技术的发展趋势。
《半导体制造工艺及设备》课程教学大纲《半导体制造工艺及设备》课程教学大纲课程类别：技术基础必修课课程代码：BT1410_2总学时：总学时48 （双语讲授48）适用专业：微电子制造工程先修课程：大学物理、半导体物理、微电子制造基础一、课程的地位、性质和任务本课程是微电子制造工程专业的一门必修的专业技术基础课。
其作用与任务是：使学生对集成电路制造工艺及其设备有一个比较系统、全面的了解和认识，初步掌握硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、化学机械平坦化等工艺及其设备，工艺集成以及CMOS工艺的基础理论。
二、课程教学的基本要求1.初步掌握半导体工艺流程的基本理论与方法；2.掌握半导体制造技术的基本工艺（硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、化学机械平坦化）及其设备；3.初步掌握工艺集成与当前最新的CMOS工艺流程。
三、课程主要内容与学时分配1、半导体制造概述3学时半导体制造在电子制造工程中的地位与概述、基本概念、基本内容2、硅材料制备3学时直拉法、区熔法3、氧化4学时氧化物作用、氧化原理、氧化方法、氧化工艺、氧化炉4、淀积5学时物理淀积与化学气相淀积（CVD）、淀积工艺、CVD淀积系统5、光刻8学时光刻胶、光刻原理、光刻工艺、光刻设备、先进光刻技术、光学光刻与软光刻。
6、刻蚀4学时刻蚀方法、干法刻蚀、湿法刻蚀、等离子刻蚀、刻蚀反应器7、离子注入3学时扩散、离子注入原理、离子注入工艺、离子注入机8、金属化4学时金属类型、金属化方案、金属淀积系统、铜的双大马士革金属化工艺9、化学机械平坦化（CMP）2学时传统平坦化技术、化学机械平坦化CMP工艺、CMP应用10、工艺集成4学时CMOS工艺流程、最新的CMOS工艺四、实验要求与试验内容由于目前实验条件所限，本课程暂无实验安排。
五、教学方法的原则建议教学重点：光刻与刻蚀。
教学难点：CMOS工艺流程。
教学方法提示与指导：教师备课时应多参考几本教材及最新科技动态和科研成果，特别是结合最新的CMOS工艺方法，本课程较抽象，应多采用电化教学、多媒体教学或到工厂实际参观，使学生能融会贯通。
《半导体集成电路》课程教学大纲（包括《集成电路制造基础》和《集成电路原理及设计》两门课程）集成电路制造基础课程教学大纲课程名称：集成电路制造基础英文名称：The Foundation of Intergrate Circuit Fabrication课程类别：专业必修课总学时：32 学分：2适应对象：电子科学与技术本科学生一、课程性质、目的与任务：本课程为高等学校电子科学与技术专业本科生必修的一门工程技术专业课。
半导体科学是一门近几十年迅猛发展起来的重要新兴学科，是计算机、雷达、通讯、电子技术、自动化技术等信息科学的基础，而半导体工艺主要讨论集成电路的制造、加工技术以及制造中涉及的原材料的制备，是现今超大规模集成电路得以实现的技术基础，与现代信息科学有着密切的联系。
本课程的目的和任务：通过半导体工艺的学习，使学生掌握半导体集成电路制造技术的基本理论、基本知识、基本方法和技能，对半导体器件和半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念，了解集成电路制造相关领域的新技术、新设备、新工艺，使学生具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。
并为后续相关课程奠定必要的理论基础，为学生今后从事半导体集成电路的生产、制造和设计打下坚实基础。
二、教学基本要求：1、掌握硅的晶体结构特点，了解缺陷和非掺杂杂质的概念及对衬底材料的影响；了解晶体生长技术（直拉法、区熔法），在芯片加工环节中，对环境、水、气体、试剂等方面的要求；掌握硅圆片制备及规格，晶体缺陷，晶体定向、晶体研磨、抛光的概念、原理和方法及控制技术。
2、掌握SiO2结构及性质，硅的热氧化，影响氧化速率的因素，氧化缺陷，掩蔽扩散所需最小SiO2层厚度的估算；了解SiO2薄膜厚度的测量方法。
3、掌握杂质扩散机理，扩散系数和扩散方程，扩散杂质分布；了解常用扩散工艺及系统设备。
4、掌握离子注入原理、特点及应用；了解离子注入系统组成，浓度分布，注入损伤和退火。
《半导体制造技术》课程教学大纲课程编号：20821305总学时数：48总学分数：3课程性质：必修适用专业：应用物理学一、课程的任务和基本要求：通过本课程学习，使学生对半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念，了解集成电路制造相关领域的新技术、新设备、新工艺，使学生具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。
主要分两部分内容，第一部分介绍主要的半导体材料，基本性质、在器件制造中的应用、材料的生长和加工等。
第二部分介绍超大规模集成电路制造的工艺流程，包括构成流程的各个基本工艺的原理、技术要点、检测方法和工艺质量评价。
该课程不仅是工艺工程师的入门知识，也是设计工程师应掌握的基本知识。
二、基本内容和要求：第一章硅和硅片的制备1.1 晶体结构1.2 单晶硅的生长1.3 硅中的晶体缺陷1.4 硅片制备通过本章的学习，要求学生掌握晶体生长技术（直拉法、区熔法），硅圆片制备及规格，晶体缺陷，硅中杂质。
第二章集成电路制造工艺简介2.1 CMOS工艺流程2.2 CMOS制作步骤通过本章的学习，要求学生简单了解集成电路制造工艺流程和制作步骤。
第三章氧化3.1 热氧化生长3.2 高温炉设备3.3 氧化工艺3.4 质量检测通过本章的学习，要求学生掌握SiO2结构及性质，硅的热氧化，影响氧化速率的因素，氧化缺陷，掩蔽扩散所需最小SiO2层厚度的估算，SiO2薄膜厚度的测量。
第四章淀积4.1 化学气相淀积4.2 CVD淀积系统4.3 外延4.4 CVD质量检测通过本章的学习，要求学生掌握化学气相淀积的原理和系统，了解外延法的种类。
第五章金属化5.1 金属淀积系统5.2 金属化方案通过本章的学习，要求学生掌握金属化的原理和系统。
第六章光刻6.1 光刻工艺简介6.2 旋转涂胶6.3 前烘6.4 对准和曝光6.5 显影和坚膜通过本章的学习，要求学生掌握光刻工艺流程，光刻缺陷控制及检测，光刻技术分类（光学光刻，非光学光刻），了解最新的光刻工艺技术动态。
《半导体材料与器件》课程教学大纲课程编号：课程名称：半导体材料与器件英文名称： Semiconductor materials and devices课程类型：专业课课程要求：选修学时/学分：32/2 （讲课学时：32 ）适用专业：功能材料一、课程性质与任务半导体材料与器件是现代自动化、微电子学、计算机、通讯等设备仪器研制生产的基础材料及核心部件，具有专门的生产设备、工艺和方法，在现代各方面得到大量的研究和应用，半导体材料与器件是功能材料工程专业一门主要的专业方向课。
通过本课程的学习使学生掌握半导体材料与器件的基础理论、主要的生产技术、工艺原理和方法。
为今后从事相关工作奠定良好的基础。
二、课程与其他课程的联系本课程涉及功能材料的晶体结构和物理性能，应在《材料科学基础》《功能材料物理基础》和《材料物理化学》课程之后进行授课。
三、课程教学目标1.掌握半导体材料物理的基本理论，硅、信和化合物半导体材料结构和性能。
（支撑毕业能力要求1, 4, 5）2.了解和掌握常见半导体材料的结构与性能的关系，能够正确选择和使用半导体材料，能够提高和改善常见半导体材料的相关性能。
（支撑毕业能力要求1, 3, 4, 5, 7）3.掌握利用各种电子材料制备双极性晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管及金属-半导体场效应晶体管、功率MOS场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管IGBT、LED和厚、薄膜集成电路的技术及生产工艺，能够对设计和实验结果进行综合分析。
（支撑毕业能力要求3, 4, 5, 12）4.能够使学生充分利用所学的半导体材料知识，在半导体和微电子材料领域研究、开发、生产高质量器件，为信息行业发展提供基础硬件支持，为国民经济服务。
（支撑毕业能力要求3, 4, 5, 7）四、教学内容、基本要求与学时分配五、其他教学环节（课外教学环节、要求、目标）无六、教学方法本课程以课堂理论教学为主，通过理论讲授、提问、讨论、演示等教学方法和手段让学生理解授课的基本内容，结合完成作业等教学手段和形式完成课程教学任务。
半导体器件与工艺一、课程说明课程编号：140320Z10课程名称（中/英文）：半导体器件与工艺/Semiconductor Devices and Technology课程类别：专业选修课学时/学分：48/3先修课程：《半导体物理》，《固体物理》适用专业：应用物理学、光电信息科学与工程、电子信息科学与技术教材、教学参考书：（1）施敏、李明逵著，王明湘、赵鹤鸣译，半导体器件物理与工艺，苏州大学出版社，2014；（2）施敏著，陈军宁、孟坚译，半导体制造工艺基础，安徽大学出版社，2007；（3）崔铮等编著，印刷电子学——材料、技术及其应用，高等教育出版社，2012；（4）Betty Lise Anderson, Richard L. Anderson 著（美），邓宁，田立林，任敏译，半导体器件基础，清华大学出版社，2008；（5）Donald H. Neamen (美) 著，赵毅强，姚素英，史再峰译，半导体物理与器件，电子工业出版社，2014。
二、课程设置的目的意义本课程大纲适用于应用物理学、光电信息科学与工程、电子信息科学与技术等专业，为专业选修个课程。
通过本课程的学习，使学生对半导体物理、半导体器件和半导体制造工艺及原理有一个较完整和系统的概念及理解，同时半导体器件制造相关领域的新设备、新工艺和新技术，使得学生初步具有一定的半导体器件及制备工艺分析和工艺设计能力，以及解决相关器件工艺技术问题的能力。
三、课程的基本要求1 知识要求1) 了解半导体器件和工艺技术发展历程及其重要性。
2) 掌握半导体器件的基本工作原理。
3) 掌握半导体器件的基本制造工艺技术。
2 能力要求1) 具有半导体器件和制备工艺的分析能力。
具有从参考书、文献、网络等获取能够符合自己需求的知识和信息的能力，具有根据半导体器件与工艺技术的发展现状和趋势能实时完善自身知识结构的能力。
2) 具有一定的半导体器件制备工艺设计能力，以及解决相关工艺技术问题的实践能力。
《半导体制造工艺》课程标准一、课程概述1.课程性质《半导体制造工艺》课程在对集成电路工艺和生产人员所从事的半导体制造典型工作任务进行分析的基础上而设置，是集成电路技术应用专业的核心课程。
该课程主要学习集成电路工艺流程的前端部分，即半导体制造工艺流程，主要包括清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化等几个主要工艺，具体每一道工艺中学习工艺的基本原理、工艺的操作过程、工艺对应的设备，工艺参数及质量控制。
2.课程任务使学生了解半导体制造过程中各工艺的基本原理、对应的设备。
通过工艺仿真模拟操作, 弥补实践课程由于昂贵的设备及过高的实践费用而无法进行实践教学的缺憾，使学生掌握各工艺的规范操作流程、工艺参数及质量检测方法。
3.课程要求此课程有助于培养具有较高素养的集成电路工艺和生产人员，使其熟知半导体制造过程中各工艺流程，掌握各工艺的规范操作步骤，并对其工艺参数进行测试和质量控制，使其具有较强的安全、规范、成本、质量、团队合作、精益求精等意识。
二、教学目标L知识目标(1)了解污染物杂质的分类和清洗方法；(2)掌握超声波清洗机的工艺流程；(3)了解热氧化方法及工艺原理、氧化设备及氧化膜的质量控制；(4)掌握氧化工艺操作流程；(5)了解薄膜淀积的概念、原理、淀积设备及金属淀积流程；(6)掌握CVD工艺流程及设备操作规范；(7)了解光刻和刻蚀的概念、主要参数、光刻设备及其质量控制；(8)掌握光刻和刻蚀工艺的基本步骤；(9)了解扩散原理、工艺步骤、扩散设备、工艺参数及其控制；(10)了解离子注入原理、离子注入机的组成；(11)掌握离子注入工艺、操作规范和关键工艺控制；(12)了解掺杂质量控制；(13)了解传统平坦化技术和化学机械平坦化。
2.能力目标(1)能采用仿真软件规范熟练操作氧化工艺流程；(2)能采用仿真软件规范熟练操作淀积工艺流程；(3)能采用仿真软件规范熟练操作光刻工艺流程；(4)能采用仿真软件规范熟练操作刻蚀工艺流程；(5)能采用仿真软件规范熟练操作扩散工艺流程；(6)能采用仿真软件规范熟练操作离子注入工艺流程；(7)能采用仿真软件规范熟练操作掺杂工艺流程。
《半导体制造工艺及设备》课程教学大纲
课程类别：技术基础必修课课程代码：BT1410_2
总学时：总学时48 （双语讲授48）
适用专业：微电子制造工程
先修课程：大学物理、半导体物理、微电子制造基础
一、课程的地位、性质和任务
本课程是微电子制造工程专业的一门必修的专业技术基础课。
其作用与任务是：使学生对集成电路制造工艺及其设备有一个比较系统、全面的了解和认识，初步掌握硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、化学机械平坦化等工艺及其设备，工艺集成以及CMOS工艺的基础理论。
二、课程教学的基本要求
1.初步掌握半导体工艺流程的基本理论与方法；
2.掌握半导体制造技术的基本工艺（硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注
入、金属化、化学机械平坦化）及其设备；
3.初步掌握工艺集成与当前最新的CMOS工艺流程。
三、课程主要内容与学时分配
1、半导体制造概述3学
时
半导体制造在电子制造工程中的地位与概述、基本概念、基本内容
2、硅材料制备3学
时
直拉法、区熔法
3、氧化4学时
氧化物作用、氧化原理、氧化方法、氧化工艺、氧化炉
4、淀积5学
时
物理淀积与化学气相淀积（CVD）、淀积工艺、CVD淀积系统
5、光刻8学
时
光刻胶、光刻原理、光刻工艺、光刻设备、先进光刻技术、光学光刻与软光刻。
6、刻蚀4学
时
刻蚀方法、干法刻蚀、湿法刻蚀、等离子刻蚀、刻蚀反应器
7、离子注入3学
时
扩散、离子注入原理、离子注入工艺、离子注入机
8、金属化4学时
金属类型、金属化方案、金属淀积系统、铜的双大马士革金属化工艺
9、化学机械平坦化（CMP）2学时
传统平坦化技术、化学机械平坦化CMP工艺、CMP应用
10、工艺集成4学时
CMOS工艺流程、最新的CMOS工艺
四、实验要求与试验内容
由于目前实验条件所限，本课程暂无实验安排。
五、教学方法的原则建议
教学重点：光刻与刻蚀。
教学难点：CMOS工艺流程。
教学方法提示与指导：教师备课时应多参考几本教材及最新科技动态和科研成果，特别是结合最新的CMOS工艺方法，本课程较抽象，应多采用电化教学、多媒体教学或到工厂实际参观，使学生能融会贯通。
六、考核方式及成绩构成
笔试，闭卷笔试
平时20％，期终考试80％
七、教材与参考书目
教材：hong xiao. Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology. Prentice Hall, 2002
参考书：
[1]. 关旭东. 硅集成电路工艺基础. 北京：北京大学出版社，2003.
[2] 荒井英辅，《集成电路A》，科学出版社，2000。
[3] 荒井英辅，《集成电路B》，科学出版社，2000。
[4] K.A.杰克逊(Kenneth A.Jackson)主编；屠海令等译校. 半导体工艺. 北京：科学出版
社，1999.
[5] Stephen A. Campbell著；曾莹等译. 微电子制造科学原理与工程技术. 北京：电子
工业出版社，2003.
[6] Quirk Serda 韩郑生.半导体制造工艺。
北京：电子工业出版社，2004。
八、说明
1．本大纲依据：本大纲所确定的授课内容及学时分配是依据微电子制造工程专业特色和本院教学计划所确定的课程学时而制订的。
2．本大纲的目的：是使《半导体制造工艺及设备》课程教学有一个规范性、纲领性、指导性的教学计划文件。
3．本大纲的作用：它可作为《半导体制造工艺及设备》课程任课教师制订“授课计划”
的重要依据，也是检验、评价教学质量的重要标准。
4．本大纲的使用：在本大纲使用过程中，应当与相关课程的教学内容相协调；另一方面，由于是新开课程，可依据实际使用情况与学生反馈情况以及最新的半导体制造
工艺的发展动态进行修订与完善。
《半导体制造工艺及设备》课程简介
课程代码：BT1410_2
课程名称：半导体制造工艺及设备
总学时：总学时48，（双语讲授48）
课程内容：硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、化学机械平坦化等半导体工艺及其设备，工艺集成以及CMOS工艺等。
教材：hong xiao. Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology. Prentice Hall,
2002.
参考书：
[1] 关旭东. 硅集成电路工艺基础. 北京：北京大学出版社，2003.
[2] 荒井英辅，《集成电路A》，科学出版社，2000。
[3] 荒井英辅，《集成电路B》，科学出版社，2000。
[4] K.A.杰克逊(Kenneth A.Jackson)主编；屠海令等译校. 半导体工艺. 北京：科学出版
社，1999.
[5] Stephen A. Campbell著；曾莹等译. 微电子制造科学原理与工程技术. 北京：电子
工业出版社，2003.
[6] Quirk Serda 韩郑生.半导体制造工艺。
北京：电子工业出版社，2004。
先修课程：大学物理、半导体物理、微电子制造基础。
